「Refresh」を含む例文一覧(1813)

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  • As shown in the figure, an illegality detection processing is executed before the execution of a user program and also after the I/O refresh.
    そして、図に示すように、ユーザプログラム実行の前と、Ｉ／Ｏリフレッシュ後にそれぞれ不正検出処理を実行する。 - 特許庁
  • To suppress image quality deterioration without lowering encoding efficiency by performing properly and effectively forced refresh.
    強制リフレッシュを適正かつ効果的に行うことによって、符号化効率を低下させることなく、画質劣化を抑制する。 - 特許庁
  • To perform a test of refresh characteristics in a semiconductor memory device having a function of refreshing without being instructed externally.
    外部から命令されることなくリフレッシュする機能を有する半導体記憶装置でリフレッシュ特性のテストを実施する。 - 特許庁
  • When the held auto-refresh request is performed, the hold number of times is updated on the basis of the performed number of times.
    ホールドされたオートリフレッシュ要求が実行されると、実行した回数に基づき前記ホールド回数を更新する。 - 特許庁
  • The SDRAM interface controller updates the delay control data to the variable delay circuit synchronously with the refresh operation of the SDRAM.
    ＳＤＲＡＭインタフェースコントローラはＳＤＲＡＭのリフレッシュ動作に同期して可変遅延回路への遅延制御データを更新する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor storage device and a semiconductor storage system for preventing the mutual interference between refresh operation and read/write operation.
    リフレッシュ動作がリード／ライト動作との相互干渉を防止可能な半導体記憶装置及びシステムを提供する。 - 特許庁
  • To avoid the increase of burden on a hardware associated with refresh processing even when re-transmitting display data to a display device.
    表示データを再度表示装置に送る際にもリフレッシュ処理に係るハード負荷が増大することがないようにする。 - 特許庁
  • A forced refresh command restores the appearance of the file tree, but the scrambling happens often.
    強制的に再表示するコマンドを実行するとファイルツリーの表示は復元されますが、この現象はたびたび発生します。 - NetBeans
  • If the Progress Bar displays incorrectly, right-click in the Visual Designer and choose Refresh from the pop-up menu.
    進捗バーが正しく表示されない場合は、ビジュアルデザイナー内を右クリックし、ポップアップメニューから「再表示」を選択します。 - NetBeans
  • Thus, when a noise is generated, only refresh operations are conducted and the generation of an operating current is effectively suppressed.
    これにより、ノイズが発生した場合にリフレッシュ動作のみが行われ、動作電流の発生が有効に抑制される。 - 特許庁
  • A refresh control section 63 transmits two refresh request signals, i.e., a first request signal indicating the timing of permitting execution of refreshing of a DRAM 4, and a second request signal indicating the timing of required execution of refreshing to an arbitrator 41.
    リフレッシュ制御部６３は、ＤＲＡＭ４のリフレッシュを実行してもよいタイミングを示す第１要求信号と、リフレッシュを必ず実行しなくてはならないタイミングを示す第２要求信号との２つのリフレッシュ要求信号をアービトレータ４１に発信する。 - 特許庁
  • To provide a laminated memory device which can prevent deterioration in performance of the refresh operation of a first memory caused by influence of a heat radiated from other memories different from the first memory in a plurality of memories, and to provide its refresh operation control method.
    複数のメモリの内の第１メモリとは異なる他のメモリが放出する熱の影響を受けて、第１メモリのリフレッシュ動作の性能が劣ることを防止することができる積層型メモリ装置及びそのリフレッシュ動作制御方法を提供する。 - 特許庁
  • When the semiconductor storage device is switched to the standby mode from the deep standby mode, timers 12 and 14 are started, and they output a constant cycle timer output TN necessary for a self refresh and a timing signal TR of a cycle shorter than the self refresh cycle respectively.
    ディープスタンバイモードからスタンバイモードに切り替わるとタイマー１２及び１４が起動され、それぞれセルフリフレッシュに必要な一定周期のタイマー出力ＴＮ及びセルフリフレッシュ周期よりも短い周期のタイミング信号ＴＲを出力する。 - 特許庁
  • Encoding in a frame is performed for the block specified by the refresh signal 22 and the encoding in the frame or prediction encoding between frames is performed for the block by properly selecting one of them when the refresh signal 22 is not received by a moving image encoding part 1.
