「Process Chamber」を含む例文一覧(1536)

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  • PROCESS FOR HEATING CARBONIZATION CHAMBER
    炭化室の加熱方法 - 特許庁
  • MULTI-CHAMBER PLASMA PROCESS SYSTEM
    マルチチャンバプラズマプロセスシステム｛ＭＵＬＴＩＣＨＡＭＢＥＲＰＬＡＳＭＡＰＲＯＣＥＳＳＳＹＳＴＥＭ｝ - 特許庁
  • ISOTHERMAL CONTROL OF PROCESS CHAMBER
    プロセスチャンバの等温制御 - 特許庁
  • FLUORINE PROCESS FOR CLEANING SEMICONDUCTOR PROCESS CHAMBER
    半導体プロセスチャンバの洗浄方法 - 特許庁
  • CHEMICAL REACTION CHAMBER AND SEMICONDUCTOR PROCESS CHAMBER
    化学反応室及び半導体プロセスチャンバー - 特許庁
  • METHOD OF CLEANING PLASMA PROCESS CHAMBER
    プラズマ処理室のクリーニング方法 - 特許庁
  • LID ASSEMBLY FOR SEMICONDUCTOR PROCESS CHAMBER
    半導体処理チャンバー用蓋体 - 特許庁
  • The device 100 includes a chamber such as a load lock chamber 110, a transfer chamber 115 or a process chamber 120.
    装置115は、ロードロックチャンバ110、トランスファチャンバ115或いはプロセスチャンバ120といったチャンバを含む。 - 特許庁
  • PROCESS CHAMBER FOR SEMICONDUCTOR PRODUCTION EQUIPMENT
    半導体製造設備用プロセスチャンバ - 特許庁
  • RF GROUNDING OF CATHODE IN PROCESS CHAMBER
    プロセスチャンバのカソードの高周波接地 - 特許庁
  • METHOD OF CLEANING SURFACE OF PROCESS CHAMBER
    プロセスチャンバー表面のクリーニング方法 - 特許庁
  • CVD PROCESS CHAMBER GAS DISTRIBUTION SYSTEM
    ＣＶＤプロセスチャンバ用ガス分配システム - 特許庁
  • SUSPENSION FOR SHOWER HEAD IN PROCESS CHAMBER
    プロセスチャンバ内のシャワーヘッド用サスペンション - 特許庁
  • HIGH-FREQUENCY GROUNDING OF CATHODE OF PROCESS CHAMBER
    プロセスチャンバのカソードの高周波接地 - 特許庁
  • VACUUM PRESSURE CONTROL SYSTEM IN PROCESS CHAMBER
    プロセスチャンバ内真空圧力制御システム - 特許庁
  • APPARATUS FOR CLEANING A SEMICONDUCTOR PROCESS CHAMBER
    半導体処理チャンバを浄化する装置 - 特許庁
  • In the vacuum tank 11, a film forming process chamber and a reaction process chamber are formed.
    真空槽１１内には成膜プロセス室２０，４０と反応プロセス室６０が形成される。 - 特許庁
  • PROCESSING CHAMBER FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION PROCESS
    原子層成長プロセスのための処理チャンバ - 特許庁
  • The apparatus includes each process chamber comprising a mask attaching chamber, a deposition chamber and a mask detaching chamber.
    本装置は、マスク付着チャンバ、蒸着チャンバ、及びマスク回収チャンバを有する工程チャンバを有する。 - 特許庁
  • PLASMA PROCESS APPARATUS AND ITS CHAMBER SEAL METHOD
    プラズマプロセス装置およびそのチャンバーシール方法 - 特許庁
  • SINGLE CHAMBER CVD PROCESS FOR THIN FILM TRANSISTOR
    薄膜トランジスタ用シングルチャンバＣＶＤプロセス - 特許庁
  • A plasma etching apparatus 1 comprises a process chamber 2 and an evacuation system P which is connected to the process chamber 2.
    プラズマエッチング装置１は、処理室２と、処理室２に接続された排気装置Ｐとを備える。 - 特許庁
  • The space between the film forming process chamber and the reaction process chamber is provided with the exhaust pump 82.
    成膜プロセス室２０，４０と反応プロセス室６０との間には、排気ポンプ８２が配設される。 - 特許庁
  • HOT-REPAIR PROCESS OF CARBONIZATION CHAMBER WALL IN COKE OVEN
    コークス炉炭化室壁の熱間補修方法 - 特許庁
  • The position is set for each process chamber, corresponding to processing position in each process chamber.
    このポジションは、各プロセスチャンバ内での処理位置に対応して、各プロセスチャンバ別に設定される。 - 特許庁
  • The film forming process chamber and the reaction process chamber are divided by shielding boards 31 and 75.
    この成膜プロセス室２０，４０と反応プロセス室６０とは遮蔽板３１，５１，７５で区画される。 - 特許庁
  • To allow inspection of the inside of a process apparatus at any time and measurement of the inside of a process chamber without disassembling the process chamber.
