「Potential difference」を含む例文一覧(2044)
＜前へ 1 2 .... 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41- In the PM amount detection system, a porous structure including a pair of electrodes disposed in the flow direction of the exhaust gas and a solid electrolyte interposed between the electrodes is arranged in an exhaust passage of the internal combustion engine and the amount of the PM in the exhaust gas is specified based on a potential difference generated between the electrodes as a parameter.
本発明に係わるＰＭ量検出システムは、上記した課題を解決するために、排気の流れ方向に配列された一対の電極と、それら電極間に介装された固体電解質と、を含む多孔質の構造体を内燃機関の排気通路に配置し、前記電極間に生じる電位差をパラメータとして排気中のＰＭ量を特定するようにした。 - 特許庁 - A high voltage DC power supply 104 that is capable of both sourcing and sinking current at any polarity of output voltage level is coupled to at least one built-in electrode 118 of an electrostatic chuck 114 to dynamically control the chucking voltage in accordance with any parameters of optimal chucking, including a leakage current, a potential difference between the wafer and chuck, and a backside gas leakage rate.
任意の極性の出力電圧レベルにおいて、電流をソーシング及びシンキング両方に実施できる高圧直流電源１０４を、静電チャック１１４の少なくとも１つの埋込み電極１１８に結合し、漏れ電流、チャック対ウェーハ電位、後部ガス漏れレート等を含む最適チャッキングの任意の指標に応じて、チャッキング電圧を動的に制御する。 - 特許庁 - The potential difference between the Schottky electrode 3 and a cathode electrode 4 varies, and thereby a condition where current is carried between the Schottky electrode 3 and the cathode electrode 4 and a condition where the n^- semiconductor layer 2 surrounded by the p-type semiconductor layers 5a, 5b is formed into a depletion layer to cut a current path between the Schottky electrode 3 and the cathode electrode 4 can be selected.
ショットキー電極３とカソード電極４との電位差が変化することにより、ショットキー電極３とカソード電極４との間に電流を流す状態と、ｐ型半導体層５ａ，５ｂに囲まれるｎ^-半導体層２を空乏層化させてショットキー電極３とカソード電極４との間の電流経路を遮断する状態とを選択可能である。 - 特許庁 - When different voltages are applied to respective electrode/heat sink plates 73P and 73N by the temperature controller 62 and potential difference is generated between the p-type semiconductor 72P and the n-type semiconductor 72N, the metal well 71 flows electric current and carries heat from one of the p-type semiconductor 72P and the n-type semiconductor 72N to the other to exert Peltier effect.
温度制御部６２により電極兼放熱板７３Ｐ，７３Ｎの各々に異なる電圧が印加されて、ｐ型半導体７２Ｐとｎ型半導体７２Ｎとの間に電位差が生じた場合、金属製ウェル７１は、ｐ型半導体７２Ｐとｎ型半導体７２Ｎとの一方から他方へ電流を流すと共に熱を伝搬することで、ペルチェ効果を生じさせる。 - 特許庁 - The second output terminal OUT2 outputs a third voltage DCLNA having a predetermined potential difference from the second voltage DCLNB to a third load 44 so provided as to electrically connect to the second load 45, and receives a load current flowing through the second and third loads 44 and 45 according to the output of the second voltage DCLNB and third voltage DCLNA.
第２出力端子ＯＵＴ２は、第２電圧ＤＣＬＮＢと所定の電位差を有する第３電圧ＤＣＬＮＡを、第２負荷４５と電気的に導通する状態に設けられた第３負荷４４に出力するとともに、第２電圧ＤＣＬＮＢおよび第３電圧ＤＣＬＮＡの出力に応じて第２，第３負荷４４，４５を介して流れる負荷電流を受け取る。 - 特許庁 - The stationary induction apparatus is constituted by supporting with an insulation a conductive shield material 5 which is discontinuous in a peripheral direction of a magnetic iron core between cylindrical winding (3) wound around a periphery of the magnetic iron core 1 and members (2, 4) having a potential difference, and opposing the conductive shield material along the overall length of the cylindrical winding (3).