    動画像符号化部１は、リフレッシュ信号２２が指定するブロックに対してはフレーム内符号化を行い、かつ、リフレッシュ信号２２を受けていない時にブロックに対してフレーム内符号化またはフレーム間予測符号化を適宜に選択して行う。 - 特許庁
  • A cordless lamp itself is equipped with a refresh circuit which makes a storage cell of a cell pack 2 refresh discharge, and a reflection plate 8 made concave by combining plates, is arranged at the back side of a fluorescent tube 3, and a fluorescent seal 9 is stuck on a fluorescent tube cover 4.
    コードレスランプ自体に電池パック２の蓄電池をリフレッシュ放電させるリフレッシュ回路を設け、蛍光管３の背面側に平面を組み合わせて凹状とした反射板８を配置し、蛍光管カバー４に蛍光シール９を貼付した。 - 特許庁
  • In a power-down state, a RF address control 120 has a function in which logic of a signal RFA18, a signal RFA19 out of refresh address signals RFA8-RFA19 is made constant in order to refresh only one part of each of blocks A-D.
    パワーダウン状態中、ブロックＡ〜Ｄの各々の一部に対してのみリフレッシュされるようにするため、ＲＦアドレスコントロール１２０は、リフレッシュアドレス信号ＲＦＡ_8〜ＲＦＡ_19のうち、信号ＲＦＡ_18、信号ＲＦＡ_19の論理を一定にする機能を有する。 - 特許庁
  • Concerning the synchronous DRAM provided with four banks BANK0-BANK3 and the auto-refresh mode, for example, at the time of auto- refresh operation, the banks BANK0-BANK3 are successively activated at prescribed time intervals one by one, for example.
    例えば４個のバンクＢＡＮＫ０〜ＢＡＮＫ３を備えかつオートリフレッシュモードを備えるシンクロナスＤＲＡＭ等において、例えばオートリフレッシュ動作時、バンクＢＡＮＫ０〜ＢＡＮＫ３を、例えば１個ずつしかも所定の時間間隔をおいて順次活性化する。 - 特許庁
  • In a memory controller that controls data transfer between a volatile memory and a nonvolatile memory, wherein data being held in a plurality of volatile memories each having a refresh operation mode and a self-refresh operation mode is transferred to the nonvolatile memory.
    揮発性メモリと不揮発性メモリとの間でデータの転送を制御するメモリコントローラにおいて、それぞれがリフレッシュ動作モードとセルフリフレッシュ動作モードとを有する複数の揮発性メモリに保持されているデータを不揮発性メモリへ転送する。 - 特許庁
  • The apparatus is provided with a refresh circuit 8 in which performing of re-write processing of programming data by a programming data write-in circuit 7 is detected, refresh processing for a DRAM memory 9 is performed instead of a DRAM memory control circuit 3 of FGPA 1.
    プログラミングデータ書込み回路７によるプログラミングデータの再書込み処理の実施を検出すると、ＦＧＰＡ１のＤＲＡＭメモリ制御回路３の代わりに、ＤＲＡＭメモリ９に対するリフレッシュ処理を実施するリフレッシュ回路８を設ける。 - 特許庁
  • The supply potential to the refresh load device is adjusted, with respect to whether the operation mode or the state refresh mode is used, and whether a power supply obtained from primary AC or a backup battery power supply is used.
    リフレッシュ負荷装置に対する供給電位は、動作モードと状態リフレッシュ・モードのいずれが使用されているかに関し及び一次交流から得られた電源またはバックアップ電池電源のいずれが使用されているかに関して調整される。 - 特許庁
  • While applying the refresh voltage, programming of the PMC memory cell in the erased state to the programmed state is prevented, and that, by applying the refresh voltage, stabilizing the programmed state of the PMC memory cell is performed.
    リフレッシュ電圧は、リフレッシュ電圧を印加する間、消去状態にあるＰＭＣメモリセルのプログラム状態へのプログラムが防止され、また、リフレッシュ電圧を印加することによって、ＰＭＣメモリセルのプログラム状態が安定になるように選択される。 - 特許庁
  • When the semiconductor storage device is changed over from the deep stand-by mode to the stand-by mode, timers 12, 14 are started, and they output a constant cycle timer output TN necessary for self-refresh, and a timing signal TR of a cycle shorter than the refresh cycle, respectively.
