「Mott」を含む例文一覧(31)

  • Sheryl. sheryl mott.
    シェリル シェリル・モット - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • We have come for gezza mott.
    我々はギーザ・モットを連れに来た - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • We have the gift for minister gezza mott?
    大臣ギザ・モットへの寄贈品は? - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • I served master mott at king's landing
    王都では師匠モットに仕えてた - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • ONE-DIMENSIONAL MOTT INSULATOR, ONE-DIMENSIONAL MOTT INSULATOR THIN FILM, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
    一次元モット絶縁体、一次元モット絶縁体薄膜及びそれらの製造方法 - 特許庁
  • The first side has a first-type Mott channel layer 107 and the second side has a second-type Mott channel layer 106.
    第１のサイドは、第１のタイプのモット・チャネル層１０７を有し、第２のサイドは、第２のタイプのモット・チャネル層１０６を有する。 - 特許庁
  • I served master mott at king's landing and he sold me to the watch.
    キングズランディングではモットの旦那に仕えた 彼は俺を〈番人〉に売った - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • He was gonna bring that information to gezza mott with hopes of a reward.
    彼はギーザ・モットに 情報を持っていきそうでした 報酬目当てで - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • My crime is only that I failed to kill gezza mott when I had the chance.
    私の罪は ギーザ・モットを 殺すのに失敗しただけです 機会があった時に - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • MANUFACTURE OF FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING BURIED MOTT MATERIAL OXIDE CHANNEL
    埋込みモット材料酸化物チャネルを有する電界効果トランジスタを製作する方法 - 特許庁
  • Using a raw material to obtain an organic Mott insulator, a non-conductive nanowire 24, the organic Mott insulator, is manufactured by an electrolytic method under prescribed conditions of an electrode shape and an applied voltage.
    有機モット絶縁体となる原料を用い、電極の形状や印加電圧を所定の条件とした電解法により、有機モット絶縁体である非導電性ナノワイヤーを製造する。 - 特許庁
  • I am ordered to the capital to meet with minister gezza mott to review new protocols and duties.
    私は首都に命じられた 大臣ギーザ・モットと会えと 新しい外交儀礼と 義務を再検討する - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • To obtain a structure and a manufacturing method of a FET having a buried Mott insulating oxide channel.
    埋込みモット絶縁酸化物チャネルを有するＦＥＴの構造、およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a complementary field-effect transistor structure having an oxide channel of a Mott material.
    モット材料酸化物チャネルを有する相補型電界効果トランジスタ構造の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • By applying the voltage to the electrodes 123, 124, the first propagation part 121 can be subjected to Mott transition.
    これら電極１２３，１２４に電圧を印加することで、第１伝播部１２１をモット転移させることができる。 - 特許庁
  • To provide a nonconductive nanowire which is an organic Mott insulator, and to provide a method for manufacturing the nanowire, and a transistor using the nanowire.
    有機モット絶縁体である非導電性ナノワイヤー、製造方法及びそれを用いたトランジスタを提供する。 - 特許庁
  • I know you do not approve of gezza mott, but his ambition and greed serve my interests well.
    お前がギーザ・モットを 気に入らないのは分かっている だが 彼の野心と貪欲さは 私の利益によく役立つ - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • In the electronic system of a half field confined in the dendrite fractals, the control of Mott transition is executed by the fractal dimensions of the system.
    また、樹状フラクタルに閉じ込められたハーフ・フィルドの電子系において、系のフラクタル次元によりモット転移の制御を行う。 - 特許庁
  • Radiation of the first switching light 5 to the Mott-Hubbard phase caused photoinduced phase transition to the charge-density-wave phase, and radiation of the second switching light 6 to the charge-density-wave phase induced by the photoinduced phase transition causes photoinduced phase transition to the Mott-Hubbard phase.
    モットハバード相へ第１スイッチング光５を照射すると電荷密度波相へ光誘起相転移され、この光誘起相転移された電荷密度波相へ第２スイッチング光６を照射することによってモットハバード相へ光誘起相転移される。 - 特許庁
  • Moreover, in the main layer of the resistance layer a metal to insulator transition (Mott transition) is induced by voltage, and the resistance is changed by a large amount.
    また、抵抗層の中心層は、電圧によって金属−絶縁体転移（モット転移）が誘起され、抵抗が大きく変化する。 - 特許庁
  • The two areas forming the heterojunction have different phases, for example, a ferromagnetic phase and a paramagnetic phase or a metallic phase and a Mott insulation phase.
