「SOS」を含む例文一覧(146)
＜前へ 1 2 3- To provide a semiconductor wafer such as an SOS or SOQ, wherein the manufacturing process of the wafer is simple and no warpage or fracture is generated during the wafer process, and accurate positioning can be performed with an optical sensor.
製造工程が簡単でウエハ工程中に反りや割れの発生がなく、かつ光センサで正確な位置決めができるＳＯＳやＳＯＱ等の半導体ウエハとその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The beam for obtaining a main scanning synchronizing signal (SOS signal) among a plurality of beams is changed for every scanning, and delay times t1, t1', t2, t3, t4 for deciding writing timing are controlled.
複数のビームのうち１走査ごとに主走査同期信号（ＳＯＳ信号）を得るためのビームを変更するとともに、書込みタイミングを決める遅延時間ｔ１，ｔ１’，ｔ２，ｔ３，ｔ４を制御する。 - 特許庁 - To provide an SOS (silicon on sapphire) substrate low in the defect density of a surface even in an extremely thin silicon film by solving a problem that defective density increases due to incompatibility in a lattice constant between silicon and sapphire.
シリコンとサファイアとの格子定数の不適合に起因して欠陥密度が増大する問題を克服し、極めて薄いシリコン膜においても表面の欠陥密度が低いＳＯＳ基板を提供する。 - 特許庁 - A free surface mirror 8 is used as an optical element which reflects and condenses the synchronism detection beam Ld emitted from a semiconductor laser 2 and deflected by a polygon mirror 5a on an SOS sensor 9.
半導体レーザ２から出射され、ポリゴンミラー５ａによって偏向されてくる同期検出用ビームＬｄをＳＯＳセンサ９に反射集光する光学素子に自由曲面ミラー８を使用する。 - 特許庁 - An SOS sensor 34 is included in the maximum dimension in subscanning direction which is the vertical width occupied by a polygon mirror 12, an fθ lens 14, a first cylinder mirror 16, a mirror 18, and a second cylinder mirror 20.
ＳＯＳセンサ３４はポリゴンミラー１２、ｆθレンズ１４、第１シリンダミラー１６、ミラー１８、第２シリンダミラー２０の占める副走査方向の最大寸法すなわち上下幅の中に収まっている。 - 特許庁 - An origination side terminal 20a comprises a control part 25 which annexes SOS origination identification bits as importance identification information indicating the importance of call contents via a transmission and reception means to request an origination.
発信側端末２０ａは、送受信手段を介して、通話内容の重要性を示す重要性識別情報とされるＳＯＳ発信識別ビットを付加して、発信要求する制御部２５を備える。 - 特許庁 - Thus, reflected light (ghost light) from the incident face 27 arising when a light beam is made incident to the SOS sensor 19 diffuses and the ghost light arriving at a photoreceptor drum 17 is reduced.
そのため、ＳＯＳセンサ１９に光ビームが入射した際に生じる入射面２７からの反射光（ゴースト光）が拡散し、感光ドラム１７に到達するゴースト光を低減することができる。 - 特許庁 - If the set quantity of light is lower than the threshold level, a decision is made that the quantity of light incident to the SOS sensor 54 is low and the gain switching signal is brought to H level thus setting the SOS sensor 54 with a high gain.
また、このときの設定光量に応じて、例えば設定光量が予め定められたしきい値を超えている場合は、ＳＯＳセンサ５４に入射する光量が多いと判断してゲイン切替信号をＬレベルにしてＳＯＳセンサ５４を低ゲインにし、設定光量がしきい値以下の場合は、ＳＯＳセンサ５４に入射する光量が少ないと判断してゲイン切替信号をＨレベルにしてＳＯＳセンサ５４を高ゲインにする。 - 特許庁 - A screw 50 is screwed onto a screw hole 48 extending longitudinally along the mirror holder 38, with the screwed length of the screw 50 adjusted; thus, the resonance frequency is adjusted for the mirror holder 38 and the SOS pickup mirror 36.
ミラーホルダ３８の長手方向へ沿って延びるネジ穴４８にネジ５０を螺合させ、ネジ５０の螺合長を調整することで、ミラーホルダ３８及びＳＯＳピックアップミラー３６の共振周波数を調整する。 - 特許庁 - A silicon epitaxial layer of the SOS substrate is provided with a channel formation part 121 which is of p-type and has hexahedron structure, and a gate oxide film 125 and a gate electrode 131 are provided on both sides of the channel formation part 121.
