「QM」を含む例文一覧(116)

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  • q Quits ed.
    t qmを終了します。 - JM
  • Then μ='log2((1,qm))-qm' which corresponds to mantissa qm data in a table 203 is outputted.
    テーブル２０３において、仮数ｑｍデータに対応するμ＝「ｌｏｇ_2 （｛１，ｑｍ｝）−ｑｍ」を出力する。 - 特許庁
  • More specifically, the Qm value of the dielectric material has a value that is higher than that of the so-called low-Qm material (a material having a Qm value of 100 or smaller).
    すなわち、かかる誘電体材料のＱｍ値は、いわゆる低Ｑｍ材料（Ｑｍ値が１００以下である材料）よりも高い値を有している。 - 特許庁
  • The gas meter 13 calculates a mass flow rate Qm of gas, and sends an integral value of Qm and H to the server computer 7.
    ガスメータ１３は、ガスの質量流量Ｑｍを算出し、ＱｍとＨの積算値をサーバコンピュータ７に送る。 - 特許庁
  • Q1-Qm are active elements such as transistors or the like, and control Vout (1) voltage, Vout (2) voltage ... Vout (m) voltage by changing their conductance.
    Q1〜Qmはトランジスタなどの能動素子であり、そのコンダクタンスを変化させることによりVout(1)電位、Vout(2)電位・・・Vout(m)電位をそれぞれ制御する。 - 特許庁
  • A target idling air quantity Qmv=Qm/KL is calculated based on the basic target idling air quantity Qm and the correction value KL (S6).
    基本目標アイドル空気量Ｑｍと補正値ＫＬとから目標アイドル空気量Ｑｍｖ＝Ｑｍ／ＫＬを算出する（Ｓ６）。 - 特許庁
  • A qm axis forming the dm-qm coordinate system is a rotation axis whose orientation is identical with the orientation of an output current vector when realizing the maximum torque control, and a dm axis is perpendicular to the qm axis.
    ｄｍｑｍ座標系を形成するｑｍ軸は、最大トルク制御の実現時における出力電流ベクトルの向きと向きが一致する回転軸であり、ｄｍ軸はｑｍ軸に直交する。 - 特許庁
  • A σi(m)×Rm/Qm is associated with (i) and (m) and registered in a dispersion value table 18.
    分散値テーブル１８には、「σi(m)×Ｒm/Ｑm」をｉ,ｍに関連付けて格納する。 - 特許庁
  • A QM value or an AGC gain value is measured in a plurality of offset positions where a head is offset from a track center, and a polynomial expression representing a relationship between the QM value or the AGC gain value and each offset amount is generated from the QM value or the AGC gain value and the offset position.
    ＱＭ値又はＡＧＣゲイン値をヘッドがトラックセンタからオフセットされた複数のオフセット位置で測定し、ＱＭ値又はＡＧＣゲイン値とオフセット位置からＱＭ値又はＡＧＣゲイン値と各オフセット量の関係を表す多項式を生成する。 - 特許庁
  • A quantizing means 12 quantizes an acoustic parameter X(m) by Qm and Rm for obtaining Xq(m).
    量子化手段１２は、音響パラメータＸ(m)をＱm,Ｒmで量子化してＸq(m)を得る。 - 特許庁
  • To provide a piezoelectric ceramic composition which has a large piezoelectric constant (d) and also a large Qm value.
    圧電定数（ｄ）が大きく，且つＱｍ値も大きな圧電磁器組成物を提供する。 - 特許庁
  • The image data encoder 1 imitates the QM-Coder of JBIG.
    画像データ符号化装置１は、ＪＢＩＧのＱＭ−Ｃｏｄｅｒを模倣したものである。 - 特許庁
  • Thereafter, the set supply quantity Qm is set as a target value to transfer to PID control (S5).
    その後、設定供給量Ｑｍを目標値としてＰＩＤ制御に移行する（Ｓ５）。 - 特許庁
  • At the full accelerator closing time, the basic target idling air quantity Qm is compared with an actual air quantity Qa, and a correction value (density equivalent value) KL=Qa/Qm is calculated (S2 to S5).
    アクセル全閉時に基本目標アイドル空気量Ｑｍとエアフローメータによる実空気量Ｑａとを比較して、補正値（密度相当値）ＫＬ＝Ｑａ／Ｑｍを算出する（Ｓ２〜Ｓ５）。 - 特許庁
  • The axis of rotation whose direction accords with the direction of a current vector at the time of materializing maximum torque control is made a qm axis, and the axis of rotation which is orthogonal to the qm axis is made a dm axis.
