「PSG」を含む例文一覧(51)
1 2 次へ＞- The thermal diffusion of phosphor is applied on the surface of a silicon substrate 1 to form a PSG (phosphorous silicate glass) layer 3 and a phosphor diffusion layer 2, and thereafter, the PSG layer 3 is removed by acid treatment whereby metallic impurities contained in the PSG layer 3 are removed.
シリコン基板１表面にリンの熱拡散を実施してＰＳＧ（リンシリケイトガラス）層３およびリン拡散層２を形成した後、酸処理によりＰＳＧ層３を除去することによりＰＳＧ層３に含まれる金属不純物を除去する。 - 特許庁 - To provide a device and a method for forming an insulating layer such as PSG.
ＰＳＧのような絶縁層を形成するための装置および方法を提供する。 - 特許庁 - Then, a PSG film 112 is formed in the chip and scribe regions 121 and 124.
次いで、チップ領域１２１及びスクライブ領域１２４にＰＳＧ膜１１２を形成する。 - 特許庁 - Then, a PSG film 35 is stacked and formed on the surfaces of an oxide film 22 and the electrode 34 at a predetermined second temperature T2 for stacking, and annealing the PSG film 35.
次にＰＳＧ膜３５がアニーリングされかつ堆積される予め定める第２の温度Ｔ２において、酸化膜２２の表面と電極部３４の表面とにＰＳＧ膜３５を堆積して形成する。 - 特許庁 - An SiN film (a first material layer) 102 is formed on a surface of each of the element substrate 1 and PSG film 101.
そして、素子基板1およびＰＳＧ膜101の表面にＳｉＮ膜（第１の材料層）102を形成する。 - 特許庁 - Silicon nitride and PSG films 22a and 22b are successively laminated as the cover insulating film 22, and the TiNiAg film 23 is formed on the source electrode 20 via the opening of the silicon nitride and PSG films 22a and 22b.
カバー絶縁膜２２として、シリコン窒化膜２２ａとＰＳＧ膜２２ｂが順に積層され、シリコン窒化膜２２ａおよびＰＳＧ膜２２ｂの開口を介してソース電極２０上にＴｉＮｉＡｇ膜２３が形成されている。 - 特許庁 - A PSG film (a gap forming member) 101 is formed on an element substrate 1 at a portion corresponding to a bubble generating region 10.
素子基板１の気泡発生領域10に相当する位置にＰＳＧ膜（間隙形成部材）101を形成する。 - 特許庁 - To realize a selective etching of a heat oxide film/(PSG film, TEOS oxide film) which improves the etching shape.
エッチング形状の改善を図れる熱酸化膜／（ＰＳＧ膜、ＴＥＯＳ酸化膜）の選択エッチングを実現すること。 - 特許庁 - Since the PSG film and the BSG film are higher in etching rate than the surface and the rear insulating films of the front and the rear surfaces, the films of PSG and BSG can be removed by only wet etching without using a further photoetching process, and contact holes for electrodes can be formed.
ＰＳＧ，ＢＳＧ膜は，表面，裏面絶縁膜よりエッチング速度が速いので，更なる写真エッチング工程を用いずに，湿式エッチングのみで，ＰＳＧ，ＢＳＧ膜部を除去でき，電極用の接触孔を形成できる。 - 特許庁 - A more accurate apnea hypopnea index is obtained for a seriously ill patient and accuracy as the screening test of PSG is improved.
重症の患者に対して、より精度の高い無呼吸低呼吸指数を求め、ＰＳＧのスクリーニング検査としての精度を向上できる。 - 特許庁 - A magnetic body 13 is formed over the lower-layer conductive films 7 across the PSG film 9 and SiN film 11.
ＰＳＧ膜９及びＳｉＮ膜１１を介して、複数の下層導電性膜７上にわたって磁性体１３が形成されている。 - 特許庁 - The etching resistance protection film 103 on the SiN film 102 is removed and the PSG film 101 is removed, thereby completing a liquid jet head.
