「MRE」を含む例文一覧(59)
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複数の駆動装置を利用する磁気共鳴エラストグラフィ - 特許庁 - Also, the ferrite magnet 4 also functions as the case of the MRE chip 1.
フェライトマグネット４は、ＭＲＥチップのケースの役割も果たす。 - 特許庁 - The MRE 25 detects the position of the magnet 22.
ＭＲＥ２５はマグネット２２の位置を検出するようになっている。 - 特許庁 - An MRE sensor 36 etc. is arranged in a position opposing to the projecting tooth 40.
凸状歯４０に対向する位置に、ＭＲＥセンサ３６等を配置する。 - 特許庁 - To prevent the electrostatic breakdown of a magneto resistive effect(MRE) element, in an MRE head, by releasing static electricity caused between the terminals of the MRE element and between the magnetic shields during the manufacture and the use.
磁気抵抗効果ヘッドで、製造時および使用時に磁気抵抗効果素子１３の端子間および磁気シールドの間に生じた静電気を放出して、磁気抵抗効果素子の静電破壊を防ぐ。 - 特許庁 - The MRE driving device performs calibration of an image formation using MRE driving as a preliminary scanning of MRE pulse sequence in each strain wave in MRE driving converter before scanning and adjusts the actual scanning by obtaining information to properly drive each converter array obtained in the preliminary scanning during MRE scanning thereafter.
ＭＲＥ駆動変換器アレイにおけるそれぞれの変換器によって作成された歪み波がＭＲＥパルスシーケンスの予備走査としてＭＲＥ駆動を利用して画像形成される較正処理が、走査に先立って実行され、その後のＭＲＥ走査の間に予備走査で得られたそれぞれの変換器アレイが適切に駆動されるよう情報を取得し本スキャンを調整する。 - 特許庁 - At the approach timing when the projecting tooth 40 approaches to the MRE sensor 36 etc. and the separation timing when the projecting tooth 40 separates from the MRE sensor 36 etc., each MRE sensor 36 etc. receives a generated detection signal, and the motor angle sensor detects the rotating position of the motor 24 etc.
凸状歯４０がＭＲＥセンサ３６等に近づく際の近づきタイミングと当該凸状歯４０がＭＲＥセンサ３６等から遠のく際の遠のきタイミングとにおいてＭＲＥセンサ３６等がそれぞれ発生する検知信号を受けて、モータ角センサがモータ２４等の回転位置を検出する。 - 特許庁 - A change of a magnetic vector of the bias magnetic field generated when the counter magnet 2 approaches the MRE sensor 1 is sensed by the MRE sensor 1, to thereby detect approach of the counter magnet 2 to the MRE sensor 1, and the shift position of the shift lever is detected based on the detection.
そして、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に近づくときに生じるバイアス磁界の磁気ベクトルの変化をＭＲＥセンサ１により感知してカウンタ磁石２のＭＲＥセンサ１への近接を検知するとともに、この検知に基づいてシフトレバーのシフト位置を検出する。 - 特許庁 - To enhance detection sensitivity by eliminating displacement between an MRE chip and a magnet for bias.
ＭＲＥチップとバイアス用磁石との位置ずれをなくし、検出感度を高める。 - 特許庁 - The MRE chip 1 is bonded and fixed to the bottom of a ferrite magnet 4 having a U-shaped cross section.
ＭＲＥチップ１は、断面Ｕ字状のフェライトマグネット４の底部に接着固定されている。 - 特許庁 - The magnetic sensor is constituted of four MRE bridges 50-53, and the MRE bridges 50 and 53 are arranged symmetrically in relation to the magnetic center shaft (the center line 56 of a board 55) of a bias magnet 41, and the MRE bridges 51 and 52 are respectively arranged at the intermediate position between the MRE bridges 50, 53 and the bias magnet 41.
