「N-Type」を含む例文一覧(9351)

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  • N TYPE CONNECTOR
    Ｎ型コネクタ - 特許庁
  • The n-type channel FET has an n-type channel width.
    ｎチャネルＦＥＴはｎチャネル幅を有する。 - 特許庁
  • An n-type substrate 1 is grounded with an n-type well 2 formed on its surface.
    n型の基板1は接地され、表面にn型のウエル2が形成されている。 - 特許庁
  • Me? well, my type...
    俺? いやn俺のタイプはね - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • n-TYPE DIAMOND SEMICONDUCTOR
    ｎ型ダイヤモンド半導体 - 特許庁
  • the junction between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor
    p型半導体とn型半導体の間の接合 - 日本語WordNet
  • An n-type InN layer 104 is formed in a part on the n-type AlGaN layer 103, and an Ni/Pt/Au electrode 106 is formed on the n-type InN layer 104.
    n型AlGaN層103上の一部にはn型InN層104が形成されており、n型InN層104上にはNi/Pt/Au電極106が形成されている。 - 特許庁
  • N-TYPE TRANSISTOR, N-TYPE TRANSISTOR SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR N-TYPE TRANSISTOR CHANNEL
    ｎ型トランジスタ、ｎ型トランジスタセンサ及びｎ型トランジスタ用チャネルの製造方法 - 特許庁
  • To repeat the searchbackwards, type N.
    戻る検索を繰り返すにはNをタイプします。 - Gentoo Linux
  • S/N TRANSITION TYPE CURRENT LIMITER
    Ｓ／Ｎ転移型限流器 - 特許庁
  • n-TYPE THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL
    ｎ型熱電変換材料 - 特許庁
  • N-TYPE CALCIUM CHANNEL INHIBITOR
    Ｎ型カルシウムチャンネル阻害剤 - 特許庁
  • in a semiconducting crystal, a junction between a p-type region and an n-type region
    半導体の単結晶中のP型とN型との接合 - EDR日英対訳辞書
  • LARGE SCALE N×N TYPE WAVEGUIDE GRATING ROUTER
    大規模Ｎ×Ｎ型導波管格子ルータ - 特許庁
  • The first type is n-type or p-type.
    前記第１型はｎ−型又はｐ−型である。 - 特許庁
  • The first n-type layer 111 and the second n-type layer 112 are n-GaN, and the third n-type layer 113 is n-InGaN.
    第１ｎ型層１１１、第２ｎ型層１１２はｎ−ＧａＮであり、第３ｎ型層１１３はｎ−ＩｎＧａＮである。 - 特許庁
  • The buffer layer 2 is made of an n-GaN layer having n-type conductivity.
    バッファ層２はｎ型の導電性を有するn-GaN層から成る。 - 特許庁
  • N/C TYPE PRESSURE SWITCH MECHANISM
    Ｎ／Ｃ型圧力スイッチ機構． - 特許庁
  • An N^--type drift layer 2, a P^+-type layer 3, and an N^+-type layer 5 are sequentially formed on an N^+-type substrate 1 using an epitaxial growth.
    Ｎ^+型基板１の上に、Ｎ^-型ドリフト層２、Ｐ^+型層３、Ｎ^+型層５を順にエピタキシャル成長させる。 - 特許庁
  • COMPOSITION FOR N-TYPE THERMOELECTRIC ELEMENT
    ｎ型熱電素子用組成物 - 特許庁
  • An n-type electrode 5 is bonded to the n-type contact layer 21.
    ｎ型コンタクト層２１には、ｎ型電極５が接合されている。 - 特許庁
  • The deep n-type well is provided with a first deep n-type well 105.
    ディープｎ型ウェルは、第一のディープｎ型ウェル１０５を備える。 - 特許庁
  • The N-type diffusion area 53d is connected to a connection node 90, and the N-type diffusion areas 53s are connected to GND.
    N型拡散領域53dが接続ノード90に接続され、N型拡散領域53sがGNDに接続されている。 - 特許庁
  • On the n-type layer B-N, a p-type well region PWEL is uniformly provided.
    Ｎ型層Ｂ-N上にはＰ型のウェル領域ＰＷＥＬが一様に設けられている。 - 特許庁
  • The n-type defect layer practically functions as an n-type high n+ buffer layer 2b.
    このｎ型欠陥層は実質的にｎ型高ｎ^＋バッファ層２ｂとして機能する。 - 特許庁
  • A p-type well 2 and an n-type well 3 are adjacently formed on a silicon substrate 1 by respectively using a p-type well mask 2 and an n-type well mask 3.
    シリコン基板１上に、Ｐウエル２、Ｎウエル３を互いに隣接して形成する。 - 特許庁
  • The n-type layer 13 is formed on the p-type layers 2 and 12, and the conductive type of the layer is n type.
    ｎ型層１３は、ｐ型層２、１２上に形成され、導電型がｎ型である。 - 特許庁
  • An n type buffer layer 3 is formed on an n^+ type substrate 2, and an n^- type buffer layer is formed on this.