ＳＯＳ基板のシリコンエピタキシャル層にｐ型で六面体構造のチャネル形成部１２１を設けるとともに、このチャネル形成部１２１の両側面にゲート酸化膜１２５とゲート電極１３１とを設ける。 - 特許庁 - Dividers 26 and 27 divide the numerical values SOS and COS by a numerical value corresponding to a moving distance to output numerical values SO and CO corresponding to the average values of the two output signals of the position sensor 1.
除算器２６，２７は、数値ＳＯＳ，ＣＯＳを移動距離に相当する数値ＤＳＴＳで除算して、位置センサー１の２つの出力信号の平均値に相当する数値ＳＯ，ＣＯを出力する。 - 特許庁 - A relay center 10 annexes information on the importance of the call contents in correspondence to the SOS origination identification bits annexed to the transmission request from the origination side terminal 20a, and transmits the reception request to a reception side terminal 20b.
中継センタ１０は、発信側端末２０ａからの発信要求に付加されているＳＯＳ発信識別ビットに応じて、通話内容が重要である旨の情報を付加して、受信要求を受信側端末２０ｂに発信する。 - 特許庁 - The light receiving surface 50A of an optical sensor 50 for SOS detection is made to tilt to one side in the main scanning direction with respect to the sub-scanning direction, and is made in parallel with the row of VCSEL that is tilted similarly.
ＳＯＳ検知用の光センサ５０の受光面５０Ａを、副走査方向に対して主走査方向の一側へ傾斜させ、副走査方向に対して主走査方向の一側へ傾斜したＶＣＳＥＬの列と平行にする。 - 特許庁 - The circuit 30 separates an SOS(start of scan) signal and an EOS(end of scan) signal from the signal outputted from the photosensor 26 and detects positional relation between the position L1 of the laser beam 14 and the position L2 of the laser beam 14.
倍率検知回路３０は、光センサ２６から出力された信号からＳＯＳ信号とＥＯＳ信号とを分離し、レーザービーム１４のビーム位置Ｌ１とレーザービーム１４のビーム位置Ｌ２との位置関係を検出する。 - 特許庁 - Consequently, if the optical path fluctuation of the light beams L is within a desired tolerance relative to the incident position to the lens (e.g., deviation in a subscanning direction is within ±2.5 mm before the lens), the beams can be always kept in line with an SOS sensor 38.
これにより、光ビームＬの光路変動がレンズ入射位置に対し所望の公差内であれば（例えば、レンズ前で副走査方向ずれが±２．５ｍｍ以内）、ＳＯＳセンサ３８を外れないようにすることができる。 - 特許庁 - In the optical scanner 1, the designing and the manufacturing of an optical system are easy because the tilted SOS sensor 19 with respect to an optical axis or the arrangement of such particular member as a shielding plate is unnecessary for the purpose of reducing the ghost light.
また、この光走査装置１では、ゴースト光の低減にあたってＳＯＳセンサ１９を光軸に対して傾けたり、遮光板などの別部材を配置させたりする必要がないため、光学系の設計・製造が容易となる。 - 特許庁 - In multipliers 22 and 23 and integrators 24 and 25, the numerical values ADS and ADC are arithmetically calculated to numerical values SOS and COS substantially proportional to the values obtained by integrating two output signals of the position sensor 1 integrated by a moving quantity.
乗算器２２，２３と積算器２４，２５では、数値ＡＤＳ，ＡＤＣを距離演算器の出力値ＤＳＴによって、位置センサー１の２つの出力信号を移動量で積分した値にほぼ比例した数値ＳＯＳ，ＣＯＳに演算する。 - 特許庁 - This image forming apparatus is equipped with two LDs 40A, 40B for outputting the light beams having the different wavelengths and the light beam of the LD 40A passes through an SOS sensor 54 earlier than that of the LD 40B.
