「Not Al」を含む例文一覧(230)

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  • Al jazeera is not
    アルジャジーラは - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • He's not al capone.
    彼は アルカポネじゃない - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • The etching gas CF4O2 for the Ti oxide does not etch Al and no galvanic corrosion is caused between the Ti oxide and Al.
    Ti酸化物のエッチングガスであるCF_4O_2はAlをエッチングせず、また、Ti酸化物とAlとの間には電触が発生しない。 - 特許庁
  • I do not understand! then ... what is teme et al.?
    見りゃ わかんだろ! で... テメエら 何もんだ? - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • The Al fine crystal structure deposited in the inert atmosphere has a hardness higher than that of an Al bulk, which does not cause cutting or peeling at the time of looping.
    不活性雰囲気中で析出したAl微細結晶組織は、硬さがAlバルクよりも高く、ループ時の切断や剥がれを生じない。 - 特許庁
  • Do not cry teme et al! about people ... ah? that?
    テメエら いいかげんに しやがれ! 人のこと... あ? あれ? - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • Al in the pot is normal I should not die.
    壺の中なんて 普通 死ななきゃ入れないアル。 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • But you might not recognize aydah al jahani
    アイーダ アル ジャハーニはわからないかもしれませんね - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • It's 8: 15 in the morning i'm not in al
    朝の8時15分だぞ 俺はアル中じゃないんだ - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • And it does not include an intermetallic compound formed from a plurality of elements selected from boride, nitride, and boride nitride of Al, Si, Co, and Ni, Ti, Al, Co, and Ni.
    そして、Al、Si、Co、Niの硼化物、窒化物、硼窒化物およびTi、Al、Co、Niから選ばれた複数の元素で形成された金属間化合物を含まない。 - 特許庁
  • As a result, the granular growth of Al is not helped, such that the protrusion of Al is suppressed.
    その結果、Ａｌの粒成長は助長されず、Ａｌの突き出しが抑えられる。 - 特許庁
  • I do not know the difficult thing, but I am clear al.
    難しいことはわかんないけど 私は すっきりしたアルよ。 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • To provide a continuous casting method where abnormality in casting is not caused even if high Al steel comprising ≥0.05 mass% Al is subjected to casting at a high speed exceeding 2.0 m/min.
    Alを0.05mass％以上含有する高Al鋼を2.0ｍ/minを超える高速で鋳造を行っても鋳込み異常を引き起こすことのない連続鋳造方法を提案する。 - 特許庁
  • The Al cabling is made a multi-layer structure and an element which does not form a continuous solid solution with Al is added to each layer.
    Ａｌ配線を多層構造とし、各層にはＡｌと全率固溶しない元素を添加する。 - 特許庁
  • Hence burrs does not come into contact with an Al foil and the Al foil is not damaged, even if the foil is wound around the head.
    これによって、頭部にアルミ箔を巻き付けても、バリがアルミ箔に接触することはなく、アルミ箔に損傷が生じることは無い。 - 特許庁
  • The aluminum alloy wire contains not less than 0.005 to 2.2 mass% of Fe with the rest being Al and impurities.
    アルミニウム合金線は、Feを0.005質量％以上2.2質量％以下含有し、残部がAl及び不純物からなる。 - 特許庁
  • It is preferable that its Si/Al is ≥100 or the zeolite does not contain Al.
    前記ゼオライトはＳｉ／Ａｌ比が１００以上であるゼオライト、またはＡｌを含まないゼオライトであることが好ましい。 - 特許庁
  • Also, the Al foil 5a is not contacted with the frame 7 in its edge portions.
    また、縁部においてＡｌ箔５ａが枠体７に接触しない。 - 特許庁
  • Also, the active layer 8 including Al is not etched when the window structure is formed so that the oxidization of Al can be prevented from being generated.
    また、窓構造を形成する際に、Ａｌを含む活性層８をエッチングしないので、Ａｌの酸化も生じない。 - 特許庁
  • It is preferable that the Si/Al of the zeolite is ≥100 or the zeolite does not contain Al.
    前記ゼオライトはＳｉ／Ａｌ比が１００以上であるゼオライト、またはＡｌを含まないゼオライトであることが好ましい。 - 特許庁
  • Fukao et al (2007) pointed out that Japan has not sufficiently developed and accumulated “economic competitive capabilities” (see Figure 2-3-14).
    Fukao et al（2007）によれば、我が国は「経済的競争能力」の蓄積が進んでいないことが指摘されている（第2-3-14表）。 - 経済産業省
  • Heating in the deuterium aggregate in an Al metal and heavy water is observed, but the emission of radiation is not observed.
    Al金属中の重水素集合体及び重水中での加熱が観測されたが、放射線の放出は観測されなかった。 - 特許庁
  • To provide an aluminum alloy casting obtained by subjecting an Al-Si-(Al-Si-Mg)-based alloy and an Al-Mg based alloy to compounding which has not been performed heretofore, and to provide a method for producing the same.
