「RP1」を含む例文一覧(60)

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  • An oscillating part 5A generates reset pulse signals RP1 and RP2.
    発振部5Aはリセットパルス信号RP1およびRP2を生成する。 - 特許庁
  • In this sheet conveying device, the sheet conveying passage 142 has the curved part RP1 of a curved shape, and has a paper dust discharge part H1 for discharging paper dust falling in the curved part RP1 from the sheet S from the sheet conveying passage 142 when passing the curved part RP1 in a curved guide 162a outside the curved part RP1.
    シート搬送路142は、湾曲した湾曲部RP1を有し、湾曲部RP1外側の湾曲ガイド162aに、湾曲部RP1を通過する際にシートSから湾曲部RP1に落下した紙粉をシート搬送路142から排出する紙粉排出部H1を設けた。 - 特許庁
  • Likewise, "VF 1:0,1" of each endpoint device can be accessed from a root port RP1.
    同様にルートポートRP1からは、各エンドポイントデバイスの「VF 1:0,1」をアクセス可能に構成される。 - 特許庁
  • A terminal 20-2 replies to the switch 10-3 by a group participation message (RP1).
    端末20−2が、グループ参加メッセージ(RP1)をスイッチ10−3に返信する。 - 特許庁
  • An inverse spread circuit 18 applies inverse spread modulation to the received data by using the inverse spread code RP1.
    逆拡散回路18は受信データを逆拡散符号RP1によって逆拡散変調する。 - 特許庁
  • A PWM control unit 9A inputs the reset pulse signals RP1 and RP2 and forcibly turns off PWM control signals P1 and P2 respectively according to the reset pulse signals RP1 and RP2.
    そして、PWM制御部9Aは、このリセットパルス信号RP1およびRP2を入力し、これらリセットパルス信号RP1およびRP2に応じて、それぞれPWM制御信号P1およびP2を強制的にオフする。 - 特許庁
  • This overcurrent protection detector includes an overcurrent protection element (RP1) for performing protection against overcurrent applied to the load and a monitoring element (PC1) for monitoring whether the overcurrent protection element (RP1) is in an overcurrent protection state or not.
    請求項1の発明による過電流保護検出回路は、負荷に印加される過電流を保護する過電流保護素子(RP1)と、過電流保護素子(RP1)が、過電流保護状態であるか否かを監視する監視素子(PC1)とを具備する。 - 特許庁
  • In this position detection method, prior to the position detection of the projection image of reticle patterns RP1 and RP2, the projection image of the reticle patterns RP1 and RP2 is scanned at initial setting speed on a sensor pattern, and actual scanning speed is obtained.
    レチクルパターンRP1,RP2の投影像の位置検出に先立って、そのレチクルパターンRP1,RP2の投影像をセンサパターン上で初期設定速度にてスキャンさせ、実際の実スキャン速度を求める。 - 特許庁
  • In the ion implantation process 110, impurity ions are introduced to the Si substrate through the ion implantation of a projection range Rp1.
    イオン注入工程110では,投影飛程Rp1のイオン注入によってSi基板に不純物イオンを導入する。 - 特許庁
  • A first reticle pattern RP1 for position detection and a second reticle pattern RP2 for monitoring light quantity change are arranged on a reticle R.
    レチクルR上に位置検出用の第1レチクルパターンRP1と光量変化監視用の第2レチクルパターンRP2を設ける。 - 特許庁
  • More specifically, the formation positions P(1) to P(3) and P(5) to P(9) are set as the positions for forming the first to eighth registration patterns RP1 to RP8, respectively.
    より具体的には、第1〜8レジストパターンRP1〜RP8の形成位置として、それぞれ形成位置P(1)〜P(3)、P(5)〜P(9)が設定される。 - 特許庁
  • A resistance value of at least the first and second resistor portions RP1 and R2 changes at timing based on a change of the control signal.
    第1および第2の抵抗部RP1,R2の少なくとも一方の抵抗値は、上記の制御信号の変化に基づいたタイミングで変化する。 - 特許庁
  • The voltage of the luminance signal is gradually increased or decreased from a 1st ramp signal RP1 to control power supply to the OLED 16.
    第1ランプ信号線RP1から輝度信号の電圧を漸減または漸増させることによりOLED16への通電を制御する。 - 特許庁
  • Piezo resistance elements Rx1-Rx4, Rp1, Rp2 are formed by dispersing an impurity on the upper surface of a flexible substrate 100 made of silicon.
    シリコンからなる可撓性基板100の上面に、不純物を拡散して、ピエゾ抵抗素子Rx1〜Rx4,Rp1,Rp2を形成する。 - 特許庁
  • A first resistor portion RP1 is disposed between a third power supply node VB and a first node ND1.
