REFLECTOR TYPE PHOTOCATHODE AND TRANSMISSION PHOTOCATHODE 反射型光電陰極及び透過型光電陰極 - 特許庁
PHOTOCATHODE PLATE AND ELECTRON TUBE 光電陰極板及び電子管 - 特許庁
TRANSPARENT PHOTOCATHODE AND ELECTRON TUBE 透過型光電陰極及び電子管 - 特許庁
PHOTOCATHODE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME フォトカソード及びフォトカソードの製作方法 - 特許庁
To provide a photocathode having no gaps or differences in level generated mainly at the part, where the inner wall of a photocathode electron gun and the photocathode are jointed. 主として、フォトカソード電子銃の内壁とフォトカソードとの接合部分に間隙や段差が生じないフォトカソードを提供する。 - 特許庁
PHOTOCATHODE AND ELECTRON TUBE HAVING THE SAME 光電陰極及びそれを備える電子管 - 特許庁
PHOTOCATHODE HIGH FREQUENCY ELECTRON GUN AND ELECTRON BEAM APPARATUS INCLUDING PHOTOCATHODE HIGH FREQUENCY ELECTRON GUN 光陰極高周波電子銃、および光陰極高周波電子銃を備えた電子線装置 - 特許庁
PHOTOCATHODE, ELECTRON TUBE, AND PHOTOMULTIPLIER TUBE 光電陰極、電子管及び光電子増倍管 - 特許庁
A photocathode having a good monochromaticity is used as an electron source. 単色性のよいホトカソードを電子源に用いる。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR PHOTOCATHODE AND PHOTOELECTRIC TUBE USING THE SAME 半導体光電陰極、及びそれを用いた光電管 - 特許庁
To provide a photocathode capable of surely fixing a photocathode plate without using an adhesive. 接着剤を使用することなく光電陰極板を確実に固定することが可能な光電陰極を提供する。 - 特許庁
The InGaAs photocathode image intensification tube is synchronized with a laser source. InGaAs光電陰極イメージ増強管はレーザーソースと同期する。 - 特許庁
To provide a photocathode electron source for a flat panel display device. フラット・パネル表示装置用のフォトカソード電子源を提供する。 - 特許庁
3. Image reinforcing tubes having a photocathode which falls under any of the following
(三) 次のいずれかに該当する光電陰極を有するもの - 日本法令外国語訳データベースシステム
CATHODE FOR COOLING TYPE HIGH QUANTUM EFFICIENCY PHOTOCATHODE (TYPE) ELECTRON RAY SOURCE 冷却式高量子効率フォトカソード型電子線源用陰極 - 特許庁
To provide: a photocathode capable of improving effectual quantum efficiency; an electron tube having the photocathode; and a photomultiplier tube. 実効的な量子効率を向上させることができる光電陰極、そのような光電陰極を備える電子管及び光電子増倍管を提供する。 - 特許庁
A laser beam which is diffracted by the optical diffraction element irradiates a photocathode. 回折光学素子で回折された回折光が、フォトカソードを照射する。 - 特許庁
PHOTOCATHODE ELECTRON SOURCE HAVING EXTRACTION LATTICE, DISPLAY SOURCE AND COMPUTER SYSTEM 抽出格子を有するフォトカソ—ド電子源、表示源およびコンピュ—タ・システム - 特許庁
Photoelectrons are emitted into the cavity from a photocathode by light irradiation. 光照射によってフォトカソードから空洞内に光電子が放出される。 - 特許庁
The second integration period is longer than an OFF time of a gating frequency of the photocathode. 第2の積分期間は、光電陰極のゲート周波数のオフ時間よりも長い。 - 特許庁
i. Image intensifier tubes possessing a photocathode coated with electrical conductive materials
1 イメージ増強管であって、導電材料で被覆した光電陰極を有するもの - 日本法令外国語訳データベースシステム
The electron tube 10 is provided with a photocathode 11, a positive electrode 17 and a vacuum vessel 18. 電子管10は、光電陰極11、陽極17、及び真空容器18を備える。 - 特許庁
Each pixel 115 includes a luminescent region 135 located next to a photocathode 125. 各画素115は、光電陰極125に隣り合って配置された発光領域135を含む。 - 特許庁
An InGaAs photocathode Image Intensifier is used to pass an amplified signal from a screen. InGaAs光電陰極イメージ増強管はスクリーンからの増幅信号を送信するために使用される。 - 特許庁
