A semiconductor layer crystallized by an MILC method getting across the gate electrode is positioned on the gate insulating film. 前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート電極を横切るMILC方法によって結晶化された半導体層が位置する。 - 特許庁
MULTIGATES THIN FILM TRANSISTOR EMPLOYING MILC AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF MILCを利用した多重ゲート薄膜トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
An active layer 300 comprising polycrystalline silicon that is formed on an insulating substrate is formed of a first MILC crystallization region and a second MILC crystallization region by carrying out an MILC method with different temperatures. 絶縁基板上に形成される多結晶シリコンからなる活性層300を、異なる温度のMILC法を実行することで第1MILC結晶化領域及び第2MILC結晶化領域により形成する。 - 特許庁
To provide a thin film transistor shortening a crystallization process in the case of using a metal induced lateral crystallization (MILC) method, and its manufacturing method. 金属誘導化側面結晶化(MILC)法を用いた場合の結晶化工程の時間を短縮する薄膜トランジスター及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for improving significantly electric characteristics such as electronic mobility, a leakage current or the like of a thin film transistor by a metal induced lateral crystallization(MILC) method. MILC(Metal Induced Lateral Crystallization)法による薄膜トランジスタの電子移動度、漏れ電流などの電気特性を画期的に改善する製造方法を提供する。 - 特許庁