そして、ＳｉＮ膜102上の耐エッチング保護膜103を除去し、さらにＰＳＧ膜101を除去することにより液体吐出ヘッドが完成する。 - 特許庁 - The first and the second interlayer insulating films 13 and 14 for insulating the top and bottom layers of a semiconductor layer 1a constitute a multilayer structure comprising PSG films 13a and 14a, a semiconductor layer 1a, and NSG films 13b and 14b formed in between the PSG films 13a and 14a.
半導体層１ａの下層及び上層を絶縁する第１，第２層間絶縁膜１３，１４を、ＰＳＧ膜１３ａ，１４ａと、半導体層１ａとＰＳＧ膜１３ａ，１４ａとの間に形成されたＮＳＧ膜１３ｂ，１４ｂとを有する多層構造で構成する。 - 特許庁 - Crack resistance is improved in the first and the second interlayer insulating films 13 and 14 because of the adhesiveness of the PSG films 13a and 14a, and the thermal diffusion of phosphorus out of the PSG films 13a and 14a into the semiconductor layer 1a is prevented by the NSG films 13b and 14b.
これにより、ＰＳＧ膜１３ａ，１４ａの粘性によって第１，第２層間絶縁膜１３，１４のクラック耐性を向上させるとともに、ＮＳＧ膜１３ｂ，１４ｂによってＰＳＧ膜１３ａ，１４ａ中のリンが半導体層１ａに熱拡散されることを防止する。 - 特許庁 - With the phosphorus concentration of 2 mol wt% to 5 mol wt%, even when the step T1 of the underlayer is 450 nm or more and a thickness W1 of the PSG film of the single layer is 1.3 μm or more, cracks can be prevented from occurring when the PSG film contracts by heat treatment at a high temperature.
リン濃度を２ｍｏｌｗｔ％〜５ｍｏｌｗｔ％とすることで、下地の段差Ｔ１が４５０ｎｍ以上あり、単層のＰＳＧ膜の厚さＷ１が１．３μｍ以上あった場合でも、高温熱処理によるＰＳＧ膜の収縮時に亀裂が発生するのを防止できる。 - 特許庁 - A part of the PSG film 35 is etched to form a second via hole 37 so that the electrode 34 is partly exposed.
次にＰＳＧ膜３５の一部をエッチングすることによって、電極部３４の一部が露出するように第２貫通孔３７を形成する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device and its manufacturing method, wherein a thick PSG film with no cracks is formed as a single layer at a low cost and with a high reliability.
亀裂の無い厚いＰＳＧ膜を単層で形成し、低コストで高信頼性の半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To control segregation of B or P in an initial film deposition in forming processes of such as a BSG film, a PSG film or a BPSG film for semiconductor devices.
半導体デバイス用のＢＳＧ膜、ＰＳＧ膜あるいはＢＰＳＧ膜等の形成工程において、成膜初期部分でのＢあるいはＰの偏析を抑制する。 - 特許庁 - A sealing layer 29 consists of a PSG film 23, an SiN film 25 and a photosensitive polyimide layer 27, and has an opening 31 on the land area 21.
ＰＳＧ膜２３、ＳｉＮ膜２５及び感光性ポリイミド層２７からなり、ランド部２１上に開口部３１をもつ封止層２９を形成する。 - 特許庁 - When the pitch Psg of the optical grating of the scale is the first value (=4×Pig1), interference pattern is modulated to photosignal with the first index grating.
スケールの光学格子のピッチＰｓｇが第１の値（＝４×Ｐｉｇ１）の場合、第１のインデックス格子により干渉縞を光信号に変調する。 - 特許庁 - Then, a combining section 194 combines the simulated sound data PSG with the direction sound data DSG, to send it to a sound output unit 130 as an output sound data AOD.
