「PVD」を含む例文一覧(245)
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ＰＶＤ方法 - 特許庁 - PVD-COATED CUTTING TOOL
ＰＶＤ被覆切削工具 - 特許庁 - SHEET PLASMA TYPE PVD SYSTEM
シートプラズマ式ＰＶＤ装置 - 特許庁 - IMPROVED PVD TARGET
改善されたＰＶＤターゲット - 特許庁 - METHOD FOR PEELING PVD FILM
ＰＶＤ皮膜の剥離方法 - 特許庁 - HYBRID PVD-CVD SYSTEM
ハイブリッドＰＶＤ−ＣＶＤシステム - 特許庁 - To provide a physical vapor deposition (PVD) apparatus and a PVD method.
物理気相蒸着（ＰＶＤ）装置とＰＶＤ法を開示する。 - 特許庁 - FILM DEPOSITION METHOD BY PVD AND TARGET FOR FILM DEPOSITION USED FOR PVD
ＰＶＤ法による成膜方法及びＰＶＤ法に用いる成膜用ターゲット - 特許庁 - A PVD(physical vapor deposition) metal-deposited layer, e.g. PVD Al or PVD Cu is deposited on the layer hard to dissolve under the pressure of 1 milli Torr or lower to give a conformal PVD metal-deposited layer.
ＰＶＤ金属層、例えばＰＶＤＡｌ、またはＰＶＤＣｕが１ミリトル以下の圧力で溶けにくい層に堆積されて、コンフォーマルなＰＶＤ金属層を与える。 - 特許庁 - METHOD FOR PRETREATING SUBSTRATE FOR PVD METHODS
ＰＶＤ法のための基材前処理方法 - 特許庁 - MULTILAYER PVD FILM FORMING APPARATUS FOR SUBSTRATE AND METHOD THEREFOR
基板の多層ＰＶＤ成膜装置および方法 - 特許庁 - HCD/UBMS HYBRID PVD METHOD, AND APPARATUS THEREOF
ＨＣＤ・ＵＢＭＳハイブリッドＰＶＤ法およびその装置 - 特許庁 - TWO-STAGE AIN-PVD IMPROVING FILM CHARACTERISTIC
フィルム特性を改良する２段階ＡｌＮ−ＰＶＤ - 特許庁 - The thickness of the PVD layer is at least about 100 nm.
ＰＶＤ銅層の厚さは、少なくとも約１００ｎｍである。 - 特許庁 - The thin film material of photocatalyst which develops an active function as photocatalyst, is obtained by means of forming an island- shaped film 2a on a substrate 1 by a CVD or PVD method, and growing a tabular crystalline 2d by the CVD or PVD method on the island-shaped film 2a as a core.
CVD法またはPVD法で基板１上に島状膜２ａを形成させ、その島状膜２ａを核として、CVD法またはPVD法で板状の結晶２ｄを成長させることにより、高活性な光触媒機能を発現する光触媒薄膜材料を得られる。 - 特許庁 - Further, the inner layer is formed by the CVD method which can give excellent adhesiveness, and the outermost layer is formed by the PVD method which can give a compressive residual stress.
そして、内層を密着性に優れるCVD法にて形成し、最外層を圧縮残留応力が付与できるPVD法にて形成する。 - 特許庁 - More preferably, the PVD method is an evaporation method or a sputtering method.
ＰＶＤ法が、蒸着法、スパッタリング法であるとさらに好ましい。 - 特許庁 - A doped target of an electrically conductive material is used, and, a layer is deposited by a sputtering process such as PVD or IMP PVD.
ドープ済みの導電性材料のターゲットを使用し、ＰＶＤまたはＩＭＰ ＰＶＤのようなスパッタリングプロセスによって層を堆積させる。 - 特許庁 - Moreover, oblique evaporation is performed by vacuum vapor deposition as the PVD method.
また、ＰＶＤ法として真空蒸着法で斜方蒸着する。 - 特許庁 - After forming a film including an Mo nitride on the glass substrate 1 as a relaxed layer 2 by a PVD method under an atmosphere that contains nitrogen gas, an Mo film is formed as the Mo electrode film 3 by the PVD method under an Ar gas atmosphere, thus reducing internal stresses of a film and preventing ready peeling.
