「Metallization」を含む例文一覧(380)
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誘電体の金属化 - 特許庁 - METALLIZATION METHOD AND METALLIZATION APPARATUS FOR CERAMICS
セラミックスのメタライズ方法及びメタライズ装置 - 特許庁 - METALLIZATION LAYER POLISHING METHOD
金属層研磨方法 - 特許庁 - METALLIZATION POLYIMIDE FILM
金属被覆ポリイミドフィルム - 特許庁 - HIGH-PERFORMANCE METALLIZATION CAP LAYER
ハイパフォーマンスメタライゼーションキャップ層 - 特許庁 - METALLIZATION STRUCTURE AND PACKAGE OF PIEZOELECTRIC DEVICE
メタライズ構造及び圧電デバイスのパッケージ - 特許庁 - The metallization film capacitor is produced by placing two sheets of metallization film in layers.
これらの金属化フィルムを２枚重ね合わせて金属化フィルムコンデンサとした。 - 特許庁 - METALLIZATION FILM CAPACITOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
金属化フィルムコンデンサとその製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR COPPER METALLIZATION OF INTEGRATED CIRCUIT
集積回路の銅による金属化方法 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF SUBSTRATE FORMED WITH METALLIZATION LAYER
金属層を備えた基板の製造方法。 - 特許庁 - METHOD FOR FORMING METALLIZATION LAYER ON SEMISPHERICAL LENS
半球状レンズへのメタライズ層の形成方法 - 特許庁 - A via also extends downward toward a metallization layer.
バイアは、メタライゼーション層にも向かって下方に延びる。 - 特許庁 - COMBINED ADHESION PROMOTION AND DIRECT METALLIZATION PROCESS
複合接着性促進および直接金属化法 - 特許庁 - The via to be formed here is in this low-k dielectric layer, and combines a lower metallization line formed on the lower metallization level and an upper metallization line formed on an upper metallization level.
ここで形成するバイアは、このｌｏｗ−ｋ誘電体層内にあり、下部メタライゼーション・レベル内に形成した下部メタライゼーション・ラインを、上部メタライゼーション・レベル内に形成した上部メタライゼーション・ラインに結合する。 - 特許庁 - CAPACITOR OF INTEGRATED CIRCUIT IN MULTI-LEVEL METALLIZATION
マルチレベルのメタライゼーションにおける集積回路のキャパシタ - 特許庁 - A metallization film mainly composed of at least one of Sn and Ti or a metallization film of combining these, is formed on a metallization film mainly composed of Al in a surface part of this sealed metallization film.
この封止メタライズ膜の表面部には、Ａｌを主成分とするメタライズ膜上に、Ｓｎ、Ｔｉのうち、少なくとも一つを主成分とするメタライズ膜、またはこれらを組み合わせたメタライズ膜が形成されている。 - 特許庁 - Since the first frame-shaped metallization layer 104 is thin, bleeding is minimized and a gap 109 can be ensured, and bonding strength of the frame-shaped metallization layer can be assured by the second frame-shaped metallization layer 105 which covers a part of the first frame-shaped metallization layer 104.
第１枠状メタライズ層104が薄いためにじみを抑制してギャップ109を確保でき、第１枠状メタライズ層104の一部を覆う第２枠状メタライズ層105により枠状メタライズ層の接合強度を確保できる。 - 特許庁 - Two sheets of metallization film are placed in layers and wound such that the heavy edge portion and the fuse function slit of adjacent metallization films oppose each other thus producing a metallization film capacitor.
このような金属化フィルムを２枚重ね合わせて、隣接する金属化フィルムのヘビーエッジ部とヒューズ機能スリットを対向させるように巻回して金属化フィルムコンデンサとした。 - 特許庁 - METHOD FOR FORMING METALLIZATION STRUCTURE IN INTEGRATED CIRCUIT
集積回路におけるメタライゼーション構造の形成方法 - 特許庁 - COATING COMPOSITION FOR FORMING UNDERCOAT LAYER FOR METALLIZATION TREATMENT
金属化処理用アンダーコート層形成用被覆組成物 - 特許庁 - PROGRAMMABLE METALLIZATION CELL STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
プログラマブルメタライゼーションセル構造およびその作製方法 - 特許庁 - The copper wiring is preferably provided on the surface of the insulator with a metallization layer or a seed layer and a metallization layer in-between.
銅配線は絶縁体表面にメタライズ層もしくはシード層とメタライズ層とを介して設けるのが好ましい。 - 特許庁 - FORMATION METHOD OF COPPER SEED LAYER IN ULSI METALLIZATION
ＵＬＳＩメタライゼーションにおける銅シード層の形成方法 - 特許庁 - METALLIZATION COMPOSITION, CERAMIC WIRING BOARD, AND ITS MANUFACTURING METHOD
メタライズ組成物、並びにセラミック配線基板およびその製法 - 特許庁 - Finally, a metallization layer is formed on the surface of the wiring pattern 6.
配線パターン６の表面にメタライズ層を形成する。 - 特許庁 - USAGE OF SACRIFICIAL LAYER FOR FACILITATING METALLIZATION FOR FINE STRUCTURE
微細構造のための金属化を容易にする犠牲層の使用 - 特許庁 - INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING A PLURALITY OF METALLIZATION LEVELS AND CONNECTING PAD
複数の金属化レベル及び接続パッドを含む集積回路 - 特許庁 - BURIED METALLIZATION AND ITS FORMING METHOD
埋め込み金属配線及び埋め込み金属配線の形成方法 - 特許庁 - POLYPROPYLENE FILM FOR METALLIZATION DEPOSITION AND METALLIZED POLYPROPYLENE FILM
金属蒸着用ポリプロピレンフイルムおよび金属化ポリプロピレンフイルム - 特許庁 - SUBSTRATE FOR MULTILAYER SUBSTRATE, MULTILEVEL METALLIZATION BOARD, AND ITS MANUFACTURING METHOD
多層基板用基材、多層配線板およびその製造方法 - 特許庁 - METALLIZATION THROUGH THIN SEED LAYER DEPOSITED USING PLASMA
プラズマを利用して堆積された薄いシード層を介してのメタライゼーション - 特許庁 - To provide a metallization film capacitor having a certain self-security function without raising the tan δ of the metallization film capacitor.
