「Perchloric acid」を含む例文一覧(58)

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  • (i) perchloric acid
    一　過塩素酸 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • a salt of perchloric acid
    過塩素酸の塩 - 日本語WordNet
  • Further, as the inorganic acid, nitric acid, perchloric acid or the like can be suitably used.
    また、無機酸としては、硝酸や過塩素酸などを好適に使用できる。 - 特許庁
  • Perchloric acid is used as the acid electrolyte.
    酸性電解質として過塩素酸を用いることを特徴とする。 - 特許庁
  • In this method, for example, a perchloric acid, chloric acid, chlorous acid, hypochlorous acid, chlorine, etc., is used as the oxidizing agent.
    上記の酸化剤としては、例えば過塩素酸、塩素酸、亜塩素酸、次亜塩素酸、塩素等を用いる。 - 特許庁
  • ELECTROLYTIC CELL FOR SYNTHESIZING PERCHLORIC ACID COMPOUND AND ELECTROLYTIC SYNTHESIS METHOD
    過塩素酸化合物の合成用電解セル及び電解合成方法 - 特許庁
  • In this case, as the acid, an acid is preferably used, which is selected from nitric acid, hydrochloric acid, sulphuric acid, hydrofluoric acid, phosphoric acid, perchloric acid, acetic acid, and formic acid.
    なお、前記酸としては、硝酸、塩酸、硫酸、フッ化水素酸、りん酸、過塩素酸、酢酸及び蟻酸が好ましい。 - 特許庁
  • The alkaline aqueous solution consists of the hydroxide of an alkali metal, and, if required, comprises hypochlorous acid, chlorous acid, chloric acid and perchloric acid.
    アルカリ性水溶液はアルカリ金属水酸化物の水溶液であり、必要により、次亜塩素酸、亜塩素酸、塩素酸及び過塩素酸の濃度をする。 - 特許庁
  • As for the nano-tube body, that on which phosphoric acid, sulfuric acid or an oxo acid group such as perchloric acid are carried may be used.
    ナノチューブ体はリン酸、硫酸又は過塩素酸等のオキソ酸基を担持させたものを使用してもよい。 - 特許庁
  • Magnesium, or aluminum or the like can be used as the metal 1, and perchloric acid as the acid electrolyte 4.
    金属１はマグネシウム又はアルミニウム等を使用し、酸性電解質４としては過塩素酸を用いることができる。 - 特許庁
  • This method comprises employing an oxidant for oxidizing sulfur in the chalcocite, such as perchloric acid, heating and calcinating the chalcocite in an inorganic acid solution containing perchloric acid such as a mixture solution of hydrochloric acid, fixing sulfur as elemental sulfur, soaking the calcinated product in water, and extracting and separating copper and/or gold.
    硫化銅鉱中の硫黄の酸化に過塩素酸などの酸化剤をを用いて、硫化銅鉱を過塩素酸を含む無機酸たとえば塩酸混合溶液により加熱焙焼して、硫黄を単体硫黄として固定し、焙焼生成物を水で浸出して銅及び／又は金を抽出する分離する。 - 特許庁
  • The acid(s) is composed of at least one kind selected from hydrochloric acid, nitric acid, acetic acid, sulfuric acid, hydrofluoric acid, perchloric acid and hydrogen peroxide, and the concentration thereof is 0.001 to 3 mol/l, and, preferably, 0.01 to 1.5 mol/l.
    酸は、塩酸、硝酸、酢酸、硫酸、ふっ酸、過塩素酸、過酸化水素の中から少なくとも１種からなりその濃度が0.001〜3mol/l更に好ましくは0.01〜1.5mol/lであることを特徴とする。 - 特許庁
  • A perchloric acid and/or sodium perchlorate are added into the concentrated salt water and then, potassium is separated as the crystal of potassium perchlorate.
