「SN-1」を含む例文一覧(296)

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  • (wherein, TLS_n is the upper limit value of the extraction temperature of the Sn-containing steel stock from the heating furnace, (°C); and [Sn] is the Sn content in the steel, (mass%)).
    記 T_LSn =2083×〔Sn〕^2 − 812.5×〔Sn〕+ 1295 (℃) --- (1) ここで、T_LSn :Sn含有鋼素材の加熱炉抽出温度上限値(℃) 〔Sn〕:鋼中Sn含有量(mass%) - 特許庁
  • deposition amount (g/m^2), with respect to the Sn deposition amount.
    記0.14×Sn付着量(g/m^2)≦ 錫酸化膜量(mC/cm^2)≦ 1.8×Sn付着量(g/m^2)… (1) - 特許庁
  • By heat-treating this metal strip at a temperature of melting point (solid phase line) of a Cu alloy or higher, a Cu-Sn compound layer or a Cu-Ni-Sn compound layer is formed on the Ni-plated layer, and also an Sn layer or an Sn-Cu alloy layer is formed on the Cu-Sn compound layer or the Cu-Ni-Sn compound layer.
    この金属条をSn-(1〜4mass%)Cu合金の融点(固相線)以上の温度で熱処理することにより、Niめっき層の上にCu-Sn化合物層もしくはCu-Ni-Sn化合物層、Cu-Sn化合物層もしくはCu-Ni-Sn化合物層の上にSn層もしくはSn-Cu合金層を形成する。 - 特許庁
  • By dipping an Sn plating waste material W into a reaction tank 1 storing the molten salt of sodium hydroxide, Sn in an Sn plating layer is eluted into the molten salt in a short time.
    水酸化ナトリウムの溶融塩を収容した反応槽1にSnめっき廃材Wを浸漬することで、短時間にSnめっき層のSnが溶融塩中に溶出する。 - 特許庁
  • The copper alloy contains 38 to 48% Cu, 1 to 2% Sn, 4 to 20% Pb, 18 to 30% Al and 15 to 25% Si.
    Cu:38 〜48%, Sn:1〜 2%, Pb: 4〜 20%, Al: 18〜30%,及びSi: 15〜 25%を含有する銅合金。 - 特許庁
  • At least one king of metal selected from the group consisting of Zn, Al, Si, Mg and Ti is made to be contained in the Sn plating layer in an amount of 1 mass% or less.
    前記SnめっきにZn, Al, Si, Mg, Tiのうちの1種以上の金属を1mass%以下含有させる。 - 特許庁
  • Then, temperature values Sn and Sn+1 corresponding to the RGB vectors Vn and Vn+1 are determined, and a temperature value Sx of the RGB vector Vx is calculated by using the following formula.
    そして、RGBベクトルVn ,Vn+1 に対応する温度値Sn ,Sn+1 が判断され、次式を用いてRGBベクトルVx の温度値Sx が演算される。 - 特許庁
  • Then, Sn=S'n+δ.(dn-1+dn+1) is calculated (S2917) and outputs Sn and dn+1 to the next processing stage (S2919).
    次に、Sn=S'n+δ・(dn-1+dn+1)を演算し(S2917)、Snとdn+1を次の処理ステージへ出力する(S2919)。 - 特許庁
  • The Sn or Sn alloy plating film includes: an intermetallic compound layer 2 formed on the surface of a base material 1, composed of an intermetallic compound between the base material 1 and Sn and having electroconductivity; and a network structure 11 formed on the surface of the intermetallic compound layer 2 and composed of Sn or an Sn alloy.
    基材1の表面に形成され、基材1とSnの金属間化合物からなる導電性を有する金属間化合物層2と、その金属間化合物層2の表面に形成され、SnまたはSn合金からなる網目状の構造11とを備えたものである。 - 特許庁
  • The acid solution preferably contains at least one kind of sulfate, nitrate, chloride and phosphate of Sn so that the Sn ion concentration is within a range of 0.1 to 50 g/l.
    また、前記酸性溶液中には、Snの硫酸塩、硝酸塩、塩化物、リン酸塩のうち、少なくとも1種類以上をSnイオン濃度として0.1〜50g/lの範囲で含有することが好ましい。 - 特許庁
  • The cupper-based alloy having dezincfication resistive property, is composed of, by weight, 57-69% Cu, 0.3-3% Sn and 0.02-1.5% Si, wherein Si/Sn is in the range of 0.05-1, and the balance Zn with inevitable impurities.
