「Ru」を含む例文一覧(811)

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  • To efficiently leach/recover a platinum group metal from a raw material comprising a platinum group metal including Ru and/or Rh.
    Ru及び又はRhを含む白金族金属を含む原料から、効率よく白金族金属を浸出・回収する。 - 特許庁
  • To provide an electrolytic cell device in which the precipitating in a solution as a fine particle of RuO_2 by a reduction reaction can be prevented when ruthenium (Ru) included in a solution is electrolysis-oxidized and thereby the Ru is volatile-separated as a tetroxide (RuO_4).
    溶液中に含まれるルテニウム(Ru)を電解酸化することにより、Ruを四酸化物（RuO_4）として揮発分離させる際に、還元反応によってRuO_2の微粒子として沈殿することを防止できる電解セル装置を提供する。 - 特許庁
  • An SiO_2 film 6 is then formed on the Ru film 5.
    次に、Ｒｕ膜５の上にＳｉＯ_2膜６が成膜される。 - 特許庁
  • The Ir can be preferably replaced by Pt, Ru, Re, Ni, Co, or Mo.
    ＩｒはＰｔ，Ｒｕ，Ｒｅ，Ｎｉ，Ｃｏ又はＭｏに代替えする事もできる。 - 特許庁
  • Ru-Pd-BASED SPUTTERING TARGET AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
    Ｒｕ−Ｐｄ系スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁
  • By acceleration of combined alloying of the Pt and Ru atoms, the PtRu system catalyst with high methanol oxidizing activity and durability can be obtained.
    PtとRu原子の混合合金化の促進によって高いメタノール酸化活性と耐久性を有するPtRu系触媒を得る。 - 特許庁
  • Further, 5 to 30% Pt, 10 to 30% Cr, >0 to 10% Ta, >0 to 30% Ni and >0 to 15% (Ti+Zr+Hf+V+Nb+Mo+W+Cu+Ag+Au+Ru+Rh+Pd+ Os+Ir+rare earth elements) can be incorporated therein.
    30≧Pt≧5at%、30≧Cr≧10at%、10≧Ta＞0at%、30≧Ni＞0at%、さらには、15≧(Ti+Zr+Hf+V+Nb+Mo+W+Cu+Ag+Au+Ru+Rh+Pd+Os+Ir+希土類元素)＞0at%を含有させることが可能である。 - 特許庁
  • METHOD FOR MANUFACTURING Ru-Al INTERMETALLIC COMPOUND TARGET, Ru-Al INTERMETALLIC COMPOUND TARGET, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM
    Ｒｕ−Ａｌ金属間化合物ターゲットの製造方法、Ｒｕ−Ａｌ金属間化合物ターゲットおよび磁気記録媒体 - 特許庁
  • Further, a catalyst layer 41 containing Pt, Pd, Rh or Ru may be optionally set in the pipe 1 where the heating device 11 is set.
    さらに、加熱装置11が設置された配管1内には、Pt、Pd、Rh若しくはRuを含む触媒層41が設置される場合がある。 - 特許庁
  • As a result, the impurities contained in the Ru film can be so removed effectively and the Ru film can be made dense.
    その結果、Ｒｕ膜中の不純物を効果的に除去することができ、Ｒｕ膜の緻密化を図ることができる。 - 特許庁
  • To provide a method for efficiently separating Ru from a solution containing a platinum group element by oxidation distillation.
    白金族を含む溶液からRuを酸化蒸留で分離する際に、効率的に分離する方法を提供すること。 - 特許庁
  • After forming trenches 27, Ru silicide layers 25 are formed on the surface of plugs 22 exposed from the trenches 27, and Ru silicon nitride layers 26 are formed on the surfaces of the Ru silicide layers 25.
    溝２７を形成した後、溝２７から露出するプラグ２２の表面にＲｕシリサイド層２５を形成し、そのＲｕシリサイド層２５の表面にＲｕシリコンナイトライド層２６を形成する。 - 特許庁
  • To easily form Ru doping semi-insulating semiconductor layer having higher insulation with high reproducibility even under a growth environment in which a large amount of hydrogen exists in order to practically use a buried type optical semiconductor element using the Ru doping semi-insulating semiconductor layer.
    Ruドーピング半絶縁半導体層を用いた埋め込み型光半導体素子の実用化のため、水素の大量に存在する成長環境下においても、より絶縁性の高いRuドーピング半絶縁半導体層を再現よく、容易に形成する。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a capacitor having an RU lower electrode and a BST dielectric film for semiconductor elements which stabilizes the surface of the RU lower electrode before forming the BST dielec tric film in forming the capacitor, this improving the interface characteristic between the lower electrode and the dielectric film to raise the capacitor reliabil ity.
