「MSL」を含む例文一覧(27)
- This method and device for determining secondary air mass flow rate (msl) in an internal combustion engine 1 enables the further rapid and precise determination of the secondary air mass flow rate (msl).
二次空気質量流量（ｍｓｌ）のより迅速且つより正確な決定を可能にする、内燃機関（１）における二次空気質量流量（ｍｓｌ）の決定方法および装置が提案される。 - 特許庁 - The secondary air mass flow rate (msl) is determined from the difference between both the air mass flow rate values.
二次空気質量流量（ｍｓｌ）が、両方の空気質量流量値の差から決定される。 - 特許庁 - An MSL (Microstrip Line) 202 width is determined by thickness of a dielectric substrate 204, its dielectric constant and desired characteristic impedance.
ＭＳＬ２０２の幅は、誘電基板２０４の厚さ、誘電率、要求される特性インピーダンスによって決まる。 - 特許庁 - This source line MSL outside the block is a metal layer of the upper most layer and wired so as to be extended in a Y axis direction (bit line direction).
このブロック外ソース線ＭＳＬは最上層のメタル層でＹ軸（ビット線方向）に延びるように配線する。 - 特許庁 - This source line MSL outside the block is a metal layer of the upper most layer and wired so as to extend in a Y axis direction (bit line direction).
このブロック外ソース線ＭＳＬは最上層のメタル層でＹ軸（ビット線方向）に延びるように配線する。 - 特許庁 - Meanwhile, a second drain via-plug DV2 connected to a dummy contact plug is provided immediately under the main source line MSL.
一方、メインソース線ＭＳＬの直下には、ダミーコンタクトプラグにつながる第２のドレインヴィアプラグＤＶ２が設けられている。 - 特許庁 - The main source line MSL has, between adjoining bit lines BL, the same interval as that between the bit lines BL and BL.
メインソース線ＭＳＬは、隣接するビット線ＢＬ間に、ビット線ＢＬ，ＢＬ間の間隔と同一の間隔を有している。 - 特許庁 - When the memory test of a DRAM macro 2 is performed, a macro selection signal MSL is input into a decode circuit DC2 for decoding.
ＤＲＡＭマクロ２に対してメモリテストを行う場合、マクロ選択信号ＭＳＬをデコード回路ＤＣ２に入力してデコードする。 - 特許庁 - When a local frequency f_LO is input from an input terminal I-2' of a microstrip line MSL-2', on the other hand, it is transmitted to a slot line SL' at a point P' and equally distributed in inverse-phase mode at the point A to branch lines AB and AC of the microstrip line MSL-1 (2.A).
一方、マイクロストリップ線路ＭＳＬ−２’の入力端Ｉ−２’から周波数ｆ_LOのローカルを入力すると、点Ｐ’でスロット線路ＳＬ’に伝送し、点Ａでマイクロストリップ線路ＭＳＬ−１の分岐線路ＡＢとＡＣに逆相で等分配される（２．Ａ）。 - 特許庁 - To provide a wave guide and an MSL converter which have a radiation function without significantly increasing the manufacturing cost.
製造コストを顕著に増大させることなく、放射機能を有する導波管・ＭＳＬ変換器を提供することを目的とする。 - 特許庁 - Such a transmission line 3 can be applied to, for example, a microstrip line (MSL) and a coplanar wave guide (G-CPW) with the ground.
このような伝送線路３は、例えば、マイクロストリップライン（ＭＳＬ）や、グランド付きコプレーナウェーブガイド（Ｇ−ＣＰＷ）に適用することが可能である。 - 特許庁 - The flow rate of secondary air (mSL) can be enriched by flow rate of oxygen (mO2) or flow rate of nitrogen (nN2) supplied from an air separation device 22.
二次空気流量（ｍＳＬ）は、空気分解装置（２２）から供給される酸素流量（ｍＯ２）または窒素流量（ｍＮ２）によりリッチ化可能である。 - 特許庁 - The detecting portion DL1 is formed by connecting one end of a low side current detecting resistor RSL to the source of a MOS transistor MSL, and connecting the other end to the lower voltage terminal VSS of a power source respectively, and a voltage divided by the on-resistance of the MOS transistor MSL and the detecting resistor RSL is used as a low side detection voltage VSL.
過電流検出部ＤＬ１は、ローサイド電流検出抵抗ＲＳＬの一端がＭＯＳトランジスタＭＳＬのソースに、他端が低圧電源端子ＶＳＳにそれぞれ接続されて成り、ＭＯＳトランジスタＭＳＬのオン抵抗と電流検出抵抗ＲＳＬとの分電圧をローサイド検出電圧ＶＳＬとしている。 - 特許庁 - A cell current made to flow from the bit line by the output of a column latch via a memory cell of write complete when verifying the program is bypassed by the source line MSL outside the block.
プログラムベリファイ時にカラムラッチの出力でビット線から書き込み完了のメモリセルを介して流れるセル電流をこのブロック外ソース線ＭＳＬでバイパスさせる。 - 特許庁 - In such a wave guide and MSL converter 100, a slot 12 for radiation is formed on the short circuit plate 3 in order to add a radiation function.
このような導波管・ＭＳＬ変換器１００において、短絡板３上に放射用のスロット１２を形成することにより、放射機能を追加することができる。 - 特許庁 - The local switch control lines LSL are driven by local switch drivers LSD, and the main switch control lines MSL are selectively activated by main switch drivers MSD.