本発明は、磁性鉄心１の周囲に装着された円筒型巻線（３）と電位差のある部材（２，４）との間に前記磁性鉄心の周方向に不連続となる導電性シールド材５を絶縁材によって支持して配置すると共に、この導電性シールド材を前記円筒型巻線（３）の長手方向全長に亘って対向させて静止誘導電器を構成したのである。 - 特許庁 - The semiconductor device includes: a sense amplifier SA amplifying potential difference of global bit lines GBL1, GBL2; a plurality of hierarchical switches SW connected to the global bit lines GBL1, GBL2; memory mats MAT1, MAT2 including a plurality of local bit lines connected respectively to the global bit lines GBL1, GBL2 through the hierarchical switch SW; and a control circuit activating the hierarchical switch SW.
グローバルビット線ＧＢＬ１，ＢＧＬ２の電位差を増幅するセンスアンプＳＡと、グローバルビット線ＧＢＬ１，ＢＧＬ２に接続された複数の階層スイッチＳＷと、階層スイッチＳＷを介してグローバルビット線ＧＢＬ１，ＧＢＬ２にそれぞれ接続される複数のローカルビット線を含むメモリマットＭＡＴ１，ＭＡＴ２と、階層スイッチＳＷを活性化させる制御回路と、を備える。 - 特許庁 - The semiconductor storage device includes a memory cell array MA having memory cells MC arranged therein at respective intersections between bit lines BL and word lines WL, a plurality of memory blocks 1 in which the memory cell arrays MA are laminated, and a control circuit configured to apply a voltage to a selected memory cell MC positioned at an intersection between the selected bit line BL and the selected word line WL so that a certain potential difference is applied thereto.
半導体記憶装置は、メモリセルＭＣがビット線ＢＬ及びワード線ＷＬの交差部に配置されたメモリセルアレイＭＡと、メモリセルアレイＭＡが積層された複数のメモリブロック１と、選択ビット線ＢＬ及び選択ワード線ＷＬの交差部に配置された選択メモリセルＭＣに所定の電位差がかかるよう電圧を印加する制御回路とを備える。 - 特許庁 - The composite material is obtained that causes an ion conduction membrane to be deformed, by joining conductive cloth (preferably having elasticity), which is made conductive by plating a metal on or injecting metal complex into the cloth as electrodes, on both sides of the ion conductive membrane (an ion exchange membrane or a membrane impregnated with an ionic liquid) comprising a fluorine system resin and the like, and by giving the potential difference.
フッ素系樹脂等からなるイオン伝導膜（イオン交換膜またはイオン液体を含浸させた膜）の両面に、電極として布帛に金属をめっき又は金属錯体注入により導電化した導電性布帛（好ましくは伸縮性を有するもの）を接合させて、電位差を与えることでイオン伝導膜に変形を生じせしめる複合材料を得る。 - 特許庁 - The temperature sensor comprises: a first electrode sensor; a second electrode sensor; a dielectric layer sandwiched between the first and the second electrode layer and is provided with a first dielectric with a volume that is changed by temperature change; and a temperature-calculating section for calculating a temperature corresponding to the potential difference between the first and the second electrode layer.
第１の電極層と、第２の電極層と、前記第１の電極層と前記第２の電極層との間に挟まれ、温度変化によって体積が変化する第１の誘電体が設けられた誘電体層と、前記第１の電極層と前記第２の電極層との間の電位差に対応する温度を算出する温度算出部と、を備えることを特徴とする温度センサー。 - 特許庁 - An overcurrent protective device used for a MOSFET 101 is equipped with a PTC thermistor 104, disposed between the source electrode 102 and source terminal 103 of the MOSFET 101 and a bipolar transistor 106, which is connected between the gate electrode 105 and the source terminal 103 for reducing the gate voltage of the MOSFET 101 due to a rise in a potential difference across the thermistor 104.
