「Reticle Alignment」を含む例文一覧(92)
＜前へ 1 2- To provide a manufacturing method of a semiconductor device that can form an alignment mark and a mark for inspection when using a reticle, even in the case of the reticle where an appropriate amount of exposure is small.
適正露光量の低いレチクルであっても、当該レチクルを用いてアライメントマークや検査用マークを形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a lithographic device which does not cause an alignment error nor disengagements of reticle even when the acceleration of a supporting object of patterning device is increased.
パターニングデバイスの支持体の加速度が増大しても、アライメント誤差やレチクルが外れることがないリソグラフィ装置を提供する。 - 特許庁 - Furthermore, the apparatus includes an actuator 14 that introduces a reticle or the substrate into a conditioned chamber 20, and an alignment system 8 which matches the reticle or the substrate with the patterned and projected beam of radiation.
さらに本装置は、レチクルまたは基板を調整室２０に導入するアクチュエータ１４と、レチクルまたは基板をパターン付与された放射投影ビームに整合させる位置合わせ装置８とを含む。 - 特許庁 - Furthermore, a reticle peripheral area 22 with light transparency is allocate around the shield band 20, and reticle alignment marks 24 formed by drawing a cross mark using a narrow metallic line for setting positions are allocated therein.
更にその外側に、光透過性のレティクル周辺エリア２２が設けられ、そこには金属細線の十字マークが描画された位置合わせ用のレティクル・アライメント・マーク２４が４箇所に設けられている。 - 特許庁 - To provide an alignment method which enables rapid and precise alignment of a reticle and a wafer, even when WIS occurs, and to provide an exposure method and an aligner which use the same.
ＷＩＳが発生する場合であっても高速かつ高精度にレチクルとウエハとのアライメントが可能なアライメント方法、その方法を利用した露光方法、及び露光装置を提供すること。 - 特許庁 - The apparatus comprises a projection optical system PL for projecting a transfer pattern image of a reticle R on a wafer W, an alignment system 22 for measuring the position of either the reticle R or the wafer W to relatively align the reticle R with the wafer W, and an instrument 31 for measuring the wave front aberration of the alignment system 22.
レチクルＲに形成された転写パターン像をウエハＷに投影する投影光学系ＰＬと、レチクルＲとウエハＷとの相対的な位置合わせを行うためにレチクルＲとウエハＷとの少なくとも一方の位置を計測するアライメント系２２と、アライメント系２２の波面収差を計測する波面収差計測装置３１とを備える。 - 特許庁 - The second alignment stage 6 has fixing pins 68a, 68b and movable pins 68c, 68d, and mechanically corrects the position of the reticle R by moving the movable pins 68c, 68d to bring the reticle on the second alignment stage 6 into contact with the fixing pins 68a, 68b.
また、第２アライメントステージ６は固定ピン６８ａ，６８ｂ及び可動ピン６８ｃ，６８ｄを備えており、可動ピン６８ｃ，６８ｄを移動させて第２アライメントステージ６上のレチクルを固定ピン６８ａ，６８ｂに当接させることによりレチクルＲの位置補正を機械的に行う。 - 特許庁 - A TTR sensor 2 observes a reticle alignment mark RM formed on a reticle R, and a wafer alignment mark WM formed on a wafer W via a projection optical system PL or a reference mark formed on a reference member 14, and detects relative positions of these marks.
ＴＴＲセンサ２０は、レチクルＲに形成されているレチクルアライメントマークＲＭと、投影光学系ＰＬを介してウェハＷに形成されているウェハアライメントマークＷＭ又は基準部材１４に形成されている基準マークとを観察してこれらの相対位置を検出する。 - 特許庁 - A reticle stage 13, an image projection system 14, an alignment system 15, and a wafer stage 16 are arranged in a thermostatic chamber 10 also having a lighting system 11.
恒温チャンバー１０内において、照明系１１が併設され、レチクルステージ１３、投影光学系１４、アライメント系１５、ウェハステージ１６が配備されている。 - 特許庁 - In a constant temperature chamber 10, a lighting system 11 is provided as well, and a reticle stage 13 which holds a reticle 12 that is a photo mask for alignment, a projection optical system 14, an alignment system 15 and a shutter 16 that is interlocked with it, a wafer stage 17 for holding a semiconductor substrate Waf, and a stage position measuring system 18 are provided.
