「Sch」を含む例文一覧(121)

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  • also called sch 66336.
    「sch 66336」とも呼ばれる。 - PDQ®がん用語辞書 英語版
  • also called peg-intron and sch 54031.
    「peg-intron」、「sch 54031」とも呼ばれる。 - PDQ®がん用語辞書 英語版
  • SCH DETECTOR
    ＳＣＨ検出装置 - 特許庁
  • also called peg-interferon alfa-2b and sch 54031.
    「peg-interferon alfa-2b（pegインターフェロンα-2b）」、「sch 54031」とも呼ばれる。 - PDQ®がん用語辞書 英語版
  • A de-spreader 12 de-spreads an equalization result Z[i] with non-orthogonal sequences of a Primary-SCH and a Secondary-SCH, and calculates interference amplitude A.
    逆拡散器１２は、Primary-SCHとSecondary-SCHの非直交系列で等化結果Z[i]を逆拡散し、干渉振幅Aを算出する。 - 特許庁
  • The spreader 14 spreads the interference amplitude A' with the Primary-SCH and the Secondary-SCH, and calculates an interference removal signal for each chip.
    拡散器１４は、Primary-SCHとSecondary-SCHで干渉振幅A'を拡散し、チップ単位の干渉除去信号を算出する。 - 特許庁
  • sch 54031 is a cytokine that is modified in the laboratory.
    sch 54031は、製造ラボにおいて操作が加えられたサイトカインである。 - PDQ®がん用語辞書 英語版
  • METHOD FOR PROCESSING UL-SCH TRANSMISSION AND COMMUNICATION APPARATUS
    ＵＬ−ＳＣＨ伝送を処理する方法及び通信装置 - 特許庁
  • SCH ANALYZER FOR W-CDMA SIGNAL
    Ｗ−ＣＤＭＡ信号のＳＣＨ解析装置 - 特許庁
  • A dielectric mask is formed on a cladding layer (S4), after growing an SCH layer, active layer, SCH layer, and cladding layer on a substrate (S3).
    基板上にＳＣＨ層、活性層、ＳＣＨ層、クラッド層を成長させ（Ｓ３）、クラッド層上に誘電体マスクを形成する（Ｓ４）。 - 特許庁
  • A lower clad layer 2A, a lower SCH layer 3A, an active layer 4, an upper SCH layer 3B, an upper clad layer 2B and a contact layer 5.
    半導体基板１上に、下クラッド層２A、下ＳＣＨ層３A、活性層４、上ＳＣＨ層３B、上クラッド層２B、コンタクト層５を有している。 - 特許庁
  • An SCH subcarrier detection section 205 detects the subcarrier to which the SCH is allocated based upon the calculated correlation values of the respective subcarriers.
    ＳＣＨサブキャリア検出部２０５は、算出された各サブキャリアの相関値に基づいて、ＳＣＨが割り当てられたサブキャリアを検出する。 - 特許庁
  • To provide an SCH(sub-carrier to horizontal) detector, applying digital processing to a television signal that detects an SCH of an input signal.
    テレビジョン信号をデジタル処理する装置において、入力信号のＳＣＨを検出すること。 - 特許庁
  • To reduce the amount of processing of a mobile station while maintaining cell search time characteristics of the mobile station at a high level in an SCH configuration using P-SCH (Synchronization Channel) and S-SCH.
    Ｐ−ＳＣＨとＳ−ＳＣＨとを用いるＳＣＨ構成において、移動局のセルサーチ時間特性を高いレベルで維持しつつ、移動局の処理量を低減することを目的とする。 - 特許庁
  • The semiconductor laser has an InP substrate 2 and an SCH deformed MQW active layer 3 provided on the InP substrate 2, wherein an isolated groove 11 is formed by removing part of the SCH deformed MQW active layer 3 and a material 12 different from an MQW25 of the SCH deformed MQW active layer 3 is embedded in the isolated groove 11.
    ＩｎＰ基板２と、ＩｎＰ基板２上に設けられたＳＣＨ歪ＭＱＷ活性層３とを有し、ＳＣＨ歪ＭＱＷ活性層３の一部が除去されて分離溝１１が形成され、分離溝１１にＳＣＨ歪ＭＱＷ活性層３のＭＱＷ２５と異なる材料１２が埋め込まれた。 - 特許庁
  • A diffraction grating 36 is formed along an interface between the SCH layer 52 and the cladding layer 16.
    ＳＣＨ層５２とクラッド層１６との界面には、回折格子３６が設けられている。 - 特許庁
  • A uniform diffraction grating 36 is provided on the interface of the SCH layer 52 and the clad layer 16.
    ＳＣＨ層５２とクラッド層１６との界面には、均一回折格子３６が設けられている。 - 特許庁
  • To reduce PAPR and to enhance detection probability of S-SCH in cell search.
    セルサーチにおいて、ＰＡＰＲを低減することができ、Ｓ−ＳＣＨの検出確率を向上させること。 - 特許庁
  • The upper surface of the SCH layer 52 positioned at the uppermost position is coated with a lower intermediate layer 15a.
    最も上に位置するＳＣＨ層５２の上面には下部中間層１５ａが被着されている。 - 特許庁
  • An intermediate layer 15 is adhered to an upper surface of the uppermost SCH layer 52.
