「Order type」を含む例文一覧(2154)

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  • The element part 2 is formed by laminating in order an N-type GaP substrate 2a, an N-type GaP epitaxial growth layer 2b and an epitaxially grown P-type GaP layer 2c and forms a compound semiconductor region.
    発光素子部２は、ｎ型ＧａＰ基板２ａ、ｎ型ＧａＰエピタキシャル成長層２ｂ、ｐ型ＧａＰエピタキシャル成長層２ｃを順次積層して化合物半導体領域を形成している。 - 特許庁
  • The wireless communication system has a data amount measuring unit 224 for measuring the usage of a first call type while the first call type is performed after the start of the first call type, and a MAC processing unit 222 for setting a scheduling order of the first call type based on the usage of the first call type while the first call type is performed.
    無線通信システムは、第１呼種の開始後において、第１呼種を行っている間の第１呼種の利用実績を測定するデータ量測定部２２４と、第１呼種を行っている間において、第１呼種の利用実績に基づいて、第１呼種のスケジューリング順を設定するＭＡＣ処理部２２２とを備える。 - 特許庁
  • On the bottom face of an n-type InP substrate 10 (semiconductor substrate), an n-type first multilayer reflection layer 12, an n-type first optical resonance layer 14, an n-type second multilayer reflection layer 16, an i-type InGaAs light absorption layer 18, and an anode electrode 22 (reflection film) are formed in order from the n-type InP substrate 10 side.
    ｎ型ＩｎＰ基板１０（半導体基板）の下面に、ｎ型ＩｎＰ基板１０側から順番に、ｎ型の第１の多層反射層１２、ｎ型の第１の光共振層１４、ｎ型の第２の多層反射層１６、ｉ型ＩｎＧａＡｓの光吸収層１８及びアノード電極２２（反射膜）が形成されている。 - 特許庁
  • In the ink as a writing tool capable of detecting the complete consumption of ink, one or more of a silicone type, a silica mineral oil type, a metal soap type, an amide type, an olefin type or an acetylene type de-foaming agent is incorporated in an ink in order to prohibit foam generation.
    気泡発生を防止するためにシリコーン系、シリカ鉱物油系、金属石鹸系、アマイド系、オルフィン系、アセチレン系のものから一種、若しくは二種以上組み合わせたものからなる消泡剤をインキ中に添加することによってインキ終了検知式筆記具インキ終了検知式筆記具ことにより解決した。 - 特許庁
  • An n-type DBR layer 12 (distribution Bragg reflection layer of first conductivity type), an i-InGaAs optical absorption layer 14 (optical absorption layer) with low carrier concentration, and a p-type InP window layer 16 (semiconductor layer of second conductivity type) are formed in order on an n-type InP substrate 10 (semiconductor substrate).
    ｎ型ＩｎＰ基板１０（半導体基板）上に、ｎ型ＤＢＲ層１２（第１導電型の分布ブラッグ反射層）、低キャリア濃度のｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１４（光吸収層）、及びｐ型ＩｎＰ窓層１６（第２導電型の半導体層）が順番に形成されている。 - 特許庁
  • The assignment unit assigns the color from the acquired colors to use to display the diagram of the type of operation in order of recognizability to diagrams in order from the diagram of the type of operation with the smallest recognizability and stores all information in the storage unit.
    割り当て部は、識別容易度が小さい図形の作業の種類の図形から順に、取得された色の中での識別し易さの順で、該作業の種類の図形の表示に用いる色を割り当て、記憶部に記憶する。 - 特許庁
  • By referring to each effect type, corresponding to the selected category is displayed on a display 8 in the priority order, in response to the priority order of the selected category in each effect type.
    エフェクトタイプのデータを参照することにより、選択させたカテゴリーが対応付けられている各エフェクトタイプを、この各エフェクトタイプにおけるその選択されたカテゴリーの優先順位に応じた優先順序で表示器８に表示させる。 - 特許庁
  • The JV type order contract support system 1 is equipped with: major company terminal devices 31, 32; and local company terminal devices 33, 34, which are mutually connected with a JV type order contract support server 10 via a communication transmission circuit 60.