    いつでもプロセス装置内部の検査ができ、プロセス室内部の測定がプロセス室を分解する必要なしに行う。 - 特許庁
  • REMOTE PLASMA CLEANING METHOD OF CVD PROCESS CHAMBER
    ＣＶＤプロセス・チャンバのリモート・プラズマ・クリーニング方法 - 特許庁
  • PROCESS KIT AND TARGET FOR SUBSTRATE PROCESSING CHAMBER
    基板処理チャンバのためのプロセスキット及びターゲット - 特許庁
  • The thin plate joining device includes a process chamber 10 and a pump 50 which is connected to one side of the process chamber to evacuate the process chamber.
    本発明に従う薄板接合装置は、工程チャンバ１０及び工程チャンバの一側に連結され、工程チャンバを真空状態にするポンプ５０を含む。 - 特許庁
  • A process for detecting a leak from a hydrogen chamber 27 is divided into a process for detecting a leak into an oxygen chamber 28 and a process for detecting a leak into portions other than the oxygen chamber 28.
    水素室２７からのもれ検知工程を、酸素室２８へのもれ検知工程と、酸素室２８以外へのもれ検知工程とに分割する。 - 特許庁
  • The substrate processing module consists of a process chamber PM and a vacuum lock chamber VL.
    基板処理モジュールは、プロセスチャンバＰＭとバキュームロックチャンバＶＬとからなる。 - 特許庁
  • the lead chamber used when producing sulphuric acid by the lead chamber process
    鉛室法で硫酸を製造する時に用いられる,鉛で囲んだ室 - EDR日英対訳辞書
  • EXHAUST-GAS UNIT FOR VACUUM CONTROL IN PROCESS CHAMBER
    プロセスチャンバ内真空圧力制御用排気ユニット - 特許庁
  • TARGET FOR SPUTTERING CHAMBER AND PROCESS KIT COMPONENT
    スパッタリングチャンバのためのターゲット及びプロセスキット部品 - 特許庁
  • METHOD FOR SCHEDULING TO PROCESS MULTI-CHAMBER FILM FORMING APPARATUS
    マルチチャンバ成膜装置の処理スケジューリング方法 - 特許庁
  • PROCESS FOR TREATING WASTE PLASTIC IN CARBONIZATION CHAMBER OF COKE OVEN
    廃プラスチックのコークス炉炭化室での処理方法 - 特許庁
  • an industrial method of manufacturing sulphuric acid, called the lead chamber process
    鉛室法という,硫酸の工業的製法 - EDR日英対訳辞書
  • The vacuum vapor deposition apparatus 10 comprises a target chamber 100, a process chamber 200 and a flight chamber 300.
    真空蒸着装置１０は、ターゲットチャンバ１００、プロセスチャンバ２００及び飛行チャンバ３００を備える。 - 特許庁
  • A process gas comprising CO_2 is introduced into the chamber.
    ＣＯ_２を含む処理ガスをチャンバ内に導入する。 - 特許庁
  • CLEANLINESS MANAGING METHOD IN CHAMBER AND PROCESS DEVICE
    チャンバ内の清浄度管理方法およびプロセス装置 - 特許庁
  • An etchant gas is supplied (408) to the process chamber.
    エッチャントガスが処理チャンバに供給される（４０８）。 - 特許庁
  • Each process part is respectively installed in a casting/peeling chamber 42, a tenter drying chamber 44, a roll drying chamber 46, and a winding chamber 48.
    各工程部はそれぞれ、流延・剥離室４２、テンター乾燥室４４、ロール乾燥室４６、巻取室４８に設置される。 - 特許庁
  • A process contains the process introducing a process gas 28 to a process chamber 10 when the process gas 28 comprises SiH_4, PH_3, O_2, and argon.
    プロセスは、プロセスガス２８がＳiＨ_4、ＰＨ_3、Ｏ_2およびアルゴンを含む場合、プロセスチャンバ１０にプロセスガス２８を導入する工程を含む。 - 特許庁
  • To obtain a plasma process system and method in which resonance in a plasma process chamber can be reduced by enhancing the uniformity of plasma process effected in the chamber.
    チャンバ内で果たされるプラズマプロセスの均一性を高め、プラズマプロセスチャンバ内のチャンバ共振を減じるプラズマプロセスシステム並びに方法。 - 特許庁
  • When executing a cleaning process for a process chamber 2 after a film formation process is finished, an HF gas and an N2 gas are supplied into the process chamber 2 while evacuation of the process chamber 2 is kept going by a pump 9.
    成膜プロセスの終了後、プロセスチャンバー２内のクリーニングプロセスを実行する場合、ポンプ９によるプロセスチャンバー２内の減圧排気を継続した状態で、ＨＦガス及びＮ_2ガスをプロセスチャンバー２内に導入する。 - 特許庁
  • PLASMA PROCESS DEVICE CHAMBER MEMBER AND ITS MANUFACTURING METHOD
    プラズマプロセス装置用チャンバー部材及びその製造方法 - 特許庁
  • METHOD FOR CLEANING IN PROCESS CHAMBER AND SUBSTRATE TREATING DEVICE
    プロセスチャンバー内のクリーニング方法及び基板処理装置 - 特許庁
  • THERMAL F2 ETCH PROCESS FOR CLEANING CVD CHAMBER
    ＣＶＤチャンバーのクリーニングのためのサーマルＦ２エッチングプロセス - 特許庁
  • CLEANING METHOD IN PROCESS CHAMBER AND SUBSTRATE PROCESSING EQUIPMENT
    プロセスチャンバー内のクリーニング方法及び基板処理装置 - 特許庁
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