MEMORY CELL OF MASKROM, MASKROM AND FABRICATION THEREOF マスクROMのメモリセル、マスクROM及びその製造方法 - 特許庁
MANUFACTURE OF MASKROM マスクROMの製造方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF MASKROM マスクROMの製作方法 - 特許庁
METHOD FOR FORMING MASKROM マスクROMの形成方法 - 特許庁
MOTHERBOARD FOR MASKROM AND MANUFACTURE OF MASKROM マスクROM用の母体基板とマスクROMの製造方法 - 特許庁
MULTILEVEL MASKROM, AND METHOD FOR READING MULTILEVEL MASKROM 多値マスクROMおよび多値マスクROMの読み出し方法 - 特許庁
MASKROM AND MANUFACTURE THEREOF マスクROM及びその製造方法 - 特許庁
MASKROM AND ITS INSPECTION METHOD マスクROM及びその検査方法 - 特許庁
MASKROM, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR マスクROM及びその製造方法 - 特許庁
PROGRAMMED PRODUCTION OF MASKROM マスクROMのプログラム化製造方法 - 特許庁
MASKROM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR マスクROM及びその製造方法 - 特許庁
MASK FOR MASKROM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR マスクROM用マスク及びマスクROMの製造方法 - 特許庁
MASK ROM-MANUFACTURING METHOD OF FLAT CELL STRUCTURE フラットセル構造のマスクロム製造方法 - 特許庁
MASKROM AND ITS MANUFACTURING METHOD マスクROMおよびその製造方法 - 特許庁
MASKROM AND PRODUCTION METHOD THEREFOR マスクROMおよびその製造方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD FOR FLAT CELL MASKROM DEVICE フラットセルマスクROM装置の製造方法 - 特許庁
MROM(MASK ROM) CIRCUIT, AND CELL DATA DECIDING METHOD MROM回路及びセルデータ確定方法 - 特許庁
MASKROM STRUCTURE AND ITS FABRICATING METHOD マスクROM構造及びその製造方法 - 特許庁
SYNCHRONOUS MASKROM CONTROL CIRCUIT AND ITS METHOD シンクロナスマスクROM制御回路および方法 - 特許庁
NOR-TYPE MASKROM AND MANUFACTURE THEREOF NOR型マスクROM及びその製造方法 - 特許庁
MASKROM, AND MANUFACTURING METHOD OF SAME マスクROMおよびマスクROMの製造方法 - 特許庁
To reduce manufacturing cost of a maskROM by preventing an increase in area of a memory cell array region of the maskROM. マスクROMのメモリセルアレイ領域の面積増加を防ぎ、製造コストの低減を実現する。 - 特許庁
MASKROM AND ITS DATA WRITE METHOD AND APPARATUS マスクROM、そのデータ書込方法および装置 - 特許庁
MULTI-LEVEL MASKROM HAVING SINGLE CURRENT PATH 単一の電流経路を有するマルチレベルマスクROM - 特許庁
MASKROM WITH DIODE, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR ダイオードを含むマスクROM及びその製造方法 - 特許庁
To provide a high-speed reader for maskROM with which data from a maskROM are read out at high speed. 本発明はマスクROMからのデータを高速で読み出すマスクROMの高速読み出し装置に関する。 - 特許庁
INFORMATION PROCESSOR WITH PATCH FUNCTION OF MASKROM マスクROMのパッチ機能を備えた情報処理装置 - 特許庁
To provide a device to normally execute a module by detouring a maskROM part with a bug for a maskROM device. マスクROM装置に対してバグのあるマスクROM部分を迂回して正常に実行する装置の提供。 - 特許庁
An instruction is stored in a maskROM cell area 7i. マスクROMセル領域7_iには命令を格納する。 - 特許庁
A maskROM 7 for output outputs mask data D7 based on the count value CT. 出力用マスクROM7はカウント値CTに基づきマスクデータD7を出力する。 - 特許庁
To obtain a maskROM by forming a storage element on a glass substrate. ガラス基板上に記憶素子を形成し、マスクROMとする。 - 特許庁
Other software and configuration data are stored in a maskROM. その他のソフトウェアと構成データはマスクROMに記憶される。 - 特許庁
An integrated circuit includes a maskROM including an array of a memory cell. 集積回路は、メモリセルのアレイを含むマスクROMを含む。 - 特許庁
CELL ARRAY REGION OF NOR TYPE MASKROM ELEMENT AND FORMATION METHOD ノア型マスクロム素子のセルアレイ領域及びその形成方法 - 特許庁
To obtain a maskROM which is effective for a large capacity maskROM mounted with an ECC and has both of high speed access and a relief effect. ECC搭載の大容量マスクROMに有効で、高速アクセスと救済効果を兼ね備えたマスクROMを得る。 - 特許庁
This microcomputer 1 comprises a plurality of ROM modules 12 each including a ROM 121 that is a maskROM and a function circuit 122. マイクロコンピュータ1は、マスクROMであるROM121と機能回路122とを含むROMモジュール12を複数有する。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE PROVIDED WITH MASKROM, AND METHOD OF FABRICATING SAME マスクROMを具備する半導体装置及びその製造方法 - 特許庁
To prevent a leakage current in a standby state of a maskROM. マスクROMのスタンバイ状態におけるリーク電流を防止する。 - 特許庁
To use a synchronous maskROM as an ROM for a program by setting an MR(mode register) before a CPU performs access to a synchronous maskROM even when the initial value of the synchronous maskROM is not appropriate to a system to be used in a system in which a CPU performs access to a synchronous maskROM at first. CPUが最初にシンクロナスマスクROMにアクセスするようなシステムにおいて、シンクロナスマスクROMの初期値が使用するシステムにそぐわない値でも、CPUがシンクロナスマスクROMにアクセスする前にMRを設定しても問題はなく、シンクロナスマスクROMをプログラム用のROMとして使用できるようにする。 - 特許庁
Thus, even if some of the blocks within the maskROM 10 are defective, they are replaced by other blocks to relieve a defective maskROM 10. そのため、マスクROM10内のブロックに欠陥があっても他のブロックに代替されるので、マスクROM10の不良品が救済される。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for maskROM which can apply a dual-gate process and a silicide process used, in a logic process, to flat cell type maskROM. ロジック工程で使用するデュアルゲート工程及びシリサイド工程をフラットセルタイプのマスクロムに適用できるマスクロムの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a mask for maskROM as well as manufacturing method for maskROM, wherein the variation in size of a resist opening part caused by difference in density of an ROM pattern is controlled to provide a sufficient work margin. ROMパターンの疎密によるレジスト開口部の大きさのばらつきを制御し、十分な加工マージンを得ることができるマスクROM用マスクと、これを用いたマスクROMの製造方法を提供すること - 特許庁
To allow a ROMmask perform rapid and optimum correction. ROMマスクに対して短時間で最適な補正を行うことを可能とする。 - 特許庁
To provide a maskROM in which a memory cell can be reduced without the dispersion of threshold voltage in a transistor, and to provide a manufacturing method of the maskROM. トランジスタのしきい値電圧にばらつきを生じさせることなく、メモリセルの縮小化を実現できるマスクROM及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The maskROM (100) includes a plurality of memory cells (MC). 本発明に係るマスクROM(100)は、複数のメモリセル(MC)を備える。 - 特許庁