「P4」を含む例文一覧(872)

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  • In this case, v1 < v2 < v3 < v4, and p1 > p2 > p3 > p4 are satisfied.
    ここで、ｖ１＜ｖ２＜ｖ３＜ｖ４、ｐ１＞ｐ２＞ｐ３＞ｐ４である。 - 特許庁
  • In addition to renew the reject level by the level of the peak P4, the value of the counter of the timer is set as the value regarded to be started at the timing 14 of the peak P4.
    ピークP4のレベルでリジェクトレベルを更新するとともにタイマのカウンタの値をピークP4のタイミングt4で起動されたとみなした値にセットする。 - 特許庁
  • The envelope level is followed to peaks P4, P5 of signal waveform attenuating the envelope level.
    エンベロープレベルを減衰した信号波形のピークP4，P5に追従させる。 - 特許庁
  • Note 1) Present Situation of Petrochemical Industry 2007, p4, p13 (Japan Petrochemical Industry Association)
    注1）石油化学工業の現状2007 年　P4、P13（石油化学工業協会） - 経済産業省
  • For a 8.5MB DICOM file on a P4 it takes 28 seconds to dump it's image.Parameter string
    8.5MB の DICOM ファイルから画像を取得するには、P4 で 28 秒ほどかかります。 パラメータ string - PEAR
  • The P4 and the P5 are connected through a conductor.
    Ｐ４とＰ５は導体によって接続する。 - 特許庁
  • Then, the arithmetic part 4 decides the target in-line position P4 of the vehicle on the basis of the present adjustable quantity A3, and an actuator 5 controls steering on the basis of the target in-line position P4.
    そして、演算部4は、現在の調整量A3に基づき車両の目標車線内位置P4を決定し、アクチュエータ5は、目標車線内位置P4に基づいて操舵制御する。 - 特許庁
  • A clock DDCLK is applied to a terminal P4.
    端子Ｐ４にはクロックＤＤＣＬＫが印加される。 - 特許庁
  • The sliding surface comprises first to fourth portions P1 to P4.
    摺動面は、第１−４部位Ｐ１−Ｐ４を有する。 - 特許庁
  • BP1 is a parasitic bipolar transistor constituted of wells, sources and drains of the current feeding p-channel transistors P1-P4.
    BP1は寄生バイポーラトランジスタであり、電流供給用PチャネルトランジスタP1〜P4のウエル、ソースおよびドレインで構成されている。 - 特許庁
  • Thereafter, for a given period of time, the P4 pressure is maintained.
    そして、この後一定時間Ｐ４の圧力を維持する。 - 特許庁
  • ADENOSINE (CYTIDINE) 5'5"'-P1,P4-TETRA-PHOSPHATE
    アデノシン（シチジン）−５’，５’’’−Ｐ１，Ｐ４−テトラリン酸の製造方法 - 特許庁
  • ADENOSINE(URIDINE)-5'5'''-P1,P4-TETRA-PHOSPHATE
    アデノシン（ウリジン）−５’，５’’’−Ｐ１，Ｐ４−テトラリン酸の製造方法 - 特許庁
  • The patterns P1-P4 are away from each other with no overlapping.
    パターンＰ１〜Ｐ４は互いに重なることなく離れている。 - 特許庁
  • A temperature difference corresponding to the plot P4 is 55°C.
    また、プロットＰ４に対応する温度差は、摂氏５５度である。 - 特許庁
  • On this occasion, the iron tip 24 is moved without supply between Ps-P2, with supply between P2-P4, and without supply between P4-Pe.
    その際、Ｐｓ−Ｐ２間は空引きとし、Ｐ２−Ｐ４間は供給引きとし、Ｐ４−Ｐｅ間は空引きとする。 - 特許庁
  • The first to third heat exchange paths P1 to P3 are cooling medium condensation paths, and the fourth heat exchange path P4 is a cooling medium overcooling path.
    第１〜第３熱交換パスP1〜P3が冷媒凝縮パスであり、第４熱交換パスP4が冷媒過冷却パスである。 - 特許庁
  • A plurality of stages of paths P1-P4 are connected between a left header 11 and a right header 12 such that the paths P1-P4 are folded back right and left.
    左ヘッダ１１と右ヘッダ１２との間に複数段のパスＰ1〜Ｐ4を左右に折り返すように接続する。 - 特許庁
  • The reflection/transmission element 30 transmits the second mirror reflected light P4.
