CHARGED-BEAM EXPOSURESYSTEM, APERTURE, CHARGED-BEAM EXPOSURE METHOD, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING PHOTO MASK, METHOD AND APPARATUS OF GENERATING EXPOSUREPATTERN DATA, AND EXPOSUREPATTERN 荷電ビーム露光装置、アパーチャ、荷電ビーム露光方法、半導体装置の製造方法、フォトマスクの製造方法、露光パターンデータ生成方法、露光パターンデータ生成装置、及び、露光パターンを生成するためのデータを記録した記録媒体 - 特許庁
The exposure apparatus has a projection optical system OP which projects a pattern of an original 1 on a substrate 11. 露光装置は、原版1のパターンを基板11に投影する投影光学系POを有する。 - 特許庁
The indexes are previously determined resting on pattern data formed at the formation of a reticle and given to the exposuresystem. 指標はレチクル作成時のパターンデータから予め決定して露光装置に与えられる。 - 特許庁
To provide an electron beam exposure method using a VSB system and a pattern formation method using the same. VSB方式の電子ビーム露光方法及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide an exposure apparatus capable of performing exposure processing with accuracy by preventing deterioration in a pattern image, when exposing a pattern onto a substrate via a projection optical system and a liquid. 投影光学系と液体とを介してパターンを基板に露光する際、パターン像の劣化を防止して精度良く露光処理できる露光装置を提供する。 - 特許庁
To provide an exposure apparatus capable of performing exposure processing with accuracy by preventing deterioration in a pattern image, when exposing a pattern onto a substrate via a projection optical system and a liquid. 投影光学系と液体とを介してパターンを基板に露光する際、パターン像の劣化を防止して精度良く露光処理できる露光装置を提供する。 - 特許庁
Next, a 2nd pattern part area formed in the pattern area is positioned with respect to the optical system 16 and its pattern is exposed to a 2nd unit exposure area adjacent to the 1st unit exposure area. 次いで、パターン領域に形成された第2パターン部分領域を投影光学系に対して位置決めし、そのパターンを第1単位露光領域と隣り合う第2単位露光領域に露光する。 - 特許庁
An illumination optical system 70 irradiates a substrate W with light for patternexposure via the mask M, and exposure-transfers the line-like pattern 84 corresponding to the main pattern part 81, on the substrate W. 照明光学系70が基板Wに対してパターン露光用の光をマスクMを介して照射し、基板Wに主パターン部81に対応するライン状のパターン84を露光転写する。 - 特許庁
To provide an electron beam exposuresystem which can reduce the memory of an electron beam exposure device and can eliminate the transfer of pattern data and conversion to control data for each electron beam exposure device. 電子ビーム露光装置のメモリを軽減でき、電子ビーム露光装置毎のパターンデータの転送及び制御データへの変換をなくす電子ビーム露光システムを提供できる。 - 特許庁
To improve a verification beam by using a particle optics system provided with a pattern definition device for a beam exposuresystem, or a pattern definition device comprising an aperture array. ビーム露光装置のパターン規定デバイスまたはアパーチャアレイからなるパターン規定デバイスを備えた粒体光学システムで証明ビームを改良する。 - 特許庁
To provide a charged particle beam exposure method and a charged particle beam exposuresystem in which nonuniformity of CD (line width of pattern) due to fogging is improved. かぶりによるCDの不均一性を改善した荷電粒子ビーム露光方法及び荷電粒子ビーム露光装置を提供する。 - 特許庁
MOVABLE BODY DRIVING METHOD AND MOVABLE BODY DRIVING SYSTEM, METHOD AND APPARATUS OF FORMING PATTERN, EXPOSURE METHOD AND EXPOSURE APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 - 特許庁
A circuit pattern is used by an electron beam projection exposure method by using the stencil reticle provided with an opening pattern 21 surrounding an island-like central pattern 23 and a support pattern 22 having a pattern width of a resolution limit or less of an electron beam exposuresystem and supporting the opening pattern 21. 島状の中心パターン23を囲む開口パターン部21と、電子線描画装置の解像限界以下のパターン幅を有し、開口パターン部21を支持する支持パターン部22と、を備えたステンシルマスクを用いて、電子線投影露光法により回路パターンを形成する。 - 特許庁