    第1の抵抗部RP1は、第3の電源ノードVBと第1のノードND1との間に設けられる。 - 特許庁
  • Both images IM1, IM2 include the same object and target 10 placed on a target position RP1.
    双方の画像IM1、IM2は同一の被写体およびターゲット位置RP1に置かれたターゲット10を含む。 - 特許庁
  • Consequently, the accuracy in appropriately detecting all the registration patterns RP1 to RP8 is enhanced, and then, the color shift is highly accurately corrected.
    したがって、レジストパターンRP1〜RP8の全部を適正に検出する確度を高めて高精度な色ずれ補正を行うことができる。 - 特許庁
  • In addition, the absorber AB1 forms an absorber pattern PA1 in a pattern region RP1 of the mask substrate SUB1.
    また、吸収体AB1は、マスク基板SUB1のパターン領域RP1において、吸収体パターンPA1を形成している。 - 特許庁
  • Whether the number of ART games is increased or decreased is determined by whether or not a specific winning combination is won (cherry, RP1 or RP2).
    ARTのゲーム数が増減したか否かは、特定の入賞役(チェリー、RP1、RP2)が入賞したか否かで決まる。 - 特許庁
  • An inverse spread code generating circuit 20 outputs a head code of an inverse spread code RP1 when the fixed pattern is outputted.
    逆拡散符号発生回路20は、固定パターンが検出されたとき逆拡散符号RP1の先頭符号を出力する。 - 特許庁
  • Switches 10-1, 10-4 and 10-3 receive the RP1 and perform IGMP/MLD snooping, respectively.
    スイッチ10−1、10−4、10−3は、RP1を受信し、それぞれIGMP/MLDスヌーピングを実行する。 - 特許庁
  • The lock points regulating the maximum relative rotation angle by abutting on a pin 14 and an interpiece 15 are provided in a total of four points of a front face RP1 of a link front side column part 31, a rear face RP2 of a link rear side column part 32, and a front face RP3 and a rear face RP4 of a link intermediate column part 33.
    ピン14およびインターピース15に当接することで最大相対回転角を規定するロックポイントが、リンク前側柱部31の前面RP1およびリンク後側柱部32の後面RP2と、リンク中間柱部33の前面RP3および後面RP4との計4カ所に設けられている。 - 特許庁
  • In addition, resistance Rp1, Rp2, capacitance Cp, inductance Lm, L1, and resistance RL1 are added in consideration of a skin effect and an electromagnetic proximity effect of the internal electrode within the laminated chip capacitor as well as a loss and parasitic capacitance of a dielectric material, and parasitic inductance of an external electrode.
    更に、積層チップコンデンサ内部における内部電極の表皮効果と、電磁近接効果を考慮するとともに、誘電体材料の損失や寄生キャパシタンス,外部電極の寄生インダクタンスも考慮し、レジスタンスRp1,Rp2、キャパシタンスCp、インダクタンスLm,L1,レジスタンスRL1を追加する。 - 特許庁
  • Then, a resist pattern RP1 having an opening 28a at the location wherein a gate pad electrode is to be formed is formed on the surface protective film, and an opening 29a is formed in the surface protective film by etching the surface protective film using the resist pattern RP1 as the etching mask.
    それから、ゲートパッド電極形成予定位置に開口部28aを有するレジストパターンRP1を表面保護膜上に形成し、レジストパターンRP1をエッチングマスクとして表面保護膜をエッチングすることで表面保護膜に開口部29aを形成する。 - 特許庁
  • The switch main body 11 of the crime prevention switch 1 is provided with a switch SW1 turned on or off by connection and disconnection of a magnet 12, a resistor Rp1 connected in parallel with the switch SW1, and a resistor Rs1 connected in series with the switch SW1 and of which the resistivity is different from that of the resistor Rp1.
    防犯スイッチ1のスイッチ本体11は、マグネット12の接離によりオンオフするスイッチSW1と、スイッチSW1と並列に接続される抵抗体Rp1と、スイッチSW1と直列に接続され、抵抗体Rp1と異なる抵抗値の抵抗体Rs1と、を備える。 - 特許庁
  • A printer 11 includes: an apparatus body 12; a recording head 18 provided in this apparatus body 12 and for performing a recording on a sheet ST rolled out from a first roll paper RP1 or a second roll paper RP2; a first roll paper storing part 13 for storing the first roll paper RP1; and a second roll paper storing part 14 for storing the second roll paper RP2.
    プリンター11は、装置本体12と、この装置本体12の内部に設けられるとともに第1のロール紙RP1または第2のロール紙RP2から巻き出されたシートSTに対して記録を行う記録ヘッド18と、第1のロール紙RP1を収容する第1のロール紙収容部13と、第2のロール紙RP2を収容する第2のロール紙収容部14とを備えている。 - 特許庁
  • At the time of position detection for detecting the projected image of the first reticle pattern RP1 through the first sensor pattern, light quantity change within a region whose area is fixed in the projected image of the second reticle pattern RP1 is monitored through the second sensor pattern, and the result of the position detection is specified based on the monitored result.