    ｎ^＋型基板２上にｎ型バッファー層３を形成し、その上にｎ^−型バッファー層を形成する。 - 特許庁
  • n-TYPE ZnS SEMICONDUCTOR THIN FILM
    ｎ型ＺｎＳ半導体薄膜 - 特許庁
  • A GaN buffer layer 2, an n-type GaN layer 3, an n-type AlGaInN cladding layer 4, a GaN active layer 5, a p-type AlGaInN cladding layer 6, and a p-type GaN layer 7 are sequentially deposited on a sapphire substrate 1 in this order.
    サファイア基板１上にGaNバッファ層２、n-GaN層３、n-AlGaInNクラッド層４、GaN活性層５、p-AlGaInNクラッド層６、p-GaN層７を順次堆積する。 - 特許庁
  • The n-type dope can be planar dope.
    ｎ型ドープはプレーナドープでも良い。 - 特許庁
  • n-TYPE GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
    ｎ型窒化ガリウム単結晶基板 - 特許庁
  • Isnt the type to answer clearly
    ハキハキ答えるタイプじゃnないけど➡ - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • A n-type impurity concentration of the second n-type layer 112 is higher than those of the first n-type layer 111 and the third n-type layer 113.
    第２ｎ型層１１２のｎ型不純物濃度は、第１ｎ型層１１１、第３ｎ型層１１３のｎ型不純物濃度よりも高い。 - 特許庁
  • A P-type well region 2 is formed on the surface of an N-type Si substrate 1.
    n型Si基板1の表面に、p型ウェル領域2が形成されている。 - 特許庁
  • The obtained n-type GaN includes n-type carriers in proportion to the oxygen concentration.
    酸素濃度に比例したｎ型キャリアをもつｎ型ＧａＮとなる。 - 特許庁
  • In addition, an N^--type area 5b is formed within the N-type area 5.
    また、Ｎ型領域５内には、Ｎ^−型領域５ｂを形成する。 - 特許庁
  • N-TYPE THERMOELECTRIC MATERIAL, ITS MANUFACTURING METHOD AND N-TYPE THERMOELECTRIC ELEMENT
    Ｎ型熱電材料及びその製造方法並びにＮ型熱電素子 - 特許庁
  • METHOD FOR MANUFACTURING N-TYPE SEMICONDUCTOR DIAMOND AND N-TYPE SEMICONDUCTOR DIAMOND
    ｎ型半導体ダイヤモンドの製造方法及びｎ型半導体ダイヤモンド - 特許庁
  • The n-type region where the p-type anode region 3 is not formed is an n-type drift region 2.
    このｐアノード領域３が形成されないｎ領域がｎドリフト領域２である。 - 特許庁
  • LOW RESISTANCE n-TYPE SEMICONDUCTOR DIAMOND
    低抵抗ｎ型半導体ダイヤモンド - 特許庁
  • ELECTRODE OF N-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR
    ｎ型窒化物半導体の電極 - 特許庁
  • A deep N+ type region 14 is formed in an N- type layer 13b to reach an N+ type layer 13a.
    Ｎ−型層１３ｂに、Ｎ＋型層１３ａに達するようにディープＮ＋型領域１４が形成されている。 - 特許庁
  • The p-type/n-type source/drain layers 37, 40 are patterned to form p-type/n-type source/drains 37a, 37b, 40a, 40b.
    ｐ型／ｎ型ソース・ドレイン層３７，４０をパターニングして、ｐ型／ｎ型ソース・ドレイン３７ａ，３７ｂ，４０ａ，４０ｂを形成する。 - 特許庁
  • In an element isolation structure for semiconductor device, an n--type silicon layer 2, an n+-type silicon layer 3, and another n--type silicon layer 4 are formed on a p+-type silicon substrate 1.
    ｐ^+ 型シリコン基板１の上に、ｎ^- 型シリコン層２、ｎ^+ 型シリコン層３、ｎ^- 型シリコン層４が形成されている。 - 特許庁
  • An embedded n-type layer B-N is disposed as an intermediate layer on a p-type semiconductor substrate P-sub.
    Ｐ型の半導体基板Ｐ-subに中間層として埋め込みＮ型層Ｂ-Nが配設されている。 - 特許庁
  • There is provided a recess part 14 on the reverse face of the n+-type GaAs substrate 1 just under the n+-type AlGaAs emitter layer 5.
    ｎ^+型AlGaAsエミッタ層５直下部のn^+型GaAs基板１裏面には凹部１４を有している。 - 特許庁
  • SIMPLE N POLE TYPE MAGNETICALLY ACTIVATED WATER DEVICE
    Ｎ極型簡易磁気活水装置 - 特許庁
  • The n-type semiconductor layer 11 includes: an n-type AlInGaN contact layer 13; an n-type AlGaN clad layer 14; and an n-type GaN guide layer 15.
    ｎ型半導体層１１は、ｎ型ＡｌＩｎＧａＮコンタクト層１３、ｎ型ＡＩＧａＮクラッド層１４およびｎ型ＧａＮガイド層１５を有している。 - 特許庁
  • Then P-type semiconductors 26 and N-type semiconductors 27 are arranged alternately, and electrodes 23 are formed on both sides of the P-type semiconductors and N-type semiconductors.
    P型半導体２６とN型半導体２７とが交互に配置され、電極２３がP型半導体およびN型半導体の両側に配置される。 - 特許庁
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