「Random Access」を含む例文一覧(1624)
＜前へ 1 2 .... 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 次へ＞- To achieve an ideal recording format satisfying the following four conditions in a hologram recording system: maximum recording density, easy random access, constant data transfer rate, easy circuit constitution of a rotation control system.
ホログラム記録システムにおいて、記録密度が最大（高記録密度）、ランダムアクセスが容易、データ転送レートが一定、回転制御系の回路構成が容易という４条件を満たす理想的な記録フォーマットを実現する。 - 特許庁 - A delivery control substrate stores the number of unpaid-off rental balls on a backup RAM(random access memory) so that the payoff control of game mediums can be resumed based on the number of the unpaid-off rental balls when the power feed is resumed.
払出制御基板は、未払出しの貸し球数をバックアップＲＡＭに記憶し、電力供給再開時に未払出しの貸し球数にもとづいて遊技媒体の払出制御を再開することが可能な構成とする。 - 特許庁 - To provide a data recording and reproducing device capable of promptly recording a broadcasting material by shortening time from a starting instruction of recording to execution of actual recording by using a storage medium to which random access can be made.
ランダムアクセス可能な記憶媒体を用い、収録開始の指示から、実際に収録が実行されるまでの時間を短縮して、放送素材の収録を迅速に行うことができるデータ記録再生装置を提供する。 - 特許庁 - The logic circuits 102, 103 are operated in accordance with the applied a random pattern, consequently, access is performed for the memory 101, and a value outputted from the memory 101 is taken into the logic circuit 103 by the same path as that in normal operation.
印加されたランダムパタンに応じて論理回路１０２，１０３が動作し、その結果メモリ１０１へのアクセスが行われ、メモリ１０１から出力された値を通常動作と同じ経路で論理回路１０３に取り込む。 - 特許庁 - Flip-flops 6 and 7 of the memory controller 1 operate with respective clock signals CLK_-A and CLK_-B different in the change of timing at the same period, and fetch the read data from an SDRAM(synchronous dynamic random access memory) 2 at the same period and at different timings.
メモリコントローラ１のフリップフロップ６，７は、互いに同一周期で変化のタイミングが異なるクロック信号CLK_AとCLK_Bのそれぞれにより動作してＳＤＲＡＭ２からのリードデータを同一周期で異なるタイミングで取り込む。 - 特許庁 - A sequential medium such as a tape is not used for recording the moving image but an electronic camera is used, performing recording in a medium which forms an image file of one unit for every photographing of each cut to which random access is made possible such as a hard disk.
動画像の記録をテープのようなシーケンシャルメディアではなく、各カットの撮影毎に一単位の画像ファイルを生成するハードディスクのようなランダムアクセスが可能なメディアに記録する電子カメラを用いる。 - 特許庁 - To provide a method for producing a target for forming a phase change recording film used for a phase change RAM (Random Access Memory) as one kind of a semiconductor nonvolatile memory with which presputtering time is shortened.
半導体不揮発メモリーの一種である相変化メモリー（Ｐｈａｓｅ Ｃｈａｎｇｅ ＲＡＭ）に用いられる相変化記録膜を形成するためのプレスパッタ時間の短いターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - In a region ACT, 56 metal balls 106 which are connected with the bonding pads of an SRAM(static random access memory) chip 101 and the bonding pads of a FLASH memory chip 102 are formed, for example in a grid pattern.
領域ＡＣＴ内において、ＳＲＡＭチップ１０１のボンディングパッドとＦＬＡＳＨメモリチップ１０２のボンディングパッドと電気的に接続されている金属ボール１０６は、例えば格子形状に５６個形成されている。 - 特許庁 - This magnetic random access memory system is provided with tunnel magnetic resistance elements 10, word lines WL1 to WLn, bit lines BL1 to BLm, a writing driver and a writing circuit 52 that can simultaneously select all writing drivers.
