「Random Access」を含む例文一覧(1624)

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  • The method also includes a step of receiving a random access preamble message on the UL CC from the UE and transmitting a random access response message on the paired DL CC in response to the reception of the random access preamble message during a random access process.
    方法は、更に、ランダムアクセス工程で、UEから、UL CC上で、ランダムアクセス前文メッセージを受信し、ランダムアクセス前文メッセージの受信に応答して、対のDL CC上で、ランダムアクセス応答メッセージを伝送するステップを含む。 - 特許庁
  • MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS DATA READ-OUT METHOD
    磁気ランダムアクセスメモリおよびそのデータ読み出し方法 - 特許庁
  • VOLATILE MEMORY AND EMBEDDED DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY
    揮発性メモリおよびエンベッデッド・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ - 特許庁
  • To speed up random write access to a nonvolatile memory.
    不揮発性メモリのランダムライトアクセスの高速化を図る。 - 特許庁
  • RANDOM ACCESS CONTROL METHOD, COMMUNICATION SYSTEM, AND BASE STATION
    ランダムアクセス制御方法、通信システムおよび基地局 - 特許庁
  • METHOD OF FABRICATING MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) DEVICE
    抗磁ランダムアクセスメモリ(MRAM)装置の製造方法 - 特許庁
  • To provide a magnetic random access memory having high integration.
    集積度の高い磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁
  • RANDOM ACCESS CONTROL METHOD, BASE STATION, AND TERMINAL DEVICE
    ランダムアクセス制御方法、基地局および端末装置 - 特許庁
  • MANUFACTURE OF EMBEDDED DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY
    埋め込まれたダイナミック・ランダム・アクセス・メモリーの製造方法 - 特許庁
  • DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF INSPECTING THE SAME
    ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ装置とその検査方法 - 特許庁
  • This device is a magnetic random access memory(MRAM) device (100).
    メモリセル(104)のアレイ(102)を含む磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイス(100)。 - 特許庁
  • RANDOM ACCESS ELECTRICALLY PROGRAMMABLE-E-FUSE ROM
    ランダム・アクセス電気的プログラム可能なEヒューズROM - 特許庁
  • GENERATION OF REFERENCE SIGNAL FOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE
    磁気ランダムアクセスメモリデバイスのための基準信号生成 - 特許庁
  • MAGNETIC ELEMENT AND INTERGRATED CIRCUIT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
    磁気素子及び集積回路並びに磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
  • MAGNETORESISTIVE MEMORY STORAGE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE
    磁気抵抗記憶素子および磁気ランダムアクセスメモリ装置 - 特許庁
  • To provide a random access burst transmission method and an apparatus for transmitting a random access burst in a wireless telecommunication system.
    無線通信システムにおいて、ランダムアクセスバーストを送信するランダムアクセスバースト送信方法及び装置を提供する。 - 特許庁
  • MAGNETIC TUNNELING JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL, MAGNETIC TUNNELING JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL ARRAY, AND METHOD FOR SELECTING AND RECORDING MAGNETIC TUNNELING JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL
    磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセル、磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルアレイ、ならびに磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルの選択記録方法 - 特許庁
  • RANDOM ACCESS SYSTEM, BASE STATION DEVICE AND TERMINAL STATION DEVICE
    ランダムアクセス方式、基地局装置及び端末局装置 - 特許庁
  • The uplink channel 12 consists of a random access channel 16.
    アップリンクチャンネル12は、ランダムアクセスチャンネル16からなる。 - 特許庁
  • To achieve random access, even if lengthening GOP.
    GOPの長さを長くしても、ランダムアクセスを可能とする。 - 特許庁
  • UNI-TRANSISTOR RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD THEREOF
    ユニ・トランジスタランダムアクセスメモリ装置及びそれの制御方法 - 特許庁
  • SUB-CHANNEL FOR RANDOM ACCESS CHANNEL IN TIME DIVISION DUPLEX
    時分割複信におけるランダムアクセスチャネル用のサブチャネル - 特許庁
  • STATIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD
    スタティック型ランダムアクセスメモリ装置及びその製造方法 - 特許庁
  • To reduce noise and residual vibration during a random access.
    ランダムアクセス時の騒音や残留振動を低減する。 - 特許庁
  • RANDOM-ACCESS MULTI-DIRECTIONAL CDMA2000 TURBO CODE INTERLEAVER
    ランダムアクセスマルチ方向CDMA2000のターボコードインターリーバ - 特許庁
  • MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING THE SAME
    磁気抵抗素子及びそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
  • AUTOMATED CONTINUOUS AND RANDOM ACCESS ANALYTICAL SYSTEM
    自動連続ランダムアクセス分析システムおよびその構成要素 - 特許庁
  • Accordingly, random access to the gate line 6 is permitted.
