a memory device of a computer called SRAM SRAMという,コンピューターの記憶装置 - EDR日英対訳辞書
The SRAM stores the data B in the address S2. SRAMは、アドレスS2にデータBを記憶する。 - 特許庁
SRAM (STATIC RANDOM ACCESS MEMORY) AND SRAM TEST METHOD SRAM(StaticRandomAccessMemory)、及びSRAMのテスト方法 - 特許庁
SRAM (STATIC RANDOM ACCESS MEMORY) AND TEST METHOD OF SRAM SRAM(StaticRandomAccessMemory)、及びSRAMのテスト方法 - 特許庁
SRAM CELL, SRAM ARRAY, AND CONTROL METHOD OF SRAM SRAMセル、SRAMアレイ、SRAMの制御方法 - 特許庁
SRAM (STATIC RANDOM ACCESS MEMORY) AND ACCESS METHOD TO SRAM SRAM(StaticRandomAccessMemory)、及びSRAMへのアクセス方法 - 特許庁
A CPU stores a plurality of IDMA PIO scripts in a SRAM. CPUがSRAMに、複数のIDMA PIOスクリプトを格納する。 - 特許庁
SYNCHRONOUS SRAM CIRCUIT 同期SRAM回路 - 特許庁
TEG FOR SRAM SRAM用TEG - 特許庁
Burst SRAM (also known as SynchBurst SRAM) is synchronized with the system clock or, in some cases, the cache bus clock.
バーストSRAM(同期バーストSRAMとしても知られる)は、システムクロックまたはある場合にはキャッシュバスクロックと同期する。 - コンピューター用語辞典
SRAM STATIC CELL SRAM用のスタティックセル - 特許庁
To provide an SRAM structure using a FinFET having multiple fins. マルチフィンを有するFinFETを利用したSRAM構造を提供する。 - 特許庁
SRAM SYSTEM, AND METHOD FOR CONTROLLING SRAM SYSTEM SRAMシステムおよびSRAMシステムの制御方法 - 特許庁
OUTPUT CIRCUIT OF SRAM SRAMの出力回路 - 特許庁
SRAM SEMICONDUCTOR DEVICE SRAM型半導体装置 - 特許庁
To provide a synchronous pseudo SRAM that achieves high-speed access time. アクセスタイムを高速化できる同期式擬似SRAMを提供する。 - 特許庁
The SRAM cell 99 is divided by a distributed global decoder 71 arranged at the center into groups 80-87 of a cell of the SRAM array, and the distributed global decoder 71 specifies an address of the individual memory cell 13 of the SRAM array 99. SRAMセル(99)は、中心に配置された分散型グローバルデコーダ(71)でSRAMアレイのセルのグループ(80-87)に分割され、分散型グローバルデコーダ(71)はSRAMアレイ(99)の個々のメモリセル(13)をアドレス指定する。 - 特許庁
SRAM CELL MANUFACTURING METHOD SRAMセルの製造方法 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING SRAM CELL SRAMセルの製造方法 - 特許庁
The SRAM device is provided with a plurality of rows of SRAM cells and a line buffer SRAM cell, and each row of SRAM cells is controlled by a word line. 複数行のSRAMセルとラインバッファSRAMセルとを備え、各行のSRAMセルは、ワードラインによって制御される。 - 特許庁
The SRAM device includes a substrate and an SRAM unit cell. 基板およびSRAMユニットセルからなるSRAMデバイスである。 - 特許庁
To reduce the size of an SRAM cell and its soft error rate. SRAMセルのサイズを小さくするとともに、そのソフトエラー率を低減する。 - 特許庁
Thus, the size of the dual port SRAM cell is reduced. この構成により、デュアルポートSRAMセルのサイズを小さくすることができる。 - 特許庁
DYNAMIC SENSE AMPLIFIER FOR SRAM SRAMのダイナミックセンス増幅器 - 特許庁
EVALUATION METHOD OF SRAM MEMORY CELL SRAMメモリセルの評価方法 - 特許庁
SRAM CELL WITH IMPROVED RADIATION RESISTANCE 耐放射線向上SRAMセル - 特許庁
Two SRAMs, SRAM 42 and SRAM 44 are arranged in an ATA interface control circuit 15. ATAインターフェース制御回路15内に、SRAM42とSRAM44を2つ設けられる。 - 特許庁
A CAM (Contents Addressable Memory) and an SRAM are connected to the retrieval circuit (6c), the CAM stores a rule list to classify packets and the SRAM stores an action list decided by the rule list. 検索回路(6c)には、CAMとSRAMが接続され、パケットをクラス分けするルールリストがCAMに格納され、ルールリストによって決定されるアクションリストがSRAMに格納される。 - 特許庁
At the same time, a leak current is reduced by controlling substrate bias in a SRAM circuit. 同時にSRAM回路では、基板バイアスを制御してリーク電流を低減する。 - 特許庁
Simultaneously, in a SRAM circuit, a leak current is reduced by controlling a substrate bias. 同時にSRAM回路では、基板バイアスを制御してリーク電流を低減する。 - 特許庁
Enhanced DRAM replaces standard DRAM and the SRAM in the L2 (level 2) cache on the mainboard.
EDRAMはメインボード上のL2(レベル2)キャッシュで標準DRAMおよびSRAMに取って代る。 - コンピューター用語辞典
An SRAM includes a control circuit 20 and charge circuits 50-0 to 50-n. SRAMは、制御回路20及びチャージ回路50−0〜50−nを有している。 - 特許庁
A method for reducing power in an SRAM is achieved by applying a first voltage to all bit lines in a portion during a standby operation of the SRAM and applying a second voltage to all bit lines in a portion during a normal operation of the SRAM. SRAMの電力を低減するための方法は、SRAMの待機動作中の部分の全てのビット線に第1の電圧を印加し、SRAMの通常動作中の部分の全てのビット線に第2の電圧を印加することにより達成される。 - 特許庁
BIT LINE SCREENING METHOD OF SRAM SRAMのビット線スクリーニング方法 - 特許庁
SRAM CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF SRAMセル及びその製造方法 - 特許庁
SRAM CELL AND MANUFACTURE OF THE SAME SRAMセル及びその製造方法 - 特許庁
To provide a pseudo SRAM in which non-synchronous operation and non-synchronous operation of column access can be performed. 非同期動作やカラムアクセスの非同期動作が可能な擬似SRAMを提供する。 - 特許庁
STATIC MEMORY CELL AND SRAM DEVICE スタティック型メモリセルおよびSRAM装置 - 特許庁
SRAM ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME SRAM素子及びその製造方法 - 特許庁
SRAM DEVICE AND METHOD FOR TESTING THE SAME SRAM装置およびそのテスト方法 - 特許庁
WORD LINE CONTROL CIRCUIT OF SRAM DEVICE SRAMデバイスのワードライン制御回路 - 特許庁
To provide a full-CMOS SRAM cell. フルCMOS SRAMセルを提供する。 - 特許庁
SRAM MEMORY CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD SRAMメモリセル及びその製造方法 - 特許庁
SRAM USING CARBON NANOTUBE THIN FILM 炭素ナノチューブ薄膜を利用したSRAM - 特許庁
To provide a stable low voltage operation in a full CMOS SRAM memory cell provided with a shared contact. シェアードコンタクトを備えるフルCMOS型のSRAMメモリセルにおいて、安定した低電圧動作を得る。 - 特許庁