「MIM」を含む例文一覧(409)
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ＭＩＭキャパシタ - 特許庁 - MIM CAPACITOR
ＭＩＭ容量 - 特許庁 - The MIM RRAM stack 120 is on a bit line 122.
MIM RRAMスタック120は、ビット線122の上にある。 - 特許庁 - To provide microwave brazing using a MIM preform.
MIMプリフォームを使用するマイクロ波ロウ付け方法の提供 - 特許庁 - The diode 118 is formed on an MIM RRAM stack 120 in order.
ダイオード118は、順番としてMIM RRAMスタック120の上に形成される。 - 特許庁 - FABRICATION OF MIM CAPACITOR
ＭＩＭキャパシタの製造方法 - 特許庁 - MIM DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS
ＭＩＭ素子および電子装置 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING MIM CAPACITOR
ＭＩＭキャパシタの製造方法 - 特許庁 - To provide a dual-dielectric MIM capacitor for system-on-chip applications.
システムオンチップアプリケーション用の二重誘電体MIMコンデンサを提供する。 - 特許庁 - MIM TYPE ELECTRON EMITTING ELEMENT AND MIM TYPE ELECTRON EMITTING DEVICE
ＭＩＭ型電子放出素子およびＭＩＭ型電子放出装置 - 特許庁 - MIS/MIM ELECTRON EMITTER
ＭＩＳ／ＭＩＭ電子放出素子 - 特許庁 - MIM CAPACITOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
ＭＩＭキャパシタとその製造方法 - 特許庁 - The MIM capacitive element comprises a main MIM capacitive element part, and a dummy MIM element arranged therearound.
ＭＩＭ容量素子は、主ＭＩＭ容量素子部とその周囲に配置されたダミーＭＩＭ素子部で構成される。 - 特許庁 - A first metal-insulator-metal (MIM) capacitor is formed in the first region.
第１金属‐絶縁体‐金属（MIM）コンデンサは、第１領域に形成される。 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR DEVICE AND MIM CASPACITOR
半導体装置およびＭＩＭキャパシタ - 特許庁 - MIM SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD
ＭＩＭ基板及びその製造方法 - 特許庁 - MIM CAPACITOR AND ITS MANUFACTURE
ＭＩＭキャパシタ及びその製造方法 - 特許庁 - ARRANGING STRUCTURE OF MIM TYPE CAPACITIVE ELEMENT
ＭＩＭ型容量素子の配置構造 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING MIM BRAZE PREFORM
ＭＩＭロウ材プリフォームの製造方法 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING MIM CAPACITOR
ＭＩＭキャパシタを有する半導体素子 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING MIM TUNNEL DIODE
ＭＩＭ型トンネルダイオードの製造方法 - 特許庁 - MIM CAPACITOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
ＭＩＭキャパシタおよびその作製方法 - 特許庁 - MIM CAPACITOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
ＭＩＭキャパシタおよびその製造方法 - 特許庁 - MIM CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD OF SAME
ＭＩＭキャパシタ及びその製造方法 - 特許庁 - MIM CAPACITOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
ＭＩＭ容量およびその製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING MIM TYPE CAPACITOR ELEMENT
ＭＩＭ型容量素子の製造方法 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD FOR CIRCUIT, AND MIM CAPACITANCE CIRCUIT
回路製造方法、ＭＩＭ容量回路 - 特許庁 - BOLOMETER PIXEL WITH MIM-TYPE INTEGRATION CAPACITOR
ＭＩＭ積分キャパシタを有するボロメータピクセル - 特許庁 - MICROWAVE PROCESSING OF MIM PREFORM
ＭＩＭプリフォームをマイクロ波処理する方法 - 特許庁 - MIM CAPACITY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD
ＭＩＭ容量素子およびその製造方法 - 特許庁 - A second MIM capacitor is in the second region and positioned at the substantially same level with the first MIM capacitor.
第２MIMコンデンサは、第２領域に位置し、第１MIMコンデンサと実質的に同じレベルに位置する。 - 特許庁 - To improve an MIM capacitor and its manufacturing method.
ＭＩＭキャパシタとその製造方法の改善。 - 特許庁 - MIM CAPACITOR FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
半導体集積回路用ＭＩＭ容量装置 - 特許庁 - THIN FILM MIM CAPACITOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
薄膜ＭＩＭキャパシタ及びその製造方法 - 特許庁 - MIM-TYPE NONLINEAR ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
ＭＩＭ型非線形素子とその製造方法 - 特許庁 - MICROWAVE BRAZING USING MIM PREFORM
ＭＩＭプリフォームを使用するマイクロ波ロウ付け方法 - 特許庁 - THIN-FILM MIM CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
薄膜ＭＩＭキャパシタ及びその製造方法 - 特許庁 - LARGE CAPACITANCE MIM CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
大容量ＭＩＭキャパシタ及びその製造方法 - 特許庁 - To reduce leakage current of an MIM capacitance circuit.
ＭＩＭ容量回路のリーク電流を削減する。 - 特許庁 - MIM COLD CATHODE ELEMENT AND MANUFACTURE THEREOF
ＭＩＭ型の冷陰極素子及びその製造方法 - 特許庁 - FINGERLIKE MIM CAPACITOR WITH LOCAL INTERCONNECTION PART
局部相互接続部を伴う指状ＭＩＭキャパシタ - 特許庁 - SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING MIM STRUCTURE RESISTOR
ＭＩＭ構造抵抗体を搭載した半導体装置 - 特許庁 - To provide an MIM (metal-insulator-metal) capacitor that has a high capacitance.
金属-絶縁体-金属キャパシタを提供する。 - 特許庁 - DEVICE, AND METHOD (MIM CAPACITOR AND ITS MANUFACTURING METHOD)
デバイス、方法（ＭＩＭキャパシタおよびその製造方法） - 特許庁 - The upper electrode 120 of the lower MIM capacitor is connected to the lower electrode 122 of the upper MIM capacitor while the lower electrode 124 of the lower MIM capacitor is connected to the upper electrode 130 of the upper MIM capacitor.
下部ＭＩＭキャパシタの上部電極１２０は上部ＭＩＭキャパシタの下部電極１２２に接続され、一方、下部ＭＩＭキャパシタの下部電極１２４は上部ＭＩＭキャパシタの上部電極１３０に接続される。 - 特許庁 - DUAL-DIELECTRIC MIM CAPACITOR FOR SYSTEM-ON-CHIP APPLICATION
システムオンチップアプリケーション用二重誘電体ＭＩＭコンデンサ - 特許庁 - SEMICONDUCTOR DEVICE MOUNTED WITH METAL INSULATOR METAL (MIM) STRUCTURE RESISTOR
ＭＩＭ構造抵抗体を搭載した半導体装置 - 特許庁 - To provide a MIM capacitor having a high dielectric breakdown voltage.
高い絶縁破壊耐圧のＭＩＭキャパシタを提供する。 - 特許庁 - To prevent oxidation in processing the lower electrode in an MIM capacitor.
ＭＩＭキャパシタの下部電極加工時の酸化を防止する。 - 特許庁 - This method can be used to manufacture an MIM capacitor.
この方法を、ＭＩＭキャパシタの製造に使用することができる。 - 特許庁
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