On this occasion, photoelectrons generated at the photocathode 33 are taken out from the dynode Dy_1. このとき、光電陰極33において発生した光電子はダイノードDy_1から取り出される。 - 特許庁
APPARATUS FOR COATING PARTIALLY HIGH QUANTUM EFFICIENCY SUBSTANCE ON TIP OF CATHODE OF PHOTOCATHODE TYPE ELECTRON RAY SOURCE フォトカソード型電子線源の陰極先端部への高量子効率物質の局所被覆装置 - 特許庁
To provide an electron tube capable of preventing deterioration of sensitivity of a photocathode and stable output for a long time, in the case where the photocathode and a photomultiplier part are provided. 本発明は、光電陰極と、電子増倍部とを有する電子管において、光電陰極の感度の劣化を防止し、長時間の使用に対して安定した出力が可能な電子管を提供する。 - 特許庁
iii. Image reinforcing tubes having a photocathode which uses a multi-alkali as the primary material and in which lumen sensitivity in said photocathode exceeds 350 microamperes per lumen and is 700 microamperes per lumen or less
3 主材料にマルチアルカリを用いた光電陰極を有するものであって、当該光電陰極のルーメン感度が三五〇マイクロアンペア毎ルーメン超七〇〇マイクロアンペア毎ルーメン以下のもの - 日本法令外国語訳データベースシステム
A dynode unit (DY1) at a second stage from a photocathode (200) supports a first dynode receiving photoelectrons from the photocathode (200), a first-stage dynode unit (DY2) supports a second dynode receiving secondary electrons from the first dynode. ホトカソード(200)から第2段目のダイノードユニット(DY1)は、ホトカソード(200)からの光電子を受ける第1ダイノードを支持しており、第1段目のダイノードユニット(DY2)は、第1ダイノードからの二次電子を受ける第2ダイノードを支持する。 - 特許庁
In this photocathode 10, the photocathode plate 16 is interposed between a face plate 11 and a supporting plate 19, and by joining first pins 12, 13 buried in the face plate 11 to the supporting plate 19, the photocathode plate 16 is easily, surely fixed to the face plate 11 without using adhesive. 本発明の光電陰極10によれば、光電陰極板16を面板11と支持板19で挟み込み、面板11に埋め込まれた第1ピン12,13と支持板19とを接合することにより、接着剤を用いることなく光電陰極板16が面板11に容易にかつ確実に固定される。 - 特許庁
In a semiconductor photocathode C1, the characteristic of quantum efficiency to the wavelength depends on the applied voltage. 半導体光電陰極C1は、印加電圧に応じて波長に対する量子効率の特性が異なる。 - 特許庁
To provide a photocathode and an electron tube capable of efficiently emitting photoelectron excited by incident light. 入射光により励起された光電子を効率よく放出できる光電陰極及び電子管を提供する。 - 特許庁
To provide a system and a method for increasing quantum efficiency in a photocathode within a multiplication type array detector. 増倍型アレイ検出器内の光電陰極の量子効率を増大させるシステムおよび方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a semiconductor photocathode with high sensitivity in an infrared region and to provide a photoelectric tube using it. 赤外領域で良好な感度を有する半導体光電陰極、及びそれを用いた光電管を提供すること。 - 特許庁
With this structure, a focusing distance (D) from the photocathode (200) to the first-stage dynode unit (DY2) is shortened and the effective region (AR1) is enlarged to effectively reduce variations in transit time of photoelectrons propagating from the photocathode (200) to the first-stage dynode unit (DY2). この構成により、ホトカソード(200)から第1段目のダイノードユニット(DY2)までのフォーカス距離(D)が短縮され、有効領域(AR1)が拡大され、ホトカソード(200)から第1段目のダイノードユニット(DY2)へ向かう光電子の走行時間のバラツキが効果的に低減される。 - 特許庁
The material is adhered onto the surface 103 of a photocathode means 102 by evaporation from the extraction lattice 104. この材料は、抽出格子(104)からの蒸発によってフォトカソード手段(102)の表面(103)上に付着させる。 - 特許庁
