「STRIPE」を含む例文一覧(3147)

＜前へ 1 2 .... 26 27 28 29 30 31 32 33 34 .... 62 63 次へ＞
  • To restore magnetic information even when magnetic information contained in a magnetic stripe on a received passbook is hard to read, to thereby enable the transaction.
    受け付けた通帳が磁気ストライプの磁気情報を読み取ることができない場合においても、磁気情報を復元して取引ができるようにする。 - 特許庁
  • Then, the p-type upper clad layer 18 is exposed by forming a stripe-like opening 24 in the GaAs cap layer 20 by performing selective etching only on the layer 20.
    次に、ＧａＡｓキャップ層のみに選択エッチングを行い、ストライプ状の開口２４を設け、ｐ−ＡｌＧａＡｓ上部クラッド層を露出させる。 - 特許庁
  • Thereby, a transaction can be executed by the automatic teller machine using a card with a built-in IC chip even when magnetic stripe information can not be read.
    これにより、ＩＣチップ内臓のカードであれば磁気ストライプ情報を読取れなくても現金自動取引装置で取引を行うことができる。 - 特許庁
  • To provide an instrument for examination of visual acuity for the babies and infants, allowing an examiner to easily hold a plain target board and a vertical stripe target board with fingers of the hand to perform examination.
    検査人が無地視標板と縦縞視標板を手の指で容易に持って検査することができる乳幼児視力検査具を提供する。 - 特許庁
  • The sum of the width Wa of the shielding band 21 and the width Wb of the translucent band 22 in the stripe pattern 20 is three times the width of the band-like area (width of pixel element).
    縞柄パターン２０の遮光帯２１の幅Ｗａと透光帯２２の幅Ｗｂの和は、帯状領域の幅（画素要素の幅）の３倍である。 - 特許庁
  • A ridge 2 for red laser, which extends in a direction <011> and has a shape of inverse mesa stripe, is formed on the main surface of the n-type GaAs off-board 1.
    ｎ型ＧａＡｓオフ基板１の主面には、＜０１１＞方向に延在する逆メサストライプ形状の赤色レーザ用リッジ２が形成されている。 - 特許庁
  • To provide a color cathode-ray tube with improved brightness without bringing forth breakage of a shadow mask and fluctuation of color purity in addition to moire stripe and color drift.
    モアレ縞及び色ズレに加えてシャドウマスクの破断や色純度ばらつきを生じることなく、輝度が向上したカラー陰極線管を提供する。 - 特許庁
  • This coating liquid for black stripe forming contains at least Mn compound, Cu compound, Fe compound, SiO_2 and an organic solvent.
    本発明のブラックストライプ形成用塗布液は、Ｍｎ化合物、Ｃｕ化合物、Ｆｅ化合物、ＳｉＯ_2および有機溶剤を少なくとも含有することを特徴とする。 - 特許庁
  • The stripe part 14b is formed at a position such that a distance between a side of the column region body part 14a and a side of the gate electrode 16 is maximum.
    ストライプ部１４ｂは、コラム領域本体部１４ａの側面とゲート電極１６の側面との間の距離が最大となる位置に形成される。 - 特許庁
  • The stripe pattern 2 in the form of the concentric circles can be formed by using a projector or an optical interference projection device having a semiconductor laser, for example.
    同心円状の縞模様２は、例えばプロジェクタあるいは半導体レーザを用いた光干渉投射装置を用いて形成することができる。 - 特許庁
  • To provide an image processor for not generating visually recognizable stripe patterns without lowering a resolution and a gradation property obtained in an error propagation processing.
    誤差拡散処理で得られる解像度と階調性とを低下させることなく、視覚的に認識可能な縞パターンが発生しない画像処理装置を提供する。 - 特許庁
  • In both sides of the ridge part A, poles 9, 10 composed of the GaN system semiconductor are formed in the ridge stripe structure similar to the ridge part A.