    最大トルク制御を実現する際における電流ベクトルの向きと向きが一致する回転軸をｑｍ軸とし、そのｑｍ軸に直交する回転軸をｄｍ軸とする。 - 特許庁
  • To obtain a piezoelectric transformer furnished with a high mechanical quality coefficient value Qm, wherein Qm is a piezoelectric ceramic material characteristic value that otherwise degrades almost to a half value in constructing a piezoelectric transformer with the piezoelectric material.
    圧電材料を圧電トランス構成にしたときに、ほぼ半値に低下する圧電セラミックス材料特性値の、機械的品質計数Ｑｍ値を、ハイＱｍ値とした圧電トランスを得る。 - 特許庁
  • Second deviation Δy between the preceding position Qr and the preceding position Qm is obtained as the series data.
    先行位置Ｑｒ先行位置Ｑｍとの第２偏差Δｙを系列データとして求める。 - 特許庁
  • An activity calculator circuit 53 calculates the activity Nact, based on the quantizing scale Qm.
    アクティビティ算出回路５３は、量子化スケールＱｍを基に、アクティビティＮａｃｔを算出する。 - 特許庁
  • Assuming that an electromechanical coupling factor is Kp, a relative dielectric constant is εr, and a mechanical quality factor is Qm, respectively, the piezoelectric material satisfies, more preferably, following conditions: Kp≥25%, εr≥500, and Qm≥500.
    より好適には、電気機械結合係数Ｋｐ、比誘電率εｒ、機械品質係数Ｑｍがそれぞれ、Ｋｐ≧２５％、εｒ≧５００、Ｑｍ≧５００である圧電材料とすることである。 - 特許庁
  • A semiconductor device is composed of a main semiconductor switch Qm and a peripheral circuit 6 which are provided in different semiconductor chips.
    主半導体スイッチＱｍと周辺回路６とは互いに異なる半導体チップに形成してある。 - 特許庁
  • Focusing on the drop in the static pressure P, when the static pressure P falls below a threshold Pth, the output of the mass flow rate qm calculated from the differential pressure ΔP and the density ρ is cut to output that the mass flow rate qm is zero.
    この静圧Ｐの低下に着目し、静圧Ｐが閾値Ｐｔｈを下回った場合、差圧ΔＰと密度ρから算出される質量流量ｑｍの出力をカットし、質量流量ｑｍ＝０を出力する。 - 特許庁
  • The Qm value of the dielectric material is preferably equal to or higher than 300, and is more preferably equal to or higher than 500.
    当該誘電体材料のＱｍ値は、好ましくは３００以上、より好ましくは５００以上である。 - 特許庁
  • A reference injection amount Qm and a reference injection timing Itm are set depending on engine operated conditions (S2).
    エンジン運転状態に応じて基準噴射量Ｑｍ及び基準噴射時期ＩＴｍを設定する（Ｓ２）。 - 特許庁
  • The dielectric material for composing the emitter 12 is made of a material having a high mechanical quality coefficient (Qm value).
    このエミッタ部１２を構成する誘電体材料は、機械的品質係数（Ｑｍ値）が高い材料からなる。 - 特許庁
  • The server computer 7 calculates and charges the gas transaction quantity of the consumer 15 on the basis of the integral value of Qm and H.
    サーバコンピュータ７はＱｍとＨの積算値を基に需要家１５のガス取引量を算出し、課金する。 - 特許庁
  • The shift circuit 201 shifts the bit-combined data of an exponent qe and a mantissa qm by L toward the MSB.
    シフト回路２０１において、指数ｑｅと仮数ｑｍとをビット結合したデータを、ＬだけＭＳＢに向けてシフトする。 - 特許庁
  • Whereas, in the case of "Qm-QRm≤0", the T-seat inverter 7 is controlled so as not to perform invalid electric power compensation action.
    一方、「Ｑｍ−ＱＲｍ≦０」の場合、無効電力補償動作は行わないようにＴ座インバータ７を制御する。 - 特許庁
  • At execution of sensorless control for high speed, a γ(dm)-axis current is kept zero regardless of a δ(qm)-axis current.
    高速用センサレス制御の実行時において、γ（ｄｍ）軸電流はδ（ｑｍ）軸電流に関係なくゼロに維持される。 - 特許庁
  • Dielectric loss of the piezoelectric actuator 10 is set at 0.007 or less or its mechanical quality factor Qm is set at 100 or above.
    圧電アクチュエータ１０の誘電損失を０．００７以下とし、またはその機械的品質係数Ｑｍを１００以上とする。 - 特許庁
  • A qm axis is a rotation axis whose orientation is identical with the orientation of an output current vector when realizing the maximum torque control.