４個のＭＲＥブリッジ５０〜５３から磁気センサを構成し、ＭＲＥブリッジ５０，５３をバイアス磁石４１の磁気的中心軸（基板５５の中心線５６）に対して線対称位置に配置し、ＭＲＥブリッジ５１，５２をＭＲＥブリッジ５０，５３とバイアス磁石４１の磁気的中心軸との中間位置にそれぞれ配置する。 - 特許庁 - In addition, before the MRE head part is formed, the semiconductor is made on the insulated substrate 10.
また、磁気抵抗効果ヘッド部分を形成する前に、半導体を絶縁基板上に作る。 - 特許庁 - Then, a magnetic resonance elastogram (MRE) pulse sequence is applied to the object, and the vibration from the ball vibrator is loaded to produce the magnetic resonance elastogram (MRE).
次いで、前記対象物に対して磁気共鳴エラストグラム（ＭＲＥ）パルスシーケンスを適用するとともに、前記ボールバイブレータからの振動を負荷して磁気共鳴エラストグラム（ＭＲＥ）を作成する。 - 特許庁 - With this constitution, the sum of the respective resistance values of the 1st and 2nd magnetoresistive elements MRE 11a and MRE 11b accompanying the variation of the magnetic vector varies only depending on the temperature.
このような構成では、磁気ベクトルの変化に伴う第１および第２の磁気抵抗素子ＭＲＥ１１ａ、ＭＲＥ１１ｂの各抵抗値の加算値はほぼ温度にのみ依存して変化するようになる。 - 特許庁 - By arranging the MRE bridges 3, 4 in the rotating direction of the gear 1, phase difference can be obtained between the outputs of the first and second MRE bridges 3, 4.
このように、このようにＭＲＥブリッジ３、４をギア１の回転方向に配列させることにより、第１、第２のＭＲＥブリッジ３、４のそれぞれの出力に位相差をつけることができる。 - 特許庁 - A first MRE(magnetic resistance element) bridge 3 and a second MRE bridge 4 are aligned in the rotating direction of a gear 1 and arranged at symmetric positions where the magnetic center axis of a bias magnet 2 is the symmetric axis.
第１、第２のＭＲＥブリッジ３、４を、ギア１の回転方向に配列させると共に、バイアス磁石２の磁気的中心軸を対称軸として対称位置に配置する。 - 特許庁 - Diodes 10, 11 are connected to an MRE bridges 6, 16 in series between a power source and ground.
電源及びアース間においてダイオード１０，１１をＭＲＥブリッジ６，１６に直列に接続する。 - 特許庁 - A casing 24 constituting the shift position sensor 21 contains a rotor 23, a magnet 22 and a MRE(magnet resistance element) 25.
シフトポジションセンサ２１を構成するケーシング２４には、ロータ２３、マグネット２２及びＭＲＥ２５が収容されている。 - 特許庁 - The displacement of the permanent magnet 358 is detected with a MRE element, therefore it is detected that the child seat is set.
永久磁石３５８の変位はＭＲＥ素子３６０により検出され、これにより、チャイルドシートが取り付けられたことを検出する。 - 特許庁 - The four GMR sensors g1-g4 and the MRE sensor m are mounted on the circuit board 17 in a form of a stack type semiconductor package 10.
４つのＧＭＲセンサｇ１〜ｇ４とＭＲＥセンサｍとは、回路基板１７にスタック型半導体パッケージ１０の形態で実装されている。 - 特許庁 - A plurality of steps of differential computing are performed in relation to output signals of the MRE bridges 50-53 to obtain a single differential output Vd.
そして、これらのＭＲＥブリッジ５０〜５３の出力信号に対して、複数段階の差動演算を行なって単一の差動出力Ｖｄを求める。 - 特許庁 - To enable a magnetic resonance elastogram (MRE) using a magnetic resonance imaging equipment (MRI) to be produced by a sufficient alternate stress.
十分な交番応力によって、磁気共鳴画像装置（ＭＲＩ）を使用した磁気共鳴エラストグラム（ＭＲＥ）の作成を可能にする。 - 特許庁 - The molded IC for the magnetic sensor is formed by providing a magnetoresistance element (MRE chip) as an IC, and a molded section which has the magnetoresistance element within.
