A non-crosslinked negative resist is used for the formation of the pattern of the word line in a nonvolatile semiconductor storage device and an alternatephase inverted arrangement of a phase-shift exposure is performed on the negative resist. 不揮発性半導体記憶装置のワード線のパターン形成に非架橋系ネガレジストを用い、交互位相反転配置の位相シフト露光を行う。 - 特許庁
A control unit (5) controls each of the switching elements (Srp, ..., Stn) so that line voltages between a basis phase and the other phases are output to the two DC link sections (L1, L2), in time division, assuming one phase of the input three-phase alternate current to be the basis phase. また、制御部(5)は、入力三相交流の1つの相を基準相として、基準相と他のそれぞれの相との線間電圧が時分割で2つの直流リンク部(L1,L2)に出力されるように、それぞれのスイッチング素子(Srp,…,Stn)を制御する。 - 特許庁