    ｑｍ軸は、最大トルク制御の実現時における出力電流ベクトルの向きと向きが一致する回転軸である。 - 特許庁
  • A basic target idling air quantity Qm at the time of full accelerator closing is calculated by idling rotational speed feedback control and an auxiliary machine load correction (S1).
    アイドル回転数フィードバック制御と補機負荷補正とによりアクセル全閉時の基本目標アイドル空気量Ｑｍを算出する（Ｓ１）。 - 特許庁
  • In the sensorless control for high speed, it estimates a dm-qm axis, based on the induced voltage, etc. generated by the rotation of the rotor.
    高速用センサレス制御では、回転子の回転によって生じる誘起電圧等に基づいてｄｍ−ｑｍ軸を推定する。 - 特許庁
  • The restoration threshold value linearly rises with the increased number of accumulated image-formed sheets with the initial value, obtained by adding 25 to a light quantity value Qm just after exchange, as the starting point, but does not reach the upper limit value of 250 of the light quantity value Qm which can be set to the designed life of the intermediate transfer belt 9.
    回復閾値は、交換直後の光量値Ｑｍに２５を加算した初期値を起点にして画像形成の累積枚数の増大に伴って直線的に上昇するが、中間転写ベルト９の設計寿命でも光量値Ｑｍの設定可能な上限値２５０には達しない。 - 特許庁
  • To provide the subject method intended to suppress temperature deviation so as to restrain the variances in dielectric constant εr and Qm due to such temperature deviation.
    圧電磁器の焼成方法にあって、加熱温度による偏差を抑止して、温度偏差による誘電率εr ，Ｑｍのバラツキを阻止する。 - 特許庁
  • To provide barium titanate-based piezoelectric ceramics having satisfactory piezoelectric performance and a satisfactory mechanical quality factor (Qm), and to provide a piezoelectric element using the same.
    圧電性能および機械的品質係数（Ｑ_ｍ）が良好なチタン酸バリウム系圧電セラミックス及びそれを用いた圧電素子を提供する。 - 特許庁
  • Additional electric energy Qm is set based on the current engine speed Ne and the required electric energy Qdem of the gas turbine engine 2.
    次に、ガスタービンエンジン２の現在の回転速度Ｎｅと要求電力量Ｑｄｅｍとに基づき付加電力量Ｑｍを設定する。 - 特許庁
  • To provide a piezoelectric part in which a Qm (mechanical quality coefficient) can be precisely adjusted, and the height of a product can be reduced, and a package can be miniaturized, and a method for manufacturing the piezoelectric part.
    精度よくＱｍが調整され、製品の低背化が可能で、パッケージの小型化を図ることができる圧電部品と、その製造方法を得る。 - 特許庁
  • When a control signal SET is at an L level, the gate of a first transistor QM that is an a-Si TFT is biased at a supply voltage VDDA.
    制御信号ＳＥＴがＬレベルにあるとき、ａ−ＳｉＴＦＴである第１トランジスタＱＭのゲートは電源電圧ＶＤＤＡでバイアスされる。 - 特許庁
  • A 'value of a coding interval' used in a process of an arithmetic coding processing by a QM-Coder adopting the JBIG coding system is made variable.
    ＪＢＩＧ符号化方式におけるＱＭ−Ｃｏｄｅｒによる算術符号化処理の過程で使用される「符号化インタバルの値」を可変とする。 - 特許庁
  • To provide a piezoelectric ceramic composition constituting a piezoelectric element in which both electromechanical coupling coefficient Kp and mechanical quality coefficient Qm exhibit high value.
    電気機械結合係数Ｋｐ及び機械的品質係数Ｑｍがともに高い値であるような圧電素子を構成する圧電磁器組成物を提供すること。 - 特許庁
  • The value of the suction air pressure Pfm at a time when the actual supply quantity becomes the set supply quantity Qm is stored in the memory as the learning data (S6).
    実供給量が設定供給量Ｑｍとなったときの吸引エア圧力Ｐｆｍの値が学習データとしてメモリに記憶される（Ｓ６）。 - 特許庁
  • A relative-distance calculation unit 82 calculates a 3D coordinate of a first and a second testing body specifying positions Qm, Bn from a relative position between the coordinate conversion marks Pi, Ai and the first and the second testing body specifying positions Qm, Bn, and calculates a relative distance L between the first and the second testing body specifying positions.
