「STT」を含む例文一覧(16)

  • Do a blood test to confirm, and stt hormone replacement.
    血液検査で確認し sttホルモン補充を - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • To provide a spin-torque transfer magnetic read access memory (STT-MRAM) of which the selection device is improved.
    選択デバイスを改良した回転-トルク転送磁気リード・アクセス・メモリ（STT-MRAM）を提供する。 - 特許庁
  • Well, the next question is from a person with the pen name stt alphasan.
    え~ 次は ペンネーム sttαさんからの質問。 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • The first and second sine wave signals are summed up to generate a test tone signal STT and a plurality of different test tone signals STT to STT having values (a) and (b) are generated.
    第１および第２の正弦波信号を加算してテストトーン信号ＳTTとするとともに、値ａ、ｂの異なる複数のテストトーン信号ＳTT〜ＳTTを形成する。 - 特許庁
  • The plurality of test tone signals STT to STT are supplied to the plurality of speakers SP1 to SPm respectively simultaneously.
    この複数のテストトーン信号ＳTT〜ＳTTのそれぞれを複数のスピーカＳＰ1〜ＳＰmのそれぞれに同時に供給する。 - 特許庁
  • MAGNETIC TUNNELING JUNCTION ELEMENT, MRAM, STT-RAM, METHOD FOR MAKING MRAM, METHOD FOR MAKING STT-RAM
    磁気トンネル接合素子、ＭＲＡＭ、ＳＴＴ−ＲＡＭ、ＭＲＡＭの製造方法、ＳＴＴ−ＲＡＭの製造方法 - 特許庁
  • STT-MTJ-MRAM CELL, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
    ＳＴＴ−ＭＴＪ−ＭＲＡＭセルおよびその製造方法 - 特許庁
  • The spin-torque transfer magnetic read access memory (STT-MRAM) includes a magnetic bit to be coupled between a first conductor line and the selection device.
    回転-トルク転送磁気リード・アクセス・メモリ（STT-MRAM）は、第1の導電性ラインと選択デバイスとの間で連結される磁気ビットを含む。 - 特許庁
  • MTJ ELEMENT AND FORMING METHOD THEREOF, AND METHOD FOR MANUFACTURING STT-RAM
    ＭＴＪ素子およびその形成方法、ＳＴＴ−ＲＡＭの製造方法 - 特許庁
  • To provide an MTJ element excellent in operational reliability and suitable for an STT-RAM.
    動作信頼性に優れたＳＴＴ−ＲＡＭに好適なＭＴＪ素子を提供する。 - 特許庁
  • To provide a STT-MTJ-MRAM cell having a magnetic tunnel junction element excellent in spin polarization rate.
    スピン偏極率に優れた磁気トンネル接合素子を備えたＳＴＴ−ＭＴＪ−ＭＲＡＭセルを提供する。 - 特許庁
  • The selection device is operative to (a) select the magnetic bit for a spin-torque transfer (STT) write operation when the at least two transistors are in a first state, and (b) select the magnetic bit for a read operation when the at least two transistors are in a second state.
    選択デバイスは、(a)少なくとも2つのトランジスタが第1の状態にあるとき、回転-トルク転送（STT）書き込みオペレーションのための磁気ビットを選択し、（b）少なくとも2つのトランジスタが第２の状態にあるとき、読み込みオペレーションのための磁気ビットを選択する、ように作動する。 - 特許庁
  • To allow a post pattern to be transcribed while accurately controlling the bidirectional size in a manufacturing process of an MTJ element for an STT-MRAM.
    ＳＴＴ- ＭＲＡＭ用のＭＴＪ素子の製造プロセスにおいて、２つの方向のサイズを精度よくコントロールしつつ、ポストパターンを転写できるようにする。 - 特許庁
  • The present invention relates to a magnetic random access memory (MRAM) cell suitable for executing a heat-assist writing operation or a writing operation based a spin torque transfer (STT).
    本発明は、熱アシスト書き込み操作又はスピントルクトランスファー（ＳＴＴ）に基づいた書き込み操作を実施するのに適した磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セルに関する。 - 特許庁
  • To provide a welding method by which two pipe ends are welded in an open root having a space between the ends with STT (R) electric arc welding machine in pipe welding industry.
    パイプ溶接工業において、ＳＴＴ電気アーク溶接機によって２つのパイプ端部をこれらの間隔のある端部間にあるオプンルートにて溶接する方法を提供する。 - 特許庁
  • To obtain an MTJ nanopillar structure that meets the requirements for designing a 64 Mb STT-RAM having a thermal stability, a writing voltage, a read-out voltage and a coercivity Hc, while reducing a critical inversion current density J_CO to the minimum.
    臨界反転電流密度Ｊ_COを最小限に抑えつつ、熱安定性、書き込み電圧、読み出し電圧、および保磁力Ｈｃが６４ＭｂのＳＴＴ-ＲＡＭの設計要求を満たすＭＴＪナノピラー構造を得る。 - 特許庁

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