    反射／透過素子３０は、第２の反射光Ｐ４は透過する。 - 特許庁
  • PRODUCTION OF ADENOSINE (THYMIDINE)-5',5'''-P1,P4- TETRAPHOSPHORIC ACID
    アデノシン（チミジン）−５’，５’’’−Ｐ１，Ｐ４−テトラリン酸の製造方法 - 特許庁
  • The terminals P1-P5 are arranged in the order of P1, P3, P2, P4, and P5.
    端子Ｐ１〜Ｐ５は端子Ｐ１，Ｐ３，Ｐ２，Ｐ４，Ｐ５の順番で配置される。 - 特許庁
  • PURIFICATION OF ADENOSINE(GUANOSINE)-5',5'''-P1,P4- TETRAPHOSPHATE
    アデノシン（グアノシン）−５’，５’’’−Ｐ１，Ｐ４−テトラホスフェートの精製方法 - 特許庁
  • PRODUCTION OF ADENOSINE(GUANOSINE)-5',5'''-P1,P4- TETRAPHOSPHATE
    アデノシン（グアノシン）−５’，５’’’−Ｐ１，Ｐ４−テトラホスフェートの製造方法 - 特許庁
  • The PHS terminals P1-P4 display the received message.
    ＰＨＳ端末Ｐ１〜Ｐ４はその着信メッセージを表示する。 - 特許庁
  • A feeding line is connected to each of feeding points P1-P4.
    給電点Ｐ１〜Ｐ４の各々には給電線が接続される。 - 特許庁
  • Bandpass filters are manufactured by grounding the input/output terminals P2 and P4.
    入出力端子Ｐ2,Ｐ4を接地することで帯域フィルタとなる。 - 特許庁
  • The land L1 between the pits P4 and P5 is irradiated with a laser beam.
    ピットＰ４、Ｐ５間のランドＬ１に対してレーザビームを照射する。 - 特許庁
  • METHOD OF PRODUCING P1,P4-DI(URIDINE 5'-) TETRAPHOSPHATE OR SALT THEREOF
    Ｐ１，Ｐ４−ジ（ウリジン５’−）テトラホスフェート又はその塩の製造法 - 特許庁
  • Current feeding p-channel transistors P1-P4 have sources connected to contacts PD5, PD6, PD7, PD8, respectively and gates and drains connected to contacts PD6, PD7, PD8.
    電流供給用PチャネルトランジスタP1〜P4は、それぞれソースが接点PD5、PD6、PD7、PD8に接続され、ゲートおよびドレインが接点PD6、PD7、PD8に接続されている。 - 特許庁
  • The conductive parts p3 and p4 are arranged to be separated from each other, and the conductive part p5 is formed between the conductive parts p3 and p4.
    導電部ｐ３，ｐ４は互いに離間した状態で配置され、導電部ｐ３，ｐ４の間に導電部ｐ５が形成される。 - 特許庁
  • A distortion correction part 33 corrects distortion in a partial area of a taken image P4 among the taken images P1 to P4 to generate a distortion corrected image RP having a narrower angle of view than that of the taken image P4.
    一方で、歪補正部３３が、複数の撮影画像Ｐ１〜Ｐ４のうちの一の撮影画像Ｐ４の一部の領域の歪みを補正して、一の撮影画像Ｐ４より画角が狭い歪補正画像ＲＰを生成する。 - 特許庁
  • The divided active matrix substrate is chamfered along its edges (step P4).
    分断したアクティブマトリクス基板のエッジの面取りを行う（工程Ｐ４）。 - 特許庁
  • The oil seal 6 has a protrusion P4, and is attached to an outer ring 2 of a deep groove ball bearing as the protrusion P4 is fitted into a recess 2b.
    オイルシール６は、凸部Ｐ４を有し、該凸部Ｐ４が凹部２ｂに嵌め込まれることにより深溝玉軸受の外輪２に取り付けられている。 - 特許庁
  • The decorative sheet 3 is bent by 45° at points P4 and P9.
    化粧シート３は点Ｐ４、点Ｐ９にてそれぞれ４５度折り曲げられる。 - 特許庁
  • The ratio of the width P3 of the thread to the width P4 of the screw groove is 1.25 : 0.75.
    このねじ山の幅Ｐ３：ねじ溝の幅Ｐ４は、１．２５：０．７５である。 - 特許庁
  • A first task is associated with a plurality of variable patterns P1-P4.