そして、合成部１９４が、擬似音データＰＳＧと演出音声データＤＳＧとを合成し、出力音データＡＯＤとして音出力ユニット１３０へ送る。 - 特許庁 - Furthermore, the first and second CMP monitor patterns 127B and 127C are used for controlling thicknesses TH1 and TH2 of the PSG film 112, and at the same time, planarization polishing is conducted through CMP polishing.
さらに、第１，第２ＣＭＰモニタパターン１２７Ｂ，１２７Ｃを用いてＰＳＧ膜１１２の膜厚ＴＨ１，ＴＨ２を管理しつつＣＭＰ研磨により平坦化研磨する。 - 特許庁 - When the pitch Psg of the optical grating of the scale is the second value (=Pig2) smaller than the first value, the interference pattern is modulated to photosignal with the second index grating 31.
スケールの光学格子のピッチＰｓｇが第１の値より小さい第２の値（＝Ｐｉｇ２）の場合、第２のインデックス格子３１により干渉縞を光信号に変調する。 - 特許庁 - A second interlayer insulating layer 15 consists of a PSG film 9, an SiN film 11 and a photosensitive polyimide layer 13, and has a through hole 17 on the first metal wiring layer 7.
ＰＳＧ膜９、ＳｉＮ膜１１及び感光性ポリイミド層１３からなり、第１メタル配線層７上にスルーホール１７をもつ第２層間絶縁層１５を形成する。 - 特許庁 - Phosphorus glass (PSG film) 2 containing phosphorus (P) is formed on an Si semiconductor substrate 1, and the formation of an emitter by diffusion is finished for a transistor to be formed on a bipolar IC.
Ｓｉ半導体基板１の上に、リン（Ｐ）を含んでいるリンガラス（ＰＳＧ膜）２を形成し、バイポーラＩＣ上に形成すべきトランジスタのエミッタ拡散を終了する。 - 特許庁 - Based on running information of a vehicle acquired by an acquisition unit 110, a simulated environment content creation section 192 creates a simulated sound data PSG and a simulated image data PIG.
取得ユニット１１０により取得された車両の走行情報に基づいて、擬似環境コンテンツ生成部１９２が、擬似音データＰＳＧ及び擬似画像データＰＩＧを生成する。 - 特許庁 - The impurity in the PSG film 40, then, is diffused in an area 13 of a p-type base, thereby, the region 14 of n-type emitter is formed along the opening of the trench 10a.
そして、ＰＳＧ膜４０内の不純物をＰ型ベース領域１３内に拡散させることにより、トレンチ溝１０ａの開口に沿ってＮ型エミッタ領域１４を形成する。 - 特許庁 - A PSG oxide is deposited on the exposed surface of the substrate 42 to a thickness of about 10-40 nm by the CVD method and an FE gate stack having a width L2 (L2≥L1+2δ) is formed on the gate area.
露出基板上に厚さ約１０〜４０ｎｍのＰＳＧ酸化物をＣＶＤ法で堆積し、ゲート領域上に幅Ｌ２（Ｌ２＞Ｌ１＋２δ）のＦＥゲートスタックを形成する。 - 特許庁 - In an SBD element including an active region of an SBD formed on a principal surface of a semiconductor substrate and a PSG film coating region formed from an end thereof to an outer peripheral part thereof, a boundary part between an organic final passivation film complementarily formed on an aluminum-based metal film constituting an anode electrode and a UBM layer is formed in the PSG film coating region.
本願発明は、半導体基板の主面に設けられたＳＢＤの活性領域および、その端部から外側の周辺部に設けられたＰＳＧ膜被覆領域を有するＳＢＤ素子において、アノード電極を構成するアルミニウム系メタル膜上に相補的に設けられた有機系ファイナル・パッシベーション膜とＵＢＭ層の境界部分をＰＳＧ膜被覆領域に設けたものである。 - 特許庁 - On the side face of a gate electrode, a laminated film side wall including a first oxide film such as an NSG film, a TEOS film and an HTO film and a second oxide film such as a BPSG film and a PSG film is formed.
