ALUMINUM (POLY)PHOSPHATE-SILOXANE COCONDENSATE, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND SEALANT CONTAINING THE SAME (ポリ)リン酸アルミニウムシロキサン共縮合物、その製法およびそれを含む封孔剤 - 特許庁
GRAFT COPOLYMER HAVING POLY(QUATERNARY-AMMONIUM SALT) SIDE CHAIN, AND ELECTROLYTE FILM ポリ(4級アンモニウム塩)側鎖を有するグフラト共重合体および電解質膜 - 特許庁
HEAT-STABILIZED POLY(ETHYLENE NAPHTHALATE) FILM FOR FLEXIBLE ELECTRONIC AND PHOTOELECTRONIC DEVICES 可撓性電子および光電子素子用の熱安定化されたポリ(エチレンナフタレート)フィルム - 特許庁
The gel substance contains a poly ion complex formed by PAn and PDBM. このゲル状物は、PAnとPDBMとで形成されるポリイオンコンプレックスを含む。 - 特許庁
To provide a peptide-based compound comprising a peptide moiety and a poly(ethylene glycol) moiety. ペプチド部分とポリ(エチレングリコール)部分とを含有するペプチド系化合物の提供。 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING POLY-γ-GLUTAMIC ACID AND MICROORGANISM USED IN THE PRODUCTION METHOD ポリ−γ−グルタミン酸の製造法及びその製造法に用いられる微生物 - 特許庁
POLY(PHENYLENE SULFIDE) DENDRIMER, CARBOXYLATED FOCAL PHENYLENE SULFIDE DENDRON AND MANUFACTURING METHODS FOR THEM ポリ(フェニレンスルフィド)デンドリマー、カルボキシフォーカルフェニレンスルフィドデンドロン及びこれらの製造方法 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING POLY PSEUDOROTAXANE, METHOD OF MANUFACTURING CROSSLINKED PRODUCT, AND METHOD FOR RECOVERING POLYMER ポリ擬ロタキサンの製造方法、架橋体の製造方法及びポリマーの回収方法 - 特許庁
UNSATURATED CARBOXYLIC ACID-MODIFIED POLY-α-OLEFIN RESIN COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME 不飽和カルボン酸変性ポリ−α−オレフィン樹脂組成物および製造方法 - 特許庁
SPUN YARN FROM POLY(PARA-PHENYLENE TEREPHTHALAMIDE) STAPLE, FIBER STRUCTURE AND PROTECTING MATERIAL ポリパラフェニレンテレフタルアミド短繊維からなる紡績糸、繊維構造物および防護材 - 特許庁
COLORLESS AND ORGANIC SOLVENT-SOLUBLE AROMATIC POLY(ETHERIMIDE), ITS SOLUTION IN ORGANIC SOLVENT AND ITS PREPARATION 無色有機可溶性芳香族ポリ(エ—テルイミド)、その有機溶液、およびその調製 - 特許庁
POLY(ARYLENE ETHER) COMPOUND, COMPOSITION CONTAINING THE SAME AND METHOD FOR PRODUCING THEM ポリアリーレンエーテル系化合物、それを含有する組成物、およびそれらの製造方法 - 特許庁
The fluorine-containing organic group-substituted poly-p-phenylene resin is represented by general formula (1). 下記一般式(1)で表されるフッ素含有有機基置換ポリp−フェニレン樹脂。 - 特許庁
The emitter 83 and the collector 84 of the LDD structures are manufactured by forming poly-si gates 210 and 211 in a lateral pnp transistor forming region 200 at the time of forming a poly-si gate 210 in a MOSFET forming region 100, and implanting ions twice in the region 200 in the same way as in the region 100. LDD構造のエミッタ83及びコレクタ84は、MOSFET形成領域100にpoly-siゲート210を形成するときに、ラテラルPNPトランジスタ形成領域200にもpoly-siゲート210、211を形成し、領域200に対しても領域100に対してと同様に二回のイオン注入を行なうことによって製造される。 - 特許庁
The skin external preparation comprises: (a) one ore more selected from the poly-γ-L-glutamic acid, the salt of the poly-γ-L-glutamic acid, the poly-γ-L-glutamic acid cross-linked product, and the salt of the poly-γ-L-glutaminic acid cross-linked product; and (b) a starch-acrylic acid block polymer and/or its salt. (a)ポリ−γ−L−グルタミン酸、ポリ−γ−L−グルタミン酸の塩、ポリ−γ−L−グルタミン酸架橋体およびポリ−γ−L−グルタミン酸架橋体の塩の中から選ばれる1種または2種以上と、(b)デンプン・アクリル酸ブロック重合体及び/又はその塩を含有することにより、目的とする皮膚外用組成物が提供された。 - 特許庁
