「P row」を含む例文一覧(112)
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五十音図のパ行 - EDR日英対訳辞書 - (B) represents a transposition of a Bloom filter row BF(p).
（Ｂ）は、ブルームフィルタ列ＢＦ（ｐ）の転置を示している。 - 特許庁 - Each of N pieces of the pixel parts P_m,1 to P_m,N in the m-th row is connected to the row selecting part 30 and the overflow prevention part 50 by the wire L_V,m for selection of the m-th row.
第ｍ行のＮ個の画素部Ｐ_ｍ,１〜Ｐ_ｍ,Ｎそれぞれは、第ｍ行選択用配線Ｌ_Ｖ,ｍにより行選択部３０および溢れ出し防止部５０と接続されている。 - 特許庁 - By applying +VP to a word line WL1 in the first row, while applying -VP to a work line WL2 in a second row, selective transistors P11, P12 are turned on, to select an address in the first row.
１行目のワード線ＷＬ_1 に＋Ｖ_p を印加する一方、２行目のワード線ＷＬ_2 に−Ｖ_p を印加して、１行目の選択トランジスタＰ_11、Ｐ_12をオンにすることにより１行目のアドレスを選択する。 - 特許庁 - Each of N pieces of the pixel parts P_m, 1 to P_m, N in the m-th row is connected to the row selection part 30 and the overflow prevention part 50 by the wire L_V, m for selection the m-th row.
第ｍ行のＮ個の画素部Ｐ_ｍ,１〜Ｐ_ｍ,Ｎそれぞれは、第ｍ行選択用配線Ｌ_Ｖ,ｍにより行選択部３０および溢れ出し防止部５０と接続されている。 - 特許庁 - The even pixel row GE_E is disposed to the odd pixel row GE_O in a vertically downward while shifted by O=(1/8)*P=(1/6)*W.
偶数列の画素ＧＥ＿Ｅは、奇数列の画素ＧＥ＿Ｏに対して、垂直方向下向きにＯ＝（１／８）・Ｐ＝（１／６）・Ｗずらして配置されている。 - 特許庁 - First row pixels are arranged in a lateral direction at a predetermined pitch p, second row pixels are arranged in a lateral direction at a predetermined pitch p, and the center of the first row pixels shifts by a predetermined distance d to the center of the second row pixels.
第１の行において画素が所定のピッチｐで横方向に配列しており、第２の行において画素が所定のピッチｐで横方向に配列しており、第１の行の画素の中心と第２の行の画素の中心が所定の距離ｄだけずれている。 - 特許庁 - The pallet P drawn onto the carrying truck is lifted and the first and second engaging tools 22, 23 of the pallet P are disengaged from the first and second engaging tools 22, 23 of the pallet P in the front-row housing space and the pallet P on the carrying truck is detached from the pallet P in the front-row housing space in the case of leaving.
出庫時、搬送台車上に引き込んだパレットＰを上昇させてその第１及び第２係合具２２，２３を前列格納スペースのパレットＰの第１及び第２係合具２２，２３から離脱させて搬送台車上のパレットＰを前列格納スペースのパレットＰから切り離す。 - 特許庁 - The row selection unit and the logic circuit are electrically connected to the P pieces of multiplexers.
行選択ユニット及び論理回路はＰ個のマルチプレクサに電気的に接続されている。 - 特許庁 - A noise reduction means 24 subtracts the high frequency noise component N'(p) from a signal D(p, i) of each row of a read image signal of a concerned column.
ノイズ低減手段２４が、高周波ノイズ成分Ｎ’（ｐ）を当該列の読取画像信号の各行の信号Ｄ（ｐ，ｉ）から差し引く。 - 特許庁 - M×N sets of the pixel sections P_m, n are two-dimensionally laid out in M-rows and N-columns and each pixel sections P_m, n is located on the m-th row and the n-th column.
Ｍ×Ｎ個の画素部Ｐ_ｍ，ｎはＭ行Ｎ列に２次元配列されており、各画素部Ｐ_ｍ，ｎは第ｍ行第ｎ列に位置する。 - 特許庁 - Further, 'Y', 'U', 'I', 'O' and 'P' are arrayed on the 5 keys in the top row, 'H', 'J', 'K', and 'L' are arrayed on the 4 keys in the intermediate row, and 'N' and 'M' are arrayed on the 2 keys in the bottom row.