ゲート電極の側面上に、ＮＳＧ膜，ＴＥＯＳ膜，ＨＴＯ膜などの第１酸化膜と、ＢＰＳＧ膜，ＰＳＧ膜などの第２酸化膜とを含む積層膜サイドウォールを形成する。 - 特許庁 - To provide a phosphorus diffusion method for a poly Si film, capable of performing the phosphorus diffusion of a low temperature and easily controlling the phosphorus density, without generating at the same time an excess PSG(phosphorus silicate glass) film with the phosphorus diffusion.
リン拡散と同時に余計なＰＳＧ膜が生成されることがなく、低温のリン拡散ができ、リン濃度の制御が容易なｐｏｌｙＳｉ膜へのリン拡散方法を提供することにある。 - 特許庁 - An underlayer of an oxide film 5 having a step T1 of 450 nm or more is coated with a PSG film 7 of a single layer with a phosphorus concentration of 2 mol wt% to 5 mol wt% and a film thickness T1 of 1.3 μm or more.
４５０ｎｍ以上の段差Ｔ１のある酸化膜５の下地を、リン濃度が２ｍｏｌｗｔ％〜５ｍｏｌｗｔ％で膜厚Ｔ１が１．３μｍ以上の単層のＰＳＧ膜７で被覆する。 - 特許庁 - At the same time, the surface and rear insulating films react with the n-type and p-type impurities, and a PSG film and a BSG film which have almost the same width as those of the n++ and the p++ semiconductor layers are respectively formed.
同時に，表面及び裏面絶縁膜は，ｎ型及びｐ型の不純物と反応して，ｎ++半導体層及びｐ++半導体層とほぼ同幅で，ＰＳＧ膜及びＢＳＧ膜が各々形成される。 - 特許庁 - The method of manufacturing a semiconductor device is performed by making a stacked film sidewall comprises a first oxide film, such as an NSG film or a TEOS film, and a second oxide film, such as a BPSG film or a PSG film, is formed on the side surface of a gate electrode.
ゲート電極の側面上に、ＮＳＧ膜，ＴＥＯＳ膜などの第１酸化膜と、ＢＰＳＧ膜，ＰＳＧ膜などの第２酸化膜とを含む積層膜サイドウォールを形成する。 - 特許庁 - A PSG film 9, an SiN film 11, and a photosensitive polyimide layer 15 on the lower-layer conductive film 7 has through-holes 17 formed corresponding to one end side and the other end side of the lower-layer conductive films 7.
下層導電性膜７上のＰＳＧ膜９、ＳｉＮ膜１１及び感光性ポリイミド層１５に、下層導電性膜７の一端側及び他端側にそれぞれ対応してスルーホール１７が形成されている。 - 特許庁 - A gate electrode 30 embedded in the trench 10a so that the opening portion of the trench 10a remains, and a PSG (phosphosilicate glass) film 40 is formed on the remaining opening portion as a source of diffusion of an impurity.
そして、トレンチ溝１０ａの開口部分を残すようにゲート電極３０をトレンチ溝１０ａ内に埋め込み、残った開口部分に不純物の拡散源となるＰＳＧ（リンシリケートガラス）膜４０を形成する。 - 特許庁 - The thin-film resistor 21 having approximately the same shape as the resistor 20 is formed on a PSG film 10 as the insulating film, compared with the quality of the thermal oxide film 11 at the same time as the formation of the resistor 20.
また、これと同時に、熱酸化膜１１の膜質との比較対象とする絶縁膜であるＰＳＧ膜１０上に薄膜抵抗体２０と略同一形状の薄膜抵抗体２１を形成する。 - 特許庁 - By forming a PSG layer on a substrate, a protective film on a region in which a depletion layer is spread, a protective film for the protection from external contamination can be formed simply, and phosphorus treatment and formation of an emitter region can be practiced simultaneously.