    濃厚かん水へ過塩素酸及び／又は過塩素酸ナトリウムを添加し、カリウムを過塩素酸カリウム結晶として分離する。 - 特許庁
  • To provide an apparatus for producing perchlorate, capable of reducing power consumption in electrolytic oxidation of a perchloric acid.
    過塩素酸の電解酸化に際して消費電力を低く抑えることができる過塩素酸塩の製造装置の提供。 - 特許庁
  • At least one kind of oxidized halide selected from the group consisting of hypochlorous acid, chlorous acid, chloric acid, perchloric acid, hypobromous acid, bromous acid, bromic acid, hypobromic acid, hypoiodous acid, iodous acid, iodic acid, periodic acid and their salts is added, so that organic compounds in the plating bath are decomposed.
    次亜塩素酸、亜塩素酸、塩素酸、過塩素酸、次亜臭素酸、亜臭素酸、臭素酸、過臭素酸、次亜ヨウ素酸、亜ヨウ素酸、ヨウ素酸、過ヨウ素酸、及びこれらの塩からなる群から選ばれる少なくとも１種の酸化ハロゲン化物を添加することによって、めっき浴中の有機化合物を分解する方法。 - 特許庁
  • To provide a method of controlling an etching solution reducing the amount of cerium ammonium nitrate and perchloric acid and also giving an excellent etching face in a method of subjecting a chromium film to etching with an etching solution containing cerium ammonium nitrate and perchloric acid.
    硝酸セリウムアンモニウムと過塩素酸を含むエッチング液でクロム膜をエッチングする方法において、硝酸セリウムアンモニウムの消費量を節減し、かつ優れたエッチング面を与えるエッチング液の管理方法を提供する。 - 特許庁
  • An aqueous solution containing one or more kinds of a nitric acid salt, a phosphoric acid salt, a permanganic acid salt, a peroxide, a chloric acid salt and a perchloric acid salt is used as the oxidative chemical solution.
    酸化性薬液には、硝酸塩，燐酸塩，過マンガン酸塩，過酸化物，塩素酸塩，過塩素酸塩の１種又は２種以上を含む水溶液が使用される。 - 特許庁
  • The alkaline aqueous solution consists of the hydroxide of an alkali metal, and, if required, comprises one or more kinds of oxidizers selected from hypochlorous acid, chlorous acid, chloric acid and perchloric acid.
    アルカリ性水溶液はアルカリ金属の水酸化物であり、さらに、必要により次亜塩素酸、亜塩素酸、塩素酸及び過塩素酸から選ばれる１種以上の酸化剤を含有する。 - 特許庁
  • A compound semiconductor film is etched with an acidic aqueous solution containing at least one kind from among trihatomethyl sulfuric acid, trihaloacetic acid, and perchloric acid.
    化合物半導体膜を、トリハロメチル硫酸、トリハロ酢酸、および過塩素酸のうちの少なくとも一種を含んだ酸性水溶液を用いてエッチングする。 - 特許庁
  • This removing solution for removing ruthenium series metal contains (a) cerium nitrate (IV) salt and (b) one or more acids selected from the group consisting of nitric acid, perchloric acid and acetic acid.
    ルテニウム系金属を除去する除去液であって、（ａ）硝酸セリウム（IV）塩と、（ｂ）硝酸、過塩素酸および酢酸からなる群より選択される一または二以上の酸とを含有することを特徴とする除去液。 - 特許庁
  • As an oxidizing agent, use of at least one kind selected from the group consisting of hypochlorous acid, chloric acid, perchloric acid and their salts, peroxodisulfate, and permanganate is preferable.
    酸化剤としては次亜塩素酸、塩素酸、過塩素酸及びそれらの塩、ペルオキソ二硫酸塩及び過マンガン酸塩の群より選ばれる少なくとも一種を用いることが好ましい。 - 特許庁
  • This recycling method comprises reacting the soap wastes, containing a fatty acid alkali salt as a main component, with at least one alkyl alcohol selected from among methanol, ethanol and propanol and at least one acid selected from among sulfuric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid and perchloric acid.