ＭＯＳＦＥＴ１０１に用いる過電流保護装置であり、ＭＯＳＦＥＴ１０１のソース電極１０２とソース端子１０３間に配置された正特性サーミスタ１０４と、ゲート電極１０５とソース端子１０３間に接続され、正特性サーミスタ１０４の両端電圧の上昇により、ＭＯＳＦＥＴ１０１のゲート電圧を低下させるバイポーラトランジスタ１０６とを備えた。 - 特許庁 - In the liquid crystal display device 100, pixels which are constituted of a liquid crystal layer, display electrodes disposed across the liquid crystal layer, and a counter electrode composed of a transparent electrode material are arranged in a matrix form, and a gray scale per pixel is expressed by applying a drive voltage equivalent to a potential difference between the display electrode and the counter electrode to the liquid crystal layer.
液晶表示装置１００は、液晶層と、この液晶層を挟んで配置される表示電極と透明電極素材で構成された対向電極とで成る画素をマトリクス状に配置し、前記液晶層に前記表示電極と前記対向電極との電位差に相等する駆動電圧を印加することで一画素当たりの階調を表現する。 - 特許庁 - The first doped semiconductor regions 18 and the second doped semiconductor regions 28 are electrically grounded or forward-biased relative to the bottom semiconductor layer at a voltage that is insufficient to cause excessive current due to forward-biased injection of minority carriers into the bottom semiconductor layer, i.e., at a potential difference not exceeding 0.6V to 0.8V.
第１のドープされた半導体領域１８及び第２のドープされた半導体領域２８は、共にグランド電位に接続されるか、又は底部半導体層への少数キャリアの順方向バイアス注入に基づく過剰な電流を生じるには不十分は電圧、即ち、０．６Ｖ乃至０．８Ｖを越えない電位差を保って底部半導体層に対して順方向バイアスされる。 - 特許庁 - The process for fabricating a semiconductor device comprises a step for irradiating a substrate 12 being processed with charged particles 13 through a stencil mask 11 having an opening disposed oppositely to the substrate 12 being processed, wherein the potential difference between the stencil mask 11 and the substrate 12 being processed is regulated depending on the level of a current flowing between the substrate 12 being processed and the ground.
被処理基板１２に対して対向して配置された、開口部を有するステンシルマスク１１を介して、前記被処理基板１２に荷電粒子１３を照射する工程において、前記被処理基板１２とグランドの間を流れる電流値に応じて、前記ステンシルマスク１１と前記被処理基板１２との電位差を調整することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 - 特許庁 - The attracting device 3 has a positive electrode disposed on the lower face of the working arm 12, a negative electrode disposed adjacent to the positive electrode on the lower face of the working arm 12, an insulating layer to cover the positive electrode and the negative electrode on the lower face of the working arm 12, and a voltage source to generate a potential difference between the positive electrode and the negative electrode.
吸着装置３を、加工用アーム１２の下面に設けられた正電極と、加工用アーム１２の下面に正電極と隣接して設けられた負電極と、加工用アーム１２の下面に正電極及び負電極を覆うようにして設けられる絶縁層と、正電極と負電極との間に電位差を生じさせる電圧源とを有する構成とする。 - 特許庁 - After ITO electrodes 2 are formed as an electrode pattern of a conductor material on a glass substrate 1 as an insulating substrate, the electrode surface of an electrode end of opposing electrode surfaces of ITO electrodes 2 possibly generating a potential difference, and the surface of the glass substrate 1 between the opposite electrodes are subjected to water repellent processing, thus forming a water repellent layer 3.
絶縁性基板としてのガラス基板１上に導体材料による電極パターンとしてのＩＴＯ電極２を形成後、電位差の生じ得る互いに対向するＩＴＯ電極２の電極表面のうち互いに対向する電極端部の電極表面と、該対向する電極間のガラス基板１表面とに撥水処理を施し、撥水層３を形成する。 - 特許庁 - To provide a liquid crystal display panel wherein a pattern of a transparent pixel electrode can be highly accurately formed in the liquid crystal display panel wherein a display state of a pixel is controlled by controlling electric potential difference between the pixel electrode and a counter electrode opposed to the pixel electrode via a liquid crystal, and to provide a manufacturing method of the liquid crystal display panel.