また、上段１列の５個のキーに「Ｙ」、「Ｕ」、「Ｉ」、「Ｏ」、「Ｐ」も配列し、中段１列の４個のキーに「Ｈ」、「Ｊ」、「Ｋ」、「Ｌ」も配列し、下段１列の２個のキーに「Ｎ」、「Ｍ」も配列する。 - 特許庁 - A row selection signal S_A,m outputted form the row selection section 30 is inputted to each of N pixels P_m,1-P_m,N, of the m-th row of the photodetection section 11, after its waveform has been shaped by the waveform-shaping circuit W_1,m.
行選択部３０から出力された行選択信号Ｓ_Ａ,ｍは、波形整形回路Ｗ_１,ｍにより波形整形された後に、光検出部１１の第ｍ行のＮ個の画素Ｐ_ｍ,１〜Ｐ_ｍ,Ｎそれぞれに入力する。 - 特許庁 - The memory device 100 also includes a plurality of array lines having a plurality of row lines BL each one for selecting the memory cell P of a corresponding row and a plurality of column lines WL each one for selecting the memory cell P of a corresponding column.
メモリ装置１００は、対応する行のメモリセルＰをそれぞれ選択する複数の行ラインＢＬと、対応する列のメモリセルＰをそれぞれ選択する複数の列ラインＷＬとを有する複数のアレイラインを有する。 - 特許庁 - An operating voltage supply line GL1 in the first row is applied with either +VP or -VP response to binary data, while an operating voltage supply line GL2 in the second row is grounded, thereby specifying an address 11.
１列目の動作電圧供給線ＧＬ_1 に２値データに対応して＋Ｖ_p 又は−Ｖ_p を印加する一方、２列目の動作電圧供給線ＧＬ_2 は接地する。 - 特許庁 - Through an interconnection 17, the p-type clad layer 11a of the transistor 6 disposed on the other row and the p-type clad layer 11b of the transistor 6 adjacent to the above transistor 6 at one side in the row direction are connected to the high-temperature layer 8 of the transistor 6 disposed on one row.
また、配線１７により、他方の列に配置されるトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ａと、そのトランジスタ６に対して列方向の一方側に隣接するトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ｂと、一方の列に配置されるトランジスタ６の高温バッファ層８とが接続されている。 - 特許庁 - Through an interconnection 16, the p-type clad layer 11a of the transistor 6 disposed on one row and the p-type clad layer 11b of the transistor 6 adjacent to the above transistor 6 at one side in the row direction are connected to the high-temperature layer 8 of the transistor 6 disposed on the other row.
配線１６により、一方の列に配置されるトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ａと、そのトランジスタ６の列方向の一方側に隣接するトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ｂと、他方の列に配置されるトランジスタ６の高温バッファ層８とが接続されている。 - 特許庁 - A data pad row P is formed by arranging a train of data pads 1, 2,..., n in a straight line and a plurality of data latch circuits 21 which latch signals from the data pads is arranged in an area 20 between two straight line 11 and 12 which are drawn through both ends of the pad row P perpendicularly to the row P.
複数のデータパッド１、２、……、ｎを一直線上に並べてデータパッド列Ｐを形成し、前記データパッド列Ｐの両端上を通り列Ｐに直角な２本の直線１１と１２に挟まれる領域２０内に前記データパッドからの各信号をラッチする複数のデータラッチ回路２１を配置する。 - 特許庁 - The moving body 38 interlocked with the retraction operation of the pallet P is moved toward the front row storing space side, the connecting tool 48 is detached from the contact member p5 by a connection releasing device 62 to release the connection state, the pallet P of the front row storing space is brought into the carrying carriage, and the pallet P of the rear storing space is taken out to the front row storing space.
パレットＰの引込み動作に連動して移動体３８を前列格納スペース側に向かって移動させ、連結具４８を連結解除装置６２により当接部材ｐ５から離脱させてその連結状態を解除し、前列格納スペースのパレットＰを搬送台車上に引き込むとともに、後列格納スペースのパレットＰを前列格納スペースに引き出す。 - 特許庁 - When electrons are extracted from the floating gate, row lines WLl-WLn are made 0 V, high voltage is given to the VE, and the P well is made high voltage.
浮遊ゲートから電子を抜くときは、行線ＷＬ１〜ＷＬｎを０Ｖにし、ＶＥに高電圧をを与え、Ｐウエルを高電圧にする。 - 特許庁 - When the writing is performed, the P/S converting part 201 further converts the row data from the host 210 into the serial data.
