「Random access memory」を含む例文一覧(929)
＜前へ 1 2 .... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 次へ＞- A musical piece data for expressing each note in a divided phrase section is stored in a random access memory (RAM) 14, by dividing a melody part and a plurality of accompaniment parts into phrase units.
ＲＡＭ１４には、メロディパートおよび複数の伴奏パートをフレーズ単位に区切り、区切られたフレーズ区間の各音を表す曲データが記憶される。 - 特許庁 - To provide a random access memory device in which area of circuit arrangement is reduced by reducing area occupied by a pull-down circuit, and to provide its driving method.
プルダウン回路の占める面積を減少することにより回路アレンジの面積を減少させたランダムアクセスメモリデバイス及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁 - The integrated circuit also includes a single transistor dynamic random access memory (1T-DRAM) cell 212 arranged adjacent to and integrated with the bulk IC.
この集積回路はまた、バルクＩＣに隣接して設けられ且つ一体化された単一トランジスタのダイナミックランダムアクセスメモリ（１Ｔ−ＤＲＡＭ）セル２１２を備えている。 - 特許庁 - To provide a magnetic random access memory without the need for preparing a tunnel junction in an extremely well controlled vacuum state and to provide a manufacturing method.
非常によく制御された真空状態でトンネル接合を作成する必要のない磁気ランダムアクセスメモリセルおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - When the videoscope 20 is connected with the processor 30, the program data are transferred from the EEPROM 27 to a RAM (random access memory) 51 in the processor 30 and developed.
そしてビデオスコープ２０がプロセッサ３０に接続されると、プログラムデータをＥＥＰＲＯＭ２７からプロセッサ３０内のＲＡＭ５１へ転送し、展開させる。 - 特許庁 - The ultrasonic beam forming system, which has a simple constitution and is produced at a low cost, uses an analog random access memory (RAM) element in each beam forming channel.
簡単かつ低コストな超音波ビーム成形システムは、それぞれのビーム成形チャネルについて、アナログのランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）素子を使用している。 - 特許庁 - To provide a spin transfer type MTJ-MRAM (magnetic random access memory) cell that can keep a switching magnetic field without increasing switching current and cell size.
スイッチング電流およびセルサイズの増大という不都合を伴うことなくスイッチング磁界を確保し得るスピントランスファー型ＭＴＪ−ＭＲＡＭセルを提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor integrated circuit device, such as a high-performance semiconductor integrated circuit device whose soft errors of a SRAM(static random access memory) are reduced.
半導体集積回路装置、例えば、ＳＲＡＭのメモリセルのソフトエラーを低減させた高性能の半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁 - A magnetic random access memory according to an embodiment is provided with a laminate film, on which a lower electrode, a magnetoresistance effect element, and an upper electrode are sequentially laminated from a lower layer.
実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリは、下部電極、磁気抵抗効果素子、上部電極が下層から順に積層された積層膜が設けられる。 - 特許庁 - A program used for debugging or performance measurement is transmitted to a RAM (random access memory) 30 of a mobile terminal device 1 through communication I/F (interface) 2 from an external terminal unit 3 for storage.
デバッグあるいは性能測定を行うプログラムは外部端末装置３から通信I/F2を介して携帯端末装置1のRAM30に転送され、格納される。 - 特許庁 - To provide a receiver for receiving a random access signal, capable of reducing the amount of processing on the reception of a message and further reducing the memory capacity required for reception of the message.
メッセージ受信の際の処理量及び必要なメモリ容量を削減することができるランダムアクセス信号受信装置を提供すること。 - 特許庁 - Transmission of control data developed in RAM(random-access memory) 20 is asked to a main control part 200 of both game machines 300a and 300b (step S2020).
両方の遊技機３００ａ、３００ｂの主制御部２００にＲＡＭ２０３に展開されている制御データの送信を依頼する（ステップＳ２０２０）。 - 特許庁 - The semiconductor device is constituted of a DRAM (dynamic random access memory) and the SRAM, both of which are provided with a stack type constitution whose bit line 22 is situated below a capacitive element 31 and which are mounted through mixed loading.
半導体装置は、ビットライン２２が容量素子３１より下方にあるスタック型の構成を有するＤＲＡＭとＳＲＡＭとが混載されてなる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor recorder using a random access semiconductor memory (RAM) that simplifies and speeds up the recording/reproducing operation of various types of data.
複数種類のデータの記録再生動作を簡単且つ高速化するランダムアクセス半導体メモリ（ＲＡＭ）を使用する半導体レコーダを提供する。 - 特許庁 - A partially non-volatile dynamic random access memory PNDRAM uses a DRAM array formed by plural single transistors 1T cells or two transistors 2T cells.