磁気ランダムアクセスメモリシステムは、トンネル磁気抵抗素子１０、ワード線ＷＬ１〜ＷＬｎ、ビット線ＢＬ１〜ＢＬｍ、書き込みドライバ、及び全ての書き込みドライバを同時に選択状態にできる書き込み回路５２を備えている。 - 特許庁 - The CDMA system includes a back hole interface module, a controller of a cable network control station, the main channel card, an intermediate- frequency module, a radio frequency module, a reception channel card, a random access card, a clock module, and a cell controller.
ＣＤＭＡシステムは、バックホールインターフェースモジュール、ケーブルネットワーク制御局のコントローラ、メインチャネルカード、中間周波数モジュール、無線周波モジュール、受信チャネルカード、ランダムアクセスカード、クロックモジュールおよびセルコントローラを含む。 - 特許庁 - To utilize wireless resource efficiently by determining a service frequency band adapted to a mobile station of different mobile station class in the uplink, and reducing collision occurring at the time of random access to a contention base channel.
上りリンクにおいて、異なる移動局クラスの移動局に適応した使用周波数帯域を決定し、コンテンションベースチャネルへのランダムアクセス時に発生する衝突を減少させ、無線リソースを効率的に利用可能にする。 - 特許庁 - This random access memory device is provided with a plurality of memory cells (30, 32), word lines (WL), plate lines (PLS), a plurality of bit lines (BL), a first global plate line (FGPL), a second global plate line (SGPL), a first switch circuit (34), and a second switch circuit (36).
本発明に係わるランダムアクセスメモリデバイスは、複数のメモリセル(30,32）と、ワード線(WL）と、プレート線(PLS）と、複数のビット線(BL）と、第１グローバル・プレート線（FGPL）と、第２グローバル・プレート線（SGPL）と、第1スイッチ回路（34）と、第２スイッチ回路（36）と、を備える。 - 特許庁 - The processor 806 periodically reads the 2-port random access memory 802 and further corrects the corrected sequence included in additional waveform data gathered by a detector 808 so that the waveform data are reflected.
プロセッサ８０６は、２ポート・ランダム・アクセス・メモリ８０２を周期的に読み出し、検出器８０８によって集められた付加的な波形データを反映するよう、そこに含まれている修正されたシーケンスを更に修正する。 - 特許庁 - By registering both of video and audio as an entry of a time map, a section where only audio is obtained serves as a random access point, and a reproduction operation efficiently using received data can be realized.
タイムマップのエントリとしてビデオとオーディオを共に登録できるようにすることで、オーディオのみ取得できた区間についてもランダムアクセスポイントとなり、受信データを有効に活用した再生動作を実現できる。 - 特許庁 - The semiconductor integrated circuit device comprises an RAM circuit divided into a plurality of RAM (random access memory) circuit blocks (RAM1-RAMn), and an internal power supply circuit (10).
本発明の半導体集積回路装置は、複数のＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）回路ブロック（ＲＡＭ１〜ＲＡＭｎ）に分割されたＲＡＭ回路と、内部電源回路（１０）と、を具備している。 - 特許庁 - The magnetic random access memory includes a transistor which has a gate electrode 11a located above a surface of a substrate 1 and a first and second impurity diffusion regions 13a, 12 interposing a channel region below the gate electrode between them.
磁気ランダムアクセスメモリは、基板１の表面の上方に設けられたゲート電極１１ａと、ゲート電極の下方のチャネル領域を挟む第１、第２不純物拡散領域１３ａ、１２とを有するトランジスタを含む。 - 特許庁 - This refreshing method is for a dynamic random access memory (DRAM) 3 provided in the microcontroller 1, and the DRAM 3 is refreshed during the preset standby time Tw of a microprocessor 2 controlling the microcontroller 1.
マイクロコントローラ１内に設置されるダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）３のリフレッシュ方法であって，ＤＲＡＭ３は，マイクロコントローラ１を制御するマイクロプロセッサ２の予め設定された待機時間Ｔｗ中にリフレッシュされる。 - 特許庁 - To define a command for partial output and partial rewrite of a file on a camcorder using a random access memory medium and to obtain only header data from a controller such as a personal computer and rewrite thumbnail data.