書き込みを行う場合には、Ｐ／Ｓ変換部２０１は更に、ホスト２１０からの列データを直列データへ変換する。 - 特許庁 - The pitch (P) of reservoir 5 that is disposed in a row to the latitudinal direction of substrate 1a is 1/n the pitch of MTP format (n=1-10).
基板１ａの幅方向に一列に並ぶリザーバ５，５の間隔Ｐは、ＭＴＰフォーマットのピッチの１／ｎ（ｎ＝１〜１０）に形成されている。 - 特許庁 - A lower side lateral transfer path 29 for laterally transferring the pallet P is composed of the lower side housing space row S2 of the lateral transfer path frame body 13.
パレットＰを横移送する下側横移送路２９を横移送路枠組体１３の下側格納スペース列Ｓ２で構成する。 - 特許庁 - The formed filaments are formed by putting plural kinds of wave parts different in pitch P or height H in the longitudinal direction of forming in a row.
型付けフィラメントは、型付けの長手方向のピッチＰ又は高さＨが異なる複数種類の波部を連ねて形成される。 - 特許庁 - A needle 14 for inserting a slip-off stopping yarn inserts a slip-off stopping yarn P into a loop row of thickness direction yarns z in a returned state.
抜け止め糸挿通用針１４は、厚さ方向糸ｚのループ列に抜け止め糸Ｐを折り返し状に挿通する。 - 特許庁 - Each transistor 6 has an n-type high-temperature buffer layer 8, and p-type clad layers 11a and 11b on both sides of the high-temperature buffer layer 8 in the direction of row.
各トランジスタ６は、ｎ型の高温バッファ層８およびその列方向の両側にｐ型クラッド層１１ａ，１１ｂを有している。 - 特許庁 - The end sections 3a of the plurality of optical fibers belonging to the identical row L1 are arranged at a pitch P.
同一の列Ｌ１に属する複数の光ファイバ３の終端部３ａはピッチＰで配列されている。 - 特許庁 - The battery pack is provided with a plurality of unit cells 1 arranged in parallel in a row and a PTC element P protecting unit cells from over-current.
パック電池は、横に並べて平行に配設されている複数本の素電池１と、素電池１を過大な電流から保護するＰＴＣ素子Ｐを備える。 - 特許庁 - A row signal readout means 110 reads an image signal out of J pixels, belonging to a selected row of a solid-state imaging element 100 having pixels P arrayed in I rows and J columns, onto J column-directional signal lines L.
画素ＰをＩ行Ｊ列に配列してなる固体撮像素子１００について、行信号読出手段１１０により、選択された行に所属するＪ個の画素からの画像信号をＪ本の列方向信号線Ｌ上に読み出す。 - 特許庁 - An input data signal of (4p+3) row is converted to four signals of (p+1) row which have a prescribed relation, and the respective signals are assigned to four phase planes.
４ｐ＋３列の入力データ信号を所定の関係を持つ４つのｐ＋１列の信号に変換し、それぞれを４つの位相平面に割り当てる。 - 特許庁 - The spider 2 and the blade 3 adopt a row rivet superposing joint structure wherein central positions of superposing parts of the spider 2 and the blade 3 are connected to each other in a row at a pitch p with a rivet 4.
スパイダー２とブレード３とは、両者の重ね合わせ部の中心位置をピッチｐで１列にリベット４により接合された１列リベット重ね継手構造を採っている。 - 特許庁 - In the row reducing processing mode, a printing medium P of one row is conveyed to an image forming part 12, and based on the printing image data generated from the printing image data of one frame, performing printing of the image.
減列処理モードでは、１列のプリント媒体Ｐを画像形成部１２に搬送して１コマのプリント画像データから生成したプリントイメージデータに基づいて画像のプリントが行われる。 - 特許庁 - A row decoder 9 that is provided at an SRAM is composed of sub row decoders 9-1-9-8 corresponding to word lines WL1-WL8, inverter gates 51 and 52, and a P-channel-type transistor 53.
ＳＲＡＭに備えられたロウ・デコーダ９は，ワード線ＷＬ１〜ＷＬ８に対応するサブ・ロウ・デコーダ９−１〜９−８，およびインバータゲート５１，５２，Ｐチャネル型トランジスタ５３から構成されている。 - 特許庁 - A cell large in current consumption among cells constructing the internal circuit is arranged in the region P as a row, and a cell small in current consumption is arranged in the region L as a row.