画像形成装置は、互いに波長の異なる光ビームを出力する２つのＬＤ４０Ａ、４０Ｂを備えており、ＬＤ４０Ａによる光ビームの方が、ＬＤ４０Ｂによる光ビームよりも先にＳＯＳセンサ５４上を通過するようになっている。 - 特許庁 - On a standard color (C), in the same way as a conventional case, in accordance with a time (Tc) from outputting a TRO signal to outputting the first SOS signal, a scanning line simultaneously scanning is determined and the image is written by the jumping scanning.
基準色（Ｃ）については、従来と同様に、ＴＲ０信号が出力されてから最初のＳＯＳ信号が出力されるまでの時間（Ｔｃ）に応じて、同時に走査する走査線を定めて飛び越し走査によって画像を書き込む。 - 特許庁 - To inhibit a parasitic bipolar effect without increasing an area of an element region by using a body contact electrically insulated from a gate, in a transistor which uses an SOI substrate, an SOS substrate, or a semiconductor substrate having other insulating layer.
ＳＯＩ基板、ＳＯＳ基板、その他の絶縁層を有する半導体基板を用いたトランジスタにおいて、ゲートと電気的に絶縁されたボディコンタクトを用いることによって、素子領域の面積を増大させることなく、寄生バイポーラ効果を抑制する。 - 特許庁 - Thereby a gain switching amplifier or the like is unnecessary, and the comparatively inexpensive SOS sensor in which the light receiving quantity allowance range is narrow can be applied without considering the light emitting quantity based on a reference voltage when practically performing image forming processing.
これにより、ゲイン切り替えアンプ等が不要であり、実際に画像形成処理するときの基準電圧に基づく発光光量を考慮することなく、比較的安価である受光量許容レンジが狭いＳＯＳセンサを適用することが可能となる。 - 特許庁 - A control part 30 varies the focal length of the liquid lens 14 in such a manner that the focal length in a scanning term in which the photoreceptor 32 is scanned with the light is different from that in a period at which the light receiving element 28 receives the light and outputs the falling of an SOS signal.
制御部３０は、感光体ドラム３２に光を走査している走査期間と、受光素子２８が光を受光してＳＯＳ信号の立ち下がりを出力する時期とにおいて、液体レンズ１４の焦点距離を異ならせる。 - 特許庁 - To suppress the parasite bipolar effect and short channel effect in a transistor that uses a semiconductor substrate having an SOI substrate, an SOS substrate, and other insulating layer without increasing the area of an element region by the use of a body contact.
ＳＯＩ基板、ＳＯＳ基板、その他の絶縁層を有する半導体基板を用いたトランジスタにおいて、ボディコンタクトを用いることによって、素子領域の面積を増大させることなく、寄生バイポーラ効果及び短チャネル効果を抑制する。 - 特許庁 - The method for fractionating lard comprises mixing oil and fat mainly composed of a triglyceride represented by the formula: SOS (wherein S is a 16C or higher saturated fatty acid and O is oleic acid) with a lard soft oil thereby fractionating into a crystalline portion and a liquid portion.
ラード軟質油に、ＳＯＳ（Ｓは炭素数１６以上の飽和脂肪酸を示し、Ｏはオレイン酸を示す）で表されるトリグリセリドを主成分とする油脂を混合し、結晶部と液状部とに分別することを特徴とするラードの分別方法。 - 特許庁 - The degree of the damage of the DNA, caused by the electromagnetic field and the radioactive rays is quantitatively assayed by utilizing the expression of the SOS repair response by the interaction of lex-rec genetic product making the core of the repair structure against the damage of the nucleic acid, possessed by a live bacterial cell.
生きた細菌細胞が保有する核酸の損傷に対する修復機構の中核をなすｌｅｘ−ｒｅｃ遺伝子産物の相互作用によるＳＯＳ修復応答の発現を利用して、ＤＮＡが電磁界および放射線によって損傷を受ける程度を定量的に測定する。 - 特許庁 - This recombinant nucleic acid sequence containing an SOS modulating promoter having an induction ratio of ≥40, wherein the promoter is connected to a reporter-encoded nucleic acid sequence encoding a reporter producing a signal capable of being assayed as photo production.