    重量%で、Cu:57〜69%、Sn:0.3〜3%、Si:0.02〜1.5%を含み、Si/Snの値が0.05〜1の範囲であり、残部がZnと不可避的不純物からなることを特徴とする耐脱亜鉛性銅基合金。 - 特許庁
  • The aluminum-based thermal spraying sliding material has the composition consisting of (a) 5-20% Sn, (b) 5-20% Sn and 1-15% Si, or (c) 8-17% Si, and the balance Al with inevitable impurities, with non-dissolved structure and dissolved structure mixed therein.
    (イ)5〜20%Sn、(ロ)5〜20%Sn及び1〜15%Si、又は(ハ)8〜17%Siを含有し、残部がAl及び不可避的不純物からなり、未溶解組織と溶解組織が混在するアルミニウム系溶射摺動材料。 - 特許庁
  • This slide bearing is constituted by fixing Al-Sn alloy overlay 3 on a copper alloy rolled plate fixed on a back metal unit 1 or a sintered layer 2 by sputtering and applying and baking the MoS_2-resin overlay 4 on the Al-Sn alloy overlay.
    裏金1に被着された銅合金圧延板もしくは焼結層2上にAl-Sn系合金オーバレイ3をスパッタにて被着し、該Al-Sn系合金オーバレイ上にMoS_2-樹脂系オーバレイ4を塗布焼付したすべり軸受。 - 特許庁
  • Each contact touching part contains 1-9 mass% of Sn and is formed of an Ag alloy where Cd as an impurity is less than 1 mass%.
    接点接触部は、Snを1〜9質量%含み、不純物としてのCdが1質量%未満であるAg合金からなる。 - 特許庁
  • Each contact touching part contains 1-9 mass% of Sn and is formed of an Ag alloy where Cd as an impurity is less than 1 mass%.
    この接点接触部は、Snを1〜9質量%含み、不純物としてのCdが1質量%未満であるAg合金からなる。 - 特許庁
  • (1) The sulfide is composed mainly of Cu, Zn and Sn.
    (1)前記硫化物は、Cu、Zn、及びSnを主成分とする。 - 特許庁
  • An Ni plating is applied to the base metal of the metal strip, then a Sn-(1-4 mass%)Cu plating containing no brightener is applied onto it.
    金属条の母材金属上にNiめっきを施し、その上に光沢剤を含まないSn-(1〜4mass%)Cuめっきを施す。 - 特許庁
  • The anticorrosion layer contains a thermally-sprayed Zn-Sn coating film containing Sn of >1 mass% and <50 mass% and the remainder of Zn.
    この防食層は、Snが1質量%を超えかつ50質量%未満であり、残部がZnであるZn−Sn系溶射被膜を含有する。 - 特許庁
  • The information distribution device 20 once acquiring new secret information Sn from an information management server 1 transfers it to a specified information terminal device 10.
    情報配信装置20は、情報管理サーバ1から新たな秘密情報Snを取得すると、これを特定の情報端末装置10へ転送する。 - 特許庁
  • The corrosion prevention layer contains a Zn-Sn sprayed coating consisting of more than 1 mass% to less than 50 mass% Sn and the balance Zn.
    この防食層は、Snが1質量%を超えかつ50質量%未満であり、残部がZnであるZn−Sn系溶射被膜を含有する。 - 特許庁
  • As the result, recording data in the next sector Sn+1 can be recorded from a position continued to the sector Sn without a joint to the sector Sn at the time of the interruption of the recording operation.
    その結果、記録動作が中断された時点のセクタSnに対して、そのセクタSnに継ぎ目無く続く位置から次のセクタSn+1の記録データを記録することができる。 - 特許庁
  • The method for recovering Sn recovers Sn from an Sn-containing acid solution in which Sn is dissolved in nitric acid or a mixed acid of nitric acid and sulfuric acid, wherein the Sn-containing acid solution is mixed with water and adjusted to pH ≥1 to thereby precipitate and recover Sn oxide.
    硝酸、または硝酸と硫酸との混酸の溶液中にSnが溶解されたSn含有酸溶液からSnを回収するSn回収方法であって、前記Sn含有酸溶液と水とを混合して前記Sn含有酸溶液のpHを1以上とすることにより、酸化Snを沈殿させて回収することを特徴とする。 - 特許庁
  • The electronic part 1 includes a body 11 formed of a metallic material and the Sn plated layer 13 formed by covering a base plated layer 12 coated on a surface of the body 11 with Sn or Sn alloy.