    脂肪酸アルカリ塩を主成分とする石鹸廃棄物に、メタノール、エタノール、プロパノールから少なくとも１種選ばれるアルキルアルコールと、硫酸、塩酸、リン酸、過塩素酸から少なくとも１種選ばれる酸とを添加して反応させる。 - 特許庁
  • The semiconductor substrate cleaning liquid contains quaternary ammonium salt, such as the perchloric acid and/or periodic acid, tetra-alkyl ammonium hydroxy, trialkyl-hydroxy alkyl ammonium hydroxy, etc., and water.
    過塩素酸及び／又は過ヨウ素酸、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、トリアルキル−ヒドロキシアルキルアンモニウムヒドロキシドなどの第四級アンモニウム塩及び水を含んでなる半導体基板洗浄液を用いる。 - 特許庁
  • This method for producing the tetrahydropyranyl-4-carboxylate compound comprises reacting 3-buten-1-ol, an aldehyde compound and a carboxylic acid compound in the presence of a perchloric acid compound.
    本発明の課題は、過塩素酸化合物の存在下、3-ブテン-1-オール、アルデヒド化合物及びカルボン酸化合物を反応させることを特徴とする、テトラヒドロピラニル-4-カルボキシレート化合物の製法によって解決される。 - 特許庁
  • The composition of the etching liquid consists of an aqueous solution of ferric perchlorate and an aqueous solution of ferric chloride, and free acid such as perchloric acid is added thereto, so that the pH of the liquid is controlled to ≤6.
    エッチング液の組成が過塩素酸第二鉄の水溶液及び塩化第二鉄の水溶液からなり、過塩素酸等の遊離酸が添加されて、液のＰＨが６以下となっていることを特徴とする。 - 特許庁
  • Using an anode 2 having electrically conductive diamond as an anode substance, a perchloric acid compound is electrolytically synthesized from a chloride or a chlolic acid compound as the raw material.
    導電性ダイアモンドを陽極物質として有する陽極２を使用して、原料である塩化物や塩素酸化合物から、過塩素酸化合物を電解合成する。 - 特許庁
  • Especially, perchloric acid is used as the acid, and efficiency of an irradiation method of light irradiated to the reactor is improved, and the analysis time by a conventional photocatalyst system TOC meter can be shortened to 1/5-1/10 time.
    特に、酸が過塩素酸であって、リアクターに照射する光の照射方法を高効率化し、従来の光触媒方式TOC計による分析時間を１／５から１／１０に短縮することを可能とする。 - 特許庁
  • The electrolytic polishing liquid for stainless steel is made by adding an iron content in a weight ratio of 50 to 500 ppm to a mixed solution in which the concentration of acetic acid is 90.0 to 97.5% and the balance mainly comprises perchloric acid.
    本発明のステンレス鋼の電解研磨液は、酢酸濃度が９０．０％〜９７．５％で残部の主成分が過塩素酸である混合溶液に対し、重量比で５０ｐｐｍ〜５００ｐｐｍの鉄分を添加したことを特徴とする。 - 特許庁
  • It is preferable to adjust the content of the perchloric acid and/or periodic acid to 0.001-10 wt.% of the total weight of the cleaning liquid and the adding amount of the quaternary ammonium salt to 0.001-10 wt.% of the total weight of the cleaning liquid.
    塩素酸及び／又は過ヨウ素酸の含量は半導体基板洗浄液全体の重量を基準にして０．００１〜１０重量％、第四級アンモニウム塩の添加は０．００１〜１０重量％が好ましい。 - 特許庁
  • If a mixture of perchloric acid and hydrochloric acid is used as an acidic aqueous solution, P-compound is etched and As- compound is hardly etched.