    本発明は、RU下部電極とBST誘電体膜を有するキャパシタを製造するにあたり、BST誘電体膜を形成する前にRU下部電極の表面を安定化するので、RU下部電極とBST誘電体膜との界面特性が改善され、キャパシタの信頼性が高められる半導体素子のキャパシタ製造方法を提供すること。 - 特許庁
  • By providing the Ru-doped InGaP graded layer 303 between the Ru-doped InGaP wide-gap layer 302 and the Ru-doped InP layer 304, the Ru-doped InGaP wide-gap layer 302 and the Ru-doped InP layer 304 not lattice-matching with each other can be formed as a buried layer with excellent crystallinity.
    ＲｕドープＩｎＧａＰワイドギャップ層３０２とＲｕドープＩｎＰ層３０４との間にＲｕドープＩｎＧａＰ組成傾斜層３０３を設けることにより、格子整合しないＲｕドープＩｎＧａＰワイドギャップ層３０２とＲｕドープＩｎＰ層３０４とを、結晶性が良好な埋め込み層とすることが可能となる。 - 特許庁
  • Ruthenium-containing precursors for ruthenium-containing films deposition comprises a ruthenium precursor selected from the group consisting mainly of: Ru(XOp)(XCp), Ru(XOp)_2, Ru(allyl)_3, RuX(allyl)_2, RuX_2(allyl)_2, Ru(CO)_x(amidinate)_y, Ru(diketonate)_2(amidinate)_2, their derivatives and any mixture thereof.
    Ｒｕ（ＸＯｐ）（ＸＣｐ）、Ｒｕ（ＸＯｐ）_2、Ｒｕ（アリル）_3、ＲｕＸ（アリル）_2、ＲｕＸ_2（アリル）_2、Ｒｕ（ＣＯ）_x（アミジネイト）_y、Ｒｕ（ジケトネイト）_2（アミジネイト）_2、それらの誘導体およびそれらの混合物から実質的になる群から選ばれるルテニウム前駆体を含むルテニウム含有フィルム堆積用ルテニウム含有前駆体。 - 特許庁
  • An intermediate layer including Ru is arranged on the base layer.
    下地層の上に、Ｒｕからなる中間層が配置されている。 - 特許庁
  • RU TARGET MATERIAL FOR MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM
    磁気記録媒体用Ｒｕターゲット材および磁気記録媒体 - 特許庁
  • Gote-ru' was a catchword at that time, meaning 'to complain.'
    「ゴテる」は「不平や不満を言うこと」を意味する当時の流行語。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • an abortion-inducing drug (trade name RU 486) developed in France
    フランスで開発された流産を誘発するドラッグ（商標名RU486） - 日本語WordNet
  • The particles also contain Ru and the ratio of Pt and Ru in particles is Pt_40Ru_60-Pt_90Ru_10.
    前記粒子はＲｕを更に含有し、粒子内のＰｔとＲｕの比率はＰｔ_４０Ｒｕ_６０〜Ｐｔ_９０Ｒｕ_１０である。 - 特許庁
  • A Ru film 13 as an underlying electrode of a capacitor is formed by a CVD method, using a Ru source material and oxygen radicals.
    下部キャパシタ電極としてのＲｕ膜１３をＲｕ原料と活性酸素を用いたＣＶＤ法により形成する。 - 特許庁
  • The nonmagnetic intermediate layer 4b is formed by laminating an Ru layer 11, an Rh layer 12, and an Ru layer 13 in order from below.
    非磁性中間層４ｂは下からＲｕ層１１、Ｒｈ層１２、及びＲｕ層１３の順に積層形成されている。 - 特許庁
  • A catalyst is constituted of two or more metals and/or metal compounds selected from Ru, Ti, Mo, W, V, Ir, Nb, W, Cu, Ni, La, Ca, Cu, Zr, and Ta.
    触媒を、Ru、Ti、Mo、W、V、Ir、Nb、W、Cu、Ni 、La、Ca、Cu、 Zr及びTaから選ばれる２種以上の金属及び／又は金属化合物から構成する。 - 特許庁
  • The ZnO semiconductor film containing Ru is formed by sputtering using targets 21, 22 containing ZnO and Ru.
    ＺｎＯ及びＲｕを含むターゲット２１，２２を用いたスパッタリングにより、Ｒｕを含有するＺｎＯ半導体膜を形成する。 - 特許庁
  • Alternatively, a part of Ir is substituted by one or more elements selected from Ru, Rh, Pd, Os, Mo, Nb, Ta, Hf, W, Ti, Zr, Y, La Cr, and V in the above alloy.
