「Random element」を含む例文一覧(208)

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  • RANDOM NUMBER GENERATING ELEMENT
    乱数生成素子 - 特許庁
  • RANDOM NUMBER GENERATING ELEMENT
    乱数発生素子 - 特許庁
  • MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT
    磁気ランダムアクセスメモリ要素 - 特許庁
  • RANDOM NUMBER GENERATING ELEMENT AND RANDOM NUMBER GENERATING METHOD
    乱数発生素子および乱数発生方法 - 特許庁
  • RANDOM NUMBER GENERATION METHOD AND RANDOM NUMBER GENERATION ELEMENT
    乱数発生方法および乱数発生素子 - 特許庁
  • MULTI-BIT MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT
    マルチビット磁気ランダムアクセスメモリ要素 - 特許庁
  • MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
    磁気抵抗素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
  • DOMAIN WALL DISPLACEMENT ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
    磁壁移動素子、及び、磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
  • MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
    磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
  • MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
    磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
  • MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
    磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
  • MAGNETO-RESISTIVE ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
    磁気抵抗効果素子、及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
  • MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
    磁気トンネル接合素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
  • MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
    磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
  • MAGNETORESISTIVE-EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM-ACCESS MEMORY
    磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
  • MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
    磁気抵抗効果素子および磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
  • STORAGE ELEMENT OF ACTIVE STRAP MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELLS
    アクティブストラップ式磁気ランダムアクセスメモリの記憶素子 - 特許庁
  • STATIC RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD
    スタティックランダムアクセスメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
  • VARIABLE RESISTANCE ELEMENT AND RESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY
    可変抵抗素子および抵抗変化型メモリ装置 - 特許庁
  • VARIABLE RESISTANCE ELEMENT AND RESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE
    可変抵抗素子および抵抗変化型メモリ装置 - 特許庁
  • MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE
    磁気抵抗効果素子および磁気ランダムアクセスメモリ装置 - 特許庁
  • To prevent an attacker from easily reading a random number from a random number generation element.
    攻撃者が乱数発生素子から乱数を容易に読み出せないようにすること。 - 特許庁
  • MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING THE SAME
    磁気抵抗素子及びそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
  • MAGNETIC ELEMENT AND INTERGRATED CIRCUIT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
    磁気素子及び集積回路並びに磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
  • MAGNETORESISTIVE MEMORY STORAGE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE
    磁気抵抗記憶素子および磁気ランダムアクセスメモリ装置 - 特許庁
  • MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING THE SAME
    磁気メモリ素子及びそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
  • In this case, the random number generation part 2 performs second write to supply spin-injection currents to set the resistance value of the random number generation element to a second resistance value to the random number generation element with a write probability which is 1/2, and makes the random number generation element generate random numbers.
    このとき、乱数発生部２は、書込み確率が１／２であって、第２の抵抗値にするスピン注入電流を乱数発生素子に供給する２回目の書込みを行うことによって、乱数発生素子に乱数を発生させる。 - 特許庁
  • MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MAGNETIC MEMORY
    磁気抵抗効果素子及び不揮発性ランダムアクセス磁気メモリ - 特許庁
  • VARIABLE RESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT EQUIPPED WITH N+ INTERFACE LAYER
    ｎ＋界面層を備えた可変抵抗ランダムアクセスメモリ素子 - 特許庁
  • SPIN-INJECTED MAGNETIZATION REVERSAL ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
    スピン注入磁化反転素子および磁気ランダムアクセスメモリ装置 - 特許庁
  • THERMALLY ASSISTED MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT WITH IMPROVED ENDURANCE
    耐久性が改良された熱アシスト磁気ランダムアクセスメモリ素子 - 特許庁
  • DEVICE FOR AUTHENTICATION USING INTRINSIC RANDOM NUMBER GENERATING ELEMENT OR PSEUDO RANDOM NUMBER GENERATING ELEMENT, AUTHENTICATION APPARATUS, AND AUTHENTICATION METHOD
    真性乱数発生素子あるいは擬似乱数発生素子を用いた認証用デバイス、認証装置及び認証方法 - 特許庁
  • Chooses a random element from the non-empty sequence seq and returns it.
    空でないシーケンス seq からランダムに要素を選んで返します。 - Python
  • MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING IT
    磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
  • MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING THE SAME
    磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
  • MAGNETRORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY CELL AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE
    磁気抵抗効果素子、磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ装置 - 特許庁
  • ASYMMETRICAL STATIC RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT HAVING REDUCED BIT LINE LEAKAGE
    ビット・ライン漏洩の少ない非対称静的ランダム・アクセス・メモリ素子 - 特許庁
  • MAGNETORESISTIVE ELEMENT, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND METHOD OF MANUFACTURING THEM
    磁気抵抗素子、磁気ランダムアクセスメモリ、及びそれらの製造方法 - 特許庁
  • MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, ELECTRONIC CARD AND ELECTRONIC DEVICE
    磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置 - 特許庁
  • MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
    磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、及びそれらの製造方法 - 特許庁
  • MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
    磁気トンネル接合素子およびその形成方法、磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
  • MAGNETORESISTANCE EFFECT-TYPE ELEMENT AND MAGNETORESISTANCE EFFECT-TYPE RANDOM ACCESS MEMORY
    磁気抵抗効果型素子および磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ - 特許庁
  • DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY, SEMICONDUCTOR MEMORY CIRCUIT, MEMORY ELEMENT, SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT AND METHOD FOR ACCESSING SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT
    ダイナミックランダムアクセスメモリ、半導体メモリ回路、メモリ素子、半導体メモリ素子、半導体メモリ素子にアクセスする方法 - 特許庁
  • To provide a flexible switching element used as a resistance-variation-type random access memory element.
    抵抗変化型ランダムアクセスメモリ素子として用いられるフレキシブルなスイッチング素子を提供する。 - 特許庁
  • RESONANCE TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY CELL, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
    共鳴トンネル磁気抵抗効果素子、磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
  • DATA WRITING METHOD OF MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
    磁気抵抗効果素子のデータ書き込み方法及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
  • QUANTUM RANDOM ADDRESS MEMORY WITH MAGNETIC READOUT AND/OR NANO-MEMORY ELEMENT
    磁気読出部及び／又はナノ・メモリ素子を使用する量子ランダム・アドレス・メモリ - 特許庁
  • MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
    磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁
  • MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY CELL USING THE SAME, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
    磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
  • To provide a resistance random access memory element achieving small variations in switching characteristics and suitable for high integration, and to provide a method of controlling the resistance random access memory element.
    スイッチング特性のバラツキが小さく高集積化に適した抵抗変化型メモリ素子および抵抗変化型メモリ素子制御方法を提供する。 - 特許庁
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