本願課題は、画素電極と、画素電極に液晶を介して対向する対向電極との間の電位差を制御することによって、画素の表示状態を制御する液晶表示パネルであって、透明画素電極のパターンを高精度に形成することを可能にする液晶表示パネル、及びそのような液晶表示パネルの製造方法を提供することである。 - 特許庁 - The insoluble anodes used in an apparatus for electroplating a steel strip as a cathode, which travels between two plates of insoluble anodes immersed in an electrolytic bath with a predetermined space, is characterized in that the external marginal parts 4 of the electrode surface, which are cathodically polarized due to potential difference between two plates of electrodes, are covered with platinum 5' as an electrode activation material.
電解浴に浸された２枚の不溶性陽極の間に所定間隔を置いて、陰極となる鋼帯が走行し、鋼帯の電気メッキを行う装置に使用される不溶性陽極において、電解中２枚の電極の電位差により陰分極を生じる電極面の外縁部４に、電極活物質として白金５′を被覆したことを特徴とする不溶性陽極である。 - 特許庁 - A local controller 32 is furnished every cell 2 of the fuel cell of the fuel cell stack 1, each local controller 32 is signal transferred so as to electrically insulate in one direction, a state signal of the cell 2 of the fuel cell is successively transferred to a main controller 4, and the potential difference between the cells 2 of each fuel cell is overcome while wiring and circuit constitution are simplified.
燃料電池スタック１の各燃料電池セル２ごとにローカルコントローラ３２を装備し、各ローカルコントローラ３２を一方向に電気絶縁可能に信号転送することにより、メインコントローラ４へ各燃料電池セル２の状態信号を順次転送することにより、配線や回路構成を簡素化しつつ各燃料電池セル２の電位差を容易に克服する。 - 特許庁 - The rectifier element 10 can selects a state where the difference in potential between the Shottky electrode 3 and the cathode electrode 4 changes to apply a current between the Shottky electrode 3 and the cathode electrode 4 and a state where the n^- semiconductor layer 2 surrounded by the p-type semiconductor layers 5a, 5b is made into a depletion layer to disconnect a current path between the Shottky electrode 3 and the cathode electrode 4.
ショットキー電極３とカソード電極４との電位差が変化することにより、ショットキー電極３とカソード電極４との間に電流を流す状態と、ｐ型半導体層５ａ，５ｂに囲まれるｎ^-半導体層２を空乏層化させてショットキー電極３とカソード電極４との間の電流経路を遮断する状態とを選択可能である。 - 特許庁 - Voltage drop Vdc generated between the two ends of field-effect transistors Tr11 and Tr12 interposed in series in the charging/discharging path of the secondary battery B11 and controlling the charging and discharging is measured with a differential amplifier 13, and the case temperature Tc of each transistor is measured with a temperature sensor 21, and the drain-source potential difference Vgs of the transistor is detected.
二次電池Ｂ１１の充放電路に直列に介挿されて、その充放電を制御する電界効果トランジスタＴｒ１１，Ｔｒ１２の両端間に発生する電圧降下Ｖｄｃを差動増幅器１３を用いて測定すると共に、各トランジスタのケース温度Ｔｃを温度センサ２１で測定し、更にトランジスタのドレイン・ソース間電位差Ｖｇｓを検出する。 - 特許庁 - The MEMS variable capacity system is provided with an MEMS variable capacity VC that is connected in series between first and second ports P1 and P2, a first power circuit PS1 to drive the MEMS variable capacity VC, and a second power circuit PS2 to apply a constant potential difference V_P12 different from an electric signal between the first and second ports P1 and P2.
本発明の例に関わるＭＥＭＳ可変容量システムは、第１及び第２ポートＰ１，Ｐ２の間に直列に接続されるＭＥＭＳ可変容量ＶＣと、ＭＥＭＳ可変容量ＶＣを駆動するための第１電源回路ＰＳ１と、第１及び第２ポートＰ１，Ｐ２の間に電気信号とは異なる一定の電位差Ｖ_P12を印加するための第２電源回路ＰＳ２とを備える。 - 特許庁 - In this oil deterioration detector 1 for detecting a degree of the oil deterioration by the potential difference generated between electrodes in oil, the electrode is provided with the first electrode plate 20 wound spirally, and the second electrode plate 30 wound spirally along an extension direction of the first electrode plate 20, and the first electrode plate 20 and and the second electrode plate 30 arranged substantially coaxially.