    前記第1レチクルパターンRP1の投影像を前記第1センサパターンを介して検出する位置検出時には、前記第2センサパターンを介して前記第2レチクルパターンRP1の投影像における一定面積の領域内の光量変化を監視し、その監視結果に基づいて前記位置検出の結果を規格化する。 - 特許庁
  • When a condition 1 is S>Pf and Rp1>Rp, a condition 2 is applied and rolled so that Rp is taken as a standard and becomes Rp1=Rp, rolling is executed and Pf is brought close to S and Pf =S is defined as the final target.
    圧延材を包合した時の包合力の計測手段及び間隙を制御する油圧シリンダを有するガイドローラ及び前後段の圧延機からなる圧延装置において、下記の条件1のとき、Rpを標準として、Rp1=Rpとなるように条件2を適用して圧延材を圧延し、最終的にPs=Sとすることを特徴とする。 - 特許庁
  • In the ion implantation process 120, Si+ ions are introduced to the Si substrate that were subjected to the ion implantation process 110, with the ion implantation of a projection range Rp2 being smaller than the projection range Rp1.
    イオン注入工程120では,投影飛程Rp1より小さな投影飛程Rp2のイオン注入によって,イオン注入工程110を経たSi基板に,Si+イオンを導入する。 - 特許庁
  • The second drum 42b for taking up a hook messenger rope RP1 to which a hook wire to be stretched on the jib crane is connected and rotated by the rotating force taken from the motor 32.
    第2ドラム42bは、ジブクレーンに張設されるフックワイヤが連結されたフックメッセンジャーロープRP1を巻き取るためのドラムであって、モータ32から取り出された回転力によって回転する。 - 特許庁
  • Then, based on the corrected set value, the projection image of the reticle patterns RP1 and RP2 is scanned, and the projection image is detected by a photo reception sensor 27.
    そして、この補正した設定値に基づいて、レチクルパターンRP1,RP2の投影像をスキャンさせて、その投影像を受光センサ27により検出する。 - 特許庁
  • In this case, the first semiconductor region RP1 has a larger width W1 along a gate width direction than a width W2 along the gate width direction of the second semiconductor region RP2.
    この場合に、第1の半導体領域RP1のゲート幅方向の幅W1は、第2の半導体領域RP2のゲート幅方向の幅W2よりも広く形成されている。 - 特許庁
  • By appropriately selecting current replacement patterns from a predefined set of two different replacement patterns (rp1, rp2), DC-control can be attained for the encoder output.
    2つの異なる置換パターン(rp1、rp2)の事前定義された組から、現在置換パターンを適切に選択することによって、エンコーダ出力に対するDC制御が達成される。 - 特許庁
  • A first semiconductor region RP1 has smaller pieces of widths F1a and F1b along the gate lengthwise direction than pieces of widths F2a and F2b along the gate lengthwise direction of a second semiconductor region RP2.
    第1の半導体領域RP1のゲート長方向の幅(F1a、F1b)は、第2の半導体領域RP2のゲート長方向の幅(F2a、F2b)よりも小さく形成されている。 - 特許庁
  • A reverse read pointer RP1 reads out input signals inputted to a delay line 23 in the reverse order of the input order, and delay-outputs it to an adder 21b.
    リバースリードポインタRP1は、ディレイライン23に入力された入力信号をその入力順序と逆順に読み出して、加算器21bに遅延出力する。 - 特許庁
  • A differential amplifier circuit consists of transistors(TRs) M2, M1 whose gate electrodes are used for positive and negative input terminals, resistive elements RN1, RP1, and a constant current source I1.
    ゲート電極を正負の入力端子とするトランジスタM2,M1,抵抗要素RN1,RP1,定電流源I1で差動増幅回路を構成する。 - 特許庁
  • Then coordinates of a substrate center Sa based upon a first detection position RP1 are computed with reference to position data each time a detected value reaches a "first threshold", and coordinates of a target point are corrected on the basis of the current substrate center Sa.
    そして、位置データを参照して、検出値が「第1閾値」になるごとに、第1検出位置RP1に基づく基板中心Saの座標を演算し、その時の基板中心Saに基づいて目標点の座標を補正する。 - 特許庁
  • When a failure occurs on the first data path, the MR-PCIM executes the VF migration, whereby in the second data path from the RP1 to EDO, "VF 1:0,1" and "MVF 0,0" are connected by VF mapping.