恒温チャンバー１０内において、照明系１１が併設され、フォトマスクであるレチクル１２を保持して位置決めするレチクルステージ１３、投影光学系１４、アライメント系１５及びこれに連動するシャッター１６、半導体基板Ｗａｆを保持するウェハステージ１７、ステージ位置計測系１８が配備されている。 - 特許庁 - Reticle alignment sensors 6A, 6B, using part of pulse-like exposure light EL emitted from an exposure light source LS, observe reticle marks RM formed on a reticle R and a reference mark formed on a reference member 10 on a wafer stage 9, and measure positional information about these marks and a relative positional displacement therebetween.
レチクル・アライメントセンサ６Ａ，６Ｂは露光光源ＬＳから射出されたパルス状の露光光ＥＬの一部を用いて、レチクルＲに形成されたレチクルマークＲＭとウェハステージ９上の基準部材１０に形成された基準マークとを観察し、これらの位置情報及び相対的な位置ずれを計測する。 - 特許庁 - In a constant temperature chamber 10, a lighting system 11 and a reticle stage 13 that holds a reticle 12 as a photo mask are deployed, and further, a projection optical system 14, an alignment optical system 15, a wafer stage mechanism 16, and a stage position measuring system 17 are deployed.
恒温チャンバー１０内において、照明系１１、フォトマスクとしてのレチクル１２を保持するレチクルステージ１３が配備され、さらに、投影光学系１４、アライメント光学系１５、ウェハステージ機構１６、ステージ位置計測系１７が配備されている。 - 特許庁 - To provide a body or the like with a pattern which allows evaluation of the reproducibility or the like of an alignment sensor without being subject to the effect by the fluctuation of air on the measuring optical path of an interferometer in a VRA type reticle alignment device.
ＶＲＡ方式のレチクルアライメント装置において、干渉計の計測光路上の空気のゆらぎに影響されることなくアライメントセンサの再現性等を評価することができるパターン付き物体等を提供する。 - 特許庁 - To provide an aligner capable of simultaneously observing a plurality of alignment marks irrespective of the size of a pattern region depending on the device, and capable of designing a reticle without being bound by the arrangement places of the alignment marks.
本発明は、デバイスによるパターン領域の大きさに拘らず複数のアライメントマークを同時観察できるようにし、かつアライメントマークの配置場所に縛られることなくレチクル設計ができる露光装置を提供することである。 - 特許庁 - To provide an aligning method and an aligning apparatus for precisely controlling the alignment between a reticle stage and a wafer stage, and to provide an aligner and a method of manufacturing a device.
レチクルステージとウェハステージとの位置合わせを高精度に制御することができる位置合わせ方法及び装置、露光装置、並びに、デバイス製造方法を提供する。 - 特許庁 - An alignment mark 1 is formed by densely arranging patterns of element configuring components in a scribe line region 3 of a reticle 5 used for pattern transfer to the wafer.
アライメントマーク１は、ウェハに対するパターン転写に用いられるレチクル５のスクライブライン領域３に、素子構成要素のパターンを密集して配置することにより構成されている。 - 特許庁 - When alignment marks M1', M2' are located only in parts C1', C2' of chip regions C1' to C3' of a reticle R1, alignment marks M1, M2 are formed only in parts C1, C2 of chip regions C1 to C3 of a wafer W1.
レチクルＲ１のチップ領域Ｃ１´〜Ｃ３´の一部のチップ領域Ｃ１´、Ｃ２´のみにアライメントマークＭ１´、Ｍ２´を配置することにより、ウェハＷ１のチップ領域Ｃ１〜Ｃ３の一部のチップ領域Ｃ１、Ｃ２のみにアライメントマークＭ１、Ｍ２を形成する。 - 特許庁 - In a main embodiment, an improved reticle is used which can include an additional alignment diffractive grating in an outer edge part, the inside of a marking-off line of an image field or the image field itself.
主な実施形態では、追加アライメント回折格子を、外辺部、イメージフィールドのけがき線の中、あるいはイメージフィールド自体に有することができる改良型レチクルが使用されている。 - 特許庁 - Information is sent to an exposure device precision judging machine 40 from a temperature sensor 30, a reticle microscope 15, an interferometer 17, a sensor 18, a wafer alignment microscope 19, a flowmeter F, and a keyboard K.