オイル中の電極間に生じる電位差によりオイルの劣化程度を検出するオイル劣化検出装置１において、電極は、渦巻状に巻回されている第１電極板２０と、第１電極板２０の延在方向に沿って渦巻状に巻回されている第２電極板３０を備え、第１電極板２０と第２電極板３０は、略同軸上に配置されている。 - 特許庁 - This apparatus is provided with a conveying means 4 for conveying a plurality of containers 2 in a specified direction, a standard electrode 30 and a pH measuring electrode 29 comprising a semiconductor with an inserting part thereof into the contents L being exposed outside and also with a pH sensor 6 to measure a pH value of the contents based on a potential difference between the standard electrode 30 and the pH measuring electrode 29.
複数の容器２を所定方向に搬送する搬送手段４と、標準電極３０と内容物Ｌへの挿入部位が外部に露出した半導体からなるｐＨ測定電極２９とを備え、これらの標準電極３０とｐＨ測定電極２９との間での電位差に基づいて内容物のｐＨ値を測定するｐＨセンサ６とを備えている。 - 特許庁 - In the volatile organic matter detection sensor 1, a plurality of electrodes 3 are provided on the surface of an oxygen ion conduction solid electrolyte 2, an electrode pair for causing a potential difference by volatile organic matters in measuring air by a pair of electrodes is formed, a plurality of electrode pairs are formed, and the characteristics for volatile organic matters differ for each pair of electrodes.
上記の目的を解決するために、この発明の揮発性有機物検出センサ１は、酸素イオン伝導性固体電解質２の表面に複数の電極３が設けられており、一対の電極によって測定空気中の揮発性有機物により電位差を生じる電極対が形成されており、この電極対が複数形成されていて、揮発性有機物に対する特性が電極対ごとに異なるものである。 - 特許庁 - In the circuit for detecting a failed thyristor 2u in a power converter where an unit arm is constituted by connecting a plurality of series circuits of m pieces of thyristors 2u in parallel, a failure of the thyristor 2u is detected based on the potential difference of the n-th semiconductor switching element from the anode side of the first series-connected thyristor 2u constituting the same arm.
ｍ個のサイリスタ２ｕを直列接続した回路を複数個並列に接続して単位アームを構成した電力変換装置における故障したサイリスタ２ｕを検出する素子故障検出回路において、同一アームを構成する第１番目の直列接続されたサイリスタ２ｕのアノード側から第ｎ番目の半導体スイッチング素子の電位差に基づき当該サイリスタ２ｕが故障であることを検出する。 - 特許庁 - The peak detection circuit comprises a first transistor, connected between a power supply potential and an output terminal, an amplifier for driving the first transistor, based on the difference between an input signal and an output signal, a second transistor connected to the first transistor, a third transistor current-mirror-connected to the second transistor, and a current source for setting a current value flowing in the third transistor.
ピーク検波回路は、電源電位と出力端子の間に接続された第１のトランジスタと、入力信号と出力信号の差に基づいて、前記第１のトランジスタを駆動する増幅器と、前記第１のトランジスタに接続された第２のトランジスタと、前記第２のトランジスタにカレントミラー接続された第３のトランジスタと、前記第３のトランジスタに流れる電流値を設定する電流源とを有する。 - 特許庁 - When droplets of electrospray medium are formed sequentially, and potential difference is impressed between the nozzle 52 and a receiving unit 6, in order to provide the droplets with plural electric charges for ionizing the analyte to produce ionized analyte, the nozzle 52 forms a transfer path between a mass spectrometer 2 and the receiving unit 6 so that the electrically-charged droplets are forced to be transferred toward the receiving unit 6, along the transfer path.