ランダムアクセス可能なメモリ媒体を使用したカムコーダにファイルの部分出力、部分書き換え用コマンドを定義してＰＣ等のコントローラからヘッダデータのみの取得やサムネールデータの書き換えなどを行えるようにする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor integrated circuit, in which the degree of freedom of the interface of a DRAM(dynamic random access memory) is improved, by optimizing the area and the consumption power of the DRAM to a necessary minimum limit, according to the power source specification of the integrated circuit.
ＤＲＡＭの面積と消費電力とを本半導体集積回路の電源仕様に応じて必要最小限に最適化しＤＲＡＭのインターフェースの自由度を増大させた半導体集積回路を提供する。 - 特許庁 - A data control part records a series of control parameters in a predetermined period having preset acquisition conditions among the time-series control parameters recorded in the random access memory 8 in a data recording part 9.
そして、データ制御部は、ランダムアクセスメモリ８に記録された時系列的な制御パラメータのうち、予め設定された取得条件を具備する所定の期間における一連の制御パラメータを、データ記録部９に記録する。 - 特許庁 - A magnetic random access memory according to an embodiment has a magnetic resistance effect element, on which a first magnetic layer, a first interface magnetic layer, a non-magnetic layer, a second interface magnetic layer, and a second magnetic layer are sequentially laminated.
実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリは、第１の磁性層、第１の界面磁性層、非磁性層、第２の界面磁性層、及び第２の磁性層が順に積層された磁気抵抗効果素子を有する。 - 特許庁 - When detecting occurrence of congestion, the base station 1 places a limit on an area in the communication area 3 receptible of the random access frame depending on the congestion state and varies the limited area depending on time.
基地局１は、輻輳の発生を検出した場合、通信エリア３内においてランダムアクセスのフレームを受信可能なエリアを輻輳状態に応じて限定し、この限定したエリアを時間により変動させる。 - 特許庁 - To make a data transfer rate and a random access performance be properly set in accordance with use situations of a recording medium as to the revolution control method of the recording medium and a storage device.
本発明は記録媒体の回転制御方法及び記憶装置に関し、記録媒体の使用状況に応じて、データ転送速度及びランダムアクセス性能を最適に設定可能とすることを目的とする。 - 特許庁 - The technical fields of the specified invention (Claim 1) and related invention (Claim 2) are "MIS type semiconductor device" and "semiconductor random access memory device application". Application of the art of the technical field of MIS type semiconductor device to the technical field of semiconductor random access memory consisting of many circuit elements is extremely appropriate. The technical fields of both inventions are related directly and technically, therefore their industrial fields of application of both inventions are the same.
（請求項１）と関連発明（請求項２）の技術分野は各々「MIS型半導体装置」、「半導体ランダムアクセスメモリ装置」であるが、MIS型半導体装置の技術分野の技術を多数の回路素子からなる半導体ランダムアクセスメモリ装置の技術分野に適用することは極めて適切であると認められるので、両発明の技術分野は技術的に直接関連性を有し、産業上の利用分野は同一である。 - 特許庁 - In one embodiment, a first wireless base station: receives a random access preamble from a wireless device that is not authorized to utilize the first wireless base station; completes a random access procedure with the wireless device; receives an interference stress message from the wireless device, which indicates that the wireless device suffers interference from the first wireless base station; and reduces interference for the wireless device.
一実施例において、ワイヤレス基地局が、第１のワイヤレス基地局を利用することを許されていないワイヤレスデバイスから、ランダムアクセスプリアンブルを受信し；前記ワイヤレスデバイスに対するランダムアクセス手順を完了し；前記ワイヤレスデバイスから干渉ストレスメッセージを受信し、前記干渉ストレスメッセージは、前記ワイヤレスデバイスが前記第１の基地局から干渉を受けていることを示し；前記ワイヤレスデバイスに対する干渉を減少させる方法が提供される。 - 特許庁 - To provide a random number generator capable of varying the timing of an access to a circuit for periodically updating values by physical properties and, accordingly, capable of assuring that random numbers of excellent quality can be provided, a special physical device must not be installed, and the analog characteristics of the device must not be observed.