    電子部品1は、金属材料で形成された本体部11と、本体部11の表面に被覆された下地めっき層12に対してSn又はSn合金が被覆されることで形成されるSnめっき層13と、を備えている。 - 特許庁
  • In this plated copper alloy material, a Ni layer 2 is formed on a surface of a copper alloy base material 1, and a Ni/Sn-containing alloy layer 3 formed of a Ni-Sn alloy, a Ni-Cu-Sn alloy or both of them is formed on top of it, and a pure Sn layer 4 is formed on top of it as the outermost layer.
    銅合金基材1の表面にNi層2、その上にNi−Sn合金、Ni−Cu−Sn合金、又はその両者からなるNi,Sn含有合金層3が形成され、その上に最表層として純Sn層4が形成されためっき付き銅合金材。 - 特許庁
  • The copper alloy material provided with a plating film comprises: a copper alloy substrate 1; an Ni layer 2 formed on the surface thereof; an alloy layer 3 containing Ni and Sn formed thereon, which is formed from an Ni-Sn alloy, an Ni-Cu-Sn alloy or both of them; and a pure Sn layer 4 formed thereon as the outermost surface layer.
    銅合金基材1の表面にNi層2、その上にNi−Sn合金、Ni−Cu−Sn合金、又はその両者からなるNi,Sn含有合金層3が形成され、その上に最表層として純Sn層4が形成されためっき付き銅合金材。 - 特許庁
  • Thus, the alloy layer 3 containing Ni and Sn, comprising a Ni-Sn alloy or a Ni-Cu-Sn alloy or both of them, is formed on the surface of the copper alloy substrate 1; and a pure Sn layer 4 as the outermost surface layer is formed thereon to obtain a plated copper alloy material for a fuse.
    銅合金基材1の表面にNi−Sn合金、Ni−Cu−Sn合金、又はその両者からなるNi,Sn含有合金層3が形成され、その上に最表層として純Sn層4が形成されたヒューズ用めっき付き銅合金材が得られる。 - 特許庁
  • After that, when the state in which the buffer underrun occurs is evaded, reproducing operation and encoding operation are started by returning to Sn-m and the recording operation is restarted at Sn+1 (An+1) next to An (Sn) where the recording operation is interrupted after the reproducing operation is synchronized with encoding.
    その後、バッファアンダーランの発生する状態が回避されるとSn-mに戻って再生動作とエンコードが開始され、再生動作とエンコードを同期させた後、記録動作が中断したAn(Sn)の次のSn+1(An+1)から記録動作が再開される。 - 特許庁
  • The intermediate layer having a composition comprising a multiple oxide of Sn, Sb and a platinum group metal, wherein the molar ratio Sn:Sb as cations is (1:1)-(40:1) and Sn and Sb occupy ≥90 mol% of the intermediate layer and the remaining is the oxide of the platinum group metal, is formed by a firing method.
    中間層は、SnおよびSbと白金族金属との複酸化物からなり、Sn:Sbは陽イオンのモル比で1:1〜40:1の範囲にあり、かつ、中間層の90モル%以下を占め、残部が白金族金属の酸化物である組成を有するものを、焼成法により形成する。 - 特許庁
  • When a state in which buffer underrun occurs in a buffer memory 13 at an address An during recording operation is brought on, the recording data of An (Sn) are recorded in an optical disk and recording is interrupted at An+1 (Sn+1) and afterward.
    記録動作中にアドレスAnにて、バッファメモリ13にバッファアンダーランが発生する状態になったとすると、An(Sn)の記録データは光ディスクに記録され、An+1(Sn+1)からは記録が中断される。 - 特許庁
  • The increase in the optical detection voltage Vs can improve the SN ratio of the photodiode 1.
    光検出電圧Vsの増大によりフォトダイオード1のSN比を向上させることができる。 - 特許庁
  • The semiconductor power element 3 is jointed to the heat sink 1 by the use of Sn-Sb based solder 4.
    半導体パワー素子3は、ヒートシンク1にSn−Sb系はんだ4を用いて接合される。 - 特許庁
  • The zinc oxide transparent conductive film in some embodiment is substantially composed of zinc, gallium, tin and oxygen, and in which the gallium is comprised in the proportion of >1 to <8% in the atomic ratio of Ga/(Zn+Ga+Sn) and also the tin is comprised in the proportion of >0.1 to <1% in the atomic ratio of Sn/(Zn+Ga+Sn).