露光装置精度判定機４０に、温度センサ３０、レチクル顕微鏡１５、干渉計１７、センサ１８、ウエハアライメント顕微鏡１９、流量計Ｆ及びキーボードＫから情報が送れる。 - 特許庁 - When the pattern of a reticle R is exposed to light via a projection optical system PL, the position of the reference marks 34A and 34B is detected by TTL-system reticle alignment microscopes 5A and 5B, and a wafer stage 23A is driven based on the detection result and the relative position being obtained before.
レチクルＲ１のパターンを投影光学系ＰＬを介して露光する際には、ＴＴＬ方式のレチクルアライメント顕微鏡５Ａ，５Ｂによって基準マーク３４Ａ，３４Ｂの位置を検出し、この検出結果と先に求めた相対位置とに基づいてウエハステージ２３Ａを駆動する。 - 特許庁 - The aligner has a reticle stage RST which is disposed on one side of a projection optical system 13, holds a reticle R having a transfer pattern and is equipped with an alignment reference plate SP, and a wafer stage WST equipped with a reference mark FM on the other side.
露光装置は、投影光学系１３の一方の側に配置され、転写パターンを有するレチクルＲを保持するとともに位置合わせ用の基準プレートＳＰを具備したレチクルステージＲＳＴと、他方の側に基準マークＦＭを具備したウエハステージＷＳＴを有する。 - 特許庁 - Since the marks are placed at the center of field of view of the alignment sensor to observe and since the same component of both the distortion of optical system of the alignment sensor or the fixed pattern noise and the like of the imaging device are superimposed at each time, degradation of reproducibility of measurement caused by them can be prevented to implement the stable reticle alignment.
マークを、必ずアライメントセンサの視野中心において観察していることとなり、アライメントセンサの光学系のディストーション、あるいは、撮像素子の固定パターンノイズ等については、毎回同じ成分が重畳されることとなるので、これらに起因する計測再現性の悪化を防ぐことができ、安定したレチクルアライメントを行なうことができる。 - 特許庁 - To improve throughput by optimizing a step drive profile for each drive, without deteriorating scan synchronization errors of a reticle stage and a wafer stage during alignment in a step-and-scan type aligner.
ステップ＆スキャン式露光装置において、露光中のレチクルステージとウエハステージのスキャン同期誤差を悪化させることなく、ステップ駆動プロファイルを駆動毎に最適化することによって、スループットを向上させる。 - 特許庁 - On a reference mark plate FM, four reference marks WM_1, WM_2, WM_3, WM_4 for measuring the base line of an alignment system ALG are disposed in such a layout that the mean position of these marks aligns with the position of a measuring pattern ST for detecting a reticle alignment mark RM.
基準マーク板ＦＭには、アライメント系ＡＬＧのベースライン計測用の４つの基準マークＷＭ_１，ＷＭ_２，ＷＭ_３，ＷＭ_４の平均位置が、レチクルアライメントマークＲＭを検出する計測用パターンＳＴの位置と一致するような配置で形成されている。 - 特許庁 - In the objective exposure system in which a substrate 4, e.g. for producing a working reticle is exposed through a master reticle with a formed pattern, the substrate 4 is provided with three first supporting members 52 which support the substrate 4 in a nearly horizontal state in three places except the illumination areas (pattern area 25, alignment mark areas MA1 and information mark areas MA2) of the substrate 4.
パターンが形成されたマスターレチクルを介して、例えばワーキングレチクル製造用の基板４を露光する露光装置において、基板４を該基板４の照明エリア（パターンエリア２５，アライメントマークエリアＭＡ１，情報マークエリアＭＡ２）以外の３箇所でほぼ水平に支持する３本の第１支持部材５２を備えて構成される。 - 特許庁 - If the patterns forming conditions of a reticle are inputted to the aligning device at the time of actual alignment, a staple control system acquires optimal aligning conditions based on the stored data, and sets as set conditions of the aligning device.
実際の露光時にレチクルのパターン形成条件を露光装置に入力すると、主制御系１５は最適な露光条件を記憶されたデータに基づいて求め、露光装置の設定条件として設定する。 - 特許庁 - Upon alignment in the aligner, the mask (reticle) is inspected periodically to know the adhering condition of contamination to the mask, and when the amount of adhesion has exceeded an allowable range, the mask is washed or exchanged.
