「MRAM」を含む例文一覧(382)
1 2 3 4 5 6 7 8 次へ＞- To increase storage density of MRAM.
MRAMの記憶密度を増加させること。 - 特許庁 - MRAM DEVICE
ＭＲＡＭ装置 - 特許庁 - MRAM STRUCTURE
ＭＲＡＭ構造 - 特許庁 - MRAM MEMORY
ＭＲＡＭメモリ - 特許庁 - MRAM ARRANGEMENT
ＭＲＡＭ配置物 - 特許庁 - MRAM ASSEMBLY
ＭＲＡＭアセンブリー - 特許庁 - MRAM MEMORY CELL
ＭＲＡＭメモリーセル - 特許庁 - MRAM MEMORY ARRAY
ＭＲＡＭメモリアレイ - 特許庁 - MRAM ARRANGEMENT
ＭＲＡＭ配列構造 - 特許庁 - HIGH-DENSITY MRAM
高密度ＭＲＡＭ - 特許庁 - To provide a high-speed, highly reliable MRAM by improving a TMR ratio of a TMR element in the MRAM.
MRAMのTMR素子のTMR比を向上させることにより，高速，高信頼のMRAMを提供する。 - 特許庁 - MRAM MEMORY CELL AND MRAM MEMORY DEVICE
ＭＲＡＭメモリセルおよびＭＲＡＭメモリデバイス - 特許庁 - MRAM AND MRAM WRITING METHOD
ＭＲＡＭ及びＭＲＡＭの書き込み方法 - 特許庁 - MRAM CONTROL DEVICE AND MRAM CONTROL METHOD
ＭＲＡＭ制御装置およびＭＲＡＭ制御方法 - 特許庁 - MRAM DEVICE AND WRITE METHOD TO MRAM DEVICE
ＭＲＡＭ装置およびＭＲＡＭ装置への書き込み方法 - 特許庁 - MRAM AND ITS READOUT METHOD
ＭＲＡＭ及びその読み出し方法 - 特許庁 - In a method of manufacturing a magnetic random access memory (MRAM), any memory cells within the MRAM array are insulated until selection is performed.
磁気ランダムアクセスメモリ（MRAM）を作成するための方法は、選択されるまでは、動作中にMRAMアレイ内のどのメモリセルも絶縁する。 - 特許庁 - MRAM AND ITS WRITING METHOD
ＭＲＡＭ及びその書込方法 - 特許庁 - MRAM MODULE STRUCTURE
ＭＲＡＭモジュール構造物 - 特許庁 - MRAM, AND IMPROVEMENT THEREOF
ＭＲＡＭ及びその改良 - 特許庁 - LOW-POWER MRAM MEMORY ARRAY
低電力ＭＲＡＭメモリアレイ - 特許庁 - MRAM WITHOUT ISOLATION DEVICE
分離素子を不要としたＭＲＡＭ - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MRAM
磁気抵抗効果素子及びＭＲＡＭ - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MRAM
磁気抵抗効果素子及びＭＲＡＭ - 特許庁 - This device is a magnetic random access memory(MRAM) device (100).
メモリセル(104)のアレイ(102)を含む磁気ランダムアクセスメモリ（MRAM）デバイス(100)。 - 特許庁 - The data storage device 8 can be a magnetic random access memory(MRAM).
データ記憶装置(8)は、磁気ランダムアクセスメモリ(「MRAM」)とすることができる。 - 特許庁 - To expand the size of an array of MRAM memory cells and an operation margin.
MRAMのメモリセルアレイのサイズを拡大し、動作マージンを広げる。 - 特許庁 - To provide a means of ensuring correct writing using an MRAM memory cell.
MRAMメモリセルにより正確な書込みを行うための手段を提供する。 - 特許庁 - MRAM REFERENCE CELL SUB-ARRAY AND ITS MANUFACTURING METHOD, MRAM ARRAY, MRAM CELL SUB-ARRAY AND ITS MANUFACTURING METHOD, MRAM CELL SUB-ARRAY WRITING DEVICE, AND MRAM CELL SUB-ARRAY WRITING METHOD
ＭＲＡＭリファレンスセルサブアレイおよびその製造方法、ＭＲＡＭアレイ、ＭＲＡＭセルサブアレイおよびその製造方法、ＭＲＡＭセルサブアレイ書込装置、ＭＲＡＭセルサブアレイの書込方法 - 特許庁 - SPIN-TORQUE MRAM CELL ARRAY, SPIN-TORQUE MRAM DEVICE, AND PROGRAMMING METHOD OF SPIN-TORQUE MRAM CELL ARRAY
スピントルクＭＲＡＭセルアレイ、スピントルクＭＲＡＭ装置およびスピントルクＭＲＡＭセルアレイのプログラミング方法 - 特許庁 - An MRAM device 50 includes a memory array (MRAM cell block 52 and reference MRAM cell block 54) including a magnetic memory cell.