周期的に値を更新する回路へのアクセスタイミングを、物理的な性質で変動させることができ、したがって、良質の乱数が得られることを保証することができ、しかも、特殊な物理デバイスを設ける必要がなく、また、そのアナログ特性を観測する必要がない乱数生成器を提供することを目的とするものである。 - 特許庁 - To guarantee a normal track jump as well as make it possible to set data transfer speed and random access performance most appropriately according to how a recording medium is used, regarding a track jump method and a storage device.
本発明はトラックジャンプ方法及び記憶装置に関し、記録媒体の使用状況に応じて、データ転送速度及びランダムアクセス性能を最適に設定可能であると共に、正常のトラックジャンプを保証することを目的とする。 - 特許庁 - To suppress conventional overheads for rewriting of operation setting to a RAM (Random Access Memory) after transfer of an operational state when transferring from a normal operational state to a power-saving state in a semiconductor device.
半導体装置において、通常の動作状態から省電力状態に移行した際に、従来における動作状態の移行後にあるＲＡＭへの動作設定の書き換えのためのオーバーヘッドを抑えることを目的とする。 - 特許庁 - To prevent writing errors of TMR elements having a small writing margin, by equalizing to each other the values of the writing currents flowing through the writing wirings formed in the array of the respective stages of the laminated cell array of a magnetic random access memory.
磁気ランダムアクセスメモリの積層セルアレイの各段アレイに形成された書き込み配線に流れる書き込み電流の値を各段で等しくなるようにし、書き込みマージンの少ないＴＭＲ素子の誤書き込みを防止する。 - 特許庁 - In this way, setting of the target particle can be carried out autonomously by means of the operation computer 2 without repeating setting of the target particle based on random access by the host computer 1, and the overhead is compressed for reduction in a computing required time.
これにより、注目粒子の設定処理を、ホストコンピュータ１によるランダムアクセスで繰り返し行うことなく演算コンピュータ２で自律的に行うことができ、オーバーヘッドを圧縮して演算所要時間の短縮を実現する。 - 特許庁 - In the information processing apparatus, a DMA control part 109 stores the data of a current DMA transferred region into a management table 21 stored in a storage part 107 during the DMA transfer of data from a ROM (Read Only Memory) 103 to a RAM (Random Access Memory) 104 by a DMA transfer part 108 of a bridge 105.
ブリッジ１０５のDMA転送部１０８によるROM１０３からRAM１０４へのデータのDMA転送中にDMA制御部１０９は記憶部１０７に格納された管理テーブル２１に現在DMA転送済みの領域のデータを保存する。 - 特許庁 - To enable saving of a defective logical integrated circuit device or the like, incorporating a random access memory or the like after the product is shipped, to improve reliability of a computer system, and to realize redundancy of a memory, without having to alter the design of a memory block.
ランダムアクセスメモリ等を搭載する論理集積回路装置等の製品出荷後の欠陥救済を可能にし、コンピュータシステムの信頼性を高め、メモリブロックの設計変更なしにメモリ冗長化を実現する装置の提供。 - 特許庁 - In orthogonal frequency division multiplexing multiple-input multiple-output systems, a wireless transmit/receive unit selects a random access channel (RACH) and a phase for a constant amplitude zero auto correlation (CAZAC) sequence for RACH transmission.
直交周波数分割多重多入力多重出力システムにおいて、無線送受信ユニットは、ランダムアクセスチャネル（ＲＡＣＨ）およびＲＡＣＨ送信の定振幅ゼロ自己相関（ＣＡＺＡＣ）シーケンス用の位相を選択する。 - 特許庁 - Particularly, when the layer 4 nearer to a substrate is larger than the layer 8, the layer 8 can be formed stably above the layer 4 without flattening the layer 8 in the manufacturing process of the magnetic random access memory.