The polylactic acid resin composition contains a layered clay mineral, a polylactic acid-layered clay mineral complex consisting of either of a poly-L-lactic acid or a poly-D-lactic acid bound to the layered clay mineral and either of the poly-L-lactic acid or the poly-D-lactic acid not bound to the layered clay mineral. 層状粘土鉱物と、前記層状粘土鉱物と結合しているポリL乳酸及びポリD乳酸のうちの一方とからなるポリ乳酸−層状粘土鉱物結合体、及び 層状粘土鉱物と結合していないポリL乳酸及びポリD乳酸のうちの他方、を含有することを特徴とするポリ乳酸樹脂組成物。 - 特許庁
An ion implantation of arsenic is made into the poly-Si layer 4a remained in the MOSFET-formed region, and the ion implantation of arsenic is made into the poly-Si layer 4b remained in the poly-Si resistive-element-formed region at the same time. そして、MOSFET形成領域に残したPoly−Si層4aに対してヒ素のイオン注入を行なうと同時に、Poly−Si抵抗体形成領域に残したPoly−Si層4bに対してもヒ素のイオン注入を行なう。 - 特許庁
To provide a polishing agent for a silicon oxide capable of polishing a silicon oxide film on a poly-silicon film at high speed and suppressing polish proceeds of the poly-silicon film when the poly-silicon film is exposed, in the method for manufacturing a semiconductor device, and the polishing method using the polishing agent. 半導体製造方法において、ポリシリコン膜上の酸化ケイ素膜を高速で研磨でき、かつ、ポリシリコン膜の露出時にポリシリコン膜の研磨の進行を抑えることができる酸化ケイ素用研磨剤とそれを用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁
To provide a use of a poly-γ-glutamic acid exhibiting immunoenhancing and modulating effects. 免疫増強および調節効果を示すポリガンマグルタミン酸の用途を提供すること。 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING AQUEOUS DISPERSION OF COMPLEX OF POLY(3,4-DIALKOXYTHIOPHENE) WITH POLYANION ポリ(3,4−ジアルコキシチオフェン)とポリ陰イオンとの複合体の水分散体の製造方法 - 特許庁
To provide a method to prevent seams from occurring in poly deposition for floating gates. フローティングゲート用ポリ蒸着時にシームが発生することを防止する方法を提供する。 - 特許庁
Thus, anybody can repeatedly use the poly bag without any resistance. 従って、誰でも、どこでも、レジ袋を抵抗なく再三にわたって使用することができる。 - 特許庁
SALT-TOLERANT BACILLUS SUBTILIS VAR. CHUNGKOOKJANG STRAIN PRODUCING HIGH MOLECULAR WEIGHT POLY-γ-GLUTAMIC ACID 高分子量のポリ−γ−グルタミン酸を生産する耐塩性バチルスズブチリスチョングッチャン株 - 特許庁
Polyethylene fluoride, poly chlorinated biphenyl, and dioxin are preferable as the organic halogen compound. (5) 有機ハロゲン化合物としては、ポリ弗化エチレン、ポリ塩化ビフェニル、およびダイオキシンが好ましい。 - 特許庁
MONO-, OLIGO-, AND POLY-BIS(THIENYL)ARYLENE AND USE THEREOF AS CHARGE TRANSFER MATERIAL モノ、オリゴおよびポリビス(チエニル)アリーレン並びに電荷移動材料としてのこれらの使用 - 特許庁
It is believed that a thiophene monomer can polymerize along the chains of a poly(ionic liquid). チオフェンモノマーは、ポリ(イオン液体)の連鎖に沿って重合することができると考えられる。 - 特許庁