    リッジ部Ａの両側には、ＧａＮ系半導体からなる支柱９、１０が形成されており、リッジ部Ａと類似のリッジストライプ構造で構成される。 - 特許庁
  • On the upper clad layer 109, a third upper clad layer 111 of the second conduction type having a stripe-like ridge structure 130 and a contact layer 113 of the second conduction type are formed.
    ストライプ状のリッジ構造１３０をなす第２導電型の第三上クラッド層１１１と、第２導電型のコンタクト層１１３とを備える。 - 特許庁
  • An insulating picture element separation membrane 11 which extends in the Y direction in a stripe shape is formed on the flattened layer 7 between organic layers 10 of each picture element.
    各画素の有機層１０間の平坦化層７上にＹ方向に沿ってストライプ状に延びる絶縁性の画素分離膜１１が形成されている。 - 特許庁
  • A recess stripe 41 is formed between an adhesive coating region 40 along a periphery of an opening 4a and an opening edge on an inner surface side of a nozzle cover 4.
    ノズルカバー４の内面側に、開口部４ａの周囲に沿って接着剤塗布領域４０と開口縁部との間に凹すじ４１を形成した。 - 特許庁
  • To provide a method for uniformly coating a steel plate with liquid, in which the coating quantity unevenness which is called a stripe pattern, or the like, is not generated even at the time of high speed coating.
    高速塗布においても筋状模様等と称されるような塗布量むらが発生しない鋼板への液体の均一塗布方法を提供する。 - 特許庁
  • By starting the application of the transfer bias stepwise, a sudden potential difference is not give to the image carrier 1 so as to prevent the horizontal stripe.
    転写バイアスの印如開始をステップ状に行うことで、像担持体上に急激な電位差をつけないようにして、横筋の発生を防止する。 - 特許庁
  • The coil bobbin 20 has a base 20d wherein the upper parts of stripe-type metal conductors are embedded, and has coil terminals 22, 23, and 24 arranged in the same plane.
    コイルボビン２０は、長細い金属平板導体の上部をベース２０ｄに埋め込み、同一平面内に配列したコイル端子２２〜２４を有する。 - 特許庁
  • The Design view shows the results of both real-time and explicit validation in callout windows on the diagram and the error stripe.
    デザインビュー デザインビューでは、リアルタイムの妥当性検査と明示的な妥当性検査の両方の結果が図の中のコールアウトウィンドウとエラーストライプに表示されます。 - NetBeans
  • To provide a polystyrene molded article with a good appearance and not generating grain, stripe, color shade caused by unadapted mixing in the polystyrene molded article containing carbon black.
    カーボンブラックを含むポリスチレン成形品において、混合不良に起因するブツ、スジ、色むらが生じない、外観良好なポリスチレン成形品を得ること。 - 特許庁
  • A buffer layer 2 and a base GaN film 5 are formed on the substrate 1, and the mask layer 3 of a straight stripe pattern is formed on the base GaN film 5.
    基板１上にバッファ層２および下地ＧａＮ膜５が形成され、この下地ＧａＮ膜５上に直線ストライプパターンのマスク層３が形成される。 - 特許庁
  • In this device, the electrode pattern 11A is formed in a display area DR and a plurality of band-shaped electrodes 11A are arranged in a stripe shape in the display area.
    表示領域ＤＲには上記の電極パターン１１Ａが形成され、複数の帯状の電極１１Ａａがストライプ状に配列されている。 - 特許庁
  • The automatic transaction device 210 accesses a host computer 310 and executes a transaction process using the magnetic stripe data obtained from the conversion server 320.
    自動取引装置２１０は、こうして変換サーバ３２０から取得した磁気ストライプデータを用いてホストコンピュータ３１０にアクセスして取引処理を実行する。 - 特許庁
  • To provide a method of forming various stripe like patterns having excellent appearance with a relatively simple work without depending on the skill of coating workers.
    塗装作業者の熟練度合に頼ることなく、比較的簡単な作業で、美観性に優れた多様な筋状模様が形成できる方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which a buried layer can grow for a projecting structure such as a mesa stripe without generating overlapping growth.
    被り成長を生じることなく、メサストライプ等の突出構造に対して埋込層を成長しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • As the diffusion reflection layer, a fine pattern 4 in stripe, lattice, or dot which is formed with the aluminum layer 3, for example, may be used.