    ディープスタンバイモードからスタンバイモードに切り替わるとタイマー１２及び１４が起動され、それぞれセルフリフレッシュに必要な一定周期のタイマー出力ＴＮ及びセルフリフレッシュ周期よりも短い周期のタイミング信号ＴＲを出力する。 - 特許庁
  • A plurality of relationships between the time T_1 and the integration value Σ|I| are specified as conditions for implementing the refresh charging of the battery 10, and the battery 10 is refresh-charged into a fully charged state when any one of the relationships is satisfied.
    バッテリ１０のリフレッシュ充電を実行するための条件として時間Ｔ_1と積算値Σ｜Ｉ｜との関係を複数定め、それらの関係のうち何れか一の関係が成立する場合にバッテリ１０を満充電状態にリフレッシュ充電する。 - 特許庁
  • When an intra-refresh period comprises six pictures, namely, when one frame is divided into six pictures (images) and intra-refreshing is performed in order, an encoding device inserts an area obtained by equally dividing one picture into six is inserted as an intra-refresh area and performs encoding.
    イントラリフレッシュ周期を６ピクチャとした場合、つまり、１フレームを６ピクチャ（画像）に分割して、順にイントラリフレッシュを行う場合、符号化装置は、１ピクチャを６等分した領域をイントラリフレッシュ領域として挿入して符号化する。 - 特許庁
  • When program operation for the memory cell MC is performed, program for a program object cell PMC and refresh for a refresh object cell RMC are performed using a threshold of the second reference cell RC2 corresponding to a program state of the memory cell MC to verify.
    メモリセルＭＣへのプログラム動作時には、プログラム対象セルＰＭＣに対するプログラムと共に、リフレッシュ対象セルＲＭＣに対するリフレッシュを、メモリセルＭＣのプログラム状態に対応する第２リファレンスセルＲＣ２の閾値をベリファイに用いて行う。 - 特許庁
  • Otherwise the refresh process is executed without replenishing fresh toner into the developing device 11, under a prescribed condition, and the refresh process is executed after replenishing fresh toner into the developing device 11, under a specific condition other than the prescribed condition.
    または、所定条件下では、現像器１１内に未使用トナーを補給せずに、リフレッシュ工程を実行し、上記所定条件とは異なる特定条件下では、現像器１１内に未使用トナーが補給されてから、リフレッシュ工程を実行する。 - 特許庁
  • This device is provided with a memory cell 26, a refresh-control circuit 25 switching refresh-period tREF, and a temperature detecting section 12A biased by bias voltage VB+ from a voltage bias section 11 provided with a reference section 13 and a regulator section 14.
    メモリセル２６と、そのリフレッシュ周期ｔＲＥＦを切り替えるリフレッシュ制御回路２５とを備え、リファレンス部１３とレギュレータ部１４とを備える電圧バイアス部１１からのバイアス電圧ＶＢ＋によりバイアスされる温度検出部１２Ａとを備える。 - 特許庁
  • A semiconductor memory device comprises a memory cell array 200 refreshed based on a refresh timing signal generated by a refresh timing signal generating circuit 152-1 and having the prescribed refresh period, and a data holding block function control circuit 151 selecting a block which holds data in the memory cell array 200 divided into a plurality of blocks.
    半導体記憶装置は、リフレッシュタイミング信号発生回路１５２−１によって発生される、所定のリフレッシュ周期を有するリフレッシュタイミング信号に基づいてリフレッシュされるメモリセルアレイ２００と、所定の指示信号に基づいて、複数のブロックに分割されたメモリセルアレイ２００においてデータを保持すべきブロックを選択するデータ保持ブロック機能コントロール回路１５１とを含む。 - 特許庁
  • An image processing controller includes a plurality of DRAMs requiring a refresh operation, a storage means for storing an individual transition time for effecting the transition of each of the DRAMs to self-refresh, a monitoring means for monitoring access to the DRAMs, and a memory control means for making the DRAM non-accessed within the transition time to perform self-refresh accompanied by the suspension of the supply of an operation clock.