磁気センサは、ＩＣである磁気抵抗素子（ＭＲＥチップ）と、前記磁気抵抗素子を内蔵するモールド部とを具備して、モールドＩＣを形成する。 - 特許庁 - As a result, rotation detection of the gear 1 is enabled on the basis of the outputs of the first and second MRE bridges 3, 4.
このため、第１、第２のＭＲＥブリッジ３、４の出力に基づいて、ギア１の回転検出を行うことができる。 - 特許庁 - The temperature sensor is composed of a 1st magnetoresistive element MRE 11a and a 2nd magnetoresistive element MRE 11b which are tilted by 90 degrees to each other and arranged on the flat surface on which magnetic vectors vary, wherein the magnetoresistive elements are same shape and same material (e.g. nickel cobalt etc.).
温度センサは、磁気抵抗素子として、互いに同一の形状および同一の材料（例えばニッケルコバルトなど）とされるとともに、磁気ベクトルが変化する平面上に互いに９０度傾いて配置される第１および第２の磁気抵抗素子ＭＲＥ１１ａ、ＭＲＥ１１ｂを備える。 - 特許庁 - Since the magnetoresistive element (MRE) 31 is disposed so as to have a predetermined length in the thickness direction of a substrate 30, a sensing axis of the MRE 31 is not set in the direction along a surface of the substrate 30, and is set in the thickness direction of the substrate 30.
基板３０の厚さ方向において所定の長さを有するように磁気抵抗素子（ＭＲＥ）３１を配置することにより、ＭＲＥ３１の検知軸を、基板３０の表面に沿う方向ではなく、基板３０の厚さ方向に設定した。 - 特許庁 - This shift position detection device includes: a counter magnet 2 moving in the two mutually-orthogonal axial directions in linkage with operation in the two axial directions of the shift lever of the vehicle, and approaching an MRE sensor 1 in company with the movement; and a bias magnet 3 for applying a bias magnetic field to the MRE sensor 1.
このシフト位置検出装置は、車両のシフトレバーの２軸方向の操作に連動して互いに直交する２軸方向に移動するとともにこの移動に伴ってＭＲＥセンサ１に近接するカウンタ磁石２と、ＭＲＥセンサ１にバイアス磁界を付与するバイアス磁石３とを備えている。 - 特許庁 - A pair of MREs 12 and 13 constituting the first MRE bridge 10 form a first V-shaped pattern together, and a pair of MREs 14 and 15 constituting the second MRE bridge form a V-shaped pattern inverted by 180° to the first V-shaped pattern with the direction orthogonal to the center line 4a of the IC chip 4 as the axis.
第１のＭＲＥブリッジ１０を構成する一対のＭＲＥ１２、１３は、互いに第１のハの字状パターンを形成しており、第２のＭＲＥブリッジ１２を構成する一対のＭＲＥ１４、１５は、第１のハの字状パターンに対してＩＣチップ４の中心線４ａに直交する方向を軸として１８０°反転したハの字状パターンを形成している。 - 特許庁 - Output terminals 3a, 3b, 3c are inserted into the ferrite magnet 4 and molded thereto, and the MRE chip 1 is connected to the terminals 3a, 3b, 3c by wire-bonding.
出力端子３ａ，３ｂ，３ｃが、フェライトマグネット４にインサート成形され、ＭＲＥチップ１は、ワイヤボンディングにより端子３ａ，３ｂ，３ｃに接続されている。 - 特許庁 - The bias magnets 101-103 are secured to the guiding rail member 9 to identify positional relationship with the lever 2, and the member 9 is secured to the circuit board 5 on the condition that the bias magnets 101-103 are positioned to the MRE element.
バイアス磁石101〜103は、レバー２との位置関係を規定すべく、案内レール部材９に固設され、当該部材９は、バイアス磁石101〜103がＭＲＥ素子に対して位置決めされた状態で回路基板５に固設されている。 - 特許庁 - To provide a magnetic sensor which increases position accuracy between an MRE chip and magnets, and can be miniaturized by molding the IC chip with magnet resin as molding resin.