    また、酸性水溶液として過塩素酸と塩酸とが混合されたものを用いると、Ｐ化物がエッチングされてＡｓ化物がほをとんどエッチングされない。 - 特許庁
  • When the periodic acid salt is used in combination with one or more other oxidizing agents, the amount of the periodic acid is preferably ≥5 wt.% based on the other oxidizing agent and the other oxidizing agent is preferably a persulfuric acid salt and/or a perchloric acid salt.
    過ヨウ素酸塩と、それと異なる少なくとも１種の他の酸化剤とを含む場合、過ヨウ素酸塩は、他の酸化剤に対して５重量％以上含まれるのが好ましく、他の酸化剤としては、過硫酸塩または過塩素酸塩の少なくとも一方であるのが好ましい。 - 特許庁
  • When the conductive film to be removed is an Ru film, it is preferable to use an acidic aqueous solution, such as the hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, perchloric acid, etc., or the aqueous solution of a salt, such as the sodium chloride, etc., as the electrolytic solution and to apply a voltage of ≥1.1 V between the counter electrodes.
    Ｒｕ膜の除去においては、電解液として、塩酸、硝酸、硫酸、過塩素酸のような酸の水溶液や塩化ナトリウムなどの塩の水溶液を使用し、対向電極の間に１．１〜１．２Ｖ以上の電圧を印加することが望ましい。 - 特許庁
  • The oxidation gas supply part 200 is equipped with an ion converting part 230 for converting chloride ions contained in the oxidation gas into perchloric acid ions by electrolytic synthesis.
    酸化ガス供給部２００には、酸化ガス中に含まれる塩化物イオンを電解合成によって過塩素酸イオンへと変換するイオン変換部２３０が設けられている。 - 特許庁
  • The non-contact type photocatalyst contains the titanium oxide nano-tube formed by anodic oxidation using an electrolyte which is the mixture of ethanol and perchloric acid.
    非接触型光触媒は、エタノールと過塩素酸とを混合した電解液を使用した陽極酸化により形成された酸化チタンナノチューブを含んでいる。 - 特許庁
  • An elastic layer of the charging member having an elastic layer on a conductive core shaft is formed by bridge formation of a rubber composition containing a polyether copolymer, acrylonitrile butadiene rubber and perchloric acid quarternary ammonium salt.
    導電性芯軸の上に弾性層を有する帯電部材の弾性層を、ポリエーテル共重合体とアクリロニトリルブタジエンゴムと過塩素酸４級アンモニウム塩とを含むゴム組成物を架橋して形成する。 - 特許庁
  • Alternatively, by using the lithium hexafluorophosphate together with perchloric acid, the influence on the battery characteristics by the reaction of the lithium hexafluorophosphate and water is evaded.
    あるいは、六フッ化リン酸リチウムを、過塩素酸と併せて使用することで、六フッ化リン酸リチウムと水との反応により電池特性への影響を回避する。 - 特許庁
  • The etching solution for the Ni-based thin film formed on a lath substrate comprises ceric ammonium nitrate of 8-12 wt.% and perchloric acid of 5-10 wt.% added to an aqueous medium.
    硝酸第２セリウムアンモニウム８〜１２重量％と、過塩素酸５〜１０重量％とを水性媒体中に含有することを特徴とする、ガラス基板上に形成されたニッケル系薄膜用エッチング液。 - 特許庁
  • Further, an environmentally harmful substance such as perchloric acid, an unstable component shortening the life of etching fluid, or a fluorine-based compound which corrodes glass of a substrate is unneeded.
    また、過塩素酸のような環境有害物質、エッチング液の寿命を短縮させる不安定な成分、または基板のガラスを腐蝕させるフッ素系化合物が不要となる。 - 特許庁
  • The synthetic method involves dissolving and diluting titanium tetrachloride or titanium sulfate; adding ammonia water (NH_3) for adjusting pH in a range from 7.0 to 9.0; filtering and successively washing the obtained product with water; adding an oxidizing agent such as perchloric acid and an inorganic acid; and adjusting the operation condition to obtain an aqueous titanium dioxide photocatalyst gel.