４０以上の誘導比を持つＳＯＳ調節プロモーターを含む組換え核酸配列であって、前記プロモーターが、光生産としてアッセイ可能なシグナルを生ずるレポーターをコードするレポーターコード核酸配列に、遺伝子工学的操作によって連結されている組換え核酸配列。 - 特許庁 - The magnitude and the beginning position of writing of a laser beam groups of LY, LM, LC and LK in a main scanning direction are detected with an SOS sensor 21 by measuring the detection time of a certain beam among the laser beam groups of LY, LM, LC and LK which are separated in the main scanning direction.
ＳＯＳセンサ２１でレーザービーム群ＬＹ、ＬＭ、ＬＣ、ＬＫが主走査方向に離間したビーム中の特定のビームについて検出時間を測定することによってレーザービーム群ＬＹ、ＬＭ、ＬＣ、ＬＫの主走査方向における倍率と、書き出し開始の位置とを検知する。 - 特許庁 - Before this operation, it is estimated that an SOS-Fail reference value and an LD power set value or the like in a control part 204 are influenced by chattering being the cause of abnormality, so that data is written in and read out from the storage device 101A of the cartridge 101 again.
また、これの前に、異常発生の原因であるチャタリングにより、制御部２０４内のＳＯＳ−Ｆａｉｌ基準値やＬＤパワー設定値等に影響を及ぼしていることが予想されるため、再度プロセスカートリッジ１０１の記憶装置１０１Ａとのデータの書き込み・読み出しを実施する。 - 特許庁 - To provide a method for efficiently manufacturing a sapphire single crystal substrate having a uniform step-terrace structure at any tilted angle thereof and being suitable to the epitaxial growth method for use in making a nitride-based compound semiconductor element, SOS(silicn-on-sapphire) device, or the like.
窒化物系化合物半導体素子、ＳＯＳ（ｓｉｌｉｃｎ−ｏｎ−ｓａｐｐｈｉｒｅ）デバイス等を作製する際のエピタキシャル成長法に好適な均一なステップ−テラス構造を有するサファイア単結晶基板をその傾斜角度に関わらず効率的に製造する方法を提供する。 - 特許庁 - Since the output term of the PCONT signal and the output term of the lightening signal for SOS are overlapped with each other, an APC control based on the PCONT signal can be surely performed even when reduction of a term corresponding to a region out of an image region occurs in association with improvement of an effective scanning efficiency.
ＰＣＯＮＴ信号の出力時期とＳＯＳ用点灯信号の出力時期とを重複させることで、有効走査効率向上に伴う、画像領域外に対応する時期の減少があっても、ＰＣＯＮＴ信号に基づくＡＰＣ制御が確実に実行される。 - 特許庁 - When the user operates an operation part 15 and selects an emergency signal luminescence mode, a control part 17 outputs signals stored in an emergency signal storing memory 16 which represent situations and locations such as "SOS", "injured", "impossible to move" and "mountain peak" to an LCD 14.
ユーザが、操作部１５を操作し、非常用信号発光モードを選択すると、制御部１７は、非常用信号格納メモリ１６に格納されている「ＳＯＳ」、「怪我をしています」、「動けません」、及び「山岳頂上」などの状況や場所を示す信号をＬＣＤ１４に出力する。 - 特許庁 - In the optical scanner, there are arranged an EOS sensor 31B for detecting a scanning completion timing by receiving the luminous fluxes in the left upper optical path By of the polygon mirror 5, and an SOS sensor 34A for detecting a scanning starting timing by receiving the luminous fluxes in the right upper optical path Bk.
ポリゴンミラー５の左側上側光路Ｂｙの光束を受光して走査終了タイミングを検出するためのＥＯＳセンサ３１Ｂが配置され、右側上側光路Ｂｋの光束を受光して走査開始タイミングを検出するためのＳＯＳセンサ３４Ａが配置されている。 - 特許庁 - The emergency message device is characterized by displaying the emergency affairs as SOS and the emergency by pushing emergency message switches 12 and 13 installed inside the vehicle to an indicator light installed on outside of a body 1 of the bus displaying when passengers get on and off.
バスの車体１の外面に設けられ乗客が乗降中であることを表示する表示灯２に、車内に設けられた緊急通報スイッチ１２，１３の押動によりＳＯＳ、緊急等の緊急事態を表示するようにしたことを特徴とする緊急通報装置。 - 特許庁 - The crime prevention system is configured in such a way that a small-sized receiver/transmitter having GPS function or the like is provided with an emergency switch so that, when a crime occurs, a person pushes the emergency switch to enable secret transmission of his/her current position, together with a SOS signal, to a portable telephone or PHS of a specific person registered in advance.