本発明は、基板上にＰＳＧ層を設けることにより、空乏層の拡がる領域の保護膜と外部からの汚染を防止する保護膜の形成を簡略化し、リン処理およびエミッタ領域形成が同時に行える。 - 特許庁 - In the semiconductor device and its manufacturing method by executing thermal treatment with only a PSG film or a BSG film as the thermal diffusion source, a shallow low concentration source/drain diffusion region can be easily formed.
ＰＳＧ膜もしくはＢＳＧ膜のいずれかのみを熱拡散源として熱処理を行うことにより、容易に浅い低濃度ソース・ドレイン拡散領域を形成することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide the manufacturing method of a semiconductor device which can raise the embedding properties of recessed parts such as a high aspect ratio of holes or grooves, when a prescribed compound is specially grown by a deposition on a base body having the recessed parts in a PSG process, and to provide the semiconductor device.
アスペクト比の大きなホール、溝等の凹部を有する基体に、特にＰＳＧプロセスで所定の化合物を堆積成長させる際に、凹部の埋め込み性を向上させることが可能な半導体装置の製造方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - A semiconductor device 100 has a three-layer structure for an insulating layer 23 located below a gate electrode 22, the three-layer structure of a thermally-oxidized film 231 (a first layer), an NSG film 232 (a second layer), and a PSG film 233 (a third layer) in order from a wall surface side of a trench.
半導体装置１００は，ゲート電極２２の下に位置する絶縁層２３を，トレンチの壁面側から順に，熱酸化膜２３１（１層目），ＮＳＧ膜２３２（２層目），ＰＳＧ膜２３３（３層目）の３層構造をなしている。 - 特許庁 - Silicide films 8 are formed on the top face of the gate electrode 4 and the surfaces of the source electrode 6 and the drain electrode 7, and a high-concentration PSG film 9 containing phosphorus of 10 mol% or more is formed on the whole surface of the semiconductor device on the silicide films 8.
ゲート電極４の上面及びソース電極６とドレイン電極７の表面にシリサイド膜８が形成され、このシリサイド膜８上の半導体装置の全面に１０ｍｏｌ％以上の燐を含む高濃度ＰＳＧ膜９が形成されている。 - 特許庁 - The inter-layer insulating film 10 comprises a first silicon oxide film 10a provided by HDP(high density plasma)-CVD substantially comprising no impurities and a second silicon oxide film 10b whose main material is PSG (phospho silicate glass) deposited on the first silicon oxide film 10a.
層間絶縁膜１０は、実質的に不純物を含まないＨＤＰ−ＣＶＤによる第１のシリコン酸化物膜１０ａと、この第１のシリコン酸化物膜１０ａ上に堆積されたＰＳＧを主体とする第２のシリコン酸化物膜１０ｂとを有する。 - 特許庁 - Furthermore, an interlayer insulating film 8 composed of BPSG and an electrode pad 9 composed of aluminum are formed on the stress mitigating member 7 and the ground insulating film 3, while a PSG film 10 and a protective film 12 composed of a polyimide film 11 are laminated and formed thereon.
さらに、応力緩和部材７と下地絶縁膜３の上には、ＢＰＳＧからなる層間絶縁膜８とアルミニウムからなる電極パッド９が形成され、その上にはＰＳＧ膜１０及びポリイミド膜１１からなる保護膜１２が積層形成されている。 - 特許庁 - The ion isolation area 32 brings a PSG film 13 being an interlayer isolation film into contact with the silicon board 10 through a groove 33 formed on a silicon oxidation film 12, and traverse diffusion to the circuit element area 31 of the alkali ion intruded from a chip edge 21 to the oxidation films 11, 12 is suppressed.
