「MNOS memory」を含む例文一覧(5)
- SINGLE-CHARGE STORING MNOS MEMORY, MONOS MEMORY, AND METHOD FOR DRIVING THE SAME
単一電荷蓄積ＭＮＯＳメモリ及びＭＯＮＯＳメモリ並びにそれらの駆動方法 - 特許庁 - To provide a nonvolatile memory and manufacturing method thereof, having a novel cell structure having both a scalability equal to that of the floating gate type memory cell and high reliability equal or higher than an MNOS type memory cell.
フローティングゲート型メモリセルに匹敵するスケーラビリティと、ＭＮＯＳ型メモリセルと同等以上の高い信頼性とを併せ持った新規なセル構造の不揮発性メモリおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device that greatly suppresses generation of leakage current through a gate insulating film in the so-called MNOS structure.
いわゆるＭＮＯＳ構造において、ゲート絶縁膜を介した漏れ電流の発生を大幅に抑制させた半導体メモリ装置の提供。 - 特許庁 - A data holding characteristic is improved by using a silicon nitride film of which Si-H coupling density is ≤1×10^19 cm^-3 as a charge accumulation layer 4 of a non-volatile memory such as an MNOS memory or an MONOS memory.
ＭＮＯＳメモリまたはＭＯＮＯＳメモリ等の不揮発性メモリの電荷蓄積層４としてＳｉ−Ｈ結合密度が１×１０^１９ｃｍ^−３以下の窒化珪素膜を用いることにより、データ保持特性の改善を図る。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory element, which has the same functions as those of a booster gate, in the case of an MONOS type or an MNOS type and in which the number of manufacturing processes is not increased.
例えばＭＯＮＯＳ型あるいはＭＮＯＳ型といった不揮発性の電気的書き換えが可能な半導体メモリ素子であって、ブースター・ゲートと同じ機能を有し、しかも、製造工程が増えることのない半導体メモリ素子を提供する。 - 特許庁
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