    本方法は、四塩化チタン、或いは硫酸チタンを溶解希釈後、アンモニア水（ＮＨ_3）を加えて、ＰＨ＝７．０〜９．０間に調整し、濾過後水洗浄して、過塩素酸などの酸化剤及び無機酸を加え、操作条件を調整して、二酸化チタン光触媒ゲル水溶液を得る。 - 特許庁
  • The method comprises: a process of adding perchloric acid into the waste water containing the fluorophosphoric acid compound; a process of adjusting a temperature of the waste water to 65°C to 85°C; a process of keeping the waste water within the temperature range; and a process of adding a calcium compound into the waste water.
    該方法は、 フルオロリン酸化合物を含有する廃水中に過塩素酸を添加する工程、 廃水の温度を６５〜８５℃に調整する工程、 廃水を該温度範囲内に保持する工程、及びカルシウム化合物を廃水に添加する工程を有する。 - 特許庁
  • There is provided a method of adding a mixture of a heat stabilizing agent containing at least one polyalkylene glycol and a metal salt of a strong acid selected from the group consisting of perchloric acid, trifluoroacetic acid, trifluoromethanesulfonic acid, alkylsulfate, phosphotungstic acid, HPF_6, HBF_4 and HSbF_6 to a polymer.
    少なくとも１つのポリアルキレングリコール、ならびに過塩素酸、トリフルオロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸、アルキル硫酸、リンタングステン酸、HPF_6、HBF_4、およびHSbF_6からなる群より選択される強酸の金属塩を少なくとも１つ含む熱安定化量の混合物を、前記ポリマーに加えることを含む方法を開示する。 - 特許庁
  • The second cerium ammonium of nitric acid-perchloric acid aqueous solution is used for the etching liquid, and the second cerium ammonium solution of nitric acid is supplemented to replenish the liquid fatigue by prolonged use of the etching liquid and the consumption of principal component, and the etching is carried out, by maintaining the concentration of the second cerium ammonium of nitric acid in the etching liquid to be in the range of 20 to 25 wt%.
    硝酸第二セリウムアンモニウム−過塩素酸水溶液をエッチンク液に用い、エッチンク液の長期間使用による液疲労および主成分の消耗を補充するに硝酸第二セリウムアンモニウム水溶液の補充をもって行い、エッチンク液中の硝酸第二セリウムアンモニウム濃度を２０〜２５重量％の範囲に維持してエッチンクすること。 - 特許庁
  • The titania having the shape of the nanotube with an aspect ratio of ≥6 can be produced by subjecting titanium metal or an alloy containing titanium as a main component to anodic oxidation in an electrolyte solution containing halogen atom-containing ions, such as the aqueous solution of perchloric acid.
    チタン金属もしくはチタンを主成分とする合金を、過塩素酸水溶液のようなハロゲン原子含有イオンを含む電解質溶液で、陽極酸化を行うことによりアスペクト比が６以上であるナノチューブ形状のチタニアを製造することができる。 - 特許庁
  • A hardened film obtained from a coating composition containing (A) colloidal metal oxide particles, (B) an organosilicon compound and (C) an adhesion improver comprising a metallic salt of perchloric acid is disposed on an optical substrate not subjected to pretreatment for improving adhesion to obtain the objective optical member.
    密着性向上のための前処理が施されていない光学基材上に、（Ａ）金属酸化物コロイド粒子と、（Ｂ）有機ケイ素化合物と、（Ｃ）過塩素酸金属塩からなる密着性向上剤とを含むコーティング組成物から得られた硬化被膜を設けてなる光学部材である。 - 特許庁
  • A semiconductive elastic layer 203 composed of a thermoplastic elastomer in which perchloric acid lithium is dispersed as an ion conductive material is formed on a conductive support (core shaft) 201 made of stainless steel, further, the surface of the elastic layer 202 is coated with a protective layer 203, and thus an electrifying roller is obtained.
