「OSF」を含む例文一覧(72)

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  • This is the default on the OSF/1 reference platform, using the OSF/rose object format.
    これは OSF/1 リファレンスプラットフォームにおけるデフォルトです。 OSF/1 リファレンスプラットフォームはOSF/rose オブジェクトフォーマットを使用します。 - JM
  • This is the default for all platforms except for the OSF/1 reference platform, using the OSF/rose object format.
    これは OSF/1 リファレンスプラットフォーム以外の全てのプラットフォームにおけるデフォルトです。 OSF/1 リファレンスプラットフォームは OSF/rose オブジェクトフォーマットを使用します。 - JM
  • Source processing works for: SunOS, Sun Solaris, Hewlett-Packard HP-UX,ATT System V, OSF/1 aka Digital UNIX, DEC Ultrix.
    ソース処理は次の OS のもので動作する: SunOS, Sun Solaris,Hewlett-Packard HP-UX, AT&T System V, OSF/1 (別名 Digital UNIX), DEC Ultrix。 - XFree86
  • OSF INSPECTION METHOD OF SILICON SINGLE CRYSTAL
    シリコン単結晶のＯＳＦ検査方法 - 特許庁
  • PolyglotMan accepts man pages from: SunOS, Sun Solaris, Hewlett-Packard HP-UX, ATTSystem V, OSF/1 aka Digital UNIX, DEC Ultrix, SGI IRIX, Linux, FreeBSD,SCO.
    PolyglotMan は次の OS に付属するマニュアルページを処理できる:SunOS, Sun Solaris, Hewlett-Packard HP-UX, AT&T System V, OSF/1 (別名 Digital UNIX), DEC Ultrix, SGI IRIX, Linux, FreeBSD, SCO。 - XFree86
  • METHOD FOR PREDICTING DISTRIBUTION OF OSF RING BY SIMULATION
    シミュレーションによるＯＳＦリングの分布予測方法 - 特許庁
  • OSF developed a widely-implemented cross-platform industry-standard for distributed computing, the Distributed Computing Environment (DCE).
    OSFは分散コンピューティング用の, 広く実用されたクロスプラットホームの産業標準, すなわちDCEを開発した. - コンピューター用語辞典
  • Motif programmers should keep in mind that OSF uses virtual bindings and replacessome of the key bindings.
    Motif プログラマは、OSF がキーの仮想割り当てを使っていて、いくつかのキー割り当てを置き換えていることを意識しておくべきである。 - XFree86
  • To predict the distribution of an OSF ring in a single crystal accurately.
    単結晶内でのＯＳＦリングの分布を正確に予測する。 - 特許庁
  • To reduce heavy metal contamination of a silicon substrate containing OSF.
    ＯＳＦを含むシリコン基板の重金属汚染を低減する。 - 特許庁
  • Motif, OSF/1, and UNIX are registered trademarks and IT DialTone and The Open Group are trademarks of The Open Group in the United States and other countries.
    Motif, OSF/1 および UNIX は アメリカ合衆国およびその他の国における The Open Groupの登録商標で、 IT DialTone および The Open Group は同じく商標です。 - FreeBSD
  • When the anisotropic etching is applied, OSF (oxidation-induced stacking faults) of OSF density 2×10^4 pieces/cm^2 or more and the OSF length 2 μm or more is made to exist on the rear surface of the Si substrate 1.
    異方性エッチングを行う際、Ｓｉ基板１の裏面に、ＯＳＦ（酸化誘起積層欠陥）をＯＳＦ密度２×１０^4個／ｃｍ^2以上、かつＯＳＦ長さを２μｍ以上で存在させておく。 - 特許庁
  • To provide a method for evaluating a crystal defect of a silicon wafer, by which only an etch pit of an OSF (Oxidation-induced Stacking Fault) is detected by selective etching and an OSF can be accurately determined.