To provide an exposuresystem which makes it possible to form a pattern with high precision at a high speed. 高速、高精度でパターンを形成することを可能にする露光システムを提供することを課題とする。 - 特許庁
To provide an exposure device capable of forming a desired device pattern on a substrate, by removing unnecessary liquid during pattern projection and exposure on the substrate via a projection optical system and the liquid. 投影光学系と液体とを介して基板にパターンを投影して露光する際、不要な液体を除去して所望のデバイスパターンを基板上に形成可能な露光装置を提供する。 - 特許庁
An exposuresystem projects a pattern of an original plate onto each shot area of a board via a projection optical system to expose the board. 露光装置は、投影光学系を介して原板のパターンを基板の各ショット領域に投影して該基板を露光する。 - 特許庁
After the resist pattern 7A is formed, it can be reduced in pattern width W, so that it is not required to prepare an expensive exposuresystem for micronizing the resist pattern 7A. レジストパターン7Aを形成した後にそのパターン幅Wを縮小化できるので、レジストパターン7Aを微細化するための高価な露光装置を用意する必要がない。 - 特許庁
To provide a pattern measuring system which can obtain dimensional distribution of a pattern on a wafer correctly, a pattern measuring method, a process management method and an exposure condition resolution method. ウエーハ上のパターンの寸法分布を正確に求めることができるパターン計測システム、パターン計測方法、プロセス管理方法及び露光条件決定方法を提供する。 - 特許庁
The electron beam exposuresystem has a plurality of the electron beam exposure devices which deflect electronic beam, based on the control data and expose a pattern on an exposed object, and a data control means which sends the control data, corresponding to the exposed pattern to the electron beam exposure devices which sends pattern information, in response to the pattern information about the exposed pattern which is sent from the electron beam exposure devices. 制御データに基づいて電子ビームを偏向し、被露光物体上にパターンを露光する複数の電子ビーム露光装置と、前記電子ビーム露光装置から送られてくる露光されるパターンに関するパターン情報に応じて、前記パターン情報を送出した電子ビーム露光装置に前記露光されるパターンに対応した前記制御データを送出するデータ制御手段とを有する。 - 特許庁
MOVABLE BODY DRIVING SYSTEM AND MOVABLE BODY DRIVING METHOD, APPARATUS AND METHOD OF FORMING PATTERN, EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND DETERMINATION METHOD 移動体駆動システム及び移動体駆動方法、パターン形成装置及び方法、露光装置及び方法、デバイス製造方法、並びに決定方法 - 特許庁
An exposure method for transferring an exposure light pattern to an object surface includes: a pattern formation step of forming a pattern; a projection step of projecting the pattern on the object surface using a projection optical system; and an adjustment step of dividing the pattern according to the shape of the projection region on which the pattern is projected on the object surface. 露光光のパターンを対象面に転写する露光方法であって、パターンを形成するパターン形成ステップと、投影光学系を用いてパターンを対象面に投影する投影ステップと、対象面のうちパターンが投影される投影領域の形状に応じて、パターンを分割する調整ステップとを含む。 - 特許庁
The exposure device transfers a pattern formed on an original plate 2 through a projection optical system 5 to a substrate 8. 原版2に形成されたパターンを投影光学系5を介して基板8に転写する露光装置に関する。 - 特許庁
A substrate conveying device conveys a substrate subjected to exposure by a pattern image through a projection optical system and liquid. 基板搬送装置は、投影光学系と液体とを介したパターンの像によって露光された基板を搬送する。 - 特許庁
The image of a pattern is projected, by exposure light, to a substrate 112 through the optical element of a projection optical system 114. 露光光によりパターンの像を投影光学系114の光学素子を介して基板112に投影する。 - 特許庁
The projection exposure apparatus 100 projects a pattern of an original plate 6 onto a substrate 7 through the projection optical system PL. 投影露光装置100は、投影光学系PLを介して原版6のパターンを基板7に投影する。 - 特許庁