    第１タスクは、複数の変動パターンＰ１〜Ｐ４に対応付けられている。 - 特許庁
  • The back gate of the TR P4 is connected to a back gate voltage control circuit 31.
    Ｐ４のバックゲートはバックゲート電圧制御回路31に接続されている。 - 特許庁
  • Further, a distance between the position P3 and the middle point P4 is 0-50mm.
    更に当該位置Ｐ３と中点Ｐ４との距離が０〜５０ｍｍである。 - 特許庁
  • (a) Equipment for facilities with physical containment level of P3 or P4
    イ　物理的封じ込めのレベルがＰ三又はＰ四である施設用の装置 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • The center positions of focus control ranges by exposure heads 166 are denoted as P1 to P4, respectively, and an average focus position D0 of P1 to P4 is determined.
    各露光ヘッド１６６の焦点調節範囲の中心位置をそれぞれＰ1〜Ｐ4としたとき、Ｐ1〜Ｐ4の平均となる焦点位置をＤ0とする。 - 特許庁
  • Waste papers P2 are divided and each cut into roughly cut pieces P3 and finely cut pieces P4 and these finely cut pieces P4 are combined with a binder 4 and both materials are stirred to afford slurry.
    古紙Ｐ２を分けて荒切片Ｐ３と小間切片Ｐ４に切断し、小間切片Ｐ４を結合剤４を併せて撹拌し、泥状とする。 - 特許庁
  • Physical properties of the test object S are obtained from the frequency, the amplitude or the like of the leakage wave P4 by receiving the leakage wave P4 and the orthogonal reflected wave P2 independently.
    漏洩波Ｐ４を直交反射波と独立して受信することにより漏洩波の周波数や振幅等により試験体の物性を求める。 - 特許庁
  • To form a light distribution pattern P4 for visually recognizing a pedestrian on an opposite lane side while avoiding darkening of a diffusion light distribution pattern P2 and an increase in cost of a whole device.
    拡散配光パターンP2が暗くなること及び装置全体のコストアップを回避しつつ、対向車線側歩行者視認用配光パターンP4を形成する。 - 特許庁
  • A motion compensator 134 generates an image P4 in which motion compensation is applied to an output image before one frame on the basis of the detected motion vector.
    動き補償部１３４は、検出された動きベクトルに基づいて、１フレーム前の出力画像に動き補償を施した画像P4を生成する。 - 特許庁
  • A head 32 of the sticking device retains the short belt members and moves in the directions of arrows P4, P5, P6 at a position opposite to an outer peripheral surface of the molding drum 31.
    貼り付け装置のヘッド32は、短冊状ベルト部材を保持し、成型ドラム31の外周面に対向する位置において、矢印P4、P5、P6の方向へ移動する。 - 特許庁
  • The MOSFET (P4) is turned on when the potential of the output (Vout) is changed from high potential to low potential by a MOSFET (N1) arranged on the lower arm side of the circuit (10).
    ＭＯＳＦＥＴ（P4）は、下アーム側のＭＯＳＦＥＴ（N1）によって前記出力（Vout）の電位が高電位から低電位に変化する際にオンする。 - 特許庁
  • However, if the point of change P4 is assumed to exist on scanning lines L1, L3, the point of change P4 belongs to the light pattern on the scanning lines L1, L3.
    しかし、変化点Ｐ４が走査線Ｌ１，Ｌ３上に存在すると仮定した場合、変化点Ｐ４は走査線Ｌ１，Ｌ３上では明パターンに属する。 - 特許庁
  • A sum of products operating section 135 applies weighting summing to the pixel values of pixels at a corresponding position of the image P1 and the image P4 using the cyclic coefficient KA or KB.
    積和演算部１３５は、画像P1と画像P4との対応する位置にある画素の画素値を、巡回係数KAまたはKAを用いて重み付け加算する。 - 特許庁
  • Furthermore, the battery pack monitoring circuit 4 side of the wire P4 has a negative voltage, and a semiconductor switch 5d biased with a voltage of the wire P4 is also switched off.
    さらに、配線Ｐ４の組電池監視回路４側も負電圧となり、配線Ｐ４の電圧でバイアスされる半導体スイッチ５ｄもＯＦＦとなる。 - 特許庁
  • At point P4 (T1+T2), the deformation quantity (A+B) is kept nearly constant.
    Ｐ４点（Ｔ１＋Ｔ２）では、変形量（Ａ＋Ｂ）は略一定に保たれる。 - 特許庁
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