そして、内部回路をなすセルのうち消費電流の大きいセルを領域Ｐに行として配置し、消費電流の大きくないセルを領域Ｌに行として配置する。 - 特許庁 - The liquid crystal display includes: a plurality of gate lines G spatially arranged along a row direction; a plurality of data lines D spatially arranged along a column direction perpendicular to the row direction; and a plurality of pixels P spatially arranged in the form of a matrix.
液晶ディスプレイは、行方向に沿って空間的に配列される複数のゲートラインGと、行に垂直な列方向に沿って空間的に配列される複数のデータ線D、およびマトリクス状で空間的に配列される複数の画素Pとを含む。 - 特許庁 - The pitches P set laterally between the discharge nozzle 43g on the outer end of one of the adjacent nozzle row 46-2 and the discharge nozzle 43g on the outer end of the other of the nozzle row 46-1 is the same as the set pitch P of the nozzles 43, 43n and 43g arranged laterally in one head chip.
隣接する一方のノズル列４６−２の外端部の吐出ノズル４３ｇと、他方のノズル列４６−１の外端部の吐出ノズル４３ｇとの横方向の配設ピッチＰは、１ヘッドチップ内の横方向の吐出ノズル４３、４３ｎ及び４３ｇの配設ピッチと同一ピッチである。 - 特許庁 - This automated warehouse 10 is provided with: two-row rack shelves 2 and 3 capable of storing the loads L mounted on a pallet P in storage positions 1 with a plurality of depth numbers set therefor; and a stacker crane 5 capable of supporting the pallet P to be stored in each storage position 1 of the two-row rack shelves 2 and 3 with a fork 4.
自動倉庫１０は、パレットＰに載せられた荷Ｌを複数の奥行き数が設定された格納位置１に格納できる２列のラック棚２，３と、２列のラック棚２，３のそれぞれの格納位置１に格納されるパレットＰをフォーク４で支持できるスタッカクレーン５とを備える。 - 特許庁 - The recognizing server 9 calculates the row order by comparing the position information, and sends out an image of the pallet number set as the row order to a portable terminal unit 7 possessed by the person in charge P, and the person in charge P makes a driver of the tractor 4 tow the cargo 1 up to a predetermined place by the row order displayed on a display part 7a.
認識サーバ９は位置情報を比較して並び順を算出し、並び順としたパレット番号の画像を担当者Ｐが所持する携帯端末装置７に送出し、担当者Ｐは表示部7aに表示された並び順により牽引車４の運転手に貨物１を所定の場所まで牽引させる。 - 特許庁 - Since the contact electrodes are connected to the p^+-type diffusion layer in the form of a row, a damage to a part of the photodiode around the p^+-type diffusion layer and having an electric charge stored therein is prevented during manufacture.
コンタクト電極がＰ＋型拡散層に列状に接続されていることにより、Ｐ＋拡散層の周囲にあるフォトダイオードの電荷が蓄積される部分に対する製造過程のダメージが防止される。 - 特許庁 - Thus, by continuously conveying and dropping seed yams P through the first and second conveyors 12 and 13, the seed yams P can be planted simultaneously in the two-row planting spots 31.
以上のようにして、２体の第１及び第２搬送コンベヤ１２，１３で種芋Ｐを連続的に搬送・落下させることで、２条の植付け箇所３１へ同時に植え付けできる。 - 特許庁 - The distance between the reserve nozzle and the end part related with the row is 1*ds, wherein 1 is an integer, which is not equal to (p/k)*n, (p) is an integer, and (k) is an integer of (n) or less.
リザーブノズルと上記列の関連する端部との間の距離は、ｌ＊ｄｓであり、ここでｌは整数で、（ｐ/ｋ）＊ｎに等しくなく、ｐは整数であり、ｋはｎ以下の整数。 - 特許庁 - The above seven transistors are arranged in two N-wells and two P-wells, wherein the N-wells and P-wells are alternately arranged in a row, and as a result, the length of the memory cell in a minor axis direction is relatively short.