In this exposure method, a reticle 13 having a larger pattern area than the object side visual field of the projection optical system 16 is used. 投影光学系(16)の物体側視野よりも大きいパターン領域を有するレチクル(13)を用いる。 - 特許庁
A charged particle beam device selects an exposure type depending on a pattern to be exposed, sorts patterns by the selected exposure type, makes exposure data from the sorted patterns corresponding to the selected exposure type, and supplies the formed exposure data to each charged beam optical system of the selected exposure type to draw the pattern (S30). 露光するパターンに応じて露光方式を選択し、選択された露光方式毎にパターンを振り分け、前記振り分けられたパターンから、選択された露光方式に応じた露光データを作成し、作成された露光データを、前記選択された露光方式の荷電粒子ビーム光学系のそれぞれに供給して前記パターンを描画する。 - 特許庁
LITHOGRAPHY PROCESS EVALUATION SYSTEM, LITHOGRAPHY PROCESS EVALUATING METHOD, EXPOSURESYSTEM EVALUATING METHOD, MASK PATTERN DESIGNING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE リソグラフィプロセス評価システム、リソグラフィプロセス評価方法、露光装置評価方法、マスクパターン設計方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
To provide a vacuum system used for an immersion exposure device capable of performing pattern transfer with high precision in exposure treatment in which liquid is filled between a projection optical system and a substrate. 投影光学系と基板との間を液体を満たして露光処理する場合において、精度良くパターン転写できる液浸露光装置に使用される真空システムを提供する。 - 特許庁
To provide a liquid immersion exposuresystem which exposes a substrate with proper pattern transfer accuracy, when exposure treatment is conducted between a projection lens system and the substrate with a liquid filled up. 投影光学系と基板との間に液体を満たした状態で露光処理を行う際、良好なパターン転写精度で基板を露光できる液浸露光装置を提供する。 - 特許庁
The exposure apparatus includes a work stage holding a substrate as an exposure object, a mask stage 1 holding a mask M having a mask pattern as opposing to the substrate, and an irradiating means (exposure illumination optical system) irradiating the substrate with light for mask patternexposure through the mask M. この露光装置は、被露光材である基板を保持するワークステージと、マスクパターンを有するマスクMを基板に対向させて保持するマスクステージ1と、マスクパターン露光用の光をマスクMを介して基板に照射する照射手段(露光用照明光学系)とを備えている。 - 特許庁
To provide a pattern manufacturing system for suppressing irregularity from occurring on line width of a pattern line by irregularity of thickness of a conductor formed on a substrate, and to provide an exposure device and an exposure method. 基板上に形成する導体の厚さのばらつきによりパターン線の線幅にばらつきが生じるのを抑えることができるパターン製造システム、露光装置、及び露光方法を提供する。 - 特許庁
In the non-follow system, the exposure control is performed by using the predetermined light measuring pattern as the objective light measuring pattern without changing the objective light measuring patterns. 非追従方式においては、対象測光パターンを変更せず、予め定められた測光パターンを対象測光パターンとして用いて露出制御を行う。 - 特許庁
To calibrate positional coordinates of a generated pattern and a substrate stage in an exposuresystem which uses an array of controllable elements PPM to generate the pattern. 制御可能な要素の配列PPMを用いてパターンを生成する露光装置において、生成されたパターンと基板ステージの位置座標を校正すること。 - 特許庁
Then, a 1st pattern part area formed in the pattern area is positioned with respect to the optical system 16 and its pattern is exposed to a 1st unit exposure area on a photosensitive base plate 17. そして、パターン領域に形成された第1パターン部分領域を投影光学系に対して位置決めし、そのパターンを感光性基板(17)上の第1単位露光領域に露光する。 - 特許庁