ローカルスイッチ制御線ＬＳＬはローカルスイッチドライバＬＳＤにより駆動され、メインスイッチ制御線ＭＳＬはメインスイッチドライバＭＳＤにより選択的に活性化される。 - 特許庁 - A cell current made to flow from the bit line by output of a column latch via a memory cell in which write is completed is bypassed by this source line MSL outside the block.
プログラムベリファイ時にカラムラッチの出力でビット線から書き込み完了のメモリセルを介して流れるセル電流をこのブロック外ソース線ＭＳＬでバイパスさせる。 - 特許庁 - The reference potential line is divided into lines, including a plurality of auxiliary lines SSL1 and SSL2, provided by each predetermined number of transistors M11 to M1n and M21 to M2n, respectively, and a main line MSL.
基準電位線が、所定数のメモリトランジスタＭ１１〜Ｍ１ｎまたはＭ２１〜Ｍ２ｎごとに設けられた複数の副線ＳＳＬ１またはＳＳＬ２と、主線ＭＳＬとに階層化されている。 - 特許庁 - When starting the Stirling engine 100, the working fluid passage opening/closing valve 30 is opened, and discharges a working fluid in a low temperature side operation space MSL to the outside of the Stirling engine 100.
スターリングエンジン１００の起動時には、作動流体通路開閉弁３０が開き、低温側作動空間ＭＳＬ内の作動流体をスターリングエンジン１００の外部へ排出する。 - 特許庁 - The means WD sets a higher control voltage for reading to a memory transistor, that is farther away from the node between the line MSL and the line SSL1 or SSL2 to which such memory transistor, is connected.
読み出し駆動手段ＷＤは、主線ＭＳＬと副線ＳＳＬ１またはＳＳＬ２との接続箇所からメモリトランジスタの距離が遠いほど読み出し時の制御電圧を高く設定する。 - 特許庁 - Furthermore, by releasing a change-over valve CV and a bypass flow regulating valve FRV1, a part of steam in a main steam line MSL can be led to the cold reheat line CRL via a bypass line VL.
また、切換弁ＣＶ、バイパス流量調整弁ＦＲＶ１を開放させることにより、主蒸気ラインＭＳＬ内の蒸気の一部を、バイパスラインＶＬを介して低温再熱ラインＣＲＬに導くことができる。 - 特許庁 - The superheater 3 and the high-pressure turbine HT are interconnected via a main steam line MSL and steam flowing out from the high-pressure turbine HT is returned to the reheater 4 via a cold reheat line CRL.
過熱器３と高圧タービンＨＴとは、主蒸気ラインＭＳＬを介して接続されており、高圧タービンＨＴから流出する蒸気は、低温再熱ラインＣＲＬを介して再熱器４に返送される。 - 特許庁 - When a reception wave of a frequency f_RF is input from an input terminal I-1 of a microstrip line MSL-1 in input lines 200-i of a mixer 200, the reception wave is equally distributed in in-phase mode at a point A and transmitted to points B and C.
混合器２００の入力ライン２００−ｉの、マイクロストリップ線路ＭＳＬ−１の入力端Ｉ−１から周波数ｆ_RFの受信波を入力すると、点Ａで同相で等分配され点Ｂ及びＣでに伝送される。 - 特許庁 - The Stirling engine 100 has a fluid passage 40 that interconnects a low temperature-side working fluid space MSL and a crankcase interior space CS, and a passage opening/closing valve 41 provided in the fluid passage 40 to open and close the fluid passage 40.
スターリングエンジン１００は、低温側作動流体空間ＭＳＬとクランクケース内空間ＣＳとを接続する流体通路４０と、流体通路４０に設けられてこれを開閉する通路開閉弁４１が設けられる。 - 特許庁 - This device is composed of a pair of current source circuits IBL, IBR supplying a current to sources of a pair of MOS transistors MNL, MNR, and a pair of MOS transistors MSL, MSR activating sources of MNL and MNR in a state in which the sources are electrically separated.
一対のＭＯＳトランジスタＭＮＬ，ＭＮＲのソースに電流を供給する一対の電流源回路ＩＢＬ，ＩＢＲと、ＭＮＬ，ＭＮＲのソースを電気的に分離した状態で活性化する一対のＭＯＳトランジスタＭＳＬ，ＭＳＲとで構成する。 - 特許庁 - The source line SL of a memory cell Trm formed in the N well of a memory cell array 11 is connected commonly to a column source line CSL being a source line in a block and a block source source line BSL in common, and is connected to a source line MSL outside the block via a block source select gate BSSG.
メモリセルアレイ１１のＮウェルに形成したメモリセルＴｒｍのソース線ＳＬを、ブロック内ソース線であるカラムソース線ＣＳＬおよびブロックソース線ＢＳＬで共通に接続するとともにブロックソースセレクトゲートＢＳＳＧを介してブロック外ソース線ＭＳＬに接続する。 - 特許庁 - In an associative memory cell shown in figure 2, magnetoresistive elements TR101-TR104 are a TMR film used for a MRAM, and have a resistance value on accordance with a magnetizing direction by current magnetic fields of a pair of bit line (BL, /BL), an uncoincidence detecting line ML, and a reference current output line MSL.
図２に示す連想メモリセルにおいて磁気抵抗素子ＴＲ１０１〜ＴＲ１０４はＭＲＡＭに用いられるＴＭＲ膜であり、ビット線対（ＢＬ，／ＢＬ）、不一致検出線ＭＬおよび基準電流出力線ＭＳＬの電流磁界による磁化方向に応じた抵抗値を有する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