部分的に不揮発性のダイナミック・アクセス・メモリ（ＰＮＤＲＡＭ）が、複数の単一トランジスタ（１Ｔ）・セルまたは２トランジスタ（２Ｔ）・セルにより形成されるＤＲＡＭアレイを使用する。 - 特許庁 - To provide a data sensing method for a ferroelectric random access memory device in which constant sensing margin can be obtained and which can perform accurate sensing operation.
一定の感知マージンを得ることができて、正確な感知動作を実施できる強誘電体ランダムアクセスメモリ装置のデータ感知方法を提供する。 - 特許庁 - FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE HAVING REFERENCE CIRCUIT GENERATING REFERENCE VOLTAGE BEING VARIABLE IN ACCORDANCE WITH VARIATION IN POLARIZATION STATE OF FERROELECTRIC CAPACITOR
強誘電体キャパシタの分極状態変化に応じて可変する基準電圧を発生する基準回路を有する強誘電体ランダムアクセスメモリ装置。 - 特許庁 - The apparatus to process video and graphic data includes a component and a main random access memory capable of storing video and graphic data.
本発明で提供するビデオおよびグラフィックス・データ処理用装置は、コンポーネントと、ビデオおよびグラフィックス・データを格納できるメイン・ランダム・アクセス・メモリを含む。 - 特許庁 - In an SDRAM(synchronous dynamic random access memory), a columnar decoder is divided into four blocks DB1-DB4, and intrinsic predecode signals Yk are assigned to each block DB.
ＳＤＲＡＭにおいて、列デコーダ１１ａを４つのブロックＤＢ１〜ＤＢ４に分割し、各ブロックＤＢに固有のプリデコード信号Ｙｋを割当てる。 - 特許庁 - By this setup, the lower electrode 59 of a DRAM (dynamic random access memory) data storage capacitor device is composed of a polycrystalline silicon film 58 and a granular silicon crystal 57.
これによりＤＲＡＭの情報蓄積用容量素子の下部電極５９を多結晶シリコン膜５８および粒状シリコン結晶５７とから構成する。 - 特許庁 - The LCD driver (liquid crystal display drive device) IC chip 10 includes an input circuit 11 to which data is inputted, a RAM (Random Access Memory) 12 as a memory section, a logic circuit 13 as a data processing section, an internal semiconductor element circuit constituted in such a manner that the output circuit 14 etc., including a latch circuit and producing signal output are correlated.
ＬＣＤドライバ（液晶表示駆動装置）ＩＣチップ１０は、データが入力される入力回路１１、記憶部としてのＲＡＭ（Random Access Memory）１２、データ処理部としてのロジック回路１３、及びラッチ回路を含み信号出力をする出力回路１４等が相関するように構成された内部の半導体素子回路を有している。 - 特許庁 - The read memory and the write memory of each random access memory device are updated respectively in relation to a spare read memory in common to read memories of all parallel branches and a spare write memory in common to write memories of all parallel branches.
本発明は、各ランダムアクセスメモリ装置の読取りメモリと書込みメモリが、それぞれ、並列な全てのブランチの読取りメモリに共通である予備読取りメモリおよび並列な全てのブランチの書込みメモリに共通である予備書込みメモリに関連して更新されることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a DRAM refreshing system with which reduction of opera tion efficiency of a central processing unit can be prevented by preventing access for write-in or read-out during refreshing of a dynamic random access memory(DRAM).
ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）のリフレッシュ中に書き込み又は読み出しのためのアクセスを避け、中央処理ユニットの動作効率の低下を避けることが可能なＤＲＡＭリフレッシュ方式を提供する。 - 特許庁 - This memory device has a random access port for graphic data, a 1st serial access port for image output to a display, and an auxiliary, i.e. 2nd serial port for inputting and outputting video signal data.
このメモリ装置は、グラフィックデータのためのランダムアクセスポートと、ディスプレイへの像出力のための第１シリアルアクセスポートと、ビデオ信号データの入力及び出力のための補助即ち第２シリアルポートとを有する。 - 特許庁 - To enable saving of a defective logical integrated circuit device or the like, incorporating a random access memory or the like after the product is shipped, to improve reliability of a computer system, and to realize redundancy of a memory, without having to alter the design of a memory block.
ランダムアクセスメモリ等を搭載する論理集積回路装置等の製品出荷後の欠陥救済を可能にし、コンピュータシステムの信頼性を高め、メモリブロックの設計変更なしにメモリ冗長化を実現する装置の提供。 - 特許庁 - A memory area of a buffer memory which temporarily stores data written in the HDD is managed by clearly dividing into a buffer memory area for sequential data, such as audio data and that for random access data, such as an address book.