    拡散反射層としては、例えば、アルミニウム層３により形成されたストライプ状または格子状またはドット状の微細パターン４、８を用いることができる。 - 特許庁
  • Practically, the regions with high fiber density and the regions with low fiber density are alternately formed on the fiber web 9 into a stripe-like shape with an uneven face.
    具体的には上記繊維ウエブ９に交互に繊維密度が高い領域と繊維密度が低い領域とを凹凸面を有するストライプ状に形成する。 - 特許庁
  • To provide a pixel display device forming a stripe-like light emitting layer and capable of achieving high degree of fineness and reducing its size by devising the arrangement of pixels.
    ストライプ状の発光層が形成された画素表示装置において、そのピクセル配置を工夫することで、高精細化及び小型化を実現する。 - 特許庁
  • A first group III nitride-based compound semiconductor layer 31 is etched using a mask 4 in island form such as point form, stripe form, or lattice form to make steps.
    マスク４を用いて、第１のIII族窒化物系化合物半導体層３１を点状、ストライプ状又は格子状等の島状態にエッチングし、段差を設ける。 - 特許庁
  • Stator core of a motor is produced by shaping an arcuate stripe member 12 into a stator annular member and laminating a plurality of the stator annular members 14.
    モータのステータコアは、弧帯部材１２が環状のステータ環状部材に成形され、このステータ環状部材１４が複数積層されて構成される。 - 特許庁
  • A stripe-shaped first auxiliary wiring 11 extending in a direction parallel to a signal line is formed on the upper part transparent electrode by a precise mask vapor deposition method.
    上部透明電極上に、信号線と平行な方向に延びるストライプ状の第１の補助配線１１を精密マスク蒸着法により形成する。 - 特許庁
  • To prevent deterioration of blocking performance in an electrostatic recording body manufactured by forming a stripe electrode on a support body and forming a blocking layer on it.
    支持体上にストライプ電極が形成され、その上にブロッキング層が製膜されてなる静電記録体において、ブロッキング性能の悪化を防止する。 - 特許庁
  • Plural laser structures which have their stripe width W restricted by a refractive index waveguide structure or current stricture structure are stacked across a substrate 21.
    ストライプ幅Ｗが屈折率導波構造もしくは電流狭窄構造により制限された複数のレーザ構造を基板21を挟んで積層する。 - 特許庁
  • A tape 126 is stuck from the rear side of a segment where there is a stripe groove 11n of the toner frame 1 through the drum shutter member 18 to the cleaning frame 13.
    トナー枠体１１の条溝１１ｎのある部分の裏側から、ドラムシャッタ部材１８を経てクリーニング枠体１３にテープ１２６を貼り付ける。 - 特許庁
  • The parallel rays L1, L2 are incident almost perpendicular to the pattern plates P1, P2 and the resist films R1, R2 on the stripe metal thin plate W.
    なお、平行光Ｌ１，Ｌ２は一対のパターン板Ｐ１，Ｐ２および帯状金属薄板Ｗのレジスト膜Ｒ１，Ｒ２に対してほぼ垂直に入射している。 - 特許庁
  • To prevent a stripe, where characteristics differ from those at other parts, from being generated in the joint of a scan when manufacturing a thin-film semiconductor in a laser recrystallization system.
    レーザ再結晶化方式で薄膜半導体を製造する際に、スキャンの継ぎ目に特性が他の部分と異なるスジが生じないようにする。 - 特許庁
  • The semiconductor laser, therefore, has the structure such that the unnecessary resonance in the direction parallel to the stripe width can be suppressed to suppress the light intensity peak.
    したがって、ストライブ幅と平行方向の不要な共振を抑制でき、光強度ピークを抑制できる構造の半導体レーザとすることが可能となる。 - 特許庁
  • When the need for correcting the layout data 1 occurs, a different area among the layout data 3 after corrected with comparison processing 4 is extracted in stripe unit.