モールドＩＣの成形樹脂をマグネット樹脂にて成形することにより、ＭＲＥチップとマグネットの位置精度を向上すると共に、小型化が図れる磁気センサを提供する。 - 特許庁 - To provide an MRE apparatus permitting the quantitative measurement in a wide range and qualitative determination, etc., on the dynamic characteristics of a subject by generating regular waves in a wide range.
広範囲に一様な波を生成することにより、被検体の力学的特性に関して、広範囲における定量的な計測や、定性的な判断等が可能になるＭＲＥ装置を提供する。 - 特許庁 - A magnet 62 is attached on the tip part of the shaft 24, and first and second MRE elements 63a and 63b are mounted on a PC board 55 inside the sensor unit 21.
シャフト24の先端部にはマグネット62が取り付けられ、センサユニット21内のＰＣボード55には第１，第２ＭＲＥ素子63ａ，63ｂが取り付けられている。 - 特許庁 - A bias magnet 32 is disposed opposite to the bias magnet 31 across the bus bar 90, and an MRE 22 is disposed between the bias magnet 32 and the bus bar 90.
バスバー９０を挾んでバイアス磁石３１と反対側の位置にはバイアス磁石３２が配置されており、バイアス磁石３２とバスバー９０との間にはＭＲＥ２２が配置されている。 - 特許庁 - A bias magnet 31 is disposed on a surface 51a of a substrate 51, and an MRE 21 is disposed between the bias magnet 31 and a bus bar 90.
基板５１の表面５１ａにはバイアス磁石３１が配置されており、バイアス磁石３１とバスバー９０との間にはＭＲＥ２１が配置されている。 - 特許庁 - The invention is based on the insight that the results of the MRE measurement are the time-independent solution of the partial differential equations describing exactly the behavior of mechanical waves in viscoelastic material (even for longitudinal waves and in a reflecting environment).
本発明は、ＭＲＥ測定の結果が（縦波の場合、或いは、反射のある環境の場合でも）粘弾性物質中の機械的波動の挙動を厳密に記述する偏分方程式の時不変的解であるという洞察に基づく。 - 特許庁 - Even during the automatic stop process for the internal combustion engine 10, a crank counter as phase information with a 4-stroke as one cycle is updated based on the output of a crank angle sensor 36 as an MRE sensor.
ＭＲＥセンサであるクランク角センサ３６の出力に基づき、内燃機関１０の自動停止処理時であっても、４ストロークを１周期とする位相情報であるクランクカウンタが更新される。 - 特許庁 - Since the variation in the output voltage of each MRE generated by the external magnetic field is identical, errors will not be generated in the output of the differential amplifier circuit 53.
外来磁界によって発生する各ＭＲＥの出力電圧の変動分は同一であるため、差動増幅回路５３の出力に誤差は発生しない。 - 特許庁 - Two MRE bridges 10 and 11 are arranged so that MREs 12 and 14 on power source side are in symmetric positions with the central line 4a of an IC chip 4 as the axis of symmetry.
２つのＭＲＥブリッジ１０、１１は、電源側のＭＲＥ１２、１４同士と接地側のＭＲＥ１３、１５同士が、それぞれＩＣチップ４の中心線４ａを対称軸として対称位置に配置される。 - 特許庁 - A permanent magnet 31 is mounted to the inner end surface of the shift member 24, and a shift range detecting MRE (magnetic resistant effect) element 35 and an engine starting hole element 33 are mounted to the front end surface of the mounting body 25.
前記シフト部材２４の内端面に永久磁石３１を取り付け、前記取付体２５の前端面にシフトレンジ検出用のＭＲＥ（磁気抵抗効果）素子３５と、エンジンスタート用のホール素子３３を取り付ける。 - 特許庁 - A control part of the control position detection device detects the control position of the control member 16 based on a detected signal output by an MRE element 20 to correspond to the direction of the magnetic flux changing with movement of the control member 16.