ＧＰＳ機能などを備え、小型化した受発信機に、非常スイッチ設け、犯罪発生時に、非常スイッチを押すことにより人に知られることなく、予め登録した特定の相手の携帯電話かＰＨＳに救助信号とともに現在位置を発信できるようにしたもの。 - 特許庁 - Posts 46A and 46B are different in diameter, and diameters of oxidation apertures 48A and 48B constituted in the hosts are also different; and the post 46A and oxidation aperture 48A that emit laser light for SOS are larger in diameter and the post 46B and oxidation aperture 48B that emit laser beam for exposure are smaller in diameter.
ポスト４６Ａと４６Ｂではポストの径及びポスト内に構成される酸化アパチャー４８Ａ、４８Ｂの径が異なっており、ＳＯＳ用レーザを射出するポスト４６Ａ／酸化アパチャー４８Ａは径が大きく、露光用レーザを射出するポスト４６Ｂ／酸化アパチャー４８Ｂは径が小さい。 - 特許庁 - Also, the setting of image writing timing to the image timing generating part 118 is changed (corrected) in accordance with the fluctuating amount of the generation timing of an SOS signal caused corresponding to the changeover of the gain in the case that the gain is switched by the setting of the gain by the correction controlling part 122.
また、補正制御部１２２は、このゲイン設定によって、ゲインが切替えられる場合は、当該ゲイン切替に伴って生じるＳＯＳ信号の発生タイミングの変動量に応じて、画像タイミング生成部１１８への画像書出しタイミングの設定を変更（補正）する。 - 特許庁 - The Fourier transforming means 2 performs Fourier transformation of the results, the spread means 3 randomly performs switching in each symbol, the inverse Fourier transforming means 4 performs inverse Fourier transformation, and the multicarrier modulating means 5 transmits the complex symbol strings as a signal SOS (m) from an unillustrated antenna.
その結果は、フーリエ変換手段２によりフーリエ変換され、拡散手段３により各シンボル毎にランダムに入れ替えられ、逆フーリエ変換手段４により逆フーリエ変換されてマルチキャリア変調手段５により図示していないアンテナから信号ＳＯＳ（ｍ）として送信される。 - 特許庁 - The peak value Vp, i.e., a signal value after being amplified and threshold levels Ref1, Ref2 are compared with each other to generate an amplification factor switching signal Vg based on the compared result and then the amplification factor of the SOS sensor 54 is switched to an optimum one.
コンパレータ７４、７６によって、このピーク値Ｖｐ、すなわち増幅後の信号値と、閾値レベルRｅｆ１、Rｅｆ２とを比較し、増幅率切替信号生成回路６６によって、当該比較結果に基づいて、増幅率切替信号Ｖｇを生成し、ＳＯＳセンサ５４の増幅率を最適な増幅率に切替える。 - 特許庁 - In this case, 'a plurality of the VCSELs whose positions of light scanning direction are nearly identical' means that, when the all VCSELs are turned on, the total exposing energy profile on the light sensor in the light scanning direction and the energy level equivalent to the detection threshold when a SOS signal is generated cross at only two points.
ここで、上記「光走査方向位置が略等しい複数のＶＣＳＥＬ」は、当該ＶＣＳＥＬを全て点灯した場合に、光走査方向に対する光センサ上での合計露光エネルギープロファイルと、ＳＯＳ信号生成の際の検知しきい値に相当するエネルギーレベルとが２点のみで交差するものである。 - 特許庁 - The oil and fat composing the chocolate preferably contains 2-12 mass% of triacylglycerol represented by S_2E (S: 16-22C saturated fatty acid, and E: elaidic acid ), and preferably contains 55-92 mass% of symmetric triacylglycerol represented by SOS (S: 16-22C saturated fatty acid, and O: olein acid).
