「Memory Effect」を含む例文一覧(803)

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  • The special effect apparatus comprises a frame memory 3, a memory controller 5, a read address control circuit 9, a shadow calculation section 13 and a composite circuit 15.
    フレームメモリ３、メモリコントローラ５、読出アドレス制御回路９、シャドウ演算部１３および合成回路１５を備える。 - 特許庁
  • To lengthen a memory holding time in a ferroelectric memory field effect transistor using a BST film as an insulating layer.
    ＢＳＴ膜を絶縁層とした強誘電記憶電界効果トランジスタにおいて、 記憶保持時間の向上をはかる。 - 特許庁
  • A ferroelectric liquid crystal, etc., are used as the display element having the memory effect.
    また，メモリー効果のある表示素子として、強誘電液晶等が用いられる。 - 特許庁
  • MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTIVE HEAD, MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY
    磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記録再生装置および磁気メモリ - 特許庁
  • MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND ITS MANUFACTURING METHOD
    磁気抵抗効果素子とその製造方法、および磁気メモリ装置とその製造方法 - 特許庁
  • The magnetic storage contains a memory cell array arranging magnetoresistance-effect elements in a line.
    磁気記憶装置は、磁気抵抗効果素子を行列に配置したメモリセルアレイを含む。 - 特許庁
  • MAGNETIC RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND NON-VOLATILE SOLID STATE MEMORY COMPRISING THE SAME
    磁気抵抗効果素子及び該磁気抵抗効果素子を備える不揮発性固体メモリ - 特許庁
  • MAGNETO-RESISTANCE EFFECT TYPE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY CELL AND MAGNETIC HEAD USING THE SAME
    磁気抵抗効果型素子ならびにこれを用いた磁気記憶素子および磁気ヘッド - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory in which n-channel type field effect transistors and p-channel type field effect transistors from memory cells respectively and a word line can be shared by the cells.
    ｎチャンネル型電界効果トランジスタとｐチャンネル型電界効果トランジスタとでメモリセルをそれぞれ形成し、ワード線を共用可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • MEMORY EFFECT MEASURING DEVICE AND RESIDUAL CAPACITY DETECTOR FOR SECONDARY BATTERY
    二次電池のメモリ効果判定装置および二次電池の残存容量検出装置 - 特許庁
  • By detecting the generation of memory effect of battery, the charge and discharge is made while switching the operation of battery from the usual battery range set to the refresh set range where the generation of memory effect of battery has occurred.
    電池のメモリ効果の発生を検出して、メモリ効果の発生した電池を、通常設定範囲からリフレッシュ設定範囲に切り換えて充放電させる。 - 特許庁
  • To improve noise reduction effect on image data, with no change of capacity of a memory.
    メモリの容量を変更せずに、画像データに対してノイズ低減効果を高める。 - 特許庁
  • FERROELECTRIC GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR, MEMORY ELEMENT USING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE FERROELECTRIC GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR
    強誘電体ゲート電界効果トランジスタ、それを用いたメモリ素子及び強誘電体ゲート電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁
  • SPUTTERING TARGET, ANTIFERROMAGNETIC FILM, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT PROVIDED WITH THE FILM, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE RANDOM ACCESS MEMORY
    スパッタリングターゲット、反強磁性体膜、それを具備する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ - 特許庁
  • An effect sound generating unit 230 reads an effect sound 61 from an effect sound storage memory 60 at the beginning of the exposure operation, and generates an effect sound similar to a shutter release sound to be outputted from a speaker 3.
    露光動作の開始時には効果音発生処理部２３０が効果音記憶メモリ６０から効果音６１を読み出し、スピーカ３からシャッタ開放音に類似した効果音を発生させる。 - 特許庁
  • TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, THIN MAGNETIC FILM HEAD, MEMORY ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD FOR THEM
    トンネル磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、メモリ素子ならびにこれらの製造方法 - 特許庁
  • One memory cell is constituted of a field effect transistor and a resistance change material 4.
    電界効果トランジスタと抵抗変化材４とにより１つのメモリセルが構成される。 - 特許庁
  • To provide a nonvolatile semiconductor memory which reduces influences of interference effect between cells.