    またIrの一部がRu,Rh,Pd,Os,Mo,Nb,Ta,Hf,W,Ti,Zr,Y,La,Cr、Vから選択される一種若しくは二種以上の元素で置換される前記合金。 - 特許庁
  • An intermediate layer (IL) having a hexagonal close packing (hcp) crystal structure, and made from Ru or Ru alloy, is vapor-deposited in a sputter pressure substantially lower than before, so that a columnar structure of the intermediate layer decreases more than before, and a surface of the intermediate layer becomes smoother than before.
    六方最密(hcp)結晶構造を有するRu或いはRu合金から成る中間層(IL)を従来よりも実質的に低いスパッタ圧にて蒸着し、その結果、中間層の柱状構造が従来よりも減少し、中間層の表面が従来よりも平滑になる。 - 特許庁
  • The thin-film-forming apparatus also transports the oxidized Ru film to a reduction chamber F3, and exposes the Ru film to an atmosphere of a reductive gas to reduce the Ru film (Step S15).
    また、薄膜形成装置は、酸化処理の施されたＲｕ膜を還元チャンバＦ３に搬送し、還元性ガスの雰囲気にＲｕ膜を曝して、Ｒｕ膜に対し還元処理を施す（ステップＳ１５）。 - 特許庁
  • METHOD FOR SEPARATING AND COLLECTING Ru FROM SOLUTION CONTAINING PLATINUM GROUP ELEMENT
    白金族を含む溶液からＲｕを分離回収する方法 - 特許庁
  • THIN FILM OF CONDUCTIVE OXIDE CONTAINING Ru AND ITS FORMING PROCESS
    Ｒｕ含有導電性酸化物薄膜およびその製造方法 - 特許庁
  • Taking encouragement from such circumstances, Li Ru-song advanced south and closed in on Hansong.
    そんな中勢いに乗った李如松が南下して漢城に迫った。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • On an Si substrate 1, the Ru film 2 and an SiO_2 layer 4 are formed.
    Ｓｉ基板１上に、Ｒｕ膜２、ＳｉＯ_2層４を形成する。 - 特許庁
  • Although it is true that the word "bow" has the meaning of "senshu (bow/stem/prow)," it also has the meaning of "saizenbu no o-ru (an oar nearest the front)." Taking into consideration that this invention relates to oars of a boat, the above-mentioned word should be translated as "saizenbu no o-ru (front side of an oar)."
    bowという単語にはたしかに「船首」との意味もあるが、「最前部のオール」という意味も有している。 - 特許庁
  • The thin-film 4 has either or both functions of an antioxidation film or an antistatic film, and Au, Pt, C or Ru is used for the thin-film 4.
    薄膜４は、酸化防止膜、帯電防止膜のいずれか、又は両方の機能を有するもので、例えばAu、Pt、Ｃ、Ruが用いられる。 - 特許庁
  • The addition of n-ZnO to Ru/AC resulted in a pronounced increase in the degree of dispersion of Ru and in the acidic/basic sites concentration ratio.
    Ｒｕ／ＡＣにｎ−ＺｎＯを添加した結果、Ｒｕの分散度および酸性／塩基性部位濃度比が顕著に増大した。 - 特許庁
  • To enable ashing of a photosensitive material for which selection ratio to Ru is improved, and to prevent the partial loss of an Ru film.
    Ｒｕに対する選択比を向上させた感光材料のアッシングを可能にするとともに、Ｒｕ膜の部分的な消失を防ぐ。 - 特許庁
  • Before depositing a metal plug such as a Ru plug, a barrier layer is etched back until the surface of the barrier layer is below an upper edge of a contact hole.
    本発明は、Ruプラグなどの金属プラグを堆積する前、表面がコンタクトホール上端より低くなるまでバリア層をエッチバックする。 - 特許庁
  • The PtRu-based catalyst is used for an anode of the fuel cell and a proportion of Ru to a total amount of Pt and Ru on the surface is 45-60 atom.%, with an Ru elution under a specific condition per Ru 1g is 100 mg.
    本発明のＰｔＲｕ系触媒は、燃料電池の陽極に使用されるものであり、表面におけるＰｔとＲｕとの総量中、Ｒｕの割合が４５〜６０原子％で、特定条件下でのＲｕ溶出量がＲｕ１ｇあたり１００ｍｇのＰｔＲｕ系触媒である。 - 特許庁
  • To improve a uniformity of a film thickness distribution and film quality of an Ru film or an Ru alloy film and an adhering force to a base material, at a sputtering target made from Ru or a Ru alloy used for formation of an electrode of a thin-film capacitor mounted on a DRAM or a FRAM.
