「Mtr」を含む例文一覧(31)
- MTR ENCODING METHOD, MTR DECODING METHOD, MTR ENCODER, MTR DECODER, AND MAGNETIC RECORDING DEVICE
ＭＴＲ符号化方法、ＭＴＲ復号方法、ＭＴＲ符号器、ＭＴＲ復号器及び磁気記録装置 - 特許庁 - This method is the constituting method for the MTR code of 19/20 encoding ratio.
本発明は、符号化率が19／20のMTR符号の構成法を記すものである。 - 特許庁 - To improve recording density further in a magnetic recording device using a MTR (3) code limiting continuous magnetization inversion to three times of the maximum.
連続する磁化反転を最大3回に制限するMTR(3)符号を用いる磁気記録装置において、記録密度をさらに向上する。 - 特許庁 - To provide an MTR (maximum transition run) encoding method, and MTR decoding method, an MTR encoder, and an MTR decoder which satisfy the restriction condition of consecutive on-bit and that of the DC component of a signal, and a magnetic recording device therefor.
オンビット連続数の制約条件と信号の直流成分の制約条件の制約条件を同時に充足するＭＴＲ符号化方法、ＭＴＲ復号方法、ＭＴＲ符号器、ＭＴＲ復号器及び磁気記録装置を提供する。 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR ENCODING/DECODING MTR CODE HAVING CODE RATE OF 7/8
コードレートが７／８であるＭＴＲコード符号化／復号化方法およびその装置 - 特許庁 - The substrate-processing equipment 610 comprises a plurality of processing units and a main transfer robot MTR.
基板処理装置６１０は、複数の処理ユニットと、主搬送ロボットＭＴＲとを備えている。 - 特許庁 - The plurality of processing units are provided so as to enclose the main transfer robot MTR.
複数の処理ユニットは、主搬送ロボットＭＴＲを囲むように設けられている。 - 特許庁 - The nonvolatile semiconductor memory device includes: a memory cell transistor MTr configured to store data; and a resistor element RE provided around the memory cell transistor MTr.
不揮発性半導体記憶装置は、データを記憶するメモリセルトランジスタＭＴｒ、及びメモリセルトランジスタＭＴｒの周辺に設けられた抵抗素子ＲＥを備える。 - 特許庁 - The main transfer robot MTR can be sujected to maintenance from every direction, by lowering the main transfer robot MTR to the first-floor section 601 using the elevator mechanism 615.
このエレベータ機構６１５によって、主搬送ロボットＭＴＲを１階部分６０１に下ろすことにより、主搬送ロボットＭＴＲを全方向からメンテナンスできるようになっている。 - 特許庁 - The reproduction gain can be improved by employing a sign of the MTR type in which a 1 bit mark and a 1 bit space do not adjoin each other and which has DC control characteristics in combination with a PRML signal processing system.
1ビットのマークと1ビットのスペースが隣り合わないMTR符号であり、かつDC制御特性を持った符号とPRML信号処理方式を組み合わせて用いることにより、再生利得を向上することができる。 - 特許庁 - A nonvolatile semiconductor memory device includes word line conducting layers 31a to 31d which function as the control electrode of a memory transistor MTr.
不揮発性半導体記憶装置は、メモリトランジスタＭＴｒの制御電極として機能するワード線導電層３１ａ〜３１ｄとを備える。 - 特許庁 - A plurality of memory strings connecting the memory cell MTr in series are arranged in the longitudinal direction being a column direction.
メモリセルＭＴｒを直列接続してなるメモリストリングが、カラム方向を長手方向として複数配列される。 - 特許庁 - The memory transistor MTr has a NMOS(n-type metal oxide semiconductor) structure and memorizes data from a state where many carriers are accumulated in a channel body 39.
記憶トランジスタＭＴｒは、ＮＭＯＳ構造を有しており、チャネルボディ３９の多数キャリア蓄積状態によりデータを記憶する。 - 特許庁 - I would like to propose to move up the IDA15 Mid-Term Review (MTR) scheduled for this November, so that we may be able to reconsider the priorities of the IDA15 as needed.
