「Post-Memory」を含む例文一覧(104)
＜前へ 1 2 3- When an ACC power source detecting part 16 detects a turning off of the ACC power source, on the basis of its OFF signal, a microcomputer part 14 stores data stored in an internal memory into an EEPROM 17, and after performing a post-processing of a deck mechanism part 13, it controls a control switch 18 for cutting off feeding of the +B power source to a power source part 12.
ＡＣＣ電源検出部１６がＡＣＣ電源オフを検出すると、そのオフ信号によりマイコン部１４は、内部メモリに保持したデータをＥＥＰＲＯＭ１７に記憶するとともに、デッキメカ部１３の後処理を行った後、制御スイッチ１８を制御して＋Ｂ電源の電源部１２への供給を遮断する。 - 特許庁 - In an RPU 23 for applying real time processing to pixel data from a CCD 21, a CPU 24 performs software program processing only to special exceptional image processing which is not prepared and in following post-processing for performing general image processing, pixel data temporarily stored in a main memory 29 are inputted to the RPU 23 again and processed.
ＣＣＤ２１からの画素データに実時間処理を施すためのＲＰＵ２３において、予め用意されない特殊な例外的画像処理だけをＣＰＵ２４でソフトウェアプログラム処理し、その後に一般画像処理を行うポスト処理では、一旦主メモリ２９に蓄えた画素データを再度ＲＰＵ２３に入力して処理する。 - 特許庁 - This method is executed by a device configured of a document reading control means 101, a display means 102, a display unit 103, a document element color measuring means 104, a memory means 105, a color arrangement database 106, a color arrangement evaluating means 107, a color arrangement changing means 108, and a post-color arrangement change optimal document selecting means 109.
本発明の方法は、文書読込み制御手段１０１、表示手段１０２、表示装置１０３、文書要素測色手段１０４、メモリ手段１０５、配色データベース１０６、配色評価手段１０７、配色変更手段１０８、および配色変更後最適文書選択手段１０９を含み構成される装置により実行される。 - 特許庁 - To provide a nonvolatile semiconductor memory having proper cell operation characteristics, by suppressing impairment of film quality resulting from a post-heating process, when a rare earth oxide, a rare earth nitride or a rare earth oxinitride containing a rare earth element is employed as an inter-electrode insulating film or a block insulating film, thereby avoiding crystallization or deterioration in the permittivity.
本発明の課題は、希土類元素を含む希土類酸化物、希土類窒化物、または、希土類酸窒化物を電極間絶縁膜やブロック絶縁膜として用いる場合、後熱工程に起因する膜質劣化を抑制し結晶化や誘電率低下を回避して、セル動作特性の良好な不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法を提供することにある。 - 特許庁
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