    相対距離演算部８２は、座標変換用マークＰｉ，Ａｉと第１及び第２の試験体特定位置Ｑｍ，Ｂｎとの相対位置から第１及び第２の試験体特定位置Ｑｍ，Ｂｎの３次元座標を算出し、第１及び第２の試験体特定位置間の相対距離Ｌを演算する。 - 特許庁
  • In this manufacturing method, when nitride treatment is performed to a tunnel insulating film 61 of a nonvolatile storage element Qm, in a semiconductor device in which the nonvolatile storage element Qm and a P-channel MISFET Qp are mounted on the same substrate, a forming region of a gate insulating film 63 of the P-channel MISFET Qp is covered in advance with a thick buffer silicon oxide film.
    不揮発性記憶素子Ｑｍ及びpチャネルMISFETＱｐを同一基板上に搭載した半導体装置の製造方法において、不揮発性記憶素子Ｑｍのトンネル絶縁膜６１に窒化処理を施す際に、pチャネルMISFETＱｐのゲート絶縁膜６３の形成領域を厚い膜厚のバッファシリコン酸化膜で被覆しておく。 - 特許庁
  • The caution threshold value linearly rises with the increased number of accumulated image-formed sheets with the initial value, obtained by adding 50 to a light quantity value Qm just after exchange, as the starting point, but does not reach the settable upper limit value of 250 of the light quantity value Qm even if the intermediate transfer belt 9 reaches to the designed life.
    警告閾値は、交換直後の光量値Ｑｍに５０を加算した初期値を起点にして画像形成の累積枚数の増大に伴って直線的に上昇するが、中間転写ベルト９が設計寿命に達しても光量値Ｑｍの設定可能な上限値２５０には達しない。 - 特許庁
  • A mechanical quality factor Qm of a piezoelectric in a piezoelectric transformer 10, one form of a piezoelectric element, is set to not less than 120% of a mechanical quality factor Qm' of the piezoelectric, which is polarized for 60 min at a field intensity of 1.5 MV/m, 180°C, then short-circuited and left standing at room temperature for over 72 hours.
    圧電素子の一形態である圧電トランス１０における圧電体の機械的品質係数Ｑｍを、１８０℃で１．５ＭＶ／ｍの電界強度で６０分間分極した後にショートした状態で７２時間以上常温に放置された場合の機械的品質係数Ｑｍ´の１２０％以上の値とする。 - 特許庁
  • The control signal SET rises to an H level and diode-connects the first transistor QM at periods capable of maintaining a voltage at a node N5 at the voltage VDDA, to bring a voltage at a node N2 to a threshold voltage Vth of the first transistor QM and bring the supply voltage VDDA to Vth+Vc (Vc is a constant voltage).
    ノードＮ５の電圧が電圧ＶＤＤＡを維持出来る周期で制御信号ＳＥＴがＨレベルに立ち上がり、第１トランジスタＱＭはダイオード接続され、ノードＮ２の電圧は第１トランジスタＱＭの閾値電圧Ｖｔｈになり、電源電圧ＶＤＤＡはＶｔｈ＋Ｖｃ（Ｖｃは定電圧）となる。 - 特許庁
  • The ON-state resistance of the current detection semiconductor switch Qs is set higher than that of the main semiconductor switch Qm so as to make the power loss of the semiconductor switch Qs negligibly small.
    電流検出用半導体スイッチＱｓのオン抵抗を主半導体スイッチＱｍのオン抵抗に比べて電力損失を無視できる程度に大きく設定してある。 - 特許庁
  • A μqi(m) which is an average value μi(m) quantized by a number Qm of quantized points and an existence range Rm is associated with (i) and (m) and registered in a quantized average value table 17.
    量子化平均値テーブル１７には、平均値μi(m)を量子化点数Ｑmと存在範囲Ｒmで量子化したμqi(m)をｉ,ｍに関連付けて登録する。 - 特許庁
  • The elements 18 and 20 are formed so that a mechanical quality coefficient Qm is 60 or more and an electro-mechanical coupling coefficient Kp is 0.2 or more.
    第１圧電素子18及び第２圧電素子20は、機械的品質係数Ｑｍが６０以上で、電気−機械結合係数Ｋｐが０．２以上になるように形成されている。 - 特許庁
  • A control part 110 executes a gloss restoration mode to the intermediate transfer belt 9 by using a web cleaning device 40 when the set light quantity value Qm exceeds a restoration threshold value.
    制御部１１０は、設定した光量値Ｑｍが回復閾値を越えていると、ウエブクリーニング装置４０を用いた中間転写ベルト９の光沢回復モードを実行する。 - 特許庁
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