我が国は、世銀に対し、本年11月に予定されているIDA15の中間見直し（Mid-term Review）を前倒しで実施し、危機による途上国の課題やプライオリティの変化を把握し、必要に応じてIDA15の優先課題を見直すことを求めます。 - 財務省 - The non-volatile semiconductor memory device 100 includes a memory string MS which is electrically rewritable and includes a plurality of memory transistors MTr connected in series.
不揮発性半導体記憶装置１００は、電気的に書き換え可能であり且つ直列接続された複数のメモリトランジスタＭＴｒを含むメモリストリングスＭＳ備える。 - 特許庁 - By driving a lever driving motor MTR, a lever unit can be moved back and forth in an upper direction and a lower direction orthogonal to the center axis LAX of a start lever SL in a reference state.
レバー駆動モータＭＴＲを駆動することによって、基準状態にあるスタートレバーＳＬの中心軸ＬＡＸに対して直交する上方向や下方向にレバーユニットを往復移動させることができる。 - 特許庁 - meanwhile, when the drive shaft of the lever driving motor MTR is rotated counterclockwise in the figure, the rotational driving force is transmitted from the pinion gear POG to the rack gear LKG, and the lever unit is moved downward.
一方、レバー駆動モータＭＴＲの駆動軸を図中の反時計回りに回転させていくと、ピニオンギアＰＯＧからラックギアＬＫＧへ回転駆動力が伝達されて、レバーユニットが下方向に移動する。 - 特許庁 - When the drive shaft of the lever driving motor MTR is rotated clockwise in the figure, rotational driving force is transmitted from a pinion gear POG to a rack gear LKG, and the lever unit is moved in the upper direction.
レバー駆動モータＭＴＲの駆動軸を図中の時計回りに回転させていくと、ピニオンギアＰＯＧからラックギアＬＫＧへ回転駆動力が伝達されて、レバーユニットが上方向に移動する。 - 特許庁 - An elevator mechanism 615 lifts and lowers the main transfer robot MTR, between the second-floor section 602 above the grating 605 and a first-floor section 601 therebelow.
エレベータ機構６１５は、主搬送ロボットＭＴＲをグレーチング６０５の上方の２階部分６０２とその下方の１階部分６０１との間で昇降させるためのものである。 - 特許庁 - In the semiconductor memory, a pair of memory transistor MTr and writing transistor WTr formed on an SOI(silicon on insulator) substrate 27 is a memory cell MC.
半導体メモリ装置は、ＳＯＩ基板２７に形成された一組の記憶トランジスタＭＴｒ及び書込トランジスタＷＴｒがメモリセルＭＣとなる。 - 特許庁 - The printer 20 receives the mail reception information MRI, and transmits a mail transmission request MTR to the mail server computer 10 when it is convenient, and fetches and prints the mail.
このメール着信通知ＭＲＩを受信したプリンタ２０は、都合の良いときにメール送信要求ＭＴＲをメールサーバコンピュータ１０に送信し、メールを取り寄せ印刷を行う。 - 特許庁 - A memory cell MTr has a gate insulation film 13 formed on a semiconductor substrate 11, a gate electrode 14 formed on the gate insulation film 13, and a variable resistance film 15 formed on the gate electrode 14.
メモリセルＭＴｒは、半導体基板１１上に形成されるゲート絶縁膜１３、ゲート絶縁膜１３上に形成されるゲート電極１４、及びゲート電極１４上に形成される抵抗変化膜１５を有する。 - 特許庁 - The memory strings MS are formed zigzag on a substrate, and share word lines WL connected to four memory transistors MTr formed along one columnar part CLmn.
メモリストリングＭＳは、基板上においてジグザグ状に形成され、１本の柱状部ＣＬｍｎに沿って形成される４個のメモリトランジスタＭＴｒに接続されるワード線ＷＬを共有する。 - 特許庁 - A 16-bit data word is supplied to an MTR encoder 4 and input words are respectively divided into three blocks, that is, six-bit, six-bit and four-bit concerning encoder inputs 5a-7a.