そして、操作位置検出装置の制御部は、ＭＲＥ素子２０から出力される操作部材１６の移動に伴う磁束の方向の変化に応じた検出信号に基づいて、操作部材１６の操作位置を検出する。 - 特許庁 - To provide a rotation detector having two pairs of magneto-resistance element(MRE) bridges capable of eliminating the influence of a magnetostrictive effect by external stress.
２対の磁気抵抗素子（ＭＲＥ）ブリッジを備える回転検出装置において、外部応力に伴う磁歪効果の影響を消去できる回転検出装置を提供する。 - 特許庁 - Thereby, the number of MRE bridges to be used can be reduced, as compared to a case where two signals are required separately as sensor signals to be used for rotation direction detection.
これにより、回転方向の検出に用いるセンサ信号を別途２信号必要とする場合に比べて、ＭＲＥブリッジの使用個数を削減することができる。 - 特許庁 - At a result, a voltage applied to MRE bridges 6, 16 reduces by the voltage drop in the diodes 10, 11 and therefore becomes smaller at the low temperature and larger at the high temperature.
この結果、ＭＲＥブリッジ６，１６に印加される電圧は、ダイオード１０，１１の電圧降下分だけ減少するため、低温時に小さく、高温時に大きくなる。 - 特許庁 - Two pairs of sensors consisting of two magnetic resistive elements 2a, 2b and 2c, 2d that are respectively inclined to center axes at 45 degrees, are arranged in the MRE chip 1.
ＭＲＥチップ１には、それぞれ中心軸に対して４５°傾いた２本の磁気抵抗素子２ａ，２ｂ及び２ｃ，２ｄからなるセンサが２対配置されている。 - 特許庁 - This rolled record medium comprises a tongue piece 1 provided at the final end MRE of the wound record medium R1; a hole part 2 provided at a prescribed distance between the final end and a start end direction RT; and the winding core 3 formed by filling the hole part with the tongue piece.
巻回される記録媒体Ｒ１の最終端ＭＲＥに設けられた舌片１と、最終端から始端方向ＲＴに所定距離離して設けられた穴部２と、舌片を穴部に填めて形成した巻き芯３とを有する。 - 特許庁 - Then the change in the magnet 25 in the magnetic field direction, which corresponds to the rotation of the switching operation sensor 15 about the central axis C, is detected by an MRE sensor 23.
また、切替操作検知体１５の中心軸線Ｃ回りでの回動に対応した磁石２５の磁界方向の変化をＭＲＥセンサ２３により検出する。 - 特許庁 - By constituting the sensor like this by molding the IC to be molded with the magnet resin as molding resin, the magnetic sensor is provided which has increased position accuracy between the magnetoresistance element (MRE chip) and the magnets, and has been miniaturized.
この様に構成することにより、モールドＩＣの成形樹脂をマグネット樹脂にて成形することにより、磁気抵抗素子（ＭＲＥチップ）とマグネットの位置精度を向上すると共に、小型化を図ることが可能な磁気センサを提供可能である。 - 特許庁 - Then each of the tilt states of the shift lever 26 both in the select direction and the shift direction is judged from both of the detected results of the Hall device sensor 24 and the MRE sensor 23, and the shift position of the shift lever 26 can be judged from both of the tilt states.
そして、ホール素子センサ２４及びＭＲＥセンサ２３の両検出結果からセレクト方向及びシフト方向におけるシフトレバー２６の各傾動状態をそれぞれ判断し、この両傾動状態からシフトレバー２６のシフト位置を判断できるようにする。 - 特許庁 - To constantly maintain the minimum point of air gap characteristic, in which a differential output between outputs of each MRE bridge in relation to an angle of rotation of the same rotor is the same, independently of the shape of gear teeth of the rotor even if an air gap between the rotor and a magnetic sensor is changed.
ロータのギア歯の形状にかかわらず、ロータと磁気センサとのエアギャップが変化した場合であっても、同じロータの回転角度に対して各ＭＲＥブリッジの出力の差動出力も同一となるエアギャップ特性最小点を一定に維持すること。 - 特許庁
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