    選択エッチングによりＯＳＦのエッチピットのみを検出し、ＯＳＦを正確に判別することができるシリコンウェーハの結晶欠陥評価方法を提供する。 - 特許庁
  • An ATM transmitter 1-2 of the receiving side decides the continuity of the data breaking position information OSF on a plurality of received ATM cells by using an OSF check part 1-21.
    受信側のＡＴＭ伝送装置１−２は、受信した複数のＡＴＭセルに亙るこのデータ区切り位置情報ＯＳＦの連続性を、ＯＳＦチェック部１−２１により判定する。 - 特許庁
  • When the single crystal 9 is pulled from a melt 8, the pulling rate is made low so that OSF ring 11 occurs at the inner side than the outer peripheral part of the single crystal or the OSF ring diminishes at the center part.
    溶融液８から単結晶８を引き上げるときの引き上げ速度を、ＯＳＦリング１１が単結晶外周部より内側に生じるか、もしくは中心部で消滅する低速度とする。 - 特許庁
  • To provide a silicon semiconductor substrate exhibiting excellent electric characteristics and having high gettering power by reducing not only grown-in defect in crystal but also oxygen deposit remaining in the OSF region and becoming the nucleus of OSF growth while growing the crystal under growth conditions becoming the OSF region, and to provide its production process.
    結晶をＯＳＦ領域となる育成条件で育成したうえで、結晶中のグロウンイン欠陥を低減するのみならず、ＯＳＦ領域に残存していたＯＳＦ成長の核となる酸素析出物をも低下させ、電気特性に優れ、かつ高いゲッタリング能を持つシリコン半導体基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • When an OSF flag of the active engine C is indicative of a normal state, an output device reads the output signals from the region C and outputs the output signals, but when the OSF flag is indicative of an abnormal state, the output device reads the output signals from the region D and outputs the output signals.
    出力装置は運用系エンジンＣのＯＳＦフラグが正常のときは、領域Ｃから出力信号を読み出して出力するが、該ＯＳＦフラグが異常のときは、領域Ｄから出力信号を読み出して出力する。 - 特許庁
  • To produce using CZ method under stable conditions a silicon single crystal wafer having OSF or OSF nuclei on the whole crystal surface or the whole crystal surface except the outer peripheral part when subjected to thermal oxidation treatment and having gettering ability as well.
    熱酸化処理をした際に結晶全面あるいは外周部を除いた全面にＯＳＦまたはＯＳＦの核が存在し、かつゲッタリング能力を有するＣＺ法によるシリコン単結晶ウエーハを安定した製造条件下に製造する。 - 特許庁
  • A face provided with a mask 6 for forming the ink supply orifice 8 in a substrate 1 has an area covered with the mask for anisotropic etching, the area of which consists of a part provided with OSF layers 11 and a part 15 not provided with the OSF layers, considering an amount of a side etching.
    基板１のインク供給口８を形成するためにマスク６が設けられる面について、異方性エッチング時にマスクで覆われる部分が、サイドエッチングの量を考慮して、ＯＳＦ層１１が設けられる部分と、設けられない部分１５とで構成されている。 - 特許庁
  • To provide a silicon single crystal pull up device which is able to increase pulling up speed of the single crystal so that the R-OSF appears on a periphery of crystal surface orthogonal to a pulling up direction even in the case of growing silicon single crystal with a large diameter.
    大口径のシリコン単結晶を育成する場合であっても、R-OSF の発生位置が引き上げ方向に対して直交する結晶面内の外周部にくるように単結晶の引き上げ速度を上げることができるシリコン単結晶引き上げ装置を提供すること。 - 特許庁
  • Since the interstitial oxygen concentration of a silicon wafer 20 is set at 1.4×10^18 atoms/cm^3 or below or the OSF density of the silicon wafer 20 is set at 20,000/cm^2 or below after devices are provided, the silicon wafer 20 can be protected against warpage caused by the interstitial oxygen concentration or OSF density.