上記チョコレート類を構成する油脂は、Ｓ_2Ｅ（Ｓ：炭素数１６〜２２の飽和脂肪酸、Ｅ：エライジン酸）で表されるトリアシルグリセロールを２〜１２質量％含有することが好ましく、また、ＳＯＳ（Ｓ：炭素数１６〜２２の飽和脂肪酸、Ｏ：オレイン酸）で表される対称型トリアシルグリセロールを５５〜９２質量％含有することが好ましい。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which possesses a light reflection film hard to be molten by fluoric acid in the case of using a silicon oxide for a light reflection film, while providing a light reflection film of 0.5 μm in the semiconductor device using an SOS wafer with a light reflection film advanced in film thinning, and to provide its manufacturing method.
薄膜化が進む光反射膜を有するＳＯＳウェハを用いた半導体装置において、０．５μｍ以下の光反射膜を提供するとともに、光反射膜にシリコン酸化物を用いた場合にフッ酸によって融解しにくい光反射膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The free surface mirror 8 has a positive power at least in a main scanning direction and is formed so that the curvature of the cross-sectional form of the reflecting surface in the principal scanning direction gradually varies in the direction and does not have a symmetrical axis thus an aberration on the surface of the SOS sensor 9 is not generated.
当該自由曲面ミラー８は、少なくとも主走査方向に正のパワーを有すると共に、ＳＯＳセンサ９のセンサ面上での収差の発生を防ぐように、その反射面の主走査方向における断面形状の曲率が当該方向において徐々に変化して対称軸を有しないように形成される。 - 特許庁 - Further since the optical scanning device has configuration that the light beam L orthogonally cross a reference edge of the SOS sensor 30, detection timing can be kept constant even if the light beam L fluctuates in a subscanning direction due to plane tilt of a rotary polygon mirror 16 to prevent a picture from being distorted due to deviation of synchronous timing.
さらに、ＳＯＳセンサ３０の基準エッジに対して光ビームＬが直交して横切る構成としたため、回転多面鏡１６の面倒れによって光ビームＬが副走査方向に変動しても検出タイミングを一定に保つことができ、同期タイミングのずれによって画像が歪むことが防止できる。 - 特許庁 - This laser optical scanner is equipped with a plurality of light sources, a polygon mirror 8 that deflects a laser beam from the light sources at constant angular velocity in the main scanning direction y, a scanning lens 9 for allowing the laser beam deflected by the polygon mirror 8 to form an image on a photoreceptive drum 20, and an SOS synchronization detection sensor 14 for detecting the laser beam polarized by the polygon mirror 8.
複数の光源と、該光源から放射されたレーザビームを主走査方向ｙに等角速度で偏向するポリゴンミラー８と、該ポリゴンミラー８で偏向されたレーザビームを感光体ドラム２０上で結像させる走査レンズ９と、ポリゴンミラー８で偏向されたレーザビームを検出するＳＯＳ同期検出用センサ１４とを備えたレーザ走査光学装置。 - 特許庁 - A manufacturing method of the semiconductor device using an SOS (silicon on sapphire) wafer has a process for preparing a sapphire substrate, a process for forming a silicon (Si) layer on the sapphire substrate, a process for injecting silicon ions into the silicon layer, and a process for subjecting the silicon layer to an epitaxial regrowth after injection of the silicon ions.
本発明は、ＳＯＳ（シリコン・オン・サファイア）ウエハを用いた半導体デバイスの製造方法において、サファイア基板を準備する工程と；前記サファイア基板上にシリコン（Ｓｉ）層を形成する工程と；前記シリコン層にシリコンイオンを注入する工程と；前記シリコンイオン注入の後に、前記シリコン層をエピタキシャル再成長させる工程とを含む。 - 特許庁 - The optoelectronic integrated circuit 600, having a sapphire substrate 611 of an SOS substrate 610 as a lower clad, is monolithically formed of an optical waveguide having a silicon film 611 as a core, an electronic integrated circuit 640 formed on the silicon film 611, and grooves 621, 622 for fixing optical fibers 670, 680, and is mounted in a hybrid with a photodiode array 650 and a laser diode array 660.
光電子集積回路６００は、ＳＯＳ基板６１０のサファイア基板６１１を下部クラッドとし、かつ、シリコン膜６１１をコアとした光導波路と、該シリコン膜６１１に形成された電子集積回路６４０と、光ファイバ６７０，６８０を固定する溝６２１，６２２とがモノリシックに形成され、さらに、フォトダイオードアレイ６５０およびレーザダイオードアレイ６６０がハイブリッドに搭載される。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
