MANUFACTURE OF DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY ダイナミックランダムアクセスメモリの製造方法 - 特許庁
READ/RESET SYSTEM OF RANDOM ACCESS MEMORY ランダム・アクセス・メモリのリード・リセット方式 - 特許庁
SPIN TRANSISTOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE スピントランジスタ磁性ランダムアクセスメモリデバイス - 特許庁
SRAM (STATIC RANDOM ACCESS MEMORY) AND SRAM TEST METHOD SRAM(StaticRandomAccessMemory)、及びSRAMのテスト方法 - 特許庁
FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE 不揮発性強誘電体メモリ装置 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING CAPACITOR, MEMORY CELL AND DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY キャパシタの製造方法、メモリセル、及びDRAM - 特許庁
a memory system of a computer, called random-accessmemory ランダムアクセスメモリーという,コンピューターの記憶装置 - EDR日英対訳辞書
METHOD FOR MANUFACTURING STATIC RANDOM ACCESS MEMORY スタティックランダムアクセスメモリの製造方法 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY ダイナミックランダムアクセスメモリの製造方法 - 特許庁
SRAM (STATIC RANDOM ACCESS MEMORY) AND TEST METHOD OF SRAM SRAM(StaticRandomAccessMemory)、及びSRAMのテスト方法 - 特許庁
FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION RANDOM ACCESS MEMORY, SPIN VALVE RANDOM-ACCESSMEMORY, SINGLE FERROMAGNETIC FILM RANDOM-ACCESSMEMORY AND MEMORY CELL ARRAY USING THEM 強磁性トンネル接合ランダムアクセスメモリ、スピンバルブランダムアクセスメモリ、単一強磁性膜ランダムアクセスメモリ、およびこれらをつかったメモリセルアレイ - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, ACCESS METHOD TO THE SAME AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY 磁気ランダムアクセスメモリ、磁気ランダムアクセスメモリへのアクセス方法および磁気ランダムアクセスメモリの製造方法 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY 磁気抵抗素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
RANDOM ACCESS MEMORY CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD ランダムアクセスメモリセル及びその製造方法 - 特許庁
REFRESHING SYSTEM FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリのリフレッシュ方式 - 特許庁
DOMAIN WALL DISPLACEMENT ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY 磁壁移動素子、及び、磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
A RAM (Random Access Memory) 30 holds data that is to be written to the memory cell array 10 or data that is read out. RAM(Random Access Memory)30は、メモリセルアレイ10に書き込まれるデータ、又は読み出されたデータを保持する。 - 特許庁
VOLATILE MEMORY AND EMBEDDED DYNAMIC RANDOM-ACCESSMEMORY 揮発性メモリおよびエンベッデッド・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND OPERATION METHOD THEREOF 磁気ランダムアクセスメモリ及びその動作方法 - 特許庁
The logical data block (202) in a magnetic random access memory (200) is disclosed. MRAM(200)の論理データブロック(202)が開示される。 - 特許庁
RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND ITS DRIVING METHOD ランダムアクセスメモリデバイス及びその駆動方法 - 特許庁
SELECT LINE ARCHITECTURE FOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY 磁気ランダム・アクセス・メモリの選択線アーキテクチャ - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD 磁気ランダム・アクセス・メモリとその製造方法 - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS DRIVING METHOD 磁気ランダムアクセスメモリ及びその駆動方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY MANUFACTURED THEREBY 磁気ランダムアクセスメモリの製造方法およびその方法により製造される磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD 磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法 - 特許庁
METHOD FOR READING DATA FROM MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY 磁気ランダムアクセスメモリのデータ読み出し方法 - 特許庁
LOW POWER CONSUMPTION TYPE DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY 低消費電力型ダイナミックランダムアクセスメモリ - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS OPERATING METHOD 磁気ランダムアクセスメモリ及びその動作方法 - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS OPERATING METHOD 磁気ランダムアクセスメモリ及びその作動方法 - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY RAM AND ITS TEST METHOD 磁気ランダムアクセスメモリ及びそのテスト方法 - 特許庁
The random access memory array includes random access memory elements arranged in a rows and columns. ランダムアクセスメモリアレイは行及び列に配列したランダムアクセスメモリ要素を包含している。 - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD 磁気ランダムアクセスメモリ,及びその製造方法 - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法 - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY WITH ELLIPTICAL JUNCTION 楕円接合部を有する磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
SUPERCONDUCTIVE LOGICAL GATE AND RANDOM ACCESS MEMORY 超電導論理ゲ—ト及びランダム・アクセス・メモリ - 特許庁
MAGNETIC SHIELD FOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CARD 磁気ランダムアクセスメモリカードのための磁気シールド - 特許庁
MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY 磁気トンネル接合素子、磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
METHOD OF FORMING DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY AND CAPACITOR FORMED IN DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY ダイナミックランダムアクセスメモリの形成方法及びダイナミックランダムアクセスメモリ内に形成されたキャパシタ - 特許庁
OUTPUT CIRCUIT FOR DOUBLE DATA RATE DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND DOUBLE DATA RATE DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY ダブルデータレートダイナミックランダムアクセスメモリ用出力回路、及びダブルデータレートダイナミックランダムアクセスメモリ - 特許庁
MAGNETORESISTIVE MEMORY STORAGE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE 磁気抵抗記憶素子および磁気ランダムアクセスメモリ装置 - 特許庁
MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING THE SAME 磁気メモリ素子及びそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
DESTRUCTIVE READ ARCHITECTURE FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリの破壊読出アーキテクチャ - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法 - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND MANUFACTURE THEREOF 磁気ランダム・アクセス・メモリおよびその製作方法 - 特許庁
RANDOM ACCESS MEMORY ARRAY WITH PARITY BIT STRUCTURE パリティビット構造を具備するランダムアクセスメモリアレイ - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND READOUT METHOD FOR THE SAME 磁気ランダムアクセスメモリとその読み出し方法 - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD 磁気ランダムアクセスメモリおよびその製造方法 - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 磁気ランダムアクセスメモリおよびその製造方法 - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS WRITING METHOD 磁気ランダムアクセスメモリ及びその書き込み方法 - 特許庁