The method also includes a step of receiving a randomaccess preamble message on the UL CC from the UE and transmitting a randomaccess response message on the paired DL CC in response to the reception of the randomaccess preamble message during a randomaccess process. 方法は、更に、ランダムアクセス工程で、UEから、UL CC上で、ランダムアクセス前文メッセージを受信し、ランダムアクセス前文メッセージの受信に応答して、対のDL CC上で、ランダムアクセス応答メッセージを伝送するステップを含む。 - 特許庁
MAGNETIC RANDOMACCESS MEMORY AND ITS DATA READ-OUT METHOD 磁気ランダムアクセスメモリおよびそのデータ読み出し方法 - 特許庁
VOLATILE MEMORY AND EMBEDDED DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY 揮発性メモリおよびエンベッデッド・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ - 特許庁
To speed up random write access to a nonvolatile memory. 不揮発性メモリのランダムライトアクセスの高速化を図る。 - 特許庁
RANDOMACCESS CONTROL METHOD, COMMUNICATION SYSTEM, AND BASE STATION ランダムアクセス制御方法、通信システムおよび基地局 - 特許庁
To provide a magnetic randomaccess memory having high integration. 集積度の高い磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁
RANDOMACCESS CONTROL METHOD, BASE STATION, AND TERMINAL DEVICE ランダムアクセス制御方法、基地局および端末装置 - 特許庁
MANUFACTURE OF EMBEDDED DYNAMIC RANDOMACCESS MEMORY 埋め込まれたダイナミック・ランダム・アクセス・メモリーの製造方法 - 特許庁
DYNAMIC RANDOMACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF INSPECTING THE SAME ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ装置とその検査方法 - 特許庁
This device is a magnetic randomaccess memory(MRAM) device (100). メモリセル(104)のアレイ(102)を含む磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイス(100)。 - 特許庁
RANDOMACCESS ELECTRICALLY PROGRAMMABLE-E-FUSE ROM ランダム・アクセス電気的プログラム可能なEヒューズROM - 特許庁
GENERATION OF REFERENCE SIGNAL FOR MAGNETIC RANDOMACCESS MEMORY DEVICE 磁気ランダムアクセスメモリデバイスのための基準信号生成 - 特許庁
MAGNETIC ELEMENT AND INTERGRATED CIRCUIT, AND MAGNETIC RANDOMACCESS MEMORY 磁気素子及び集積回路並びに磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
MAGNETORESISTIVE MEMORY STORAGE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOMACCESS MEMORY DEVICE 磁気抵抗記憶素子および磁気ランダムアクセスメモリ装置 - 特許庁
To provide a randomaccess burst transmission method and an apparatus for transmitting a randomaccess burst in a wireless telecommunication system. 無線通信システムにおいて、ランダムアクセスバーストを送信するランダムアクセスバースト送信方法及び装置を提供する。 - 特許庁
MAGNETIC TUNNELING JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOMACCESS MEMORY CELL, MAGNETIC TUNNELING JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOMACCESS MEMORY CELL ARRAY, AND METHOD FOR SELECTING AND RECORDING MAGNETIC TUNNELING JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOMACCESS MEMORY CELL 磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセル、磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルアレイ、ならびに磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルの選択記録方法 - 特許庁
RANDOMACCESS SYSTEM, BASE STATION DEVICE AND TERMINAL STATION DEVICE ランダムアクセス方式、基地局装置及び端末局装置 - 特許庁
The uplink channel 12 consists of a randomaccess channel 16. アップリンクチャンネル12は、ランダムアクセスチャンネル16からなる。 - 特許庁
To achieve randomaccess, even if lengthening GOP. GOPの長さを長くしても、ランダムアクセスを可能とする。 - 特許庁
UNI-TRANSISTOR RANDOMACCESS MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD THEREOF ユニ・トランジスタランダムアクセスメモリ装置及びそれの制御方法 - 特許庁
SUB-CHANNEL FOR RANDOMACCESS CHANNEL IN TIME DIVISION DUPLEX 時分割複信におけるランダムアクセスチャネル用のサブチャネル - 特許庁
STATIC RANDOMACCESS MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD スタティック型ランダムアクセスメモリ装置及びその製造方法 - 特許庁
To reduce noise and residual vibration during a randomaccess. ランダムアクセス時の騒音や残留振動を低減する。 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOMACCESS MEMORY USING THE SAME 磁気抵抗素子及びそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
