「Phase Transformation」を含む例文一覧(211)
1 2 3 4 5 次へ＞- PHASE TRANSFORMATION MEMORY DEVICE
相変化メモリ装置 - 特許庁 - METHOD OF MEASURING PHASE TRANSFORMATION AMOUNT UNDER PHASE TRANSFORMATION OF SUBSTANCE, AND INSTRUMENT THEREFOR
物質の相変態中の相変態量の測定方法及びその装置 - 特許庁 - MULTI-PHASE TRANSFORMER AND TRANSFORMATION SYSTEM
多相変圧器および変圧システム - 特許庁 - a phase space together with a transformation of that space
その空間の変化と位相空間 - 日本語WordNet - PHASE TRANSFORMATION MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD
相変化メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁 - DEVICE FOR ESTIMATING PHASE TRANSFORMATION DIAGRAM OF STEEL, METHOD FOR PREDICTING PHASE TRANSFORMATION DIAGRAM OF STEEL AND RECORDING MEDIUM
鋼材の相変態図推定装置、鋼材の相変態図予測方法及び記録媒体 - 特許庁 - PHASE TRANSFORMATION MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD
相変化記憶素子及びその製造方法 - 特許庁 - To provide a phase transformation memory element by which power consumption required for the phase transformation of a phase transformation film is minimized by minimizing a contact area of a current impression part brought into contact with the phase transformation film.
相変化膜と接触する電流印加部の接触面積を最小化して、相変化膜の相変化に必要な消費電力を最小化できる相変化メモリ素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a phase transformation memory element in which a current required for the phase transformation of a phase transformation film is reduced effectively, and to provide its manufacturing method.
相変化膜の相変化に必要な電流値を効果的に減少させた相変化記憶素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To accurately and easily measure a phase transformation amount under phase transformation of a substance.
物質の相変態中の相変態量を、正確、かつ簡便に測定できる方法を提供する。 - 特許庁 - TUNNELING AND PHASE-TRANSFORMATION MAGNETORESISISTANCE (TPMR) ELEMENT
トンネル相変態磁気抵抗（ＴＰＭＲ）素子 - 特許庁 - FORMING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE CONTAINING PHASE TRANSFORMATION FILM
相変化膜を含む半導体素子の形成方法 - 特許庁 - To prevent separation between an interlayer insulating film and a phase transformation film which constituts a memory layer of a phase transformation memory, and to prevent such a malfunction as the diffusion of constituent atoms of an adhesive layer interposed between the interlayer insulating film, and the diffusion of the phase transformation film in the phase transformation film to fluctuate characteristics of the phase transformation film.
相変化メモリの記憶層を構成する相変化膜と層間絶縁膜との剥がれを防止すると共に、層間絶縁膜と相変化膜との間に介在する接着層の構成原子が相変化膜内に拡散して相変化膜の特性を変動させる不具合を防止する。 - 特許庁 - NUMERICAL CONTROL DEVICE FOR CONTROLLING PHASE OF COORDINATE-TRANSFORMATION TOOL
座標変換工具位相制御用数値制御装置 - 特許庁 - To provide a phase transformation memory element and its production process.
相変化メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - DEVICE AND METHOD FOR MEASURING PHASE TRANSFORMATION RATE OF MATERIAL
材料の相変態率の計測装置及び計測方法 - 特許庁 - PHASE TRANSFORMATION MEMORY DEVICE AND ITS FABRICATION PROCESS
相変化メモリ装置および相変化メモリ装置の製造方法 - 特許庁 - The packing materials 2 are preferably materials of ≤100°C in the phase transformation point between a liquid phase and a solid phase.
充填材２は，液相と固相との相変態点が１００℃以下の物質であることが好ましい。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device called a phase transformation memory which can reduce current required for making a phase transformation layer start the phase transformation.
相変化層を安定して形成でき、相変化層に相変化を起させるために必要とされる電流を低減することができる相変化型メモリと呼ばれる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - The porous film can include a micro phase separation structure by a dry phase transformation.
多孔質膜は、乾式相転換によるミクロ相分離構造を有していてもよい。 - 特許庁 - To predict a phase transformation diagram pattern from the composition of steel.
鋼材の組成から相変態図パターンを予測することである。 - 特許庁 - At this time, the phase transformation film contains a specific element to make a processing temperature lower than the melting point of the phase transformation film.