    従って、ゲートライン6にランダムにアクセすることができる。 - 特許庁
  • ARCHITECTURE OF SPACE TIME SWITCH USING RANDOM ACCESS MEMORY
    ランダム・アクセス・メモリを用いた空間・時間スイッチのアーキテクチャ - 特許庁
  • RANDOM ACCESS METHOD FOR FORWARD LINK, MOBILE STATION AND TRANSMITTER
    上りリンクのランダムアクセス方法、移動局、及び送信機 - 特許庁
  • To provide a random phase multiple access communication interface.
    ランダム位相多重アクセス通信インターフェイスを提供する。 - 特許庁
  • MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY HAVING HIGH CURRENT DENSITY
    高い電流密度を有する磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ - 特許庁
  • DATA SENSING METHOD FOR FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY
    強誘電体ランダムアクセスメモリ装置のデータ感知方法 - 特許庁
  • DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND TEST METHOD THEREFOR
    ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ装置およびその検査方法 - 特許庁
  • MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING THE SAME
    磁気メモリ素子及びそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
  • To provide a CDMA random access system which can increase a throughput of RACH random access while reducing a collision probability in simultaneous random accesses, and also to provide a CDMA random access method.
    同時に生起したランダムアクセスの衝突確率を低減しながら、RACHランダムアクセスのスループットを向上させることができるCDMAランダムアクセスシステム、及びCDMAランダムアクセス方法を提供する。 - 特許庁
  • To improve random access performance and to guarantee a response time to an access.
    ランダムアクセス性能向上と、アクセスに対する応答時間の保証を実現する。 - 特許庁
  • METHOD FOR CONTROLLING READING ACCESS OF MEMORY CELL, AND DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE
    メモリセルの読み出しアクセスを制御する方法およびダイナミックランダムアクセスメモリデバイス - 特許庁
  • METHOD AND APPARATUS FOR RANDOM ACCESS IN ORTHOGONAL MULTIPLE-ACCESS COMMUNICATION SYSTEM
    直交多元接続通信システムにおけるランダムアクセスのための方法および装置 - 特許庁
  • RANDOM NUMBER GENERATOR, RANDOM NUMBER GENERATION CONTROL METHOD, MEMORY ACCESS CONTROL DEVICE, AND COMMUNICATION DEVICE
    乱数生成装置、乱数生成制御方法、メモリアクセス制御装置、および、通信装置 - 特許庁
  • To provide a memory access system for shortening access time even at the time of random access to a DRAM and performing acceleration.
    DRAMへのランダムアクセス時にもアクセス時間を短縮して高速化したメモリアクセスシステムを提供する。 - 特許庁
  • To provide a downlink access in a connection less type random access wireless communication system.
    コネクションレス型ランダムアクセス無線通信方式における下りリンクアクセスを提供する。 - 特許庁
  • WIRELESS NETWORK WITH A PLURALITY OF DURATION POSSIBILITIES TO ACCESS RANDOM ACCESS CHANNEL
    ランダムアクセスチャネルにアクセスするための複数の持続可能性を有するワイヤレスネットワーク - 特許庁
  • LAYOUT WITH RELAXED STORAGE NODE OF DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY
    ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリの蓄積ノ—ドの緩和されたレイアウト - 特許庁
  • To reduce current consumption of a dynamic random access memory DRAM.
    ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)の消費電流を低減する。 - 特許庁
  • To reduce the current consumption of a dynamic random access memory (DRAM).
    ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)の消費電流を低減する。 - 特許庁
  • MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MAGNETIC MEMORY
    磁気抵抗効果素子及び不揮発性ランダムアクセス磁気メモリ - 特許庁
  • To provide a storage medium control device capable of preventing retention of random access even in the intermixed state of sequential and random access.
    本発明は、シーケンシャル、ランダムが混在してもランダムの滞留を防止できる記憶媒体の制御装置を提供する。 - 特許庁
  • BIT LINE DETECTING CIRCUIT AND METHOD FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY
    ダイナミックランダムアクセスメモリ用ビット線検知回路及び方法 - 特許庁
  • At least one of the first latch circuit 10 and the second latch circuit 20 is composed of an SRAM (Static Random Access Memory) type.
    第1ラッチ回路10および第2ラッチ回路20の少なくとも一方がSRAM(Static Random Access Memory)型で構成される。 - 特許庁
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