To form a plane NiPt silicide layer. 平坦なNiPtシリサイド層を形成する。 - 特許庁
To provide a technique capable of cleanly depositing films such as NS, Pt, NiPt, NiSi, and PtSi, namely, with satisfactory step coverage property or film deposition property. Ni,Pt,NiPt,NiSi,PtSi等の膜を綺麗に、即ち、段差被覆性良く形成できる技術を提供することである。 - 特許庁
Subsequently, NiPt silicide layers 33 are formed by heat treatment of the silicon layers 26 and 29, the Pt layer, and the Ni layer. 次いで、シリコン層26,29、Pt層、及びNi層を熱処理することにより、NiPtシリサイド33を形成する。 - 特許庁
Through this processing, a state wherein an (NiPt)_2Si layer 19b is formed in the source/drain regions 16a and 16b is held and only the gate electrode is selectively full-silicide processed to form a full-silicide gate electrode 21. この処理により、ソース/ドレイン領域16a,16bには(NiPt)_2Si層19bが形成された状態が保持されて、ゲート電極のみが選択的にフル・シリサイド化され、フル・シリサイドゲート電極21が形成される。 - 特許庁