    リフレッシュ動作を必要とする複数のＤＲＡＭと、前記各ＤＲＡＭをセルフリフレッシュに移行させるまでの個別の移行時間を記憶する記憶手段と、前記ＤＲＡＭに対するアクセスを監視する監視手段と、前記移行時間内にアクセスが発生しないＤＲＡＭに対しては、作動クロックの供給停止を伴うセルフリフレッシュを実行させるメモリー制御手段と、を有する。 - 特許庁
  • Provided are an on-chip data scrubbing device including an error correction circuit which performs data scrubbing within a chip of a semiconductor memory device and a method thereof, a refresh method of the memory device comprising the steps of performing at least one refresh without scrubbing on a corresponding portion of the memory device and performing at least one refresh with scrubbing on a corresponding portion of the memory device.
    半導体メモリ装置のチップ内部でデータ・スクラビングを行うエラー訂正回路を具備したオンチップ・データ・スクラビング装置及び方法であって、該メモリ装置のリフレッシュ方法は、メモリ装置の対応する部分について、スクラビングのない少なくとも１つのリフレッシュを行う段階と、メモリ装置の対応する部分について、スクラビングを有する少なくとも１つのリフレッシュを行う段階と、を含む。 - 特許庁
  • The demultiplexer (34) is inhibited to fetch this refresh activation instruction signal when the adjacent memory blocks are in an active state and also the corresponding memory block in an active state or has already been refreshed, and transfers this refresh activation instruction signal to a local control circuit arranged for the following stage memory sub-block on the route for transferring the refresh activation instruction signal.
    デマルチプレクサ（３４）は、隣接メモリサブブロックが非活性状態にありかつ対応のメモリブロックが活性状態にあるかまたはリフレッシュが完了しているときには、このリフレッシュ活性化指示信号の取込が禁止され、リフレッシュ活性化指示信号転送経路の次段のメモリサブブロックに対して設けられたローカル制御回路へこのリフレッシュ活性化指示信号を転送する。 - 特許庁
  • A refresh controller 106A includes a pulse-generating circuit 131 for generating the second request signal which requests refresh at a period necessary for refreshing a DRAM 105, and a variations-predicting circuit 132 for generating the first request signal which requests refresh, when the number of data transfer requests in the hereafter is predicted to increase based on the counted value of the data transfer requests and the trend in its variation.
    リフレッシュ制御部106Aは、DRAM105のリフレッシュが必要な周期でリフレッシュ要求である第2要求信号を発生するパルス発生回路131と、データ転送要求のカウント値とその変動傾向に基づいて今後のデータ転送要求の回数が増加することが予測される場合にリフレッシュ要求である第1要求信号を発生する変動予測回路132と、を備える。 - 特許庁
  • The load distribution device 50 includes: a replica selection section 52 for selecting one replica node from which a refresh request of a replica data 351 is issued from the plurality of replica nodes 31; and a master selection section 54 for selecting one master node 11 which responds to the refresh request issued from the replica node selected by the replica selection section 52 upon receipt of the refresh request.
    負荷分散装置５０は、複数のレプリカノード３１の中から、レプリカデータ３５１のリフレッシュ要求を発行させる一のレプリカノードを選択するレプリカ選択部５２と、レプリカ選択部５２よって選択されたレプリカノードが発行したリフレッシュ要求を受け付けると、そのリフレッシュ要求に応答する一のマスタノード１１を選択するマスタ選択部５４とを備える。 - 特許庁
  • The refresh control apparatus includes: a row decoder outputting a row decoding signal for activating simultaneously all banks in response to a bank active signal and a row address signal when a refresh command is input; and an enable signal control unit for sequentially delaying and outputting at fixed time intervals sense amplifier enable signals for each bank in response to the bank active signals and the refresh signals.
    リフレッシュ命令が入力されると、バンクアクティブ信号とローアドレス信号に応答して全バンクを同時に活性化するためのローデコーディング信号を出力するローデコーダと、前記バンクアクティブ信号とリフレッシュ信号に応答して、バンク別センスアンプイネーブル信号を夫々一定間隔をおいて順次に遅延させて出力するイネーブル信号制御部と、を含むリフレッシュ制御装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory device in which a current required for refresh operation can be reduced preventing increment of chip area.