ガラス基板１上に、窒素ガスを含む雰囲気でPVD法によりMo窒化物を含む膜を緩衝層２として形成した後、Arガス雰囲気でPVD法によりMo膜をMo電極膜３として形成することで、被膜の内部応力を低減することができ、剥がれ難くできる。 - 特許庁 - GRAIN-ORIENTED SILICON STEEL SHEET, ITS MANUFACTURING METHOD, AND PVD TREATMENT DEVICE
一方向性電磁鋼板、その製造方法及びＰＶＤ処理装置 - 特許庁 - PVD TREATMENT SYSTEM, AND METHOD OF FORMING HARD FILM USING THE SAME
ＰＶＤ処理装置及びこれを用いた硬質被膜の形成方法 - 特許庁 - Then an upper conductive layer is formed by PVD and wet plating.
そして，ＰＶＤおよび湿式めっきにより上層導電層を形成する。 - 特許庁 - A coating material is preferably formed by the PVD method.
前記コーティング材をＰＶＤ法によって形成されるようにするのが望ましい。 - 特許庁 - The insulation protective layer 14 is a film made by CVD or PVD.
絶縁性保護層１４は、ＣＶＤ又はＰＶＤにより形成した膜である。 - 特許庁 - To provide a cooled dark space shield for a multi-cathode, large area PVD apparatus.
マルチカソード大面積ＰＶＤ装置用の冷却暗部シールドが開示されている。 - 特許庁 - The resulting CVD/PVD metal layer is substantially void-free.
結果として生じるＣＶＤ／ＰＶＤ金属層は、実質的にボイドのないものである。 - 特許庁 - A top clad layer is just to be formed after the heat treatment if required, and can be formed using a CVD method represented by plasma CVD or a PVD method such as a sputtering method.
トップクラッド層は、必要ならば熱処理後に形成すれば良く、プラズマCVDで代表されるCVD法、あるいはスパッタ法などのPVD法等を用いて形成することができる。 - 特許庁 - Thereafter, the holes or contacts are filled with a metal, e.g. by reflowing an additional metal deposited by the PVD on the conformal PVD metal-deposited layer.
その後、孔またはコンタクトは、金属で、例えばコンフォーマルなＰＶＤ金属層上に物理気相堆積によって堆積された追加の金属をリフローすることによって満たされる。 - 特許庁 - Physical vapor depositing (PVD) is performed as if film were laminated on a wafer.
物理蒸着処理（ＰＶＤ）は、ウェハー上に膜を堆積するように実行される。 - 特許庁 - FILM DEPOSITION SYSTEM FOR BOTH PVD/CVD, AND FILM DEPOSITION METHOD USING THE SYSTEM
ＰＶＤ・ＣＶＤ両用成膜装置及び当該装置を用いた成膜方法 - 特許庁 - The PVD method or CVD method is used for forming the electrolyte layer 30.
電解質層３０の成膜にあたっては、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法が用いられる得る。 - 特許庁 - To produce a chromium-based hard coating, in which deterioration in mold releasability is reduced, by a PVD method.
離型性の低下が抑制されたクロム系硬質被膜をＰＶＤ法で製造する。 - 特許庁 - Preferably, the metalescent layer is formed by an electroless plating method, a CVD method or a PVD method.
金属光沢層が無電解メッキ法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法で形成すると好ましい。 - 特許庁 - To provide an EB-PVD (Electron-Beam Physical Vapor Deposition) apparatus equipped with an independent system designed to monitor and maintain a constant relative level of the molten pool within the EB-PVD chamber.
ＥＢ−ＰＶＤチャンバ内部の溶融プールの一定の相対液面を監視して維持するように設計された、独立したシステムを備えるＥＢ−ＰＶＤ装置を提供する。 - 特許庁 - In the film deposition system for both PVD/CVD where a substrate 2, a PVD system 3 and a CVD system 4 are arranged inside a vacuum chamber 1, and PVD film deposition 28 and CVD film deposition 27 are performed to the substrate 2, a shielding device 9 preventing the sticking of an evaporated material from the PVD system 3 to the CVD system 4 is provided.
