The Nch MOS transistors NMT 11 and NMT 12 form a differential pair for input of input signals. Nch MOSトランジスタNMT11及びNMT12は差動対をなし、入力信号を入力する。 - 特許庁
A drain of the Nch MOS transistor NMT 12 is connected to gates of the NMT 11 of Nch MOS TRANSISTOR of the NMT12, NMT21, NMT22, NMT31, NMT32, NMT41, NMT42, NMT51, and NMT52. Nch MOSトランジスタNMT12のドレインは、Nch MOSトランジスタNMT11、NMT12、NMT21、NMT22、NMT31、NMT32、NMT41、NMT42、NMT51、及びNMT52のゲートに接続される。 - 特許庁
Differential delay cells DDC 1 to DDC 4, respectively include: load control parts 1; bias sources 2; Nch MOS transistors NMT 11; Nch MOS transistors NMT 12; Pch MOS transistor PMT 11; and a Pch MOS transistor PMT 12. 差動遅延セルDDC1乃至DDC4には、負荷制御部1、バイアス源2、Nch MOSトランジスタNMT11、Nch MOSトランジスタNMT12、Pch MOSトランジスタPMT11、及びPch MOSトランジスタPMT12がそれぞれ設けられる。 - 特許庁
The voltage control section 20 prepares low current sources 5 to 7, Pch MOS transistors PMT 11 to 14, and Nch MOS transistors NMT 11 to 13. 電圧制御部20には、低電流源5乃至7、Pch MOSトランジスタPMT11乃至14、及びNch MOSトランジスタNMT11乃至13が設けられる。 - 特許庁
If the deviation between the number Nm and the number NmT is not smaller than the threshold ΔN (NO, in S30), the control unit executes rotation synchronous control (S40). 回転数Nmと目標回転数NmTとの偏差がしきい値ΔN以上のとき(S30にてNO)、ハイブリッド制御部は、回転同期制御を実行する(S40)。 - 特許庁
A hybrid control unit determines whether or not a deviation between the number of rotations Nm of a transmission member and the target number of rotations NmT is smaller than a threshold ΔN (S30) in an N range (YES, in S10). ハイブリッド制御部は、Nレンジ時(S10にてYES)、伝達部材の回転数Nmと目標回転数NmTとの偏差がしきい値ΔNよりも小さいか否かを判定する(S30)。 - 特許庁
To provide a method for readily and rapidly measuring N-myristoyl transferase (NMT) activities in high sensitivity; to provide a kit for measuring the N-myristoyl transferase activities; and to provide a method for screening a material inhibiting the N-myristoyl transferase activities. N−ミリストイルトランスフェーゼ(NMT)活性を簡便かつ迅速に、しかも高感度で測定する方法、N−ミリストイルトランスフェラーゼ活性測定用キット、及びN−ミリストイルトランスフェラーゼ活性阻害物質のスクリーニング方法を提供する。 - 特許庁
Conversely, if the deviation between the number Nm and the number NmT is smaller than the threshold ΔN (YES, in S30), and the number Nm is within an upper and a lower limit values (YES, in S50), the control unit stops executing the synchronous control (S60). 一方、回転数Nmと目標回転数NmTとの偏差がしきい値ΔNよりも小さく(S30にてYES)、回転数Nmが上下限値内のとき(S50にてYES)、ハイブリッド制御部は、回転同期制御の実行を停止する(S60)。 - 特許庁
Each load control part 1 monitors the voltage (voltage at the operation point of the differential delay cell) in between the drain of the Pch MOS transistor PMT 12 and the drain of the Nch MOS transistor NMT 12 through the use of an ADC and a comparing part, and corrects the voltage of the operation point. 負荷制御部1は、ADC及び比較部を用いて、Pch MOSトランジスタPMT12のドレインとNch MOSトランジスタNMT12のドレインの間の電圧(差動遅延セルの動作点の電圧)をモニターし、動作点の電圧を補正する。 - 特許庁