    シリコンウェーハ２０の格子間酸素濃度を１．４×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、または、デバイス形成後のシリコンウェーハ２０のＯＳＦ密度を２００００個／ｃｍ^２以下としたので、格子間酸素濃度、ＯＳＦ密度に起因するシリコンウェーハ２０の反りの発生を防止できる。 - 特許庁
  • To provide a method for confirming a position where OSF or a nucleus of the OSF hard to be detected is present in the case of a silicon single crystal containing oxygen in low concentration and a method for detecting a dislocation cluster, and to improve the quality of the silicon single crystal by utilizing these methods.
    低酸素濃度のシリコン単結晶の場合に検出されにくいＯＳＦあるいはＯＳＦの核が存在している位置を確認する方法と、併せて転位クラスタを検出する方法を提供し、さらなるシリコン単結晶の高品質化を図ることを主目的とする。 - 特許庁
  • An oxidation inducing stacking fault (OSF) 14 is formed with a depth of several micrometers in all rear face 102 regions of the wafer 10 with the deformation 11.
    このとき、歪み１１を付けたウェーハ１０の裏面１０２全域には酸化誘起積層欠陥（ＯＳＦ）１４が数μｍの深さをもって形成される。 - 特許庁
  • To obtain a wafer where the surface uniformity of BMD density is attained even if a ring shape OSF area is formed in lifting a single crystal by a CZ method.
    ＣＺ法による単結晶引上時においてリング状ＯＳＦ領域が形成された場合でもＢＭＤ密度の面内均一化を図ったウェーハを得る。 - 特許庁
  • Since cristobalite hardly reacts with a silicon melt, the oxygen concentration in a single crystal is lowered, decreasing OSF or COP.
    またクリストバライトはシリコン融液と反応しにくいため、単結晶中の酸素濃度を低下させるので、ＯＳＦやＣＯＰを少なくすることができる。 - 特許庁
  • For instance, {111} plane or {511} plane tends to be harder to introduce OSF than {100} plane, so that an electro-optical device board of high reliability can be obtained.
    例えば｛１１１｝面や｛５１１｝面等はＯＳＦが｛１００｝面より導入され難いため信頼性の高い電気光学装置用基板を得ることができる。 - 特許庁
  • When a pulling-up speed at which OSF begins to occur at the center part of the crystal is defined as Vo, the crystal is grown at a stationary speed higher than the speed Vo.
    結晶中心部にＯＳＦが生じはじめる結晶引上げ速度をＶ_0 として、Ｖ_0 を超える定常速度で結晶育成を行う。 - 特許庁
  • As a result, the silicon wafer in which the OSF region does not exist within the region from the center of the surface up to 10 mm on the inner side from the outer periphery is manufactured.
    これにより面の中心から外周より内側１０ｍｍまでの領域においてＯＳＦが存在しないシリコンウェーハが製造される。 - 特許庁
  • (1) A method for producing an epitaxial wafer comprises using a silicion single crystal wafer which is doped with nitrogen and contains oxygen in a concentration of ≤9×1017 atom/cm3 in an OSF ring area.
    (1) 窒素がドープされ、ＯＳＦリング領域の酸素濃度が９×10^17atoms/cm^3以下であるシリコン単結晶ウェーハを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 特許庁
  • Furthermore, at a sixteenth step, the width and position of the OSF ring are determined using the computer based on the density distribution and the radius of the void and the thickness of the inner wall oxide film.
    更に第１６ステップでボイドの密度分布及び半径と内壁酸化膜の厚さに基づいてＯＳＦリングのリング幅及び位置をコンピュータを用いて求める。 - 特許庁
  • The silicon wafer is heated to a heating temperature T, corresponding to oxygen concentration in the silicon wafer so that the region where an OSF core is deleted by lamp annealing is obtained.