    チップ面積の増大を防止しつつリフレッシュ動作に必要な電流を低減可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • A holding circuit holds respectively information of completion/incompletion of refreshing for memory cells in each bank indicated by a refresh address.
    保持回路は、リフレッシュアドレスが示す各バンク内のメモリセルについて、それぞれリフレッシュの完了・未完了の情報を保持する。 - 特許庁
  • When, for example, an idle state continues for five minutes, a user is able to set an LCD panel so as to lower its refresh rate.
    例えば、アイドル状態が５分間継続した場合に、ユーザが、ＬＣＤパネルのリフレッシュ・レートを低減するように設定できる。 - 特許庁
  • When a leakage level is very low or is undetectable, a refresh-cycle time is increased by a large amount for example, to twice.
    リーク・レベルが非常に低いか、検出不能な場合には、リフレッシュ・サイクル時間は大幅に増加され、例えば２倍にされる。 - 特許庁
  • A latency determination unit activates a latency extension signal when an activation of a chip enabling signal conflicts with a refresh request.
    レイテンシ判定部は、チップイネーブル信号の活性化がリフレッシュ要求と競合するときにレイテンシ拡張信号を活性化する。 - 特許庁
  • In shifting from an active state to a stop state, information on whether to cause an SDRAM to perform a self-refresh operation is held in a flag.
    動作状態から停止状態に遷移する際、ＳＤＲＡＭをセルフリフレッシュ動作させるかどうかの情報をフラグに保持する。 - 特許庁
  • Then, a signal self_refresh becomes HIGH (3), and a self-refresh operation is instructed to an SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) 9 through an SDRAM controller 33.
    すると、信号ｓｅｌｆ＿ｒｅｆｌｅｓｈがＨＩＧＨとなり（３）、ＳＤＲＡＭコントローラ３３を介してＳＤＲＡＭ９にセルフリフレッシュ動作が指示される。 - 特許庁
  • When a test signal TMSEL is at a 'L' level, an auto-refresh signal is generated in accordance with the output of the command decoder 1.
    テスト信号ＴＭＳＥＬＦＤがＬレベルであればコマンドデコーダ１の出力に応じてオートリフレッシュ信号が発生する。 - 特許庁
  • The method also involves monitoring the single event functional interrupt indicator signal for a state that indicates a failed refresh attempt.
    この方法は、シングルイベント機能割込みインジケータ信号を、故障リフレッシュ試行を示す状態であるか否か監視するステップも含む。 - 特許庁
  • When it is judged that the refresh instruction is contained, in step S72, encoding is controlled to generate the I frame.
    リフレッシュ命令が含まれていると判断された場合、ステップＳ７３において、エンコードが制御されて、Ｉフレームが生成される。 - 特許庁
  • In a mat (n+3), a negative voltage of about -0.5 V is supplied by shallowing control since there is a long time available until a refresh period.
    マットｎ＋３は、リフレッシュ期間まで時間があるので、浅化制御により−0.５Ｖ程度の負電圧が供給される。 - 特許庁
  • Consequently, at the time of the self-refresh operation, voltage is not transferred between the pair of global input/output line and the pair of local input/output line.
    その結果、セルフリフレッシュ時は、グローバル入出力線対とローカル入出力線対との間で電圧の授受はなくなる。 - 特許庁
  • To clean a refresh roller efficiently without increasing a device cost in a fixing device and an image forming apparatus.
    定着装置又は画像形成装置において、装置コストが増大することなく、リフレッシュローラの効率的なクリーニングを実現する。 - 特許庁
  • To efficiently perform refresh so as to properly maintain the visibility of display contents, and suppress wasteful power consumption.
    表示コンテンツの視認性を好適に保持し、かつ無駄な電力消費を抑制するように、効率よくリフレッシュ処理を実行する。 - 特許庁
  • When a test mode signal TSET is activated, the mask determining circuit 34 is also activated by the auto refresh command.
    マスク判定回路３４は、テストモード信号ＴＳＥＴが活性化している場合には、オートリフレッシュコマンドによっても活性化される。 - 特許庁
  • To reduce peak current during a refresh operation in a semiconductor memory device that includes a plurality of core chips and interface chips.
    複数のコアチップとインターフェースチップからなる半導体記憶装置においてリフレッシュ動作時におけるピーク電流を低減する。 - 特許庁
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