ノズル５２は、エレクトロスプレー媒体の液滴を順次形成し、検体をイオン化してイオン化検体を形成するべく液滴に複数の電荷を付与するためにノズル５２と受け入れユニット６の間に電位差が印加された際に帯電液滴が移動経路に沿って受け入れユニット６に向かって強制的に移動するように、質量分析計２の受け入れユニット６との間に移動経路を形成する。 - 特許庁 - Further, except for the diameter, there is no difference between the above two aseismic isolators. In this case, the diameter of the isolator “A37 - 300 x 5 - 12” is greater than that of the isolator “A37 - 250 x 5 - 12”, and thus, it is probable that, in order to further reduce the potential influence of varied load on the shear spring modulus KH, a person skilled in the art could easily conceive to expand only the diameter of the aseismic isolator without varying numerical values of other factors in the invention described in D1.
そして，これら２つの供試体には，径以外には相違がなく，引用発明１の供試体の径が比較供試体の径よりも大きいのであるから，変動荷重のせん断バネ係数ＫＨへの影響を更に少なくするため，引用発明１において，径以外の数値をそのままにして，径のみを大きくすることは当業者が容易に想到し得ることといわなければならない。」 - 特許庁 - Since a voltage fall gets smaller as compared with the case that two out of four diodes constituting a diode bridge DB are intercalated, a potential difference ΔV generated when the triac Q1 as a first switching element is turned on and conducted also gets small, and the generation of high-frequency noise can be suppressed even when the illumination load LA of a high load capacity is connected.
故に、ダイオードブリッジＤＢを構成する４つのダイオードの内の２つのダイオードが介在する場合に比較して電圧降下が小さくなるから、傾斜上昇期間を経て第１のスイッチ素子であるトライアックＱ１を点呼導通させる際に生じる電位差ΔＶも小さくなり、負荷容量の大きな照明負荷ＬＡが接続された場合でも高周波ノイズの発生を抑えることができる。 - 特許庁 - The direct current stabilized power supply device is provided with an error amplifier AMP which has a level shifting circuit LS for shifting the voltage levels of a reference voltage Vref2 inputted and reference voltage Vadj inputted to higher potential sides, and generates an error voltage Verr by amplifying the difference between the reference voltage Vref2 and the reference voltage Vadj which pass through the level shifting circuit LS.
本発明に係る直流安定化電源装置において、誤差増幅器ＡＭＰは、入力された基準電圧Ｖｒｅｆ２及び参照電圧Ｖａｄｊの電圧レベルを各々高電位側にシフトさせるレベルシフト回路ＬＳを有して成り、該レベルシフト回路ＬＳを経た基準電圧Ｖｒｅｆ２と参照電圧Ｖａｄｊの差分を増幅して誤差電圧Ｖｅｒｒを生成する構成としている。 - 特許庁 - A working electrode is opposed to a reference electrode in the aqueous alkaline solution containing the boron hydride ion, a cation exchange membrane is arranged therebetween, a potential difference is measured between the both, a measured value therein is collated with an analytical curve prepared preliminarily based on known boron hydride ion concentrations to be converted into the boron hydride ion concentration in the aqueous solution, and the boron hydride ion concentration is measured thereby.
水素化ホウ素イオン含有アルカリ水溶液中に作用電極と参照電極を対向して、かつカチオン交換膜を介して配置し、両者間の電位差を計測し、その計測値をあらかじめ既知の水素化ホウ素イオン濃度に基づいて作成した検量線と対比することにより上記水溶液中の水素化ホウ素イオン濃度に換算して水素化ホウ素イオン濃度を測定する。 - 特許庁 - The system includes an impedance network electrically connected to the first and second power conductors and having an output terminal for supplying a first voltage signal to the reference electric potential, and an amplifier circuit generating an amplification signal showing presence of the unnecessary cable way when a difference between the first voltage signal and reference voltage exceeds a prescribed value in response to the first voltage signal and the reference voltage.
このシステムは、第１及び第２の電力導体に電気的に結合するとともに、基準電位に対する第１の電圧信号を提供する出力端子を有するインピーダンスネットワーク、及び、第１の電圧信号と基準電圧とに応答して、第１の電圧信号と基準電圧間の差が所定値を超えるとき不要な電路の存在を示す増幅信号を発生する増幅器回路を含む。 - 特許庁 - The working electrode 132 which generates driving force for transmitting the solution along a flow channel 114, and a reference electrode 131 which generates a predetermined potential difference between the reference electrode 131 and the working electrode 132 to generate the driving force are formed, and a hydrophobic part 135 with high hydrophobicity and a hydrophilic part 134 with high hydrophilicity are formed on the surface in contact with the solution of the working electrode 132.