    第1のデータ経路上での障害の場合、MR−PCIMがVFマイグレーションを実行することで、RP1からED0への第2のデータ経路では、「VF 1:0,1」と「MVF 0,0」がVFマッピングで接続される。 - 特許庁
  • Further, the multilayered reflective film ML1 has a light shielding band SD1 formed by removing an area surrounding an outer periphery of the pattern region RP1 like a groove.
    更に、多層反射膜ML1は、パターン領域RP1の外周を囲む部分を溝状に除去することで形成された遮光帯SD1を有している。 - 特許庁
  • Further, since the settlement of the steel pipe pile 2 is hardly caused after the tip support force RP1 is exerted, uneven settlement can be prevented even if the surface layer ground is soft.
    さらに、先端支持力RP1の発揮後には鋼管杭2の沈下が生じにくく、表層地盤が軟弱な場合であっても不等沈下を防止することができる。 - 特許庁
  • An allowable maximum relative rotation angle regulated by the lock points RP1, RP2 of link outline parts 31, 32 is set smaller than the allowable maximum relative rotation angle regulated by the lock points RP3, RP4 of the link intermediate column part 33.
    リンク外形部31,32のロックポイントRP1,RP2で規定される許容最大相対回転角がリンク中間柱部33のロックポイントRP3,RP4で規定される許容最大相対回転角よりも小さく設定されている。 - 特許庁
  • Engaging parts 53, 73 are supported turnably around turning axes RP1, RP2 located apart in the perpendicular direction to the guide surfaces between the body parts.
    係合部53、73は、本体部の間で案内面と垂直な方向に離れて位置する回動軸線RP1、RP2の回りに回動可能に支持される。 - 特許庁
  • Two out of three types of replay symbol combinations are defined as special replay symbol combinations RP2 and RP3, and the special replay symbol combinations RP2 and RP3 are set not to win singularly but win doublingly with a regular replay symbol combination RP1.
    3種類の再遊技役のうちの2つを特別再遊技役RP2,RP3として、これらの特別再遊技役RP2,RP3を単独当選させずに、一般再遊技役RP1と重複当選するように設定する。 - 特許庁
  • When double winning of RP2 or PR3 and RP1 is established, this slot machine executes control, controlling an aimed winning symbol to stop, for preferentially stopping heart symbols or bomb symbols, or constitution symbols of the special replay symbol combination.
    また、RP2またはRP3とRP1との重複当選が成立した場合には、特別再遊技役の構成図柄であるハート図柄または爆弾図柄を優先的に引き込む制御を実行する。 - 特許庁
  • Further, the settlement of the steel pipe pile 2 is hard to occur after the display of the bearing capacity RP1, and differential settlement can be prevented even if a surface layer ground is weak.
    さらに、先端支持力RP1の発揮後には鋼管杭2の沈下が生じにくく、表層地盤が軟弱な場合であっても不等沈下を防止することができる。 - 特許庁
  • A selector circuit 20 selects the reset signals RWD RP1 in a control operation mode holding a switch 17 at an opened state and selects the reset signal RP2 in a rewriting operation mode holding the switch 17 at a closed state.
    選択回路20は、スイッチ17が開状態にある制御動作モードにあってはリセット信号RWDおよびRP1を選択し、スイッチ17が閉状態にある書換動作モードにあってはリセット信号RP2を選択する。 - 特許庁
  • Simultaneously a second straight line 19, which is parallel to the reference line of the standing leg foot sole on the free leg side, is obtained when the length RZ of a perpendicular from the position RP1 is equal to the angle dependent distance.
    同時に位置RP1からおろした垂線の長さRZが角度依存距離に等しく、かつ立脚足平の基準線に遊脚側で平行な第2の直線19を求める。 - 特許庁
  • A first sensor pattern and a second pattern which respectively receive the projected image of each reticle pattern RP1 and RP2 through a projecting optical system 11 are arranged on a reference plate 36 of a wafer stage 23.
    ウエハステージ23の基準板36上に、前記各レチクルパターンRP1,RP2の投影光学系11を介した投影像に各別に受光する第1センサパターン及び第2センサパターンを設ける。 - 特許庁
  • While in normal operation, a main encoder 3-1 transmits and receives data, as required, to and from onboard equipment via main ground coil units RP1 to RP4 spaced along a track 1.
    主系符号処理器3−1が正常動作時は、軌道1に沿って配置した主系の地上子ユニットRP1〜RP4を介して、不図示の車上装置と所要のデータを送受する。 - 特許庁
  • This overcurrent protection detector includes a poly-switch as the overcurrent protection element and a photo coupler for monitoring voltage applied to the load from the overcurrent protection element (RP1).
    請求項2の発明による過電流保護検出回路は、請求項1において、過電流保護素子(RP1)がポリスイッチであり、監視素子(PC1)が、過電流保護素子(RP1)から負荷に印加される電圧を監視するフォトカプラであることを特徴とする。 - 特許庁
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