露光装置内において、アライメント時など、定期的にマスク（レチクル）を検査することによって、マスクへのコンタミネーションの付着状況を知り、付着量が許容範囲以上となれば、マスクの洗浄やマスクの交換を行う。 - 特許庁 - Both of an exposure apparatus having a reflective refractive projection optical system and an exposure apparatus having a refractive projection optical system can aligne a reticle by using a part of reference marks M11 to M26 and alignment mark image S11a to S28a, so that the same reticle can be commonly used for both of the exposure apparatuses.
反射屈折系の投影光学系を有する露光装置と屈折系の投影光学系を有する露光装置のいずれにおいても、基準マークＭ１１〜Ｍ２６及びアライメントマークの像Ｓ１１ａ〜Ｓ２８ａの一部を用いたレチクルの位置合わせを行うことができるので、両露光装置において同一のレチクルを共用することが可能となる。 - 特許庁 - Since the thermal variation components of the reticle 2 and a projection optical system 3 are measured and individual variation components are combined, high-accuracy overlay and focus control are possible that results in high throughput and high-accuracy alignment.
レチクル２及び投影光学系３の熱的変化成分を測定して個々の変動成分を合わせることによって、高精度な重ね合わせやフォーカス制御が可能となり、高スループット且つ高精度な位置合わせが可能となる。 - 特許庁 - In an aligner, temperature sensors 44A, 44B, and 44C are respectively attached to fine adjustment stage 42A for reticle, an alignment system ALG, and a Z-tilt stage 58 constituting a body 100 of the aligner and, at the same time, an environment sensor unit ES is provided in a chamber 11.
露光装置本体１００を構成するレチクル微動ステージ４２Ａ、アライメント系ＡＬＧ及びＺチルトステージ５８に温度センサ４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃを取付けるとともに、チャンバ１１内に環境センサユニットＥＳを設けている。 - 特許庁 - Main body circuit patterns 1a, reticle alignment marks 1c, a bar code 1d, and an identification mark 1e formed on a glass substrate GP of the photomask A are constituted of an extinctive material, having a photosensitive composition containing a fine particulate material and a binder.
フォトマスクＡのガラス基板ＧＰ上に形成された本体回路パターン１ａ、レチクル合わせマーク１ｃ、バーコード１ｄ、識別マーク１ｅを、微粒子状物質とバインダーとを有する感光性組成物減光体で構成した。 - 特許庁 - To provide a method for fabricating a semiconductor device, a reticle and a semiconductor wafer in which a necessary and sufficient alignment mark can be provided without having any effect on the space factor of an integrated circuit chip for a pattern of single exposure shot.
露光１ショット分のパターンの集積回路チップ占有率に影響を及ぼさずに必要十分なアライメントマークを設けることのできる半導体装置の製造方法及びレチクル及び半導体ウェハを提供する。 - 特許庁 - An alignment mark 14 is made by depositing such a substance (chromium oxide (CrO)) as ensuring a contrast sufficient for detecting a mark when a silicon substrate is irradiated with a probe light on a reticle substrate 10 made of silicon (Si).
アライメントマーク１４は、シリコン（Ｓｉ）製のレチクル基板１０上にシリコン基板にプローブ光を照射した際にマークの検出に十分なコントラストが得られる物質（酸化クロム（ＣｒＯ））を成膜することにより作製されている。 - 特許庁 - Wave front aberrations at measuring points in a projection field of view of the projection optical system are measured through processing steps 117 to 123, and the amount of misalignment of a wave front sensor is detected by an image photographed by a reticle alignment detection system through steps 127 to 131.
ステップ１１７〜ステップ１２３の処理によって、投影光学系の投影視野内の計測点での波面収差を計測し、ステップ１２７〜ステップ１３１において、レチクルアライメント検出系の撮像によりそのときの波面センサの位置ずれ量を検出する。 - 特許庁 - Consequently, a temperature rise, a temperature measurement error, etc., of the temperature sensor 12 itself due to the direct irradiation with the exposure light are avoided to accurately measure temperature distribution variation that a reticle R has through the dummy mask 10 even during an exposure sequence and an alignment sequence.