AUTOMATED CONTINUOUS AND RANDOMACCESS ANALYTICAL SYSTEM 自動連続ランダムアクセス分析システムおよびその構成要素 - 特許庁
Accordingly, randomaccess to the gate line 6 is permitted. 従って、ゲートライン6にランダムにアクセすることができる。 - 特許庁
ARCHITECTURE OF SPACE TIME SWITCH USING RANDOMACCESS MEMORY ランダム・アクセス・メモリを用いた空間・時間スイッチのアーキテクチャ - 特許庁
RANDOMACCESS METHOD FOR FORWARD LINK, MOBILE STATION AND TRANSMITTER 上りリンクのランダムアクセス方法、移動局、及び送信機 - 特許庁
To provide a random phase multiple access communication interface. ランダム位相多重アクセス通信インターフェイスを提供する。 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE RANDOMACCESS MEMORY HAVING HIGH CURRENT DENSITY 高い電流密度を有する磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ - 特許庁
DATA SENSING METHOD FOR FERROELECTRIC RANDOMACCESS MEMORY 強誘電体ランダムアクセスメモリ装置のデータ感知方法 - 特許庁
DYNAMIC RANDOMACCESS MEMORY DEVICE AND TEST METHOD THEREFOR ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ装置およびその検査方法 - 特許庁
MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND MAGNETIC RANDOMACCESS MEMORY USING THE SAME 磁気メモリ素子及びそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
To provide a CDMA randomaccess system which can increase a throughput of RACH randomaccess while reducing a collision probability in simultaneous random accesses, and also to provide a CDMA randomaccess method. 同時に生起したランダムアクセスの衝突確率を低減しながら、RACHランダムアクセスのスループットを向上させることができるCDMAランダムアクセスシステム、及びCDMAランダムアクセス方法を提供する。 - 特許庁
To improve randomaccess performance and to guarantee a response time to an access. ランダムアクセス性能向上と、アクセスに対する応答時間の保証を実現する。 - 特許庁
METHOD FOR CONTROLLING READING ACCESS OF MEMORY CELL, AND DYNAMIC RANDOMACCESS MEMORY DEVICE メモリセルの読み出しアクセスを制御する方法およびダイナミックランダムアクセスメモリデバイス - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR RANDOMACCESS IN ORTHOGONAL MULTIPLE-ACCESS COMMUNICATION SYSTEM 直交多元接続通信システムにおけるランダムアクセスのための方法および装置 - 特許庁
RANDOM NUMBER GENERATOR, RANDOM NUMBER GENERATION CONTROL METHOD, MEMORY ACCESS CONTROL DEVICE, AND COMMUNICATION DEVICE 乱数生成装置、乱数生成制御方法、メモリアクセス制御装置、および、通信装置 - 特許庁
To provide a memory access system for shortening access time even at the time of randomaccess to a DRAM and performing acceleration. DRAMへのランダムアクセス時にもアクセス時間を短縮して高速化したメモリアクセスシステムを提供する。 - 特許庁
To provide a downlink access in a connection less type randomaccess wireless communication system. コネクションレス型ランダムアクセス無線通信方式における下りリンクアクセスを提供する。 - 特許庁
WIRELESS NETWORK WITH A PLURALITY OF DURATION POSSIBILITIES TO ACCESSRANDOMACCESS CHANNEL ランダムアクセスチャネルにアクセスするための複数の持続可能性を有するワイヤレスネットワーク - 特許庁
LAYOUT WITH RELAXED STORAGE NODE OF DYNAMIC RANDOMACCESS MEMORY ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリの蓄積ノ—ドの緩和されたレイアウト - 特許庁
To reduce current consumption of a dynamic randomaccess memory DRAM. ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)の消費電流を低減する。 - 特許庁
To reduce the current consumption of a dynamic randomaccess memory (DRAM). ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)の消費電流を低減する。 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND NON-VOLATILE RANDOMACCESS MAGNETIC MEMORY 磁気抵抗効果素子及び不揮発性ランダムアクセス磁気メモリ - 特許庁
To provide a storage medium control device capable of preventing retention of randomaccess even in the intermixed state of sequential and randomaccess. 本発明は、シーケンシャル、ランダムが混在してもランダムの滞留を防止できる記憶媒体の制御装置を提供する。 - 特許庁
BIT LINE DETECTING CIRCUIT AND METHOD FOR DYNAMIC RANDOMACCESS MEMORY ダイナミックランダムアクセスメモリ用ビット線検知回路及び方法 - 特許庁
At least one of the first latch circuit 10 and the second latch circuit 20 is composed of an SRAM (Static RandomAccess Memory) type. 第1ラッチ回路10および第2ラッチ回路20の少なくとも一方がSRAM(Static Random Access Memory)型で構成される。 - 特許庁