「SStr」を含む例文一覧(6)
- A multiplexer 10 multiplexes a sub carrier Ssc' output from the separation adjustment circuit 20 and the stereo signal Sstr.
マルチプレクサ１０は、セパレーション調整回路２０から出力される副搬送波Ｓｓｃ’と、ステレオ信号Ｓｓｔｒとを合成する。 - 特許庁 - A stereo modulation unit 100 generates a stereo composite signal Sc on the basis of a stereo signal Sstr, a sub carrier Ssc and a pilot signal Sp.
ステレオ変調器１００は、ステレオ信号Ｓｓｔｒと、副搬送波Ｓｓｃと、パイロット信号Ｓｐとにもとづき、ステレオコンポジット信号Ｓｃを生成する。 - 特許庁 - The control circuit 15 puts drain selection transistors SDTr (unsel) and SDTr (unselMB) connected to non-selected memory strings MS (unselO1) and MS (unselO2), in a conductive state, and also puts source selection transistors SSTr (unsel) and SSTr (unselMB) connected to the non-selected memory strings MS (unselO1) and MS (unselO2), in a non-conductive state.
制御回路１５は、非選択メモリストリングＭＳ（ｕｎｓｅｌＯ１）、ＭＳ（ｕｎｓｅｌＯ２）に接続されたドレイン選択トランジスタＳＤＴｒ（ｕｎｓｅｌ）、ＳＤＴｒ（ｕｎｓｅｌＭＢ）を導通状態とし、、非選択メモリストリングＭＳ（ｕｎｓｅｌＯ１）、ＭＳ（ｕｎｓｅｌＯ２）に接続されたソース選択トランジスタＳＳＴｒ（ｕｎｓｅｌ）、ＳＳＴｒ（ｕｎｓｅｌＭＢ）を非導通状態とする。 - 特許庁 - The sst- or SSTR-receptor binding peptidic ligand may also contain one or more multifunctional linker units optionally coupling peptides, and/or a sugar moiety and/or chelator and/or prosthetic group.
該ｓｓｔ−またはＳＳＴＲ−レセプター結合ペプチド性リガンドは、任意にペプチドにカップリング結合した１個以上の多機能リンカー単位、および／または糖部分および／またはキレート化剤および／または接合団を含有していてもよい。 - 特許庁 - The non-volatile semiconductor memory device 100 is equipped with: bit lines BL; source lines SL; memory strings MS including a plurality of memory transistors MTr connected in series; drain selection transistors SDTr; source selection transistors SSTr; and a control circuit 15 which controls a read operation.
不揮発性半導体記憶装置１００は、ビット線ＢＬと、ソース線ＳＬと、複数のメモリトランジスタＭＴｒを直列に接続されたメモリストリングＭＳと、ドレイン側選択トランジスタＳＤＴｒと、ソース選択トランジスタＳＳＴｒと、読出動作を制御する制御回路１５とを備える。 - 特許庁 - A source side selection transistor SSTr includes: a source side columnar semiconductor layer 47b extending upward from the columnar portions; a second source side gate insulating layer 46d and a first source side gate insulating layer 46b for surrounding the source side columnar semiconductor layer 47b; and a source side conductive layer 42b for surrounding the first source side gate insulating layer 46b.
ソース側選択トランジスタＳＳＴｒは、柱状部から上に延びるソース側柱状半導体層４７ｂ、ソース側柱状半導体層４７ｂを取り囲む第２ソース側ゲート絶縁層４６ｄ、第１ソース側ゲート絶縁層４６ｂ、及び第１ソース側ゲート絶縁層４６ｂを取り囲むソース側導電層４２ｂを備える。 - 特許庁
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