To stably provide a crosslinked product of a poly-γ-L-glutamic acid, having a desired quality. 所望の品質を有するポリ−γ−L−グルタミン酸架橋体を安定に提供する。 - 特許庁
The semiconductor device 10 includes a gate electrode 17 of multilayer structure having a poly silicon (poly-Si) layer 13, a tungsten silicide (WSi) layer 14, a tungsten nitride (WN) layer 15, and a tungsten (W) layer 16, which are laminated sequentially on a gate insulating film 12. 半導体装置10は、ゲート絶縁膜12上に順次に積層された、多結晶シリコン(poly-Si)層13、タングステン・シリサイド(WSi)層14、タングステン・ナイトライド(WN)層15、及び、タングステン(W)層16を有する多層構造のゲート電極17を備える。 - 特許庁
To provide a method for inexpensively and easily producing a crosslinked poly(meth)acrylic acid nitroxide compound having a high free radical concentration in a crosslinked poly(meth)acrylic acid nitroxide compound obtained by crosslinking a poly(meth)acrylic acid nitroxide compound. 本発明は、ポリ(メタ)アクリル酸ニトロキシド化合物が架橋されてなる架橋ポリ(メタ)アクリル酸ニトロキシド化合物に関し、高いラジカル濃度を有する架橋ポリ(メタ)アクリル酸ニトロキシド化合物を安価で容易に製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
MONO-, OLIGO- AND POLY-4-FLUOROTHIOPHENE AND THEIR USE AS CHARGE-TRANSFER SUBSTANCE モノ、オリゴおよびポリ−4−フルオロチオフェンおよびこれらの電荷移動物質としての使用 - 特許庁
To obtain a high-quality poly-Si film and MOS interface at a low processing temperature. 低いプロセス温度で高品質のpoly−Si膜およびMOS界面を得る。 - 特許庁
This method comprises a step of forming a poly-Si layer 5 on a conductive layer 2, and a step of forming a Ti film by CVD on the poly-Si layer 5 and forming a TiSix film 6 by reaction with the Ti film and the poly-Si layer. 導電層2上にpoly−Si層5を形成する工程と、poly−Si層5の上にCVDによりTi膜を成膜し、Ti膜とpoly−Si層との反応によりTiSi_x膜6を形成する工程とを具備する。 - 特許庁
To provide a poly-sulfone composition excellent in light-resistance and having a sufficient mechanical physical property. 耐光性に優れ、良好な機械物性を有するポリスルホン組成物を提供する。 - 特許庁
Consequently, the lower semiconductor layer 42 can be prevented from being poly-crystallized when the lower layer is irradiated with the excimer laser beam. エキシマレーザビームの照射による下部半導体層42の多結晶化を防止できる。 - 特許庁
To provide a method for producing a low molecular weight poly(2,6-diarylphenylene ether) in high efficiency. 低分子量ポリ(2,6−ジアリールフェニレンエーテル)を効率良く製造する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a poly(imide-siloxane) resin composition that is excellent in mechanical properties and heat resistance. 機械的物性と耐熱性に優れたポリ(イミド−シロキサン)樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a microporous poly(vinylidene difluoride) membrane having high asymmetricity and a high flow rate. 高い非対称度と高い流量を有する微多孔性ポリ二弗化ビニリデン膜の提供。 - 特許庁
The composition comprises a poly(meth)acrylate represented by formula (III) and a photopolymerization initiator. 式(III)で表される多価(メタ)アクリレートおよび光重合開始剤を含む組成物。 - 特許庁
MONOMER, OLIGOMER, POLY(3-ALKYNYLTHIOPHENE) AND USE THEREOF AS CHARGE-TRANSFER MATERIAL モノマー、オリゴマーおよびポリ(3−アルキニルチオフェン)ならびにそれらの電荷移動材料としての使用 - 特許庁