そして、この７つのトランジスタはそれぞれ２つのＮウェル及び２つのＰウェルに配列されるが、ＮウェルとＰウェルとは交互に１列に配列され、その結果メモリセルの短軸方向の長さが相対的に短い。 - 特許庁 - This seedling conveyor unit 4 of the transplanting machine conveys potted vegetable/flower seedlings P one by one, after the seedlings P transversely arranged in a row are taken out from a potted seedling case and mounted thereon.
本発明の移植機の苗搬送装置４は、ポット苗箱から野菜・花苗Ｐを横一列ずつ取り出された野菜・花苗Ｐを一本ずつ搬送する苗搬送装置４をそなえている。 - 特許庁 - Cell sizes of cell rows N, O, P through X are allocated in sequence so that the rules 302a through 312a detected in sequence from the left of the image screen are made the corresponding rules 301b, 303b through 312b on the EXCEL slip format screen in the row direction.
以下列方向には、イメージ画面の左から順に検出される罫線302a、…312aが、エクセルでの伝票形式画面上の対応する罫線302b、303b、…312bとなるようにセルの列N、O、P…Xのセル寸法が順次割り当てられる。 - 特許庁 - A signal-amplifying thin-film semiconductor device that forms a signal amplifying element T2, a row-selecting thin-film semiconductor device that forms a row selection element T4, and a line-selecting thin-film semiconductor device that forms a line selection element T3 are connected in series between an output line O and a power line P.
信号増幅素子Ｔ２を構成する信号増幅用薄膜半導体装置と行選択素子Ｔ４を構成する行選択用薄膜半導体装置と列選択素子Ｔ３を構成する列選択用薄膜半導体装置とを出力線Ｏと電源線Ｐの間に直列に接続する。 - 特許庁 - The correction position read part 108 reads a first position to be corrected Po1 (row information) and a second position to be corrected Po2 (row information) registered in an information table 102 stored in a data memory 100 after finishing reading of an image from the storage type phosphor panel P.
補正位置読取部１０８は、蓄積性蛍光体パネルＰへの画像読み取りが終了した後に、データメモリ１００に記憶されている情報テーブル１０２に登録された第１補正対象位置Ｐｏ１（行情報）及び第２補正対象位置Ｐｏ２（行情報）を読み取る。 - 特許庁 - A lot of terraces 5 and steps 6 exist on an offcut substrate surface of the Si because different surface reactivities are shown in a P direction 8 of a long stretch of atomic row parallel to a step edge 10 and in an N direction 7 of a short atomic row on the terrace which is perpendicular to the step edge 10 and segmentalized by the step edge 10.
これは、ステップエッジ１０に平行な長く連なる原子列のＰ方向８と、ステップエッジ１０に垂直でステップエッジ１０により分断された短いテラス上の原子列のＮ方向７について異なった表面反応性を示すためである。 - 特許庁 - An SRAM (Static Random Access Memory) includes a P-channel MOS transistor 1 having a comparatively high conduction resistance value which is connected between a one end of a memory cell power source wiring MVL and a line of power source potential VDD', the power source wiring MVL being provided for each row and connected to a power source node of corresponding row.
このＳＲＡＭは、各行に対応して設けられて対応の行のメモリセル電源配線ＭＶＬの一方端と電源電位ＶＤＤ′のラインとの間に接続され、比較的高い導通抵抗値を有するＰチャネルＭＯＳトランジスタ１を備える。 - 特許庁 - The discharge switch SW_2 of each integration circuit S_n is closed temporarily by a discharge control signal Reset and then opened, thereafter the read-out switch SW_1 of each pixel portion P_m, n of m-th row is closed over the first period by a m-th row selection control signal Vsel(m).
放電制御信号Resetにより、各積分回路Ｓ_ｎの放電用スイッチＳＷ_２を一旦閉じた後に開き、その後に、第ｍ行選択制御信号Vsel(m)により、第ｍ行の各画素部Ｐ_ｍ,ｎの読出用スイッチＳＷ_１を第１期間に亘り閉じる。 - 特許庁 - A silent chain is constituted by connecting a guide link row GL having two guide plates GP and three first link plates LPo1, LPi1 and a joint link row JL having four second link plates LP2 mutually by a pin P in an endless manner.
サイレントチェーンＣは、２枚のガイドプレートＧＰおよび３枚の第１リンクプレートＬＰｏ_1 ，ＬＰｉ_1 を有するガイドリンク列ＧＬと、４枚の第２リンクプレートＬＰ_2 を有する関節リンク列ＪＬとをピンＰで無端状に連結してなる。 - 特許庁
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