この際、相変化膜は、熱処理工程の工程温度を相変化膜の熔融点より低くする特定元素を含む。 - 特許庁 - To provide a phase transformation memory element in which a current required for the phase transformation of a phase transformation film is reduced effectively and a contact area between a lower electrode and the phase transformation film can be made uniform over the entire region of a substrate, and to provide its manufacturing method.
相変化膜の相変化に必要な電流を効果的に低減し、基板の全領域に亘って、下部電極と相変化膜との間の接触面積を均一にすることができる相変化記憶素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - The mixture phase is composed of a fine γ phase precipitated through β phase transformation, α phase and a nontransformed residual fine β phase.
前記混合相は、β相の変態により析出された微細なγ相及びα相と変態されない残余の微細なβ相とからなるものである。 - 特許庁 - STEEL FOR LIQUID-PHASE DIFFUSION BONDING HAVING EXCELLENT RESISTANCE TO LOW-TEMPERATURE TRANSFORMATION CRACK
耐低温変態割れ性に優れた液相拡散接合用鋼材 - 特許庁 - METHOD FOR REFORMING SURFACE OF METALLIC MATERIAL HAVING NO SOLID-PHASE TRANSFORMATION AND SURFACE-REFORMED METALLIC MATERIAL HAVING NO SOLID-PHASE TRANSFORMATION
固相変態を有しない金属材料の表面改質法および表面改質された固相変態を有しない金属材料 - 特許庁 - PHASE CHANGE TYPE HEAT SPREADER, PASSAGE STRUCTURE, ELECTRONIC DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING PHASE TRANSFORMATION TYPE HEAT SPREADER
相変化型ヒートスプレッダ、流路構造体、電子機器及び相変化型ヒートスプレッダの製造方法 - 特許庁 - An inverse-Fourier-transformation section 44 performs inverse Fourier transformation with respect to the result of the Hilbert transformation, and generates signals having waveforms with their phase shifted by 90°.
逆フーリエ変換部４４は、ヒルベルト変換結果について逆フーリエ変換を行って位相を９０°ずらした波形の信号を生成する。 - 特許庁 - To provide a method for forming a semiconductor device containing a phase transformation film.
相変化膜を含む半導体素子の形成方法を提供する。 - 特許庁 - A Fourier transformation device 3 is constituted of a sampling circuit 10, a phase correction part 11, a Fourier transformation part 12, a synthesizer 13, and a phase corrector 14.
フーリエ変換装置３は、サンプリング回路１０、位相補正部１１、フーリエ変換部１２、合成器１３及び位相補正器１４で構成される。 - 特許庁 - To miniaturize a phase transformation memory device by minimizing the layer structure of the memory cell in the phase transformation memory device, and to simplify the structure while reducing the fabrication man-hour.
相変化メモリ装置のメモリセルの層構造を最小化し、相変化メモリ装置の小型化、構造の簡素化、製造工数の削減を図ること。 - 特許庁 - An edge of phase transformation layer 11 is formed above a lower electrode 13.
下部電極１３の上方に、相変化層１１のエッジ部を形成する。 - 特許庁 - To increase a spatial resolution and to improve phase recovery accuracy in radiation phase imaging of acquiring phase information of a subject using Fourier transformation and inverse Fourier transformation.
フーリエ変換及び逆フーリエ変換を用いて被写体の位相情報を取得する放射線位相イメージングにおいて、空間分解能を高めると共に位相復元精度を高める。 - 特許庁 - A distribution of a martensite phase transformation rate is measured by a measuring means, in the inspected object comprising the nonmagnetic material, a peak value Vα'_max of the martensite phase transformation rate is found out of the measured distribution of the martensite phase transformation rate Vα'.
非磁性体からなる被検査体のマルテンサイト相変態率の分布を測定手段で測定し、測定されたマルテンサイト相変態率Ｖα’の分布の中から、マルテンサイト相変態率ピーク値Ｖα’_ｍａｘを求める。 - 特許庁 - The thermal process has the processing temperature lower than the melting point of the phase transformation film.
熱処理工程は、相変化膜の熔融点より低い工程温度を含む。 - 特許庁 - From an obtained image a displayed phase image is obtained by applying a Fourier transformation phase shift method.
