「MOSFET」を含む例文一覧(2423)
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 48 49 次へ＞- This temperature detection circuit C10 is constituted of a current routes Ch1-Ch3, the first MOSFET N101, the second MOSFET N102, the third MOSFET N103, the fourth MOSFET N104, and the fifth MOSFET N105.
温度検出回路C10を、電流経路Ch1〜Ch3と、第一MOSFET N101と、第二MOSFET N102と、第三MOSFET N103と、第四MOSFET N104と、第五MOSFET N105とで構成した。 - 特許庁 - MOSFET
ＭＯＳＦＥＴ - 特許庁 - VERTICAL MOSFET SRAM CELL
垂直ＭＯＳＦＥＴ（ｖｅｒｔｉｃａｌＭＯＳＦＥＴ）ＳＲＡＭセル - 特許庁 - SPIN MOSFET
スピンＭＯＳＦＥＴ - 特許庁 - POWER MOSFET
パワーＭＯＳＦＥＴ - 特許庁 - LATERAL MOSFET
ラテラルＭＯＳＦＥＴ - 特許庁 - TRENCH MOSFET
トレンチＭＯＳＦＥＴ - 特許庁 - MOSFET CIRCUIT
ＭＯＳＦＥＴ回路 - 特許庁 - LATERAL MOSFET
横型ＭＯＳＦＥＴ - 特許庁 - VERTICAL MOSFET
縦型ＭＯＳＦＥＴ - 特許庁 - The semiconductor device 1 is a vertical-type power MOSFET.
半導体装置１は、縦型のパワーMOSFETである。 - 特許庁 - SOI-MOSFET
ＳＯＩ−ＭＯＳＦＥＴ - 特許庁 - TRENCH GATE MOSFET
トレンチゲートＭＯＳＦＥＴ - 特許庁 - COMPOSITE MOSFET
複合型ＭＯＳＦＥＴ - 特許庁 - POWER MOSFET
パワーＭＯＳＦＥＴ装置 - 特許庁 - COMPOUND TYPE MOSFET
複合型ＭＯＳＦＥＴ - 特許庁 - MOSFET CONSTITUTING ELEMENT
ＭＯＳＦＥＴ構成素子 - 特許庁 - MOSFET DRIVING CIRCUIT
ＭＯＳＦＥＴ駆動回路 - 特許庁 - MOSFET SWITCH DEVICE
ＭＯＳＦＥＴスイッチ装置 - 特許庁 - VERTICAL POWER MOSFET
縦型パワーＭＯＳＦＥＴ - 特許庁 - MOSFET AND MANUFACTURING METHOD OF MOSFET
ＭＯＳＦＥＴおよびＭＯＳＦＥＴの製造方法 - 特許庁 - The MOSFET of the rectifying circuit is simultaneously turned on with the MOSFET of the driving inverter circuit and turned off, earlier than the MOSFET of the driving inverter circuit within the range of a period (t) of (the resonance frequency)/2.
そして整流回路のMOSFETは、駆動用インバータ回路のMOSFETと同時にオンし、共振周期/2の期間ｔの範囲内で駆動用インバータ回路のMOSFETより早くオフする。 - 特許庁 - A CMOS memory element comprises silicon-on-insulator MOSFET transistors.
シリコン−オン−絶縁物MOSFETトランジスタを有するCMOSメモリ素子。 - 特許庁 - MOSFET AMPLIFIER CIRCUIT
ＭＯＳＦＥＴ増幅回路 - 特許庁 - HORIZONTAL TRENCH MOSFET
横型トレンチＭＯＳＦＥＴ - 特許庁 - PROTECTIVE CIRCUIT OF MOSFET
ＭＯＳＦＥＴの保護回路 - 特許庁 - PROTECTION DEVICE OF MOSFET
ＭＯＳＦＥＴの保護装置 - 特許庁 - PROTECTIVE DEVICE OF MOSFET
ＭＯＳＦＥＴの保護装置 - 特許庁 - DRIVER CIRCUIT OF MOSFET
ＭＯＳＦＥＴのドライバ回路 - 特許庁 - DRIVING CIRCUIT FOR MOSFET
ＭＯＳＦＥＴの駆動回路 - 特許庁 - For driving the MOSFET 3, a MOSFET 4 may be used.