    ＪＶ方式発注契約支援システム１は、ＪＶ方式発注契約支援サーバ１０と通信回線６０を介して相互に接続された大手企業端末装置３１，３２および地元企業端末装置３３，３４を具備する。 - 特許庁
  • On a substrate 11, a first p-type semiconductor layer 12 having a high dopant concentration, a second p-type semiconductor layer 13 having a low dopant concentration, and an n-type semiconductor layer 14 having a concentration higher than that of the second p-type semiconductor layer 13 are formed in order.
    基板１１上には、高不純物濃度の第１のｐ型半導体層１２と、低不純物濃度の第２のｐ型半導体層１３と、第２のｐ型半導体層１３よりも高濃度のｎ型半導体層１４とが形成されている。 - 特許庁
  • On a substrate 1, an n-type μc-Si:H layer 2, an i-type μc-Si:H layer 3 serving as photoelectric conversion layer, a p-type μc-Si:H layer 4, a p-type a-Si:H layer 5 and a transparent electrode 6 made of ITO are laminated and formed in the order.
    基板１上に、ｎ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ層２、光電変換層となるｉ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ層３、ｐ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ層４、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ層５、及び、ＩＴＯ製の透明電極６がこの順に積層形成されている。 - 特許庁
  • In the ZnO semiconductor light emitting diode element 10, an i-type ZnO light emitting layer 2 and an n-type ZnO layer 3 are laminated in order on a sapphire substrate 1, and an n-type ITO transparent conductive film 4 is formed on the n-type ZnO layer 3.
    このＺｎＯ半導体発光ダイオード素子１０では、サファイア基板１上にｉ型ＺｎＯ発光層２、ｎ型ＺｎＯ層３が順に積層され、ｎ型ＺｎＯ層３上にｎ型のＩＴＯ透明導電膜４が形成されている。 - 特許庁
  • A multi-collector type npn transistor Tr1 included in the IIL element comprises an n-type emitter layer Tr1E, p-type base layer Tr1B, and n-type collector layer Tr1C which are formed vertically in this order from the rear face to the front face side of a semiconductor substrate 101.
    ＩＩＬ素子に含まれたマルチコレクタ型ＮＰＮトランジスタＴｒ１は、半導体基板１０１の裏面側から表面側へ向かう縦方向に順にＮ型エミッタ層Ｔｒ１Ｅ、Ｐ型ベース層Ｔｒ１Ｂ、Ｎ型コレクタ層Ｔｒ１Ｃを備える。 - 特許庁
  • The light emitting element 1 has an emission layer part where a p-type clad layer 2, an active layer 33 and an n-type clad layer 34 are formed sequentially in this order and the p-type clad layer 2 comprises a p-type MgxZn1-xO layer (0<x≤1).
    発光素子１は、ｐ型クラッド層２、活性層３３及びｎ型クラッド層３４がこの順序にて積層された発光層部を有し、かつｐ型クラッド層２がｐ型Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（ただし、０＜ｘ≦１）層からなる。 - 特許庁
  • In the protection film 20, a p-type semiconductor layer 21 and an n-type semiconductor layer 22 are laminated in this order from a side of the magnet element assembly 10, and a pn junction is formed between the p-type semiconductor layer 21 and the n-type semiconductor layer 22.
    保護膜２０はｐ型半導体層２１とｎ型半導体層２２とを磁石素体１０の側からこの順に積層しており、ｐ型半導体層２１とｎ型半導体層２２との間にはｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁
  • An n-type GaAs layer 2, an n-type AlGaAs layer 3 and a non- doped GaAs layer 4 are formed on a semiinsulative GaAs substrate 1 in the order of these layers 2, 3 and 4.
    半絶縁性ＧａＡｓ基板１上にｎ型のＧａＡｓ層２、ｎ型のＡｌＧａＡｓ層３、およびノンドープのＧａＡｓ層４がこの順に形成されている。 - 特許庁
  • An inorganic filler and a lubricating oil are added in the lactic acid type polymer in order to reduce the friction between the packing band made of the lactic acid type polymer composition and the automatic packing machine.