流路１１４に沿って溶液を送液する駆動力を生じさせる作用電極１３２と、作用電極１３２との間に所定の電位差を生じさせて駆動力を生じさせる参照電極１３１とが形成され、作用電極１３２の溶液と接触する表面上に、疎水性の高い疎水性部分１３５と親水性の高い親水性部分１３４とが形成されている。 - 特許庁 - To realize repeated display having high contrast by erasing discoloration generated by an electrochemical reaction by the reverse reaction or erasing the electric potential difference generated by the charging, with a simple means for applying, after the erasure of the display, a third voltage other than the display or the erasure or for applying an offset voltage instead of the voltage, which relates to a method for driving an electrodeposition type display device.
エレクトロデポジション型表示装置の駆動方法に関し、表示の消去後、表示或いは消去以外の第３の電圧を印加するか、又は、その電圧に代えて、オフセット電圧を加える簡単な手段に依り、電気化学反応で生じた変色を逆反応で消去したり、或いは、充電に依って生じた電位差を消去し、コントラストが高い表示を繰り返し実現しようとする。 - 特許庁 - The amplification apparatus having a carrier amplifier and peak amplifier for amplifying an input signal to be outputted as an output signal includes a comparator for comparing a potential difference between both edges of a resistor disposed in a gate bias circuit of the peak amplifier with a predetermined threshold value, and a failure detection circuit for outputting the signal for indicating whether or not the failure has occurred based on the signal outputted from the comparator.
キャリア増幅器及びピーク増幅器を有し、入力信号を増幅して出力信号として出力する増幅装置において、ピーク増幅器のゲートバイアス回路に配置された抵抗の両端電位差を所定の閾値と比較する比較器と、この比較器から出力される信号に基づいて故障の有無を示す信号を出力する故障検出回路と、を備える増幅装置に関する。 - 特許庁 - Both surfaces of the boards 7 are simultaneously processed by plasma by the use of a glow discharge generated between the boards 7 and the ground-side electrode plates 9 by high-frequency potential difference between the boards 7 and the ground-side electrode plates 9 in the presence of a reactive gas while a microwave generated by a magnetron 3 is applied into the metal chamber 1 from the top of the metal chamber.
そして、金属製チャンバ−１の上部からマグネトロン３によって発生されたマイクロ波を金属製チャンバ−１内に照射しながら反応ガスの存在下に被処理基板７とグランド側電極板９との間の高周波電位差により被処理基板７とグランド側電極板９の間に発生するグロ−放電を利用して多数の被処理基板７の両面を同時に所要のプラズマ加工処理する。 - 特許庁 - This system comprises an impedance network connected electrically to a first and second power conductors and having an output terminal for supplying a first voltage signal to a reference electric potential, and an amplifier circuit generating an amplification signal showing presence of the unnecessary cable way when a difference between the first voltage signal and reference voltage exceeds a prescribed value in response to the first voltage signal and the reference voltage.
このシステムは、第１及び第２の電力導体に電気的に結合するとともに、基準電位に対する第１の電圧信号を提供する出力端子を有するインピーダンスネットワーク、及び、第１の電圧信号と基準電圧とに応答して、第１の電圧信号と基準電圧間の差が所定値を超えるとき不要な電路の存在を示す増幅信号を発生する増幅器回路を含む。 - 特許庁 - The actuator comprises an electrolyte membrane which incorporates movable ions, first and second driving electrode layers which are formed on both surfaces of the electrolyte membrane respectively and give the electrolyte membrane a potential difference with external voltage, and a sensor electrode layer which is formed on at least one surface of the above electrolyte membrane, extends in a direction of being bent by bending of the electrolyte membrane and detects a voltage generated on the electrolyte membrane surface.