    本発明のある態様の酸化亜鉛系透明導電膜は、実質的に亜鉛、ガリウム、スズおよび酸素からなり、ガリウムをGa/(Zn+Ga+Sn)の原子比で1%を超え8%未満の割合で含有し、且つスズをSn/(Zn+Ga+Sn)の原子比で0.1%を超え1%未満の割合で含有する。 - 特許庁
  • The black material of the present invention is characterized by having an Sn fine particle 2, as a core, covered with a fine outer layer 3 consisting of either one of an Ag-Sn alloy, Ag and an Ag-Sn alloy and consisting of a core shell particle 1 having an average particle size of ≥1 nm and ≤300 nm.
    本発明の黒色材料は、核となるSn微粒子2が、AgSn合金、Ag及びAgSn合金のいずれか1種からなる緻密な外殻層3により被覆され、かつ、平均粒子径が1nm以上かつ300nm以下のコアシェル粒子1からなることを特徴とする。 - 特許庁
  • In this hot dip Zn-Sn plated steel sheet excellent in corrosion resistance, the surface of the steel sheet has a hot dip Zn-Sn plated layer, the composition of the plated layer contains 1 to <50%, preferably, 1 to <40% Sn in addition to Zn.
    鋼板表面に溶融Zn−Snめっき層を有し、めっき層組成がZnに加えてSnを1〜50%未満望ましくは1〜40%未満含有することを特徴とする耐食性に優れた溶融Zn−Sn系めっき鋼板。 - 特許庁
  • In the composition of the multiple oxide, the molar ratio Sn:Sb as cations is (1:1)-(40:1) and Sn and Sb occupy 1-90 mol% in the total cations of oxides and the remaining cations are the oxide of the platinum group metal.
    Sn:Sbは陽イオンのモル比で1:1〜40:1の範囲にあり、かつ、SnおよびSbが酸化物の陽イオン全体の1〜90モル%を占め、陽イオンの残部が白金族金属の酸化物である組成とする。 - 特許庁
  • An Sn alloy pressured by a pressure pump is introduced to a nozzle 1, and the liquefied Sn alloy is ejected from the front end of the nozzle 1 mounted in a vacuum chamber 7.
    加圧ポンプで加圧されたSn合金はノズル1へ導かれて、真空チャンバー7内に設けられたノズル1の先端から液体状のSn合金を噴出する。 - 特許庁
  • The magnesium alloy includes one or more first elements selected from Y, Nd, and Sr by 0.01-6 mass% per one element and the balance Mg with inevitable impurities while containing substantially no Al, Zr, Ca, Sn and preferably Mn.
    このマグネシウム合金は、Y,Nd,及びSrから選択される1種以上の第一元素を1元素あたり0.01質量%〜6質量%以下含有し、Al,Zr,Ca,Sn,好ましくは更にMnを実質的に含有せず、残部がMg及び不可避的不純物からなる。 - 特許庁
  • The single phase lithium ferrite complex oxide having a layer rock salt structure and deforming lithium ferrite (LiFeO2) into Li2-xMO3-y (M is at least one selected from the group consisting of Mn, Ti, and Sn; 0≤x≤2, 0≤y≤1) so as to attain Fe ratio of 0.21≤Fe/(Fe+M)≤0.75.
    Li_2-xMO_3-y(Mは、Mn, Tiおよび Snからなる群から選択される少なくとも一種, 0≦x<2、0≦y≦1)中に、リチウムフェライト(LiFeO_2)を鉄の割合が0.21≦Fe/(Fe+M)≦0.75となるように固溶させた層状岩塩型構造を有する単相リチウムフェライト系複合酸化物。 - 特許庁
  • In the method for producing a copper alloy strip, plating of an Ni layer 2 is applied to the surface of a Cu alloy base material 1, successively, Cu plating of a Cu layer 3 and Sn plating of an Sn layer 4 are applied thereto in such a manner that the ratio of the Sn plating thickness/the Cu plating thickness is controlled to ≤6, and thereafter, reflowing treatment is performed.
    銅合金条の製造方法において、Cu合金母材1の表面にNi層2のめっきを施した後、続いてCu層3のCuめっき、Sn層4のSnめっきを、Snのめっき厚さ/Cuのめっき厚さ比が6以下となるように施した後、リフロー処理を行う。 - 特許庁
  • The electronic part 1 includes a body part 11 formed from a metallic material, an undercoat layer 12 covering the surface of the body part 11, and a Sn plated layer 13 formed by covering the undercoat layer 12 with Sn or a Sn alloy.
    電子部品1は、金属材料で形成された本体部11と、本体部11の表面に被覆された下地めっき層12と、下地めっき層12に対してSn又はSn合金が被覆されることで形成されたSnめっき層13と、を備えている。 - 特許庁
  • The alloy may further contain Mg: 0.2% or less, Sn: 0.2 to 1%, Zn: 0.2 to 1%, Co: 1 to 1.5%, and Cr: 0.05 to 0.2%.