    従来行われていなかったＡｌ−Ｓｉ（Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ）系合金とＡｌ−Ｍｇ系合金を複合化したアルミニウム合金鋳物およびこの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The mass ratio of Al to Si in the second glass phase is not smaller than 0.01.
    第２のガラス相において、ＡｌのＳｉに対する質量比は０．０１以上である。 - 特許庁
  • The Al electrode 19 is constituted of Al alloy, which is easily deformed plastically as compared to the Ni layer, and is made into a dense state where a slit and a hole do not exist.
    Ａｌ電極１９を、Ｎｉ層よりも塑性変形しやすいＡｌ合金から構成し、スリットや空孔が存在しない密な状態とする。 - 特許庁
  • An interface of ultrasonic welding is formed of Al of the same kind by the Al layer 24, and thereby ultrasonic application energy applied on the connection part does not become excessive.
    Ａｌ層２４により、超音波溶接の界面は同種のＡｌ同士になるので、接続部に付与される超音波印加エネルギーは、過剰になることがない。 - 特許庁
  • In other areas, the high-fusion-point layer 12b is not formed and the top layer is an Al metal layer 12a consisting mainly of Al with high reflectivity.
    その他の領域では、高融点金属層１２ｂを形成せず、最上層を反射率の高いＡｌを主成分とするＡｌ金属層１２ａとする。 - 特許庁
  • And it does not include an intermetallic compound formed from at least two elements selected from boride, nitride, and boride nitride of Al, Si, Co, and Ni, Ti, Co, and Ni.
    そして、Al、Si、Co、Niの硼化物、窒化物、硼窒化物およびTi、Co、Niから選ばれた少なくとも２種の元素で形成された金属間化合物を含まない - 特許庁
  • The waveguide layer 109 is in the ridge 111 and whose side surface is exposed by the etching, however, the same does not contain Al whereby the problem of oxidization due to the exposure of the Al containing layer will not be caused.
    導波層１０９は、リッジ１１１内部にありエッチングにより側面が露出するが、Ａｌを含有しないので、Ａｌ含有層が露出することによる酸化の問題は生じない。 - 特許庁
  • To produce an Al-contg. composite high strength material of high performance combining superhigh strength which has not heretofore been attained not only in the case of Al alloy wire rods but also in the case of bulk materials, ductility and toughness.
    Ａｌ合金線材だけではなくバルク材料を含めても、これまでに例のない超高強度と延性・靱性とを兼ね備えた高性能なＡｌを含む複合高強度材を提供する。 - 特許庁
  • As for the metal with Cu as a major component, metal containing Ni, P, Sn, Al, Si or the like to such a degree that the plating bath is not contaminated can be used for increasing their hardness compared with a Cu simple substance.
    本発明のCuを主成分とする金属としては、硬度をCu単体よりも高めるために、めっき浴を汚染しない程度のNi、P、Sn、Al、Si等を含有したものでもよい。 - 特許庁
  • Therein, virtual lines AL extended in the extension directions of the branch parts 3 do not pass through the center of the solid part 1.
    ここで、枝部３の延設方向に延びる仮想線ＡＬは、中実部１の中心を通らない。 - 特許庁
  • Also, the refractive index of the bonding surface side of the Al-Ni-based alloy layer is made preferably not less than 1.9.
    また、Ａｌ−Ｎｉ系合金層は、接合面側の屈折率が１．９以上であることが好ましい。 - 特許庁
  • (2) The provisions in the preceding paragraph shall not be regarded as preventing the parties et al. from exercising their legitimate rights.
    ２　前項の規定は、当事者等の正当な権利の行使を妨げるものと解してはならない。 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • Furthermore, Al composition of AlGaInP current block layers 107 and 108 is almost equal to the Al composition of a second conductivity-type AlGaInP clad layer 110, so that the Al composition is not increased and that the optical damage level of a laser resonator end surface also will not increase.
    さらに、ＡｌＧａＩｎＰ電流ブロック層１０７，１０８のＡｌ組成が第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１１０のＡｌ組成と略等しくなっており、Ａｌ組成が増加していないので、レーザ共振器端面の光学損傷レベルが増加することもない。 - 特許庁
  • The concentration of Er element added to the core region is not less than 1,000 wt. ppm and not more than 5,000 wt. ppm while the concentration of the Al element added to the core region is not less than 1 wt.% and not more than 10 wt.%.
    コア領域に添加されているＥｒ元素濃度は１０００wt.ppm以上５０００wt.ppm以下であり、コア領域に添加されているＡｌ元素濃度は１wt％以上１０wt％以下である。 - 特許庁
  • To provide a method of forming an Al-Cu alloy wiring which does not generate a defect in the wiring due to a short-circuit.
    短絡による配線欠陥が発生しないＡｌ−Ｃｕ合金配線の形成方法を提供する。 - 特許庁
  • Each solar battery cell 2 or protrusions 2a of its wiring tabs are not contacted with the Al foil 5a of the protective film 5.