    ステンレススチール製の導電性支持体（芯軸）２０１上に、イオン導電材料として過塩素酸リチウムを分散した熱可塑性エラストマーからなる半導電性弾性層２０２を形成し、さらにこの弾性層２０２上に保護層２０３をコーティングして帯電ローラとした。 - 特許庁
  • After the silicon substrate is rinsed with an extrapure water for 5 minutes, the silicon substrate 1 is immersed in a perchloric acid water solution of 72.4 vol% concentration heated at 203°C for 37 minutes, to form a silicon oxide film 5 on the surface of the silicon substrate 1.
    シリコン基板１を超純水で５分間リンス（洗浄）した後、このシリコン基板１を、２０３℃に加熱した濃度７２．４vol.％の過塩素酸水溶液８に３７分間浸漬し、シリコン基板１の表面にシリコン酸化膜５を形成する。 - 特許庁
  • A sample solution is obtained by adding perchloric acid and sulphuric acid to a sample of ruthenium hydroxide containing the impurity such as chrome, volatilizing and removing the ruthenium in the sample by heating, evaporating, and drying it, cooling the obtained sample, and then adding water and hydrochloric acid to dissolve the sample again, thereby quantitatively determining inpurity contained.
    クロムなどの不純物を含有する水酸化ルテニウムの試料に過塩素酸と硫酸を添加し、加熱して蒸発乾固することにより試料中のルテニウムを揮発させて除去し、得られた試料を放冷した後、水と塩酸を加えて試料を再溶解することにより得られた試料溶液中に含まれる不純物を定量する。 - 特許庁
  • Wet etching is performed upon the highly insulated thin layer at a room temperature in a mixed liquid of hydrofluoric acid, perchloric acid, other perhalogenated element acid, and the like such that an etching rate of the layer becomes ≥10 Å/min, at the same time, an etching rate of silicon oxide, USG or polysilicon becomes ≤10 Å/min all and a selection ratio becomes appropriate for needs of respective processes.
    弗化水素酸と過塩素酸やその他の過ハロゲン族元素酸の混合液により、室温下で高絶縁性薄層に対してウェットエッチングを行い、該層のエッチング率が10Å／min以上になるようにし、同時に酸化シリコンやUSG，或いはポリシリコン等のエッチング率が皆10Å／min以下であり且つ選択比は各工程の必要に適した比率となるようにする。 - 特許庁
  • The etchant for conductive films is characterized in that it contains at least ceric ammonium nitrate; an etching agent (a) for conductive film having at least one selected from the group consisting of perchloric acid, nitric acid and acetic acid; and a compound (b) represented by general formula (1): (Rf1SO_2)(Rf2SO_2)NX.
    少なくとも硝酸第二セリウムアンモニウムと、過塩素酸、硝酸および酢酸から選ばれる少なくとも１種とを有する導電膜用エッチング剤（ａ）と、下記の一般式（１）で表される化合物（ｂ）とを含有することを特徴とする導電膜用エッチング液、および該エッチング液を使用した導電膜のエッチング方法。 - 特許庁
  • A slurry-like sample is prepared by adding acetic acid to slurry formed by adding formic acid of 10-60 ml (25°C reference) to amino acids-zinc complex of 1 g and stirring them, and amino acids contained in the amino acids-zinc complex in the sample are quantitatively determined by titrating the sample using perchloric acid.
    アミノ酸類−亜鉛錯体1gに対し10〜60ml（25℃基準）のギ酸を加えて撹拌して形成したスラリーに酢酸を添加することによりスラリー状の試料を調製し、該試料について過塩素酸を用いた滴定を行うことにより前記試料中のアミノ酸類−亜鉛錯体に含まれるアミノ酸類を定量する。 - 特許庁
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