ＨＤＤにて読み書きされるデータを一時的に記憶するバッファメモリのメモリ領域を、オーディオデータ等のシーケンシャルデータ用のバッファメモリ領域と、住所録等のランダムアクセスデータ用のバッファメモリ領域とに明確に分けて管理する。 - 特許庁 - A virtual mapping system including the flash memory 12, a flash controller 14 and a random access memory 16 is provided, to thereby enable continuous writing on a physical address location where data are not written.
フラッシュメモリ（１２）、フラッシュコントローラ（１４）とランダムアクセスメモリ（１６）とを含む仮想マッピングシステムを設けることにより、データを書込まれていない物理アドレス場所に連続して書込むことが可能になる。 - 特許庁 - To provide a nonvolatile random access memory and a nonvolatile memory system which, while being randomly accessible, can retain data even after power is turned off and which make it possible to add an ECC (Error Correcting Code) matching an application.
ランダムアクセス可能でありながら電源を切った後もデータ保持可能で、アプリケーションに応じたＥＣＣの付加が可能な不揮発性ランダムアクセスメモリおよび不揮発性メモリシステムを提供する。 - 特許庁 - Since data held on a cash memory unit 76 can be utilized with being near in relation to time, random access to the memory 14 can be lessened by raising the localization of reference.
キャッシュ記憶部７６上に保有されているデータを時間的に近接して利用することが可能となるので、参照の局所性を高めて、メモリ１４へのランダムアクセスを少なくすることができる。 - 特許庁 - To provide a ferroelectric random access memory device comprising a reference circuit generating reference voltage being variable in accordance with variation in a polarization state of a ferroelectric capacitor of a memory cell caused by elapse of a time.
時間の経過によるメモリセルの強誘電体キャパシタの分極状態変化に応じて可変する基準電圧を発生する基準回路を含む強誘電体ランダムアクセスメモリ装置を提供する。 - 特許庁 - The circuit 502 transfers the set address of the image writing position to a random-access memory (RAM) part for image data, and the image data, which are sent from an image memory part 301, are written by an amount commensurate with an image size.
ＬＥＤ書込制御回路５０２は、設定された画像書込位置アドレスを画像データＲＡＭ部に転送し、画像メモリ部３０１から送られてくる画像データを画像サイズ分だけ書き込む。 - 特許庁 - On the other hand, the signal from the circuit 2 is written in a random access memory(RAM) 6 through a memory controller 5 and the signal read out from the RAM 6 is supplied to the normal continuous photographing contact (b) of the switch 3.
またフロントエンド回路２からの信号がメモリコントローラ５を通じてランダムアクセスメモリ６に書き込まれ、読み出された信号が切り換えスイッチ３の通常連写側接点ｂに供給される。 - 特許庁 - The CPU executes the transfer control program to transfer the rewriting control program to the random access memory, and further executes the transferred rewriting control program to write prepared data into the flash memory.
ＣＰＵは、転送制御プログラムを実行して、書換え制御プログラムを前記ランダムアクセスメモリへ転送し、さらに、転送された前記書換え制御プログラムを実行して、用意されたデータをフラッシュメモリへ書き込む。 - 特許庁 - A circuit outside a memory controller in a processing system sets a dynamic random access memory to a self-refresh state by responding to a predetermined condition associated with a power-down or reset event.
処理システム中のメモリ・コントローラの外部にある回路は、電源遮断またはリセット・イベントに関連付けられた所定の条件に応答して、動的ランダム・アクセス・メモリをセルフリフレッシュ状態にする。 - 特許庁 - To provide a dynamic random access memory formed at a semiconductor body comprising individual paired memory cell separated each other by a vertical electric isolation trench and separated from a support circuit.
垂直方向の電気的アイソレーショントレンチにより互いに分離され、かつサポート回路から分離されている個々のメモリセルペアを有する半導体ボディに形成されたダイナミックランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁 - A camera 10 is a digital camera, having the functions of recoding and reproducing moving video, static image and voice and has two media slots, to which two recording media 45, 46 capable of random access are attached at the same time, and a memory unit (inner medium) 70 capable of random access to the inside of the camera 10.
カメラ１０は、動画、静止画及び音声の記録再生機能を備えたデジタルカメラであり、ランダムアクセス可能な２つの記録メディア４５、４６を同時に装着可能な２つのメディアスロットを有するとともに、カメラ１０内部にランダムアクセス可能な記憶装置（内部メディア）７０を備えている。 - 特許庁 - To provide an electric charges saving type write-in method and a device for reducing an average write-in current in an integrated circuit magnetic resistance random access memory (MRAM) system.