ＭＲＡＭデバイス５０は、磁気メモリセルからなるメモリアレイ（ＭＲＡＭセルブロック５２，基準ＭＲＡＭセルブロック５４）を備える。 - 特許庁 - The writing circuit (24) for a large-scale array (10) of a memory cell (12) of the magnetic random access memory(MRAM) device (8).
磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイス(8)のメモリセル(12)の大規模なアレイ(10)のための書き込み回路(24)。 - 特許庁 - Magnetic Random Access Memory (MRAM) element (812) can include an array of these memory cells (10).
磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)素子(812)は、これらのメモリセル(10)のアレイを含むことができる。 - 特許庁 - An MRAM memory array (100) is provided with nonlinear word lines (110) and linear bit lines (120).
非線形ワードライン(110)と線形ビットライン(120)とを有するMRAMメモリアレイ(100)。 - 特許庁 - This magnetoresistive solid-state storage device (MRAM) performs error correction coding (ECC) of stored information.
記憶されている情報の誤り訂正コード化(ECC)を実行する磁気抵抗固体記憶装置(MRAM)。 - 特許庁 - A magnetoresistive solid-state storage device (MRAM) performs error correcting coding (ECC) of stored information.
記憶されている情報の誤り訂正符号化(ECC)を実行する磁気抵抗固体記憶装置(MRAM)。 - 特許庁 - To reduce the current required for a word line and a bit line in an MRAM memory array.
MRAMメモリアレイにおいて、ワードラインおよびビットラインに必要とされる電流を低減させること。 - 特許庁 - To establish a reference signal for a memory cell of a MRAM array having high reliability.
MRAMアレイのメモリセルのための信頼性の高い基準信号を確立すること。 - 特許庁 - The MRAM cell disclosed in the present invention has power consumption lower than that of a conventional MRAM cell.
本明細書で開示するＭＲＡＭセルは、従来のＭＲＡＭセルに比べて電力消費が低い。 - 特許庁 - The device (8) can be made as a magnetic random access memory ('MRAM') device.
データ記憶デバイス(8)は磁気ランダムアクセスメモリ(「MRAM」)デバイスとすることができる。 - 特許庁 - To provide a MRAM array having magnetic environment being uniform for all memory cells in a array.
アレイ内の全てのメモリセルに対して一様な磁気環境を有するMRAMアレイの提供。 - 特許庁 - A magnetoresistive solid-state storage device (MRAM) employs error correction coding (ECC) to form encoded stored data.
磁気抵抗固体記憶装置(MRAM)は、誤り訂正符号化(ECC)を用いてECC符号化された記憶データを作成する。 - 特許庁 - Further, an embodiment (400) of the method of reducing half-select write errors within a MRAM is also disclosed.
更に、MRAM内の半選択書込み誤りを低減する方法の実施形態(400)も開示される。 - 特許庁 - To provide a spin-torque transfer magnetic read access memory (STT-MRAM) of which the selection device is improved.
選択デバイスを改良した回転-トルク転送磁気リード・アクセス・メモリ（STT-MRAM）を提供する。 - 特許庁 - To provide a magnetic random access memory (MRAM) and a method for reading out from the MRAM with accuracy.
磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）及びＭＲＡＭを正確に読み出す方法を提供する。 - 特許庁 - The ferromagnetic layer of a TMR element in the MRAM gets into tensile strain status, resulting in permitting increased magnetization.
MRAMのTMR素子の強磁性層が引張ひずみ状態となり，磁化が増大していることを特徴とする。 - 特許庁 - An MRAM chip 111 and a second device 112 are stacked through die connection layers 113 and 114, respectively.
また、MRAMチップ111と第2デバイス112はそれぞれダイ接続層113、114を介して重畳してある。 - 特許庁 - The method (500) of erasing a logical data block of a MRAM (magnetic random access memory) is disclosed.
本発明の一実施形態によるMRAMの論理データブロックを消去する方法(500)が開示される。 - 特許庁 - MRAM HAVING INTEGRATED SEMICONDUCTOR DEVICE
集積された半導体デバイスを有するＭＲＡＭ - 特許庁 - 1R1D MRAM BLOCK ARCHITECTURE
１Ｒ１ＤＭＲＡＭブロックアーキテクチャ - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