真空チャンバ１内に基体２とＰＶＤ装置３とＣＶＤ装置４とが配置され、前記基体２に対してＰＶＤ成膜２８とＣＶＤ成膜２７とを行えるようにしたＰＶＤ・ＣＶＤ両用成膜装置において、前記ＰＶＤ装置３からの蒸発物質が前記ＣＶＤ装置４に付着することを防止する遮蔽装置９が設けられた。 - 特許庁 - SHIELDING STRUCTURE OF TREATMENT CHAMBER, AND CVD SYSTEM, PVD SYSTEM, AND ETCHING SYSTEM USING THE SAME
処理室のシールド構造及びこれを使用するＣＶＤ装置、ＰＶＤ装置及びエッチング装置 - 特許庁 - A PVD (physical vapor deposition) coating film of DLC (diamond-like carbon) or CrN is preferably formed between the peripheral grooves and the port.
周溝とポート間に、ＤＬＣ又はＣｒＮのＰＶＤ被膜を形成するのがよい。 - 特許庁 - A film of a piezoelectric layer is formed by the MOCVD method on a sacrificing piezoelectric layer formed by the PVD method.
ＰＶＤ法にて形成した犠牲圧電層の上にＭＯＣＶＤ法で圧電層を成膜する。 - 特許庁 - Desirably, further, a PVD(Physical Vapor Deposition) layer 4 is arranged on the radical nitriding treatment layer 3 and particularly, the PVD layer 4 is composed of AlTiN or CrN having low stickiness on an aluminum alloy.
好ましくは、さらに、ラジカル窒化処理層３上にＰＶＤ層４が設けられ、そして特にＰＶＤ層４は、アルミニウム合金に対する付着性の低いＡｌＴｉＮまたはＣｒＮよりなる。 - 特許庁 - To provide an improved system executing the plasma reinforced PVD of a metallic material of copper, aluminum, tungsten or the like.
銅、アルミニウム、タングステン又は他の金属材料のプラズマ強化ＰＶＤを行う改善されたシステム。 - 特許庁 - The surface-treatment surface is formed of titanium nitride given by physical vapor deposition (PVD).
表面処理面は、物理的気相成長法（ＰＶＤ）によって与えられた窒化チタンで構成される。 - 特許庁 - The present invention relates to a PVD target structure for use in physical vapor deposition.
本発明は、物理的気相成長法が用いられるＰＶＤターゲット構造体に関するものである。 - 特許庁 - As a method for the vapor deposition may be either physical vapor deposition (PVD) method or chemical vapor deposition (CVD) method.
蒸着させる方法としては、物理蒸着法（ＰＶＤ）でも化学蒸着法（ＣＶＤ）でもよい。 - 特許庁 - A substrate is contacted with an electroless copper plating bath, and a titanium nitride barrier layer is formed on the surface thereof by PVD.
基体を無電解銅メッキ浴と接触させ、その上にＰＶＤにより、窒化チタンバリア層を形成する。 - 特許庁 - To provide a method for coating chromium nitride by PVD, whereby a chromium nitride film with few droplets can be obtained.
ドロップレットの少ない窒化クロム膜が得られるＰＶＤによる窒化クロムのコーティング方法を提供するこ。 - 特許庁 - To provide target constructions and methods for reducing target motion and rubbing that occurs in PVD processes.
ターゲットの動きおよびＰＶＤプロセスで起こる擦れを減少させるターゲット構造物および方法を提供する。 - 特許庁 - The one section may be changed by coating, and the coating can be applied by PVD or CVD.
一区分をコーティングによって変更してもよく、コーティングはＰＶＤやＣＶＤによって付けることができる。 - 特許庁 - The platinum oxide is prepared by using a physical vapor deposition (PVD) and a chemical vapor deposition (CVD).
この白金酸化物は、物理気相成長（ＰＶＤ）法や化学気相成長（ＣＶＤ）法を用いて作成する。 - 特許庁 - A sintered compact comprising ≥95 wt.% germanium and tungsten is used as a target in a PVD (Physical Vapor Deposition) system.
９５重量％以上のゲルマニウムとタングステンを含む焼結体をＰＶＤ装置のターゲットとして用いる。 - 特許庁
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