特に、基板に近い強磁性層４が自由強磁性層８よりも大きいと、製造プロセスにおいて平坦化することなく、自由強磁性層８を安定的に強磁性層４の上方に形成することが可能となる。 - 特許庁 - To allow random access in a multilayer optical disk and a recording method, and to record data by optimal recording power when it is expected that recorded and unrecorded places randomly occur in an upper layer of a recording layer.
多層光ディスク及び記録方法であってランダムアクセス可能で、記録層に対し上位層に記録済みの箇所と未記録の箇所がランダムに発生することが予想される場合に最適な記録パワーで記録できるようにする。 - 特許庁 - When a file operation command to designate the aggregate file is executed, a file operation using the data block information and i node information of the aggregate file is performed so that it is possible to achieve the reduction of random access to a disk and the collective update of i nodes.
アグリゲートファイルを指定したファイル操作コマンドが実行された場合、アグリゲートファイルのデータブロック情報とｉノード情報を用いたファイル操作を行うことで、ディスクへのランダムアクセスの削減や、ｉノードの一括更新を実現する。 - 特許庁 - A magnetic random access memory includes a magnetic recording layer 10 which is a ferromagnetic layer having vertical magnetic anisotropy, a pin layer 30, and a non-magnetic tunnel barrier layer 32 provided between the magnetic recording layer 10 and the pin layer 30.
本発明の磁気ランダムアクセスメモリは、垂直磁気異方性をもつ強磁性層である磁気記録層１０と、ピン層３０と、磁気記録層１０とピン層３０との間に設けられた非磁性のトンネルバリア層３２とを具備する。 - 特許庁 - An optical disk magazine 1 which stores a plurality of thin optical disks 10 into the same magazine case 2 houses an optical disk format optical disk 11 for random access which records management information and an optical disk 12 for sequential recording.
複数枚の薄型光ディスク１０を同一のマガジンケース２に格納する光ディスクマガジン１において、管理情報を記録するランダムアクセス用光ディスクフォーマット光ディスク１１とシーケンシャル記録用光ディスク１２を共に収納する。 - 特許庁 - The IC includes a dynamic random access memory (DRAM) for storing at least one of graphic pixel data and video pixel data, and a pixel data unit (PDU) for processing the pixel data, integrated in the same integrated circuit (IC) chip as the DRAM.
グラフィック画素データとビデオ画素データの少なくとも１つを記憶するダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）と、画素データを処理するための画素データユニット（ＰＤＵ）とから構成され、ＤＲＡＭと同じ集積回路（ＩＣ）チップに集積される。 - 特許庁 - To provide an image processing apparatus capable of reducing the capacity of a memory storing image data and performing random access to a desired part of the image data stored in the memory further, its method, a program and a recording medium.
画像データを格納するメモリの容量を削減し、さらに、メモリに記憶された画像データの所望の部分に対してランダムアクセスを行うことが可能な画像処理装置及びその方法、並びにプログラム及び記録媒体を提供する。 - 特許庁 - Broadcast programs, within the past sixty minutes or two weeks from the present time, are recorded in a hard disk being a random access memory, and if a reviewing request is received during recording operation, recording and reproduction is performed alternately to perform reproduction, while performing recording.
現在日時から過去６０分以内あるいは２週間以内の放送番組はランダムアクセスメモリであるハードディスクに記録し、記録動作中に閲覧要求があるときは、記録と再生を交互に行って、記録をしつつ再生をする。 - 特許庁 - To read data stored in a random access area, the data (physical block) to be read are retrieved using a logical block number and the newest data are read as the incremental counter of the data with the logical block number is referred to.