そして、得られた表示画像に対して、フーリエ変換位相シフト法を用いることで表示位相画像が求められる。 - 特許庁 - To provide a phase transformation type heat spreader and a passage structure which can increase a thermal efficiency based on phase transformation and reduce a thermal resistance, an electronic device including the phase transformation type heat spreader, and also a passage structure or the like for use in the electronic device.
相変化による熱効率を向上させ、熱抵抗を低減することができる相変化型ヒートスプレッダ、流路構造体、及び、この相変化型ヒートスプレッダを備えた電子機器これに用いられる流路構造体等を提供すること。 - 特許庁 - A phase transformation material layer is formed on at least one of the surfaces.
少なくとも一方の前記表面には、相変化材料層が形成されている。 - 特許庁 - The present invention discloses the article 300 having the surface 110 constituted to promote a phase transformation from a liquid phase to a gas phase, in one embodiment.
１つの実施形態は、液相から気相への相変態を促進するように構成された表面（１１０）を有する物品（３００）である。 - 特許庁 - To obtain demodulation data of a desired phase without regulating the phase of the demodulation data after a fast Fourier transformation is performed.
高速フーリエ変換を行った後に復調データの位相を調整することなく、所望の位相の復調データを得る。 - 特許庁 - To provide a technology of applying, to a rolling device, a titanium material controlled in phase transformation to eliminate a ω phase and to precipitate a new phase.
相変態を制御してω相を消失させるとともに新相を析出させたチタン材料を転動装置に対して適用する技術を提供する。 - 特許庁 - Quenching of the steelmaking slag also induces fracture due to phase transformation and difference in shrinking ratio.
また製鋼スラグの急冷による相変態と収縮率の差による破壊を生じさせる。 - 特許庁 - PHASE TRANSFORMATION BEHAVIOR MEASURING METHOD WITH CONSIDERATION TO ACCOMMODATION BEHAVIOR OF POLYCRYSTALLINE SHAPE MEMORY ALLOY
多結晶形状記憶合金のアコモデーション挙動を考慮した相変態挙動測定方法。 - 特許庁 - PHASE TRANSFORMATION BEHAVIOR MEASURING METHOD WITH CONSIDERATION TO ACCOMMODATION BEHAVIOR OF POLYCRYSTALLINE SHAPE MEMORY ALLOY
多結晶形状記憶合金のアコモデーション挙動を考慮した相変態挙動測定方法． - 特許庁 - To provide a phase transformation memory wherein current (reset current) necessary for changing to amorphous substance is reduced.
非晶質化のために必要な電流（リセット電流）を低減した相変化メモリを提供する。 - 特許庁 - In the preparing stage, metal magnetic particles 10 are prepared which have phase transformation by temperature variation.
準備工程では、温度変化により相変態を生じる金属磁性粒子１０を準備する。 - 特許庁 - The Cu-Zn-based alloy having a temperature range a where it becomes a β-phase single phase at a high temperature and a crystal structure comprising at least two phases containing α-phase at normal temperature, which are formed from β-phase by phase transformation, is subjected to a single hot extrusion at the temperature range of the β-phase single phase.
高温でβ相単相となる温度域を有し、β相からの相変態により常温でα相を含む２相以上の結晶組織を有するＣｕ−Ｚｎ系合金について、β相単相の温度域で１回の熱間押出を行う。 - 特許庁 - A sound image control section 12 corrects an input transformation coefficient of duplicated quadrature transformation by shifting a phase or the like based on the sound image control parameter.
音像制御部１２は、入力された重複直交変換による変換係数を音像制御パラメータに基づいて、位相をずらすなどで、補正する。 - 特許庁 - A coordinate restoration means 15 applies inverse transformation to the second phase-information symmetrically to the same coordinate axes to obtain restored phase-information.
座標復元手段１５により第２位相情報を前記と同じ座標軸に対称に逆変換して復元位相情報を得る。 - 特許庁 - In the edge, its cross-sectional surface is made into a taper shape so that the film thickness of the phase transformation layer may change in the upper portion of the contact area of the lower electrode and the phase transformation layer, and the edge is embedded into an oxide film 20.
エッジ部は、下部電極と相変化層とのコンタクトエリアの上方で相変化層の膜厚が変化するようにその断面がテーパー形状とされ、酸化膜２０により埋め込まれている。 - 特許庁