    乳酸系ポリマー組成物からなる梱包用バンドと自動梱包機の摩擦を低減する為に、乳酸系ポリマーに無機充填剤及び潤滑油を添加する。 - 特許庁
  • A gas blow-off type detector 50 and a penetration type detector 60 are installed in that order from the upstream on a feed chute 23 used as a conveyance course of the check valve.
    逆止弁の搬送経路となる供給シュート２３上に、上流から順に気体吹き出し式検出装置５０、透過型検出装置６０を設置する。 - 特許庁
  • To provide an ink penetration type name seal constituted so as to be correctly and simply attached by a user and suitable for a surface-of-seal order receiving type distribution form.
    ネーム印をユーザー自身で間違いなく簡単に組み付けられるようにして、印面受注方式の流通形態に好適なインク浸透式のネーム印を提供する。 - 特許庁
  • The photoelectric conversion function element is composed by laminating a p-type GaN clad layer, an InN active layer, and a clad layer including the mixed crystal whose main component is n-type InN in the order.
    ｐ型のＧａＮクラッド層、ＩｎＮ活性層、ｎ型のＩｎＮを主成分とする混晶を含むクラッド層の順に積層されてなる光電変換機能素子とする。 - 特許庁
  • An n type cladding layer 21, an active layer 22, a p type cladding layer 23, a p-side contact layer 24, and a p-side electrode 30 are laminated on a first surface 11 of a substrate 10 in this order.
    基板１０の第１面１１に、ｎ型クラッド層２１，活性層２２，ｐ型クラッド層２３，ｐ側コンタクト層２４およびｐ側電極３０をこの順に積層する。 - 特許庁
  • An inorganic filler and an organic lubricant are added in the lactic acid type polymer in order to reduce the friction between the packing band made of the lactic acid type polymer composition and the automatic packing machine.
    乳酸系ポリマー組成物からなる梱包用バンドと自動梱包機の摩擦を低減する為に、乳酸系ポリマーに無機充填剤及び有機滑剤を添加する。 - 特許庁
  • To provide a water power-driven siphon type water turbine power generation equipment which maintains siphoning operation only by pouring water into a water tank, in order to solve the problem of a conventional large siphon type equipment that requires a pump to start the siphon for vertically raising the water level.
    従来の大型のサイホン方式では、垂直に水を高く上げようとする時にサイホンを始動させるために何らかのポンプが必要となる。 - 特許庁
  • Thereafter, the n^- type drift region 1 and the p type base region 2 are formed on the inner wall of the trench 21 in this order in a shape in which the recess of the trench 21 is left behind.
    その後、トレンチ２１の内壁上にｎ^−型ドリフト領域１及びｐ型ベース領域２を、トレンチ２１の凹みを残した形状にて、順に形成する。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method for a metallocene-type polyethylene into which a sufficiently large number of long-chain branches having sufficiently long chains are introduced in order to improve molding processability of metallocene-type polyethylene.
    メタロセン系ポリエチレンの成型加工性を改善するため、十分な数と長さの長鎖分岐を導入したメタロセン系ポリエチレンの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • A semiconductor laser layer 12, an (n) type magnetic semiconductor layer 13, a non-magnetic layer 14, and a (p) type magnetic semiconductor layer 15 are laminated on a substrate 11 in this order.
    基板１１上に半導体レーザ層１２、ｎ型磁性半導体層１３、非磁性層１４、ｐ型磁性半導体層１５が、これらの順に積層されている。 - 特許庁
  • In order to cool lubricating oil (a medium for cooling) of the reduction gear 19, a pipe cooler (a water-cooling type cooler) 30 and a radiator (the air-cooling type cooler) 40 are installed.
    減速機１９の潤滑油（冷却用媒体）を冷却するために、管内クーラ（水冷式冷却器）３０とラジエータ（空冷式冷却器）４０とを具備する。 - 特許庁
  • The P-type impurities which are directly adjacent to an active layer are doped on a layer in order to manufacture an embedding ribbon laser, and a layer obtained by doping thin N-type impurities is formed on the above layer.
    埋め込みリボンレーザを製造するために、活性層に直接隣接するｐ型不純物がドープされた層に、薄いｎ型不純物がドープされた層が形成される。 - 特許庁
  • To provide a floor installation type flat panel display device in order to accurately display necessary information to people passing on the floor installation type flat panel display device.