    ヘテロ接合を形成する二つの領域は互いに異なる相、例えば強磁性相および常磁性相あるいは金属相およびモット絶縁相である。 - 特許庁
  • A physical phenomenon, e.g. ferromagnetic transition or Mott transition, emerging in that structure is controlled by setting the spiral winding pitch or the number of linear structures becoming the base.
    らせんの巻ピッチや、基底となる線状構造の数の設定により、この構造において発現する物理現象、例えば強磁性転移やモット転移を制御する。 - 特許庁
  • The first propagation part 121 is composed of, for example, material which is subjected to Mott transition, such as BiTiO_3 having a perovskite structure and the second propagation part 122 is composed of SiO_2.
    第１伝播部１２１は、例えば、ペロブスカイト構造のＢｉＴｉＯ_3などのモット転移する材料から構成され、第２伝播部１２２は、ＳｉＯ_2から構成されている。 - 特許庁
  • In a p-n junction structure of a first solid material layer 3 having a insulator or a semiconductor and a second solid material layer 5 having a insulator or a semiconductor of a different type from the first solid material layer 3, there is provided a solar cell 1 using a Mott insulator or a Mott semiconductor as a solid material for at least one of the layers.
    絶縁体もしくは半導体を含む第一固体材料層３と該第一固体材料層３とは異なる型の絶縁体もしくは半導体を含む第二固体材料層５とのｐ−ｎ接合構造において、少なくとも一方の層の固体材料にモット絶縁体またはモット半導体を用いた太陽電池１。 - 特許庁
  • To provide a method of inducing a phase transition of perovskite-type oxide for easily inducing a phase transition between an insulator phase and a metal phase of perovskite-type oxide which is a Mott insulator.
    モット絶縁体であるペロブスカイト型酸化物の絶縁体相−金属相間の相転移を容易に誘起することができるペロブスカイト型酸化物の相転移誘起方法を提供する。 - 特許庁
  • A resistance layer has a structure that a transition metal or an alloy containing the transition metal is involved in a carbon nanotube, and has a characteristic in which a metal-insulator transition (Mott transition) is induced by applying a voltage or current.
    抵抗層は、遷移金属または遷移金属を含む合金がカーボンナノチューブに内包された構造であり、電圧または電流の印加により、金属−絶縁体転移（モット転移）が誘起される特性を有する。 - 特許庁
  • At the time of injecting or discharging electrons into and from the floating gate 6 as carriers, the injection and discharge are not performed through a gate oxide film 5, but through the metallic phase of the Mott insulator 7.
    そして、浮遊ゲート６に対してキャリアである電子の注入又は放出を行う場合、ゲート酸化膜５を通じてではなく、モット絶縁体７の金属相を通じてキャリアの注入又は放出を行う。 - 特許庁
  • The optical superlattice is realized by smoothly changing states ((a) in Fig.) of the atoms a trapped by three-dimensional optical lattice potential in the Mott insulating state to states ((d) in Fig.) of the atoms a trapped by the optical superlattice.
    モット絶縁状態にある３次元光格子ポテンシャルに原子ａが捕捉されている状態（図１（ａ））から、光超格子に原子ａが捕捉されている状態（図１（ｄ））まで滑らかに変化させることで、光超格子を実現する。 - 特許庁
  • The optical switch element 2 is made of a material for optical switch elements which comprises quasi-one-dimensional halogen-bridged palladium complexes, and has a charge-density-wave phase with a high optical reflectivity at a prescribed temperature and has a Mott-Hubbard phase with a low optical reflectivity at a temperature equal to or lower than the prescribed temperature.
    光スイッチ素子２は、擬一次元ハロゲン架橋パラジウム錯体からなる光スイッチ素子用材料からなり、所定温度で光反射率の高い電荷密度波相を有し、所定温度以下では光反射率の低いモットハバード相となる。 - 特許庁
  • The nonconductive nanowire as an organic Mott insulator is manufactured by an electrolytic method using a source material which becomes an organic Motto insulator and controlling an electrode shape and an application voltage according to predetermined conditions.
    有機モット絶縁体となる原料を用い、電極の形状や印加電圧を所定の条件とした電解法により，有機モット絶縁体である非導電性ナノワイヤーを製造する，この方法によれば微細な非導電性ナノワイヤーを効果的に得られる。 - 特許庁
  • This optical superlattice periodically having an empty optical potential minimum point e which is not filled with atoms a is manufactured by superimposing separate optical potential having a ratio of wavenumber vector to be a rational number on optical lattice potential in a Mott insulating state.
    モット絶縁状態にある光格子ポテンシャルに対して、波数ベクトルの比が有理数となる別の光ポテンシャルを重畳することにより、原子ａが詰まっていない空の光ポテンシャル極小点ｅを周期的に有する光超格子を製造する。 - 特許庁

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