    太陽電池セル２またはその配線タブの突起２ａが保護フィルム５のＡｌ箔５ａに接触しない。 - 特許庁
  • The Fe-based metal member 1 and the Al-based metal member are joined with each other via a Zn-based brazing filler metal 3 between the Fe-based metal member 1 and the Al-based metal member (not shown).
    Ｆｅ系金属部材１とＡｌ系金属部材（図示略）との間にＺｎ系ろう材３を介在して、Ｆｅ系金属部材１とＡｌ系金属部材とを接合する。 - 特許庁
  • To directly form a resist pattern on an Al alloy surface for use in an electrode pad or a wiring, and to cause etching residues not to be produced, when Al alloy film is selectively dry-etched.
    電極パッドや配線に用いられるＡｌ合金表面上に直接レジストパターンを形成し、Ａｌ合金膜を選択的にドライエッチングしたとき、エッチング残渣が発生しないようにする。 - 特許庁
  • Accordingly, holes generated by the movement of Al atoms resulting from an EM in the test wirings are not supplemented by flowing-in Al atoms, thus allowing accurate EM evaluation.
    従って試験配線内でのＥＭに起因するＡｌ原子の移動により生ずる空孔が流入するＡｌ原子により補充されず、これにより正確なＥＭ評価が可能になる。 - 特許庁
  • The use of the bonding material prevents formation of an Al oxide film on the surface of the bonding material during bonding to give good wettability that can not be achieved by the Zn-Al alloy.
    この接続材料を用いることで、接続時に接続材料の表面のＡｌ酸化膜の形成が抑制され、Ｚｎ−Ａｌ合金では得られない良好な濡れを得ることができる。 - 特許庁
  • By utilizing the joining material, generation of Al oxide film on the surface of the joining material during joining is suppressed, and a superior wettability can be obtained, which is not achieved with Zn-Al alloy.
    この接続材料を用いることで、接続時に接続材料の表面のＡｌ酸化膜の形成が抑制され、Ｚｎ−Ａｌ合金では得られない良好な濡れを得ることができる。 - 特許庁
  • To prevent the occurrence of iridescence by dispersing a specified amount of P, Al or B in a coating comprising a mixed oxide not containing P, Al and B.
    移動している基体の上に、真珠光現象の発生を防止すべく被覆−基体間の屈折率の差が最少限に抑えられた金属酸化物の被覆を形成する化学的蒸着法を提供する。 - 特許庁
  • The Ti-Al-based alloy target obtained by this method comprises 45 to 65 atomic% Al, and has at least two or more phases of Ti_3Al, TiAl, TiAl_2 and TiAl_3 upon analysis by X-ray diffraction, and in which metal Ti and metal Al as simple substances are not left upon EPMA (Electron Probe Micro Analysis).
    これにより得られたＴｉ−Ａｌ系合金ターゲットは、Ａｌを４５〜６５原子％含有し、Ｘ線回折で分析したときにＴｉ_３Ａｌ，ＴｉＡｌ，ＴｉＡｌ_２，ＴｉＡｌ_３の少なくとも２種以上の相を含み、ＥＰＭＡ分析をしたときに単体の金属Ｔｉ及び金属Ａｌが残存していない。 - 特許庁
  • This decoratively working apparatus comprises: a quartz pipe 2 which accommodates a Cu-Al alloy 21 therein; a diffusion furnace 1 which heats the alloy accommodated in the quartz pipe 2 at a temperature at which Al that composes the alloy reacts but Cu does not react; and a gas pipe 6 for transporting an oxidizing gas for Al toward the quartz pipe 2.
    Ｃｕ−Ａｌ合金２１が収容される石英管２と、石英管２に収容された合金を構成するＡｌを反応させ且つＣｕを反応させない温度で加熱する拡散炉１と、石英管２に向けてＡｌに対する酸化性ガスを搬送するガス配管６とを備える。 - 特許庁
  • In this case, the Al composition (x) of the Al_xGa_1-xN layer is set so as to be more than 0.3, or not less than 0.5, and preferentially 0.4.
    ここで、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層のＡｌ組成（ｘ）は、０．３よりも大きく、０．５以下、好ましくは０．４とする。 - 特許庁
  • To provide a porous ceramic having such strength and thermal resistance as not to have been obtained in a porous ceramic using Al.
    本発明は、Ａｌでは得られなかった強度及び耐熱性をもった多孔質セラミックを提供することを目的とする。 - 特許庁
  • The M-th processor processes the command inputted thereto in ST203, when the AM>AL is not satisfied in ST202.
    ＳＴ２０２においてＡＭ＞ＡＬでない場合は、ＳＴ２０３において第Ｍプロセッサが、自身に入力された命令を処理する。 - 特許庁
  • During the first time of forming the photo resist pattern, the film is exposed with an exposure amount to a degree that light does not enter the Al film 14.
    １回目のフォトレジストパターン形成工程では、Ａｌ膜１４にまで光が入らない程度の露光量で露光する。 - 特許庁
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