To provide a photocathode capable of obtaining a large amount of emission current even if a chemically stable material is used for an electron emitting surface. 化学的に安定な物質を電子放出面に用いても、大きな放射電流が得られる光電陰極を提供する。 - 特許庁
Thereby, ion feedback of positive ions generated near the first stage dynode 24a to the photocathode 20 can be effectively prevented, which prevents deterioration of sensitivity of the photocathode 20 and enables stable output for a long time. これによって、第1段ダイノード24a付近に発生する正イオンの光電陰極20へのイオンフィードバックを効果的に抑制することができ、その結果、光電陰極20の感度の劣化は防止されて、長時間の使用に対して安定した出力が可能となる。 - 特許庁
An ion confinement electrode 22 and an ion trap electrode 23 are arranged between a photocathode 20 and a first stage dynode 24a. 光電陰極20と、第1段ダイノード24aとの間に、イオン閉じ込め電極22及びイオントラップ電極23が配設されている。 - 特許庁
The extraction lattice means 104 can be used as a carrier of non-firing photo-electron emissive material forming the emission face of the photocathode. この抽出格子手段は、フォトカソードの放出面を形成する非ファイヤリング光電子放出材料のキャリヤとして使用することができる。 - 特許庁
A negative bias voltage is applied to a photocathode K from a bias power supply terminal 6, in order to bring the anode A of a photomultiplier tube 2 to be at the zero potential. 光電子増倍管2の陽極Aをゼロ電位とするため、光電陰極Kに対してバイアス電源端子6から負のバイアス電圧を印加する。 - 特許庁
The positive electrode 17 is arranged in opposition to the photocathode 11 to collect photoelectron e2 emitted from the CNT of the light absorption layer 14. 陽極17は光電陰極11と対向して配置され、光吸収層14のCNTから放出された光電子e2を収集する。 - 特許庁
The semiconductor photocathode is equipped with first and second group III-V compound semiconductor layers to which the p-type impurity is doped and which are hetero-joined to each other. 半導体光電陰極は、p型の不純物がドープされ、且つ互いにヘテロ接合する第1および第2のIII−V族化合物半導体層を備える。 - 特許庁
Further, a dynode pin (430), as an electron multiplier section (400) is viewed from a photocathode (200) side, is retained within an effective region (AR1) of the electron multiplier section (400) contributing to secondary electron multiplication. また、ダイノードピン(430)は、ホトカソード(200)側から電子増倍部(400)を見たとき、二次電子増倍に寄与する電子増倍部(400)の有効領域(AR1)内において保持される。 - 特許庁
To provide a photocathode and an electron tube capable of detecting light of a comparatively long wavelength and enabled to be manufactured in a simple manufacturing process. 比較的長い波長の光を検出可能で、且つ簡易な製造工程によって製造可能な光電陰極及び電子管を提供する。 - 特許庁
To provide a photocathode capable of improving S/N ratio by restraining lowering of a spectral sensitivity when temperature is lowered. 温度を低くした場合における分光感度の低下を抑制することにより、S/N比の改善を図ることができる光電陰極を提供する。 - 特許庁
(lii) Among photomultiplier tubes with photocathode area exceeding 20 square centimeters, those with an anode pulse rise time less than 1 nanosecond
五十二 光電子増倍管であって、光電陰極の面積が二〇平方センチメートルを超えるもののうち、陽極パルス立上がり時間が一ナノ秒未満のもの - 日本法令外国語訳データベースシステム
As a result, amplified light is radiated on an electron supply film 30, and thereby, an electron 7 emitted from a photocathode film 3 is radiated into a vacuum 6. その結果、電子供給膜30には、増幅された光が照射されることになり、これにより、光電陰極膜3から放射電子7が真空6中へ放射される。 - 特許庁