集積回路（IC）磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ（MRAM）システムにおける平均的書込電流を低減するための電荷節約書込方法および装置を提供する。 - 特許庁 - The CPU 105 computes directions on the basis of the detection signal stored in the register 103, stores it in an RAM (random access memory) 107, and displays it on a display 106.
ＣＰＵ１０５は、レジスタ１０３に記憶した検出信号に基づいて方位を算出し、ＲＡＭ１０７に記憶すると共に表示装置１０６に表示する。 - 特許庁 - To provide a phase-change random access memory the structure of which has been improved so that the adhesion of a phase-change substance layer is improved, and a method of manufacturing the same.
相変化物質層の粘着性を改善させることができるように、その構造の改善された相変化メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a magnetic element for conducting a flux reversal of magnetization of a magnetic electrode without supplying a current to a magnetic element body, and to provide an integrated circuit and a magnetic random access memory.
磁気素子本体に電流を流すことなく、磁性体電極の磁化反転が可能な磁気素子及び集積回路並びに磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁 - When the CT mode game is executed, a presentation for a CT mode period 1 is performed (step 129), and a value 49 as a comparison value A is set in a RAM 33 or a random access memory 33 (step 130).
ＣＴゲームが実行されると、ＣＴ期間時１の演出が行われ（ステップ１２９）、ＲＡＭ３３に比較値Ａとして値４９がセットされる（ステップ１３０）。 - 特許庁 - An SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) address control part 25 stores the pixel data of the pixels stored in the storage areas of the number of the pixels in one row of the division number into the same storage area of an SDRAM.
ＳＤＲＡＭアドレス制御部２５は、分割した数の１行の画素数の記憶領域に記憶された画素の画素データをＳＤＲＡＭの同じ記憶領域に記憶する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor integrated circuit device and a DMA (direct memory access) data transferring method capable of fast and efficiently transferring DMA data even for a random data amount.
ランダムなデータ量でも高速に効率よくＤＭＡデータ転送を行うことを可能とした半導体集積回路装置とＤＭＡデータ転送方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a technology for improving security when a nonvolatile storage device, which is readable/writable by random access, is mounted as a program/data memory.
ランダムアクセスによってリード・ライト可能な不揮発性記憶装置を、プログラム／データ兼用のメモリとして搭載した場合のセキュリティの向上を図るための技術を提供する。 - 特許庁 - To provide a magnetic tunnel joining (MTJ) device having an antiferromagnetic (AFM) layer and used as a magnetic sensor in a magnetic disk drive or a memory cell in a magnetic random access array.
反強磁性ＡＦＭ層を有し、磁気ディスク・ドライブ中の磁界センサ、または磁気ランダム・アクセスアレイ中のメモリ・セルとして使用する磁気トンネル接合ＭＴＪデバイス。 - 特許庁 - To provide contacts of P well and N well and, suitably, a low cost SRAM (static random access memory) cell having a P+ a diffusion intersection section to ground.
ＰウェルおよびＮウェルのコンタクトおよび好ましくはグランドへのＰ＋拡散交差部を有する低コストＳＲＡＭ（スタティック・ランダム・アクセス・メモリ）セルを提供すること - 特許庁 - The controlling part 1 randomly accesses the area 31 for instruction storage, executes the device driver and substantially realizes random access in one-byte unit to the flash memory 5.
ついで、制御部１は、命令格納用領域３１にランダムアクセスしてデバイスドライバを実行し、フラッシュメモリ５への１バイト単位のランダムアクセスを実質的に実現する。 - 特許庁 - To minimize errors in a magnetoresistive solid-state storage device such as a magnetic random access memory (MRAM) element array or the like.
磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）素子アレイ等の磁気抵抗固体記憶素子（１００）における誤りを最小限にすることを可能にする例示的な実施形態を開示する。 - 特許庁 - To provide a nonvolatile random access memory that can be put to practical use by obtaining a paramagnetic layer having a sufficient spin coherence length and a uniform spin field.
十分なスピンコヒーレンス長および均一なスピン場を有する常磁性層を得ることができ、これにより実用化を図ることのできる不揮発性ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁 - A resistance based random access memory (ReRAM) is provided with a current reference circuit including at least three ReRAM reference cells coupled in parallel with one another.
抵抗基盤ランダムアクセスメモリ（ＲｅＲＡＭ）は互いに並列に接続された少なくとも３つのＲｅＲＡＭ基準セルを有する電流基準回路を具備する。 - 特許庁
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