イオン遮断領域３２は、層間絶縁膜であるＰＳＧ膜１３を、シリコン酸化膜１２に形成した溝３３を介してシリコン基板１０に接触せたもので、チップエッジ２１から酸化膜１１，１２に侵入するアルカリイオンの回路素子領域３１への横方向拡散を抑制する。 - 特許庁 - By depositing a side wall material containing phosphor such as PSG by approximately 20% on the side surface of an opening by several 10-100 nm, and performing etchback, side walls 15a and 15b containing phosphor are formed while they are adjacent to the side walls 10a and 10b containing boron, respectively.
開口部の側面に、ＰＳＧ等のリンを１〜２０％程度含むサイドウォール材料を数１０〜１００ｎｍの膜厚で堆積し、エッチバックを施すことにより、ボロン含有サイドウォール１０ａ，１０ｂそれぞれに隣接してリン含有サイドウォール１５ａ，１５ｂを形成する。 - 特許庁 - A trivalent P material, i.e., trimethyl phosphite is decomposed (TMP-decomposed) in a non-oxygen atmosphere and anhydrous phosphorous acid P2O3 is controlled to form trivalent P silicate glass not used because of its unstable property, i.e., phosphosilicate glass(PSG) or borophosphosilicate glass is formed, using only anhydrous phosphorous acid P2O3, thereby realizing a low temp. reflow.
３価のリン材料である亜リン酸トリメチルの無酸素雰囲気下での分解（ＴＭＰ分解）を実行して無水亜リン酸（Ｐ_2Ｏ_3）を制御することにより、その不安定性が原因で従来使用されていなかった３価のリンシリケートガラス、すなわち無水亜リン酸（Ｐ_2Ｏ_3）のみでＰＳＧまたはＢＰＳＧを形成して低温リフローを実現する。 - 特許庁 - The process further contains the process forming a high-density plasma from the process gas 28 in the process chamber 10 during the initial period by applying a power to an inductive coupling coil 26 and the process applying a bias towards a substrate 45 in the plasma, promoting the sputtering effect of the plasma and depositing a PSG film over the substrate during the initial period.
さらに、プロセスは、誘導結合コイル２６にパワーを印加して上記初期期間中、プロセスチャンバ１０内のプロセスガス２８から高密度プラズマを形成する工程、上記プラズマを基板４５に向かってバイアスをかけ、プラズマのスパッタリング効果を促進させ、上記初期期間中、基板にわたりＰＳＧ膜を堆積させる工程を含む。 - 特許庁 - This sleep-improving agent is provided by containing fruity floral-based fragrant components containing ≥1% α-damascone and γ-undecalactone in its fragrant composition as active ingredients, and its effect is evaluated by using a bath agent blended with the sleep-improving agent and measuring at least any one of sleep polysomnography (PSG) or epidermal temperature after bathing.
α−ダマスコン（α-Damascone）及びγ−ウンデカラクトン（γ-Undecalactone）を香料組成中1％以上含むフルーティフローラル系香料成分を有効成分として含有することを特徴とする睡眠改善剤であり、上記睡眠改善剤を配合した入浴剤を使用し、入浴後の睡眠ポリソムノグラフィ（ＰＳＧ）及び表皮温の少なくとも一方を測定することによりその効果の評価する。 - 特許庁 - A MOSFET 100 has an embedded electrode 102, which consists of W formed in a contact hole 4 prepared in an interlayer insulating film 3 comprising PSG etc., a lower electrode layer 5 comprising Al prepared thereon, a source electrode 101 equipped with an upper electrode layer 6 comprising the laminates of Ti layer, Ni layer, and Ag layer formed thereon.
本発明のＭＯＳＦＥＴダイ１００は、ＰＳＧ等からなる層間絶縁膜３に設けれられたコンタクトホール４内に形成されたＷからなる埋め込み電極部１０２と、その上に形成されたＡｌからなる下層電極層５と、その上に形成されたＴｉ層，Ｎｉ層，Ａｇ層の積層体からなる上層電極層６とを備えたソース電極１０１を有している。 - 特許庁
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