    レイアウトデータ１を修正する必要が生じた場合、比較処理４で修正後のレイアウトデータ３のうち相違した領域をストライプ単位で抽出する。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a polarizing element with which forming pitch of stripe patterns can be easily made finer and a polarizing element, and an image display device.
    縞状パターンの形成ピッチをより細かくすることが容易な偏光素子の製造方法、偏光素子及び画像表示装置を提供すること。 - 特許庁
  • The height of the surface extending to both outsides of the mesa stripe 12 of the isolation section III becomes gradually lower from the semiconductor laser section I side toward the optical modulator section II side.
    そして、アイソレーション部IIIでは、半導体レーザ部I側から光変調器部部II側に向かって、上記延在面の高さが徐々に低くなるようにする。 - 特許庁
  • To miniaturize a trench-gate MOS semiconductor device having a stripe contact structure without increasing its ON-resistance and the contact resistance of its well.
    オン抵抗やウェルのコンタクト抵抗を増加させることなく、ストライプコンタクト構造を有するトレンチゲート型のＭＯＳ型半導体装置を微細化すること。 - 特許庁
  • To provide a laser thermal recording method in which a density distribution becomes uniform in the breadth direction of a decompressor and ablation and lateral stripe failure are the same in their level.
    減圧器の巾方向で濃度分布が均一になり、アブレーション、スダレ故障のレベルが同じであるレーザー熱転写記録方法を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a monolithic semiconductor laser and a manufacturing method thereof, wherein the relative position of a stripe structure, namely, the relative position between emission points is made substantially constant.
    ストライプ構造の相対的位置、即ち、発光点の間の相対的位置を略一定にしたモノリシック半導体レーザおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • A microlens array or a diffraction optical element inputs light from a light source, and outputs an intensity pattern having a flat top with a divergent light stripe.
    マイクロレンズアレイ又は回折光学素子が光源からの光を入力すると共に、発散光ストライプで頂部が平坦な強度パターンを出力する。 - 特許庁
  • A moving vice stripe 5 prepared in another side corresponding to the fixed vice piece 2 sets an abutting piece 6 of another side corresponding to the aforementioned abutting piece 3 of one side.
    固定バイス片２に対応して他側に設けた移動バイス片５は、前記一方の当接片３に対応する他方の当接片６を設ける。 - 特許庁
  • Moreover, to the collector 10, a cooling tube 14 which is contacted with a standing wall face of the stripe-shaped convex part 13 and which circulates a cooling medium is integrally assembled.
    また、コレクタ１０には、筋状凸部１３の立壁面と接触して冷媒を循環する冷却管１４が一体的に組み付けられている。 - 特許庁
  • To reduce the separation length between optical elements in an optical semiconductor integrated device wherein the optical elements sharing an embedded mesa stripe including an optical waveguide are monolithically integrated.
    光導波路を含む埋込みメサストライプを共有する光素子をモノリシックに集積した光半導体集積素子の素子間分離長を短くする。 - 特許庁
  • When injection-molding, the grooves 31-33 form projecting stripe parts in a molding and the diffraction structure transcription grooves 22a, 22b form a large number of ridge parts (diffraction grooves).
    射出成形時に、溝３１〜３３は成形品に凸条部を与え、回折構造用転写溝２２ａ、２２ｂは多数の嶺部（回折溝）を与える。 - 特許庁
  • When crystallizing a semiconductor film formed on a substrate using a linear laser beam, a phase shift mask on which uneveness is formed in stripe is used.
    基板上に形成した半導体膜を線状レーザー光により結晶化するに際して、ストライプ状に凹凸が形成された位相シフトマスクを用いる。 - 特許庁
  • The shape of the stripe 2 is determined, based on the correlation with the kink ratio P-kink of the laser beam to be emitted from the semiconductor laser device 1.
    ストライプ部２は、その形状が、半導体レーザ素子１から発せられるべきレーザ光のキンク率P-kinkuとの相関関係に基づいて決定される。 - 特許庁
＜前へ 1 2 .... 26 27 28 29 30 31 32 33 34 .... 62 63 次へ＞

例文データの著作権について