    床設置型フラットパネルディスプレイ装置の周辺を往来する人間に対して必要な情報を的確に表示するための床設置型フラットパネルディスプレイ装置を提供すること。 - 特許庁
  • The GaN-based semiconductor layer L has a multilayer structure including an n-type layer 12, a light emitting layer 13, and a p-type layer 14 in this order from the translucent substrate 11 side.
    ＧａＮ系半導体層Ｌは、透光性基板１１側から、ｎ型層１２と、発光層１３と、ｐ型層１４とをこの順に含む積層構造を有している。 - 特許庁
  • (2) The Minister of Land, Infrastructure, Transport and Tourism may, when a person who is granted type certificate etc. violates the order specified in the previous paragraph, revoke the type certification etc. granted to the holder.
    ２　国土交通大臣は、型式証明等を受けた者が前項の規定による命令に違反したときは、当該型式証明等を取り消すことができる。 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • In the center of the upper surface of a substrate 1, an N-type semiconductor layer 2, an active layer 3, and a P-type semiconductor layer 4 are laminated in this order to constitute a light emitting portion 60.
    基板１の上面中央部には、Ｎ型半導体層２、活性層３、Ｐ型半導体層４がこの順に積層され、発光部６０を構成してある。 - 特許庁
  • The sensing amplifier block also includes the alternately aligned zigzag layout order of a first and 2N-th type (P-type) sense amplifier blocks extended back-and-forth between the first line and the second line.
    感知増幅器ブロックはまた第１、第２行の間に前後に延びる第１、第２Ｎタイプ（Ｐタイプ）感知増幅器ブロックの交互に並ぶジグザグレイアウト順序を含む。 - 特許庁
  • In order to reduce the on-resistance of the MOSFET, and at the same time, to increase the breakdown voltage of the MOSFET, a p+-type diffusion layer 13 having a cavity 14 inside is formed in an n- type epitaxial Si layer 12.
    低オン抵抗かつ高耐圧を実現するために、内部に空洞１４を有するｐ^+ 型拡散層１３をｎ^- 型エピタキシャルＳｉ層１２内に形成する。 - 特許庁
  • A p-type AlGaAs layer 36, a p+-type GaAs layer 38, and an ohmic electrode 40 are laminated in this order on a part of the upper surface of the window layer 34.
    窓層３４の上面の一部に、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層３６と、ｐ^+ 型ＧａＡｓ層３８と、オーミック電極４０とが、この順序で積層されている。 - 特許庁
  • In order to make up for a shortage of passenger cars, JNR also operated trains made up of only disabled cars of type 42 pulled by JNR C51 Type Steam Locomotive on the Osaka-Himeji section.
    さらに、客車列車の不足を補うため、大阪～姫路間で、国鉄C51形蒸気機関車牽引の42系の故障車ばかり集めた列車を運転した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • Treatment is then executed in order of the developing of the second positive type photoresist layer, the etching of the oxide film 13, the developing of the first positive type photoresist layer and the etching of the oxide film 13.
    ついで、第２ポジ型フォトレジスト層の現像、酸化膜１３のエッチング、第１ポジ型フォトレジスト層の現象、酸化膜１３のエッチング順に処理を行う。 - 特許庁
  • A nitride semiconductor light emitting element has a nitride semiconductor layer, a p-type nitride semiconductor layer, and an active layer laminated in order on an n-type nitride semiconductor layer.
    ｎ型窒化物半導体層上に、窒化物半導体層、ｐ型窒化物半導体層および活性層が順に積層されている窒化物半導体発光素子である。 - 特許庁
  • The positive electrode 100 includes a p-type amorphous silicon film 5, a reverse-surface electrode 7, and a current collection electrode 9 formed in order on the i-type amorphous silicon film 3.
    正極１００は、ｉ型非晶質シリコン膜３上に順に形成されたｐ型非晶質シリコン膜５、裏面電極７および集電極９を含む。 - 特許庁
  • P-type wells W1P, W2P and W3P and N-type wells W4N and W5N are formed in the major surface 5S of a semiconductor substrate 5 and are arranged in the order W2P, W4N, W1P, W5N and W3P.