ランダムアクセス領域の記憶されているデータを読み出すときにおいては、論理ブロック番号で、読み出すデータ（物理ブロック）を検索し、その論理ブロック番号を有するデータのインクリメンタルカウンタを参照して最も新しいデータを読み出す。 - 特許庁 - The ferroelectric random-access memory of the present invention has a ferroelectric capacitor formed by laminating a lower electrode, a PZT film and an upper electrode including SrRuO_3, and the PZT film includes pinholes at densities of less than or equal to about 17 holes/μm^2.
本発明の強誘電体ランダムアクセスメモリ装置は、下部電極と、PZT膜と、SrRuO_3を含む上部電極の積層により形成された強誘電体キャパシタを有し、PZT膜は、約１７個／μｍ^２以下の密度のピンホールを含む。 - 特許庁 - A memory area of a buffer memory which temporarily stores data written in the HDD is managed by clearly dividing into a buffer memory area for sequential data, such as audio data and that for random access data, such as an address book.
ＨＤＤにて読み書きされるデータを一時的に記憶するバッファメモリのメモリ領域を、オーディオデータ等のシーケンシャルデータ用のバッファメモリ領域と、住所録等のランダムアクセスデータ用のバッファメモリ領域とに明確に分けて管理する。 - 特許庁 - To provide an image processing device capable of: random access to the data corresponding to an arbitrary area in image data; and improving the compression efficiency of the image data, an image processing method, a program and an imaging device.
画像データ中の任意の領域に対応するデータへのランダムアクセスが可能であり、かつ、画像データの圧縮効率を向上させることが可能な画像処理装置、画像処理方法、プログラムおよび撮像装置を提供する。 - 特許庁 - An FPD correction part 154 generates a correction YUV 203, in which the FPD is corrected, from an FPD YUV 202 (image data converted from FPD RAW 201), in which the FPD is caused, and stores it in a DRAM (Dynamic Random Access Memory) 119.
ＦＰＤ補正部１５４は、このＦＰＤが生じたＦＰＤ ＹＵＶ２０２（ＦＰＤ ＲＡＷ２０１から変換された画像データ）から、ＦＰＤが補正された補正ＹＵＶ２０３を生成してＤＲＡＭ１１９に記憶する。 - 特許庁 - To provide an SRAM (Static Random Access Memory) cell circuit which makes a dedicated read line unnecessary by suppressing limiting conditions on transistor dimensions in ensuring certain write operation and read operation and reducing the number of transistors used, and to provide its driving method.
書き込み動作や読み出し動作を確実にすることに伴うトランジスタ寸法への制約条件を抑制し、使用トランジスタ数を少なくし、読み出し専用線を不要とするＳＲＡＭセル回路およびその駆動方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an information recording method for a multilayer optical medium by which accessibility of a multilayer optical information medium is enhanced and smooth data transfer and enhancement of random access properties are made possible as a result and to provide an information medium and a recording and reproducing device.
多層光情報媒体のアクセス性を向上させ、スムーズなデータ転送およびランダムアクセス性の向上を可能にする多層光媒体に関る情報記録方法、情報媒体および記録再生装置を提供する。 - 特許庁 - This manufacturing method is carried out in a manner, where the upper electrode 18 of a capacitor is brought into contact with the junction layer of a transistor by a barrier metal 20 through the intermediary of a polysilicon 21 when a wiring for connecting a ferroelectric capacitor to a transistor of an Fe RAM(ferro random access memory) is formed.
ＦｅＲＡＭの強誘電体キャパシタとトランジスタとの接続のための配線形成時に、キャパシタの上部電極１８は、障壁金属２０によってトランジスタの接合層にポリシリコン２１を通じてコンタクトがなされる。 - 特許庁 - The system comprises a read only memory (ROM) configured to store a first group of the microcode and a random access memory (RAM) cache configured to temporarily store blocks of a second group of the microcode.
当システムは、マイクロコードの第１のグループを格納するよう構成された読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）及びマイクロコードの第２のグループのブロックを一時的に格納するよう構成されたランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）キヤツシュを有する。 - 特許庁