したがって、露光光の直接照射による温度センサ１２自体の温度上昇や温度計測誤差などを回避し、露光シーケンス中やアライメントシーケンス中でも、レチクルＲに生じる温度分布変化を、ダミーマスク１０を介して正確に測定が可能となる。 - 特許庁 - In the aligning means 13a of a detection part 13, the alignment of an optical image acquired by TDI sensors 11a and 11b with a reference image produced by a reference image producing part 15 is performed at every frame wherein the striplike stripe of a reticle 2 is finely divided.
検出部１３の位置合わせ手段１３ａにおいて、ＴＤＩセンサ１１ａ，１１ｂにより取得された光学画像と、参照画像生成部１５により生成された参照画像との位置合わせが、レチクル２の短冊状ストライプを細分化したフレーム毎に行われる。 - 特許庁 - Then, a reticle stage where the exposure mask is mounted, or a wafer stage where the reference wafer for alignment is mounted is finely adjusted so that patterns 12 and 12' for correction of misalignment in θ are superimposed on the positioning line 13 perpendicular to the orientation flat direction of the referential wafer.
パターンが転写される半導体基板と同一の寸法を有する位置合わせ基準ウェハにおいて、位置合わせ基準ウェハの中心を通りオリエンテーションフラットに垂直な直線状の位置合わせマークと、位置合わせ基準ウェハの中心を示す位置合わせマークとを有する位置合わせ基準ウェハ。 - 特許庁 - Moreover, after forming the barrier rib by coating a solution obtained by dispersing only barrier rib resin over the entire surface of the substrate including the flaw part while correcting the alignment positions of the substrate and a reticle, exposing the coated surface again in a barrier rib pattern shape at the same position, and developing the substrate again, the barrier rib flaw part is repaired by thermally curing the barrier rib.
また、欠陥部を含む基板全面に亘り、隔壁樹脂のみを分散させた溶液を塗布し、基板とレチクルとをアライメント位置補正し、同位置で隔壁パターン状に再露光、再現像し、隔壁を形成した後、隔壁を熱硬化することで隔壁欠陥部を修復する。 - 特許庁 - The contraction rate for a semiconductor water is calculated before forming an alignment mark on the semiconductor wafer by irradiated it with beams and the projection magnification formed on a reticle is corrected, based on the calculated degree of reduction of the semiconductor wafer, thereby executing reduced projection of the pattern.
ビームを照射することによって半導体ウェハにアライメントマークを形成する前に、前記半導体ウェハの伸縮率を算出し、算出された前記半導体ウェハの伸縮率に基づいてレチクルに形成されているパターンの投影倍率を補正することにより前記パターンを縮小投影する。 - 特許庁 - The step drive profile is set by an aligning region layout, a step direction and a scan drive profile, etc., and is decided from the parameters of the acceleration and speed of the reticle and wafer stages, time after the step drive to the start of synchronous scan drive and the time from the start to alignment start, etc.
ステップ駆動プロファイルは、露光領域レイアウト、ステップ方向、スキャン駆動プロファイル等によって設定でき、またレチクル、ウエハステージの加速度、速度、ステップ駆動後から同期スキャン駆動開始までの時間、同開始時から露光開始までの時間等のパラメータから決定する。 - 特許庁 - The aligner 100 has optical systems (an illumination optical system 130, a projection optical system 150 and an alignment system 170) projecting a light beam emitted from a light source 110 to a wafer 320 held on a stage device 160 through a reticle 310 and exposing the wafer 320.
露光装置１００は、光源１１０から出射された光ビームをレチクル３１０を介してステージ装置１６０に保持されたウエハ３２０に投影して露光するための光学系（照明光学系１３０、投影光学系１５０及びアライメント系１７０）を有する。 - 特許庁 - The electron beam transmitted through a subfield 3 in the position distant from an optical axis 2 on a reticle 1 is made to pass nearly along the orbit in alignment with the straight line, which connects the subfield 3 to a target image focus location 5 on the wafer 4 by means of a magnetic deflection device, and thus a projection optical system 6 is optimized under the conditions of passing along this orbit.
レチクル１上の、光軸２から離れた位置にあるサブフィールド３を透過した電子ビームは、電磁偏向器により、概ねサブフィールド３と、そのウエハ４上での目標結像位置５を結ぶ直線に沿った軌道を通るようにされており、この軌道を通るという条件の下に投影光学系６が最適化されている。 - 特許庁
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