    半導体基板５の主面５Ｓ内にはＰ型のウェルＷ１Ｐ，Ｗ２Ｐ，Ｗ３Ｐ及びＮ型のウェルＷ４Ｎ，Ｗ５Ｎが形成されており、ウェルＷ２Ｐ，Ｗ４Ｎ，Ｗ１Ｐ，Ｗ５Ｎ，Ｗ３Ｐがこの順序で並んでいる。 - 特許庁
  • In addition to what is provided for in this Act, any necessary matters concerning a Merger, Incorporation-Type Merger, Absorption-Type Merger and Business Transfer of a Futures Commission Merchant shall be specified by a Cabinet Order.
    この法律に定めるもののほか、商品取引員の合併、新設分割、吸収分割及び事業譲渡に関し必要な事項は、政令で定める。 - 経済産業省
  • This vehicle is provided with the V belt type continuously variable transmission 15 and the gear type transmission 13 in this order from the power upstream side in a power transmission path from an engine to wheels.
    エンジンから車輪に至る動力伝達経路に、動力上流側から順にＶベルト式無段変速機１５とギヤ式変速機１３を備えている。 - 特許庁
  • A semiconductor light emitting element has a plurality of nonocolumns 13 each formed by stacking an n-type layer 14, a light emission layer 15, and a p-type layer 16 in order on a substrate 11.
    基板１１上にｎ型層１４、発光層１５、ｐ型層１６の順番で積層された複数のナノコラム１３を有する半導体発光素子である。 - 特許庁
  • The print order receiving device 10 is a self type print order receiving device which receives a print order according to an instruction by the customer and allows a print device to form the print of an image based on print image data acquired from a medium.
    プリント注文受付装置１０は、プリント注文を顧客の指示に従って受け付け、メディアから取得したプリント画像データに基づく画像のプリントをプリント装置に作製させるためのセルフ型のプリント注文受付装置である。 - 特許庁
  • Article 9 The type and contents of the Electromagnetic Means to be specified pursuant to the provisions of Article 4, paragraph (1) of the Order for Enforcement of the Commodity Exchange Act (Cabinet Order No. 280 of 1950; hereinafter referred to as the "Order") shall be the following matters:
    第九条　商品取引所法施行令（昭和二十五年政令第二百八十号。以下「令」という。）第四条第一項の規定により示すべき電磁的方法の種類及び内容は、次に掲げる事項とする。 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • The order setting acquiring section 61 for MRI acquires order setting information in which the examination kind is related to the observation order of each image type corresponding to respective two or more imaging kinds executed in the examination of the examination kind.
    ＭＲＩ用順序設定取得部６１は、検査種と、検査種の検査で実行される複数の撮像種のそれぞれに対応する画像種ごとの観察順序と、を関連付けた順序設定情報を取得する。 - 特許庁
  • For each type of the submenu, on condition that the information about the submenu items matching the counted number is stored in the submenu order storage part, information about the submenu items and the order menu information is outputted as order data.
    サブメニューの種類毎に、計数された数量分のサブメニュー品目に関する情報がサブメニューオーダ記憶部に記憶されたことを条件に、サブメニュー品目に関する情報と注文メニュー情報とを注文データとして出力する。 - 特許庁
  • To provide a coating fluid composition in order to form a light diffusion film suitable for coating a glass surface of a pipe type light bulb therewith.
    管球などのガラス表面への塗布に適した光拡散膜を形成するための塗布液組成物を提供する。 - 特許庁
  • A display part 14 displays either of each type of sentence shown above or its related information selected based on the order of priority.
    表示部１４は、上記各文種及びその関連情報のいずれかが優先順位で選ばれたものを表示する。 - 特許庁
  • Specifically, the same type of past content and the content summary reproduction history are referenced to determine a summary generation order.
    具体的には、同種の過去のコンテンツ及びコンテンツ要約の再生履歴を参照し、要約の生成順位を決定する。 - 特許庁
  • To provide a waist belt type facilitating attaching and detaching and reducing unnatural feeling in order to protect a hip joint part from a shock caused by falling down.
    股関節部を転倒衝撃から保護するために、着脱容易で違和感の少ない腰ベルトタイプを提供する。 - 特許庁
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