    上記基合金は、更にMg0.2%以下、Sn0.2〜1%、Zn0.2〜1%、Co1〜1.5%、Cr0.05〜0.2%含有してもよい。 - 特許庁
  • This copper based plain bearing material obtained by sintering and laminating a copper alloy to a steel back plate has a composition cintaiing >2 to 4% Ag and 1 to 10% Sn, and the balance substantially Cu, and at least on the surface side of the sintered layer, Ag and Sn lie in a state of being perfectly or substantially entered into solid solution in the Cu matrix.
    銅合金を鋼裏金に焼結・成層してなる銅系すべり軸受材料において、Ag:2%を超え4%以下、Sn:1〜10%を含有し、残部が実質的にCuからなり,焼結層の少なくとも表面側でAg及びSnがCuマトリックス中に完全もしくは実質的に固溶した状態である銅系すべり軸受材料。 - 特許庁
  • In the formula, M1 represents at least one selected from the group consisting of Zr, Si and Sn, and M2 represents at least one selected from the group consisting of V, Ta and Bi.
    上記式において、前記M1はZr、Si及びSnから成る群から選択される少なくとも1つであり、前記M2はV、Ta及びBiから成る群から選択される少なくとも1つである。 - 特許庁
  • In a mounting structure 1, the outermost layer of a terminal electrode 13 is formed by a resin electrode layer 18 containing Cu filler coated with Sn, and a resin component thermally cured at the melting point of Sn or lower.
    実装構造1では、SnでコーティングされたCuフィラーと、当該Snの融点以下で熱硬化された樹脂成分とを含む樹脂電極層18によって端子電極13の最外層を形成している。 - 特許庁
  • The copper foil 1 for the printed circuit board is formed with a Cu-Sn-Ni layer 20 on a surface bonded to at least a base material of a copper foil material 10, and a Cr layer 30 formed on the Cu-Sn-Ni layer 20.
    プリント配線板用銅箔1は、銅箔材10の少なくとも基材と接着する面にCu−Sn−Ni層20を形成し、Cu−Sn−Ni層20上にCr層30を形成する。 - 特許庁
  • A microprocessor 1 stores on/off states of switches S1 to Sn in a switch state storage buffer 6 whenever an interruption signal is inputted from an OR circuit 3 and starts a timer 5 when the switches S1 to Sn are released.
    マイクロプロセッサ1は、OR回路3から割り込み信号が入力される度に、スイッチS1〜Snのオン/オフ状態を、スイッチ状態記憶バッファ6に記憶し、スイッチS1〜Snが離されると、タイマ5をスタートさせる。 - 特許庁
  • The mixed powder for shot peening is prepared by mixing the steel ball 1 with the soft metal 2, wherein the soft metal is one or more of Sn, an Sn alloy, Zn, a Zn alloy, Cu or a Cu alloy.
    上記の軟質金属がSn、Sn合金、Zn、Zn合金、Cu、Cu合金のいずれか1種または2種以上である軟質金属2と鋼球1を混合したショットピーニング用混合粉末。 - 特許庁
  • The Sn-Sb series solder alloy comprises, by weight, 4 to 7% Sb, 0.05 to 0.5% Ni and 0.1 to 1% Cu, and the balance Sn with inevitable impurities.
    Sbを4〜7wt%、Niを0.05〜0.5wt%及びCuを0.1〜1wt%含み、且つ、残部がSn及び不可避不純物からなるSn−Sb系半田合金を提案する。 - 特許庁
  • The Sn or Sn alloy plating film 2 is formed on one surface of a copper foil or a copper alloy foil 1 having a resin layer or a film 4 laminated on the other surface thereof, and the orientation ratio of the (200) plane is 20-40%.
    樹脂層又はフィルム4を積層した銅箔又は銅合金箔1の他の面に形成され、(200)面の配向割合が20〜40%であるSn又はSn合金めっき被膜2である。 - 特許庁
  • Another anticorrosion layer contains a thermally-sprayed Zn-Sn-Mg coating film containing Sn of >1 mass% and <50 mass%, Mg of >0.01 mass% and <5 mass% and the remainder of Zn.
    別の防食層は、Snが1質量%を超えかつ50質量%未満であり、Mgが0.01質量%を超えかつ5質量%未満であり、残部がZnであるZn−Sn−Mg系溶射被膜を含有する。 - 特許庁
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