    セル間干渉効果の影響を低減する不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • FIELD EFFECT TRANSISTOR EMPLOYING FERROMAGNETIC SEMICONDUCTOR AND NONVOLATILE MEMORY EMPLOYING IT
    強磁性半導体を用いた電界効果トランジスタと及びこれを用いた不揮発性メモリ - 特許庁
  • METHOD OF MANUFACTURING MIS FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
    ＭＩＳ型電界効果トランジスタの製造方法及び半導体記憶装置の製造方法 - 特許庁
  • If the database is in memory only, the sync routine has no effect and will always succeed.
    データベースがメモリの中だけにある場合、syncルーチンは何の効果もなく常に成功する。 - JM
  • To attain a small-sized and low-cost liquid crystal device using a liquid crystal panel with a memory effect.
    メモリ性液晶パネルを使用した液晶表示装置の小型化とコスト低減を図る。 - 特許庁
  • To provide a multi-valued nonvolatile memory which can effectively control short channel effect.
    短チャネル効果を効果的に抑制することのできる多値の不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁
  • MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, MAGNETIC MEMORY, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC RECORDER
    磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気メモリ、磁気ヘッド並びに磁気記録装置 - 特許庁
  • MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, MAGNETIC MEMORY, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC RECORDING EQUIPMENT
    磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気メモリ、磁気ヘッド並びに磁気記録装置 - 特許庁
  • An interleaver reads the data symbols out of an interleaver memory to the sub-carrier signals to effect mapping.
    インタリーバは、データシンボルをインタリーバメモリからサブキャリア信号に読み出してマッピングを実行する。 - 特許庁
  • MAGNETIC MEMORY STRUCTURE, TUNNEL MAGNETO-RESISTANCE EFFECT TYPE REPRODUCING HEAD, AND THEIR MANUFACTURING METHOD
    磁気メモリ構造およびトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッドならびにそれらの製造方法 - 特許庁
  • To reduce influence of proximity effect caused by high density characteristics of the memory cell array.
    メモリ・セル・アレイの配列の稠密特徴が引起こす近接効果の影響を減らす。 - 特許庁
  • CIRCUIT AND METHOD FOR SUBSTANTIALLY PREVENTING IMPRINT EFFECT IN FERROELECTRIC MEMORY DEVICE
    強誘電メモリ装置におけるインプリント効果を実質的に防止する回路及び方法 - 特許庁
  • MAGNETIC ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE, MAGNETIC RESISTANCE EFFECT HEAD, MAGNETIC HEAD GIMBAL ASSEMBLY AND MAGNETIC STORAGE SYSTEM
    磁気素子、磁気メモリ装置、磁気抵抗効果ヘッド、磁気ヘッドジンバルアッセンブリ、及び磁気記録システム - 特許庁
  • FIELD EFFECT TRANSISTOR, ITS FORMING METHOD, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND ITS MANUFACTURING METHOD
    電界効果トランジスタとその形成方法並びに半導体記憶装置とその製造方法 - 特許庁
  • FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH SPIN-DEPENDENT TRANSFER CHARACTERISTICS, AND NONVOLATILE MEMORY USING THE SAME
    スピン依存伝達特性を有する電界効果トランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ - 特許庁
  • METHOD OF INVERSION OF MAGNETIZATION FOR MAGNETIC FILM, MAGNETIC RESISTANCE EFFECT FILM AND MAGNETIC MEMORY EMPLOYING THE SAME
    磁性膜の磁化反転方法、磁気抵抗効果膜及びそれを用いた磁気メモリ - 特許庁
  • CARRIER SPIN INJECTED INVERTED MAGNETIZATION MAGNETORESISTIVE EFFECT FILM, NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT USING THE FILM, AND MEMORY DEVICE USING THE ELEMENT
    キャリヤスピン注入磁化反転型磁気抵抗効果膜と該膜を用いた不揮発性メモリー素子及び該素子を用いたメモリー装置 - 特許庁
  • To make effective use of a memory by obtaining a special effect image obtained resulting from positively utilizing the memory in a video camera or the like.