金属化フィルムコンデンサのｔａｎδを上昇させることがなく、確実は自己保安機能を有する金属化フィルムコンデンサを提供する。 - 特許庁 - A dielectric layer is interposed between the metallization levels, and the first stop layer 23 is put between the dielectric layer and the second metallization level.
誘電体層はメタライゼーションレベルの間に置かれ、第１のストップ層は誘電体層および第２のメタライゼーションレベルの間に置かれる。 - 特許庁 - DEVICE AND METHOD FOR SELECTIVE ELECTROLYTIC METALLIZATION USING LIQUID HEAD
流体ヘッドを利用した選択的電解メタライゼ—ション装置および方法 - 特許庁 - METHOD FOR BOTTOMLESS DEPOSITION OF BARRIER LAYERS IN INTEGRATED CIRCUIT METALLIZATION SCHEMES
集積回路のメタライゼーションスキームにおけるバリア層のボトムレス堆積方法 - 特許庁 - MANUFACTURE OF DIFFUSION BARRIER WALL BODY FOR COPPER METALLIZATION OF INTEGRATED CIRCUIT
集積回路の銅メタライゼ—ションのための拡散障壁体の製造法 - 特許庁 - The semiconductor chip includes a first metallization on the first principal plane side.
半導体チップは、第１主要面側に第１メタライジングを備えている。 - 特許庁 - ALLOYING AND/OR LOCAL-DOPING OF METALLIZATION FOR IMPROVING WIRING PERFORMANCE
配線性能改善用メタライゼーションの合金化及び／又は局部ドーピング - 特許庁 - PRECLEANING METHOD PRIOR TO METALLIZATION FOR SUB-QUARTER MICRON APPLICATION
サブクオーターミクロン適用のための、メタライゼーションに先立つ予備洗浄方法 - 特許庁 - ALUMINUM NITRIDE SINTERED COMPACT HAVING METALLIZATION LAYER AND ITS MANUFACTURING PROCESS
金属化層を有する窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 - 特許庁 - At the outer circumferential portion of the bottom faces of the concave portions 10 to 13 on the metallization layer 9, the metallization layer 9 and a Cu-plating layer undergoing metal reaction.
そして、金属層９の凹部１０〜１３底面の外周部では、金属層９とＣｕメッキ層１９とが金属反応している。 - 特許庁 - PROGRAMMABLE SUB-SURFACE AGGREGATING METALLIZATION STRUCTURE AND METHOD OF MAKING SAME
プログラム可能なサブサーフェス集合メタライゼーション構造およびその作製方法 - 特許庁 - SURFACE TREATMENT PROCESS OF METAL FILM AND MANUFACTURING PROCESS OF SEMICONDUCTOR METALLIZATION
金属膜の表面処理プロセスおよび半導体メタライゼーションの製造プロセス - 特許庁 - To provide a metallization structure in which a missing portion is eliminated from a required metallization part even if a displacement occurs between stacked substrates.
積層基板間に積層ズレが生じた場合であっても、必要とされるメタライズ部分に欠損部が生じることの無いメタライズ構造を提供する。 - 特許庁 - In the aluminum nitride sintered compact having the metallization layer on the surface and/or inside, the metallization layer comprises W and an inorganic matter.
本発明の表面及び／又は内部に金属化層を有する窒化アルミニウム焼結体は、金属化層がＷと無機物からなることを特徴とする。 - 特許庁 - A laser beam is irradiated to a lamination 5 constituted by laminating plural metallization films 3 having depositing metals 2 so as to be faced to a depositing metal surface, the depositing metals 2 of the plural metallization films 3 are removed in the width direction of the metallization film 3, and thereby margins 6 are formed on the plural metallization films 3.
蒸着金属２を有する金属化フィルム３を複数積層した積層体５に、レーザビームを蒸着金属面に対向するように照射して複数の金属化フィルム３の蒸着金属２を金属化フィルム３の幅方向に除去して複数の金属化フィルム３にマージン部６を形成する。 - 特許庁 - METALLIZATION FILM CAPACITOR, ITS ASSEMBLY, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
金属化フィルムコンデンサとその集合体および金属化フィルムコンデンサ製造方法 - 特許庁 - A plurality of semiconductor laser devices 20 of a pillar shape are joined on a surface of a metallization layer 14 in a support substrate 10 in which the metallization layer 14 is formed on a surface thereof.
表面上に金属層１４の形成された支持基板１０における金属層１４の表面に、複数の柱状の半導体レーザ素子２０が接合されている。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a substrate formed with a metallization layer which can form the metallization layer low in volume resistance value on the substrate by heat treatment at a comparatively low temperature.
比較的低温での加熱処理によって、基材の上に体積抵抗値の低い金属層の形成が可能な金属層を備えた基板の製造方法の提供。 - 特許庁 - Furthermore, an integrated circuit which comprises the first and second metallization level is provided.
さらに、第１および第２のメタライゼーションレベルを含む集積回路を提供する。 - 特許庁
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