    つぎに、たとえばランプアニールによって、ＯＳＦ核が消去される領域になるように、シリコンウェーハ中の酸素濃度に応じた加熱温度Ｔまでシリコンウェーハが加熱される。 - 特許庁
  • The continuity of received ATM cells is decided for detecting occurrence of a cell loss by using the information OSF similarly to an original sequence number SN.
    データ区切り位置情報ＯＳＦを本来のシーケンス番号ＳＮと同様に用いて受信ＡＴＭセル連続性を判定し、該判定によりセルロス発生の検出を行う。 - 特許庁
  • To provide a method of stably producing an annealed wafer having a DZ layer of not less than 10 μm capable of easily producing a substrate in which a whole area is an OSF region.
    全面ＯＳＦ領域のサブストレートが容易に製造でき、かつ１０μｍ以上のＤＺ層を持つアニールウェハが安定的に製造できる方法を提供する。 - 特許庁
  • Concentration of nitrogen in a silicon crystal and the growth condition V/G (V:growth rate and G: axial temperature gradient of the crystal) are controlled so as to have an OSF region.
    ＯＳＦ領域になるように、シリコン結晶中の窒素の濃度と成長条件Ｖ／Ｇ（Ｖ：成長速度、Ｇ：結晶の軸方向温度勾配）が制御される。 - 特許庁
  • It is preferable that the whole surface of an active silicon layer 27 is on the outside of the OSF region and the layer 27 does not contain the defective region detected by the Cu deposition method.
    好ましくは、シリコン活性層２７は、全面にわたってＯＳＦ領域の外側のＮ領域であり、且つＣｕデポジション法により検出される欠陥領域を含まないものからなる。 - 特許庁
  • (2) A method for producing an epitaxial wafer comprises using a silicon single crystal wafer which is doped with nitrogen and is grown so that the inner diameter of an OSF ring area is ≥85% of the diameter of the wafer.
    (2) 窒素がドープされ、ＯＳＦリング領域の内径がウェーハ径の85％以上の位置に存在するように育成されたシリコン単結晶ウェーハを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 特許庁
  • To pull a silicon single crystal with few defects, such as OSF or COP, in a high yield by enabling the crystallization of the inside surface of a quartz crucible for pulling the silicon single crystal.
    単結晶シリコン引上げ用石英ルツボにおいて、単結晶歩留まりが良く、ＯＳＦやＣＯＰなどの欠陥が少ない単結晶シリコンを引上げるため、内表面を結晶化させる。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method for silicon single crystal at a low cost which has high quality and in which the generation of OSF is suppressed, by removing impurities in the graphite member mounted in the chamber by short time heating.
    チャンバ内に取付けた黒鉛部材中の不純物を短時間加熱で除去し、ＯＳＦの発生が抑制された高品質のシリコン単結晶を低コスト製造する方法。 - 特許庁
  • To prevent OSF from being introduced into an electro-optical device board formed on a semiconductor layer, provided on the surface of an insulator layer in a thermal oxidation process, so as to provide an electro-optical device of high reliability.
    絶縁体層上の半導体層に形成された電気光学装置用基板において、熱酸化時にＯＳＦの導入を防ぎ、信頼性の高い電気光学装置を提供する。 - 特許庁
  • To produce a silicon single crystal with slight formation of crystal defects such as an oxidation induced stacking fault(OSF) by removing impurities such as moisture or oxygen contained in an argon gas atmosphere in a furnace.
    炉内アルゴンガス雰囲気中に含まれる水分、酸素等の不純物を除去することにより、ＯＳＦ等の結晶欠陥の発生が少ないシリコン単結晶を提供する。 - 特許庁
  • Since the outer diameter of the bottom side ingot is made larger than the outer diameter of the top side ingot, OSF (oxidation-induced stacking faults) generating in an outer peripheral part of the ingot can be enclosed in a region outside the outer diameter of the bottom ingot after cutting the ingot.