    ビデオカメラなどにおいて、メモリを積極的に利用した特殊効果画像が得られるようにして、メモリの有効活用を図る。 - 特許庁
  • VARYING METHOD OF MAGNETIZING STATE OF MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT USING MAGNETIC WALL MOVEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND SOLID MAGNETIC MEMORY
    磁壁移動を利用した磁気抵抗効果素子の磁化状態の変化方法及び該方法を用いた磁気メモリ素子、固体磁気メモリ - 特許庁
  • DEVICE INCLUDING FIELD EFFECT TRANSISTOR, METHOD OF ELECTRONICALLY STORING AND READING INFORMATION, AND MEMORY INCLUDING PLURALITY OF MEMORY CELLS
    電界効果トランジスタを含む装置および情報を電子的に蓄積および読み出す方法および複数のメモリセルを含むメモリ - 特許庁
  • The nonvolatile semiconductor memory device comprises a semiconductor substrate, a memory cell transistor formed in a memory cell region, and a field effect transistor formed in the peripheral circuit region.
    不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板と、メモリセル領域に形成されたメモリセルトランジスタと、周辺回路領域に形成された電界効果トランジスタとを備える。 - 特許庁
  • To obtain a predistortion compensation circuit which has more reduced hardware configuration and surely reduces memory effect distortion in a power amplifier, and to provide a memory effect distortion compensation method for the power amplifier.
    より少ないハードウエア構成で確実に電力増幅器におけるメモリ効果歪みを低減できる前置歪み補償回路及び電力増幅器のメモリ効果歪み補償方法を得る。 - 特許庁
  • The magnetoresistance effect type head, the thin film magnetic memory and the thin film magnetic sensor are each constituted by providing the giant magnetoresistance effect element 1.
    また、上記巨大磁気抵抗効果素子１を備えて、磁気抵抗効果型ヘッド、薄膜磁気メモリ、薄膜磁気センサを構成する。 - 特許庁
  • MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, SUBSTRATE, WAFER, HEAD GIMBAL ASSEMBLY, HARD DISK DEVICE, MAGNETIC MEMORY ELEMENT, MAGNETIC SENSOR ASSEMBLY, AND METHOD OF MANUFACTURING MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT
    磁気抵抗効果素子、基体、ウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、磁気メモリ素子、磁気センサアセンブリ、および磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁
  • Also, the huge magnetoresistive effect element 2 is provided to compose the magnetoresistive effect head 1, thin-film magnetic memory, and thin- film magnetic sensor.
    また、上記巨大磁気抵抗効果素子２を備えて、磁気抵抗効果型ヘッド１、薄膜磁気メモリ、薄膜磁気センサを構成する。 - 特許庁
  • The effect sound generating unit 230 functions again, to read an effect sound 62 from the effect sound storage memory 60 at the end of the exposure operation and makes it generate effect sound similar to a shutter release sound to be outputted from the speaker 3.
    露光動作終了時には、再び効果音発生処理部２３０が機能し、効果音記憶メモリ６０から効果音６２を読み出し、スピーカ３からシャッタ閉鎖音に類似した効果音を発生させる。 - 特許庁
  • To provide a memory module capable of preventing the cooling effect of a component arranged in the vicinity of the memory module from being reduced.
    メモリモジュールの近傍に設置されている部品の冷却効果を低下させないようにすることができるメモリモジュールを提供する。 - 特許庁
  • A volatile memory element 312 and a nonvolatile memory element 313 each consisting of a field effect transistor are formed on one semiconductor chip.
    １つの半導体チップ上に電界効果トランジスタからなる揮発性メモリ素子３１２と不揮発性メモリ素子３１３を形成する。 - 特許庁
  • An effect image processing part 36 reads the image stored in the image memory 16, processes the image and writes the image back to the image memory 16 again.
    エフェクト画像処理部３６は、画像メモリ１６に記憶される画像を読み込み、画像処理して、再び画像メモリ１６へ書き戻す。 - 特許庁
  • Since the magnetic shield layer is arranged in the vicinity of the memory elements, a high magnetic shield effect can be obtained.
    磁気シールド層がメモリ素子の近くに配置されるため、高い磁気シールド効果が得られる。 - 特許庁
  • The Again combination has a different effect of the winning prize in each time, depending on winning combination stored in the history storage memory.
    アゲイン役は、履歴記憶メモリに記憶された当選役に応じて、入賞の効果が異なる。 - 特許庁
  • To suppress increase in calculation amount when compensating a memory effect of power amplifier.
    電力増幅器のメモリ効果を補償するときの計算量の増加を抑制できるようにすること。 - 特許庁
  • To improve reduction effect of noise, while suppressing increase of the memory capacity.
    メモリ容量の増大を抑制しつつ、ノイズの低減効果を向上させることができるようにする。 - 特許庁
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