一連のｍビット・データ・ワードを符号化して、磁気記録チャネルへ供給するための一連のｎビット・コード・ワード（ｎ＞ｍ）を生成する。 - 特許庁 - A second motor MTR 2 is driven, a first output gear 173 of a first planet gear mechanism 170 is locked by transferring a repeating gear 241 in the clockwise direction and transferring a rotation arm 197 in the clockwise direction.
第２のモータＭＴＲ２を駆動させ、中継ギヤ２４１を時計回り方向に回転アーム１９７が時計回り方向に移動して第１の遊星歯車機構１７０の第１の出ギヤ１７３をロックする。 - 特許庁 - In addition, the substrate treatment apparatus 1 is provided with a carrying robot 20 or 22 for receiving and delivering the substrate between the main carrying path MTR and the sub carrying paths STR1 and STR2.
また、主搬送経路ＭＴＲと副搬送経路ＳＴＲ１，ＳＴＲ２との間で基板の受け渡しをする搬送ロボット２０ないし２２を設ける。 - 特許庁 - The non-volatile semiconductor memory device 100 is equipped with: bit lines BL; source lines SL; memory strings MS including a plurality of memory transistors MTr connected in series; drain selection transistors SDTr; source selection transistors SSTr; and a control circuit 15 which controls a read operation.
不揮発性半導体記憶装置１００は、ビット線ＢＬと、ソース線ＳＬと、複数のメモリトランジスタＭＴｒを直列に接続されたメモリストリングＭＳと、ドレイン側選択トランジスタＳＤＴｒと、ソース選択トランジスタＳＳＴｒと、読出動作を制御する制御回路１５とを備える。 - 特許庁 - In a reading operation, the control circuit AR2 applies a reading pulse voltage Vread to the gate of at least one of the memory transistors MTr1 to MTr8 of the unselected memory string MS, and applies ground potential Vss to the gate of another memory transistor MTr.
制御回路ＡＲ２は、読み出し動作の際、非選択メモリストリングＭＳの中の少なくとも一つのメモリトランジスタＭＴｒ１〜ＭＴｒ８のゲートに読み出しパス電圧Ｖｒｅａｄを印加し、別のメモリトランジスタＭＴｒのゲートには接地電位Ｖｓｓを印加する。 - 特許庁 - An electronic control device 20 calculates a required rotation speed Mac, Mps, Mwp, i.e., a required value of the rotation speed of the electromotive motor 14 corresponding to an action requirement of the respective auxiliary machinery 11-13 and controls the rotation speed of the electromotive motor 14 making the maximum value thereof as a target rotation speed Mtr.
電子制御装置２０は、各補機１１〜１３の動作要求に応じた電動モータ１４の回転速度の必要値である必要回転速度Ｍａｃ，Ｍｐｓ，Ｍｗｐを算出するとともに、それらのうちの最大値を目標回転速度Ｍｔｒとして電動モータ１４の回転速度を制御する。 - 特許庁 - The memory cell transistor MTr includes: a charge storage layer 23 provided above a P-type semiconductor substrate 10 and storing the electric charge: a semiconductor layer 25 formed on a top surface of the charge storage layer 23 via a block insulating layer 24; and a silicide layer 26 provided on the upper surface of the semiconductor layer 25.
メモリセルトランジスタＭＴｒは、Ｐ型半導体基板１０の上方に形成され且つ電荷を蓄積する電荷蓄積層２３と、電荷蓄積層２３の上方にブロック絶縁層２４を介して形成された半導体層２５と、半導体層２５の上面に形成されたシリサイド層２６とを備える。 - 特許庁 - As the carrying paths of the substrate, the substrate treatment apparatus 1 is provided with a main carrying path MTR via an etching unit 50 and a peeling unit 51, a sub carrying path STR1 (conveyer 30) by-passing the etching unit 50, and a sub carrying path STR2 (buffer 41) by-passing the peeling unit 51.
基板処理装置１において、基板の搬送経路として、エッチングユニット５０および剥離ユニット５１を経由する主搬送経路ＭＴＲと、エッチングユニット５０を迂回する副搬送経路ＳＴＲ１（コンベア３０）と、剥離ユニット５１を迂回する副搬送経路ＳＴＲ２（バッファ４１）とを設ける。 - 特許庁