    ボトム側インゴットの外径をトップ側インゴットの外径より大きくしたので、その外周部に発生するＯＳＦをボトム側インゴットの切削後の外径より外側に納めることができる。 - 特許庁
  • To provide a laminated dielectric isolation wafer which is capable of protecting a support substrate wafer against warpage caused by interstitial oxygen concentration or OSF density and restrained from warping more after devices are formed and to provide its manufacturing method.
    格子間酸素濃度またはＯＳＦ密度に起因した支持基板用ウェーハの反りの発生を防止し、デバイス形成後に反りが増大しない貼り合わせ誘電体分離ウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method for growing a silicon single crystal, by which a single crystal of a defect-free region where OSF and grown-in defects are not included over the whole region in the radial direction is grown stably in a high yield.
    径方向全域にわたりＯＳＦおよびｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥のない無欠陥領域の単結晶を歩留り良く安定して育成することができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a silicon wafer by which an OSF ring region and the other regions can be expanded on the surface of the wafer and the generation of grown-in defects can be effectively suppressed by a simple manufacturing process.
    簡易な製造工程で、ウェーハ表面にＯＳＦリング領域およびその他領域を拡張し、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の発生を効果的に抑制することができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • Etch residues 1 formed by carrying out wet etching to the silicon substrate containing OSF are removed from or moved on the silicon substrate by carrying out brush scrubber cleaning and applying a mechanical impact to it.
    ＯＳＦを含むシリコン基板に湿式エッチングを行って生成されるエッチング残り１を、ブラシスクラバ洗浄を行って機械的な衝撃を加えることにより、シリコン基板から除去しまたはシリコン基板上で移動させる。 - 特許庁
  • To provide a method where the controlling direction of a pulling-up velocity is determined without using the position and width of an OSF (Oxidation-induced Stacking Fault) region as indexes, thus a velocity profile of the succeeding pulling-up is fed-back and adjusted.
    ＯＳＦ（Oxidation Induced Stacking Fault）領域の位置や広さを指標とすることなく引き上げ速度の制御方向を判断することによって、後続の引き上げの速度プロファイルをフィードバック調整する方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a silicon single crystal, in which by determining the control direction of the pulling-up speed without using a position and an area of the OSF region as indices, a succeeding pulling-up speed profile is regulated in feedback.
    ＯＳＦ領域の位置や広さを指標とすることなく引き上げ速度の制御方向を判断することによって、後続の引き上げの速度プロファイルをフィードバック調整するシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • After the entire surface of a wafer is made to serve as an OSF region by adding nitrogen to a crystal and then oxygen of the crystal is lowered, cooling rate of the 1,050-1,000°C temperature region is set at 2.0°C/min or below during single crystal growth.
    結晶に窒素を添加してウェーハの全面をＯＳＦ領域とし、結晶を低酸素化した上で、さらに単結晶育成時における１０５０℃〜１０００℃の温度領域の冷却速度を２．０℃／ｍｉｎ以下とする。 - 特許庁
  • To provide a method for producing a silicon single crystal ingot, capable of solving unevenness of BMD density on a wafer surface caused by an OSF ring in pulling out the silicon single crystal ingot doped with nitrogen by CZ method.
    ＣＺ法により窒素をドーピングしたシリコン単結晶インゴットの引上げにおいて、ＯＳＦリングに起因するＢＭＤ密度のウェーハ面内における不均一性を解消するシリコン単結晶インゴットの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The silicon single crystal wafer grown by Czochralski method is free of any defective region detectable by RIE (reactive ion etching) method, in the N region outside the OSF region formed in a ring when the whole wafer surface is thermally oxidized.
    チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウエーハにおいて、ウエーハ全面が熱酸化処理をした際にリング状に発生するＯＳＦの外側のＮ領域であって、ＲＩＥ法により検出される欠陥領域が存在しない。 - 特許庁
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