The method comprises a step of preparing an optical mask having a reference pattern and a comparison pattern, and projecting the optical mask on a prescribed image forming plane by using an exposure beam after loading the optical mask in an exposuresystem wherein a prescribed exposure beam is used. 基準パターン及び比較パターンを具備する光学マスクを準備して、所定の露光ビームを使用する露光システム内に光学マスクをローディングした後、露光ビームを使用して光学マスクを所定の結像面に投映する段階を含む。 - 特許庁
The exposure apparatus comprises an original pattern stage RS, an illumination optical system IL for illuminating an original pattern R, a wafer stage WS, a projection optical system UL, and a TTR detector 104. 露光装置は、原版ステージRSと、原版Rを照明する照明光学系ILと、基板ステージWと、投影光学系ULと、TTR検出器104とを備える。 - 特許庁
To obtain an exposure method and a system which restricts reduction in throughput, when a dummy pattern is exposed by using an electron beam direct drawing system. 電子線直接描画露光装置を用いてダミーパターンを露光する場合のスループットの低下を抑える露光方法及び装置の提供。 - 特許庁
EQUIPMENT AND METHOD FOR MEASURING POSITION, SYSTEM AND METHOD FOR FORMING PATTERN, SYSTEM AND METHOD FOR EXPOSURE AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE 位置計測装置及び位置計測方法、パターン形成装置及びパターン形成方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 - 特許庁
SYSTEM FOR EXPOSURE OF SUBSTRATE WITH SEVERAL INDIVIDUALLY SHAPED PARTICLE BEAMS FOR HIGH RESOLUTION LITHOGRAPHY OF STRUCTURED PATTERN 構造パターンの高解像度リソグラフィのための、複数の個々に成形された粒子ビームによって基板を照射する装置 - 特許庁
The immersion exposure device projects a pattern of an original on the substrate through a projection optical system and a liquid and exposes the substrate. 露光装置は、原版のパターンを投影光学系および液体を介して基板に投影して該基板を露光する。 - 特許庁
A substrate registration mark and a pattern formed on a mask R are projected onto a substrate P through a projection optical system 12 for exposure. マスクRに形成された基板位置合わせマークとパターンとを投影光学系12を介して基板Pに露光する。 - 特許庁
To improve a pattern in joining accuracy, in an exposure method of division transfer system in which an electron beam is used. 電子線を用いたいわゆる分割転写方式の露光方法において、パターンのつなぎ合わせ精度を向上させる。 - 特許庁
The present invention relates to the exposure device which transfers a pattern formed on an original plate through a projection optical system to a substrate. 本発明は、投影光学系を介して原版に形成されたパターンを基板に転写する露光装置である。 - 特許庁
To provide an exposuresystem and an exposure method realizing at least one of enhancement of the degree of freedom in pattern design for each layer and enhancement of productivity of the device. レイヤ毎のパターン設計上の自由度の向上及びデバイスの生産性の向上の少なくとも一方を実現する露光装置及び露光方法を提供する。 - 特許庁
The exposure apparatus irradiates a workpiece W with a light beam of exposure light from an illumination optical system 160 through a mask M, and transfers a pattern Pa of the mask M to the workpiece W. 露光装置は、照明光学系160からの露光光の光束をマスクMを介してワークWに照射し、マスクMのパターンPaをワークWに転写する。 - 特許庁
To provide a light shielding apparatus, a lighting optical system, and an exposure apparatus that can precisely project a predetermined pattern on a surface to be irradiated for exposure, and a method of manufacturing a device. 所定のパターンを被照射面上に精度良く投影露光させることができる遮光装置、照明光学系、露光装置、及びデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁
The exposuresystem is provided with the main unit 150 of an exposure device to expose a substrate with a pattern and a light source device to provide an exposing light to the main unit 150 thereof. 露光システムは、基板をパターンで露光する露光装置本体150と、露光装置本体150に露光光を提供する光源装置100とを備える。 - 特許庁
To provide an exposure method capable of transferring a pattern accurately even when processing a substrate with immersion exposure via a liquid between a projection optical system and the substrate. 投影光学系と基板との間の液体を介して基板を液浸露光処理する場合においても、精度良くパターン転写できる露光方法を提供する。 - 特許庁