    ＤＲＡＭやＦＲＡＭに搭載される薄膜キャパシタの電極形成などに用いられるＲｕまたはＲｕ合金からなるスパッタリングターゲットにおいて、Ｒｕ膜やＲｕ合金膜の膜厚分布や膜質の均一性を高めると共に、下地に対する付着力を向上させる。 - 特許庁
  • A capacitor formed on a conductive plug of a semiconductor substrate has the composite storage node having the Ru conductive layer which covers the conductive plug and a conductive oxide layer of the perovskite structure covering the Ru conductive layer, a capacitor dielectric layer covering the composite storage node, and an electrode layer covering the capacitor dielectric layer.
    半導体基板の導電性プラグ上に形成されたキャパシタが、導電性プラグを覆うRu導電層およびRu導電層を覆いペロブスカイト構造の導電酸化層を有する複合記憶ノードと、複合記憶ノードを覆うキャパシタ誘電層と、キャパシタ誘電層を覆う電極層とを含む。 - 特許庁
  • The Ni-based superalloy has a composition comprising: ≤20 wt.% of Mo; 2 to 10 wt.% of Al; ≤16 wt.% of Ta+Nb+Ti; ≤16 wt.% of Re; ≤16 wt.% of Ru; and the balance Ni and inevitable impurities.
    Mo:20wt%以下、Al:２-10wt%、Ta+Nb+Ti:16wt%以下、Re:16wt%以下、Ru:16wt%以下を含有し、残部がNiと不可避的不純物からなる組成を有するNi基超合金とする。 - 特許庁
  • The conductive material contains a composite oxide of Lu and Ru.
    導電性材料がＬｕとＲｕとの複合酸化物を含有する。 - 特許庁
  • The Ru-Mn-O fine powder comprises a single phase of Ru-Mn-O wherein Mn is dissolved in RuO_2 having a rutile structure, and TCR can be adjusted by changing the proportion of Ru to Mn.
    このＲｕ−Ｍｎ−Ｏ微粉末は、ルチル構造を有するＲｕＯ_２中にＭｎが固溶したＲｕ−Ｍｎ−Ｏの単一相からなり、ＲｕとＭｎの割合を変えることでＴＣＲを調整することができる。 - 特許庁
  • METHOD OF PRODUCING Ru-Al INTERMETALLIC COMPOUND HAVING HIGH MELTING POINT AND HIGH STRENGTH
    高融点高強度ＲｕＡｌ金属間化合物の製造方法 - 特許庁
  • Some interpret Hinoko as 'a child of the sun' because "Ru" is archaic form of "No" in modern Japanese.
    『る』は『の』古形であり「日の子」の意味になるという解釈がある - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • A foundation layer 3 is filmed by using permalloy group material, the non-magnetic intermediate layer 4 is filmed by using Ru or Ru radical alloy material.
    下地層３はパーマロイ系材料を用いて成膜し、非磁性中間層４はＲｕまたはＲｕ基合金材料を用いて成膜する。 - 特許庁
  • A polycrystalline underlayer composed of Ru or an alloy consisting essentially of Ru and having hexagonal closest packing structure is disposed on a substrate.
    基板の上に、Ｒｕを主成分とする六方最密充填構造の合金、またはＲｕからなる多結晶の下地層が配置されている。 - 特許庁
  • The upper base layer 15 is formed by depositing Ru or Ru alloy on the lower base layer 14 in inert gas atmosphere.
    不活性ガス雰囲気においてＲｕ又はＲｕ合金を下部下地層１４上に堆積させることにより上部下地層１５を形成する。 - 特許庁
  • Disclosed is the white gold alloy composed of an Au alloy obtained by adding, to 75 to 77 mass% Au, 10 to 17 mass% Cu and 0.01 to 0.5 mass% Ru, and, as necessary, 0.1 to 2.0 mass% Ga, and the balance Pd.
    75〜77mass%のAuにCuを10〜17mass%、Ruを0.01〜0.5mass%、場合によってはGaを0.1〜2.0mass%を添加し、残部がPdからなるAu合金より構成されているホワイトゴールド合金。 - 特許庁
  • To provide a microanalytical method in which the amount of Ru existing on the surface of a silicon wafer is analyzed in a short time so as to quickly deal with a contamination accident by the Ru element.
    シリコンウェハの表面に存在するＲｕの量を短時間に分析し、Ｒｕ元素による汚染事故に迅速に対処する。 - 特許庁
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