ＭＯＳＦＥＴ３の駆動には、ＭＯＳＦＥＴ４を用いる。 - 特許庁 - Namely, in the thickness of the SOI layer 3, the MOSFET 32 is formed similarly to the MOSFET of a conventional PD mode, and in operations, it is operated similarly to the MOSFET of the FD mode.
すなわち、MOSFET３２は、ＳＯＩ層３の厚さについては、従来のPDモードのMOSFETと同等に形成され、動作については、FDモードのMOSFETと同等となる。 - 特許庁 - JBS AND MOSFET
ＪＢＳおよびＭＯＳＦＥＴ - 特許庁 - SOI-MOSFET DEVICE
ＳＯＩ−ＭＯＳＦＥＴ装置 - 特許庁 - An RF input signal terminal is coupled to a gate electrode of the first MOSFET, and the gate of the second MOSFET is connected between a resistor and a capacitor connected in series between the drain of the second MOSFET and the source of the first MOSFET.
RF入力信号端子がこの第一のMOSFETトランジスタのゲート電極に接続され、第二のMOSFETトランジスタのゲートは、第二のMOSFETトランジスタのドレーンと第一のMOSFETトランジスタのソースとの間に直列に接続された抵抗及とコンデンサの間に接続される。 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF MOSFET
ＭＯＳＦＥＴの製造方法 - 特許庁 - POWER MOSFET DRIVING CIRCUIT
パワーＭＯＳＦＥＴ駆動回路 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF POWER MOSFET AND POWER MOSFET
パワーＭＯＳＦＥＴの製造方法およびパワーＭＯＳＦＥＴ - 特許庁 - To dispense with an external power supply for generating a gate voltage for a MOSFET operating with a grounded gate for protecting a low voltage MOSFET.
耐圧の低いMOSFETを保護するためにゲート接地として動作する、MOSFETのゲート電圧を生成するための外部電源を不要にする。 - 特許庁 - HYPERBOLIC CHANNEL MOSFET
双曲型チャネルＭＯＳＦＥＴ - 特許庁 - MOSFET SOLID-STATE RELAY
ＭＯＳＦＥＴソリッド・ステート・リレー - 特許庁 - HIGH FREQUENCY MOSFET SWITCH
高周波ＭＯＳＦＥＴスイッチ - 特許庁 - MOSFET AND ITS MANUFACTURING METHOD
モスフェット及びその製造方法 - 特許庁 - HIGH VOLTAGE RESISTANT HORIZONTAL MOSFET
高耐圧横型ＭＯＳＦＥＴ - 特許庁 - VERTICAL MOSFET AND MANUFACTURING METHOD OF THE VERTICAL MOSFET
縦型ＭＯＳＦＥＴおよび縦型ＭＯＳＦＥＴの製造方法 - 特許庁 - GATE DRIVE CIRCUIT OF MOSFET
ＭＯＳＦＥＴのゲート駆動回路 - 特許庁 - To manufacture a high-pressure MOSFET capable of restraining a short channel effect, without increasing process flows and the number of processes, in a semiconductor device including the high-pressure MOSFET.
高耐圧MOSFETを含む半導体装置において、プロセスフロー及び工程数を増やさずに、短チャネル効果を抑制した高耐圧MOSFETを製造する。 - 特許庁 - MULTIFACETED GATE MOSFET DEVICE
マルチファセット・ゲートＭＯＳＦＥＴデバイス - 特許庁 - To correctly evaluate on-chip variation in characteristics of a MOSFET incorporated in an LSI.
LSI に内蔵するMOSFETのチップ内特性ばらつきを正確に評価する。 - 特許庁 - MOSFET AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
ＭＯＳＦＥＴとその製造方法 - 特許庁
- 特許庁
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