内部に移動可能なイオンを含む電解質膜と、上記電解質膜の両面にそれぞれ形成されて外部電圧により該電解質膜に電位差を与える第１及び第２の駆動電極層と、上記電解質膜の少なくとも一面に形成され該電解質膜の湾曲によって曲げられる方向に延在して該電解質膜の表面に発生する電圧を検出するセンサ電極層と、を備える。 - 特許庁 - When the potential difference between the anode electrode and the cathode electrode is 0 V, the output current value is measured, and the value obtained by dividing the output current value by the electrode area is used as the limiting current density to calculate the diffusion polarization.
電解質部を介して互いに対向配置された、アノード極及びカソード極と、前記アノード極及びカソード極にそれぞれ設けられ電解質を含む触媒層を備えた1対のガス拡散電極と、を配置して膜−電極接合体とした燃料電池用電極の評価方法であって、アノード極とカソード極との電位差が0Vとなる時の出力電流値を測定し、該出力電流値を電極面積で除した値を、拡散分極を算出するための限界電流密度とする。 - 特許庁 - This sensor includes: a detection electrode 11 formed of an amorphous material; an excitation electrode 12 formed of a conductive material, and arranged close to the detection electrode 11; an AC current output part 13 for supplying an AC current Ih to the excitation electrode 12; and a detection part 14 for detecting a potential difference Vd between both ends of the detection electrode 11 in the state where the AC current Ih is supplied to the excitation electrode 12.
非晶質材料で形成された検出電極１１と、導電性材料で形成されて検出電極１１に近接して配置された励磁用電極１２と、励磁用電極１２に対して交流電流Ｉｈを供給する交流電流出力部１３と、励磁用電極１２に対して交流電流Ｉｈが供給されている状態における検出電極１１の両端部間の電位差Ｖｄを検出する検出部１４とを備えている。 - 特許庁 - Emission of a multibeam system exposing unit 3 emitting two laser beams is controlled such that the difference of surface potential of a photosensitive drum 1 when a 2 dot 2 space latent image is formed by emitting two laser beams simultaneously and when a 2 dot 2 space latent image is formed by emitting two laser beams independently will be lower than 20 V.
露光装置３は２本のレーザービームを発光するマルチビーム方式の露光装置３であり、２本のレーザービームを同時に発光させて感光ドラム１上に、２ｄｏｔ ２ｓｐａｃｅ潜像を形成した場合の感光ドラム１上の表面電位と、２本のレーザービームを単独で発光させて感光ドラム１上に、２ｄｏｔ ２ｓｐａｃｅ潜像を形成した場合の感光ドラム１上の表面電位との差を２０Ｖ未満となるように、露光装置３における発光を制御する。 - 特許庁 - The compensation circuit 8 compensates for the saturation quantities of two phases which are saturated by moving the virtual neutral point potential to be equal when two of the three phase voltage command values are saturated or when one of the three phase voltage command values is saturated and a difference between the maximum value and the minimum value of the three phase voltage command values is larger than a DC voltage value of DC power.
インバータ部４を構成する半導体スイッチング素子をオン／オフ制御するスイッチング信号としてのパルス幅変調信号を演算、出力する制御部６に、３相の相電圧指令値の内２相が飽和した場合、または３相の相電圧指令値の内１相が飽和し、かつ３相の相電圧指令値の最大値と最小値との差が前記直流電力の直流電圧値よりも大きい場合に、仮想中性点電位を移動させ飽和した２相の飽和量が等しくなるように補正する補正回路８を備えた。 - 特許庁 - When shifting from a first state to a second state where a potential difference between the first power line and the second power line is greater than that in the first state, the first transistor is driven by the first driving circuit in a first term, and the first transistor is driven by the second driving circuit in a subsequent second term.
第１回路ブロックと、前記第１回路ブロックに接続される第１電源線及び第２電源線と、前記第１電源線と第１電位を供給する第１電位点とを接続するための第１トランジスタと、前記第１トランジスタのゲートに接続される第１駆動回路と、前記第１駆動回路より駆動力の大きい第２駆動回路とを有し、第１の状態から前記第１の状態よりも前記第１電源線と前記第２電源線の間の電位差が大きい第２の状態へ遷移する場合に、第１の期間において前記第１トランジスタを前記第１駆動回路によって駆動し、その後第２の期間において前記第１トランジスタを前記第２駆動回路によって駆動する。 - 特許庁