    最も上に位置するＳＣＨ層５２の上面には中間層１５が被着されている。 - 特許庁
  • A cladding layer 16 is formed on the upper surface of the SCH layer 52 located at an uppermost position.
    最も上に位置するＳＣＨ層５２の上面にはクラッド層１６が設けられている。 - 特許庁
  • A clad layer 16 is provided on the upper surface of the SCH layer 52.
    最も上に位置するＳＣＨ層５２の上面にはクラッド層１６が設けられている。 - 特許庁
  • A clad layer 16 is formed on the top face of the SCH layer 52 located in the most upper layer.
    最も上に位置するＳＣＨ層５２の上面にはクラッド層１６が設けられている。 - 特許庁
  • On the reception side, such a frequency multiplex type S-SCH is used to carry out cell search.
    受信側では、このような周波数多重型Ｓ−ＳＣＨを用いてセルサーチを行う。 - 特許庁
  • A clad layer 16 is provided on an upper surface of the uppermost SCH layer 52.
    最も上に位置するＳＣＨ層５２の上面にはクラッド層１６が設けられている。 - 特許庁
  • Firstly, a reverse supplemental channel (R-SCH) frame is received in a base station.
    最初に、逆方向補足チャネル（Ｒ−ＳＣＨ）フレームが基地局で受信される。 - 特許庁
  • To promote the acquisition of a target cell by avoiding the acquisition of the P-SCH of an active cell.
    能動セルのＰ−ＳＣＨの取得を回避し、目標セルの取得を促進することを課題とする。 - 特許庁
  • The S-SCH is modulated by a complex exponential wave and scrambled by a scrambling code.
    Ｓ−ＳＣＨは複素指数波で変調され、そしてスクランブルコードでスクランブルされる。 - 特許庁
  • To reduce PAPR in cell search and improve the probability of detecting S-SCH.
    セルサーチにおいて、ＰＡＰＲを低減することができ、Ｓ−ＳＣＨの検出確率を向上させること。 - 特許庁
  • This self oscillation type semiconductor laser includes a first clad layer 2, an SCH structure 3 containing an active layer formed on it, and second clad layers 4-6 formed on the SCH structure while having a first ridge stripe structure 9.
    自励発振型半導体レーザは、第１のクラッド層２、その上に形成され活性層を含むＳＣＨ構造３、その上に形成され第１リッジストライプ構造９を有する第２のクラッド層４〜６を備える。 - 特許庁
  • A triazine derivative having three SH groups converted to SCH(CH_3)OR groups (R is a ≥3C alkyl group) is used as the alkyl vinyl ether adduct of 1,3,5-triazine-2,4,6-trithiol.
    1,3,5-トリアジン-2,4,6-トリチオールのアルキルビニルエーテル付加物としては、3個のSH基がそれぞれSCH(CH_3)OR基(R基：炭素数3以上のアルキル基)に変換されたトリアジン誘導体が用いられる。 - 特許庁
  • In addition, when an SCH is made to be a channel to be detected, the error between the frequency of a carrier wave and the frequencies of cosine and sine waves used for demodulation can be eliminated in the stage of the SCH.
    また、検出対象とするチャネルをＳＣＨとすることによって、ＳＣＨの段階で搬送波の周波数と復調に用いる余弦波および正弦波の周波数との誤差を解消することができる。 - 特許庁
  • During operation, a transmitter transmits a primary synchronization channel (P-SCH) in a subframe and a secondary synchronization channel (S-SCH) in the subframe.
    動作状態では、送信機はプライマリ同期チャネル（Ｐ−ＳＣＨ）をサブフレームで送信し、そしてセカンダリ同期チャネル（Ｓ−ＳＣＨ）をサブフレームで送信する。 - 特許庁
  • A buffer layer 2, a lower SCH layer 3, an active layer 4, an upper SCH layer 5, an electronic stop layer 6 and an etching stop layer 7 are laminated on a semiconductor substrate 1.
    半導体基板１上にバッファー層２、下部ＳＣＨ層３、活性層４、上部ＳＣＨ層５、電子ストップ層６、エッチングストップ層７を積層する。 - 特許庁
  • In the multilayer structure of a DFB laser 1, upper part of an upper clad layer 16, a grating 14, an upper SCH layer 13, an MQW active layer 12, a lower SCH layer 10, and a lower clad layer 8 forms a mesa stripe.
    ＤＦＢレーザ１の積層構造のうち、上部クラッド層１６、回折格子１４、上部ＳＣＨ層１３、ＭＱＷ活性層１２、下部ＳＣＨ層１０、及び下部クラッド層８の上部は、メサストライプを形成している。 - 特許庁
  • As the alkyl vinyl ether additive of 1,3,5-triazine-2,4,6-trithiole, a triazine derivative is used which has three SH groups each converted into an SCH(CH_3)OR group (R group: an alkyl group having three or more carbon atoms).
    1,3,5-トリアジン-2,4,6-トリチオールのアルキルビニルエーテル付加物としては、3個のSH基がそれぞれSCH(CH_3)OR基(R基：炭素数3以上のアルキル基)に変換されたトリアジン誘導体が用いられる。 - 特許庁
  • A cell search controller 100 is provided with a P-SCH receiving circuit 101, an S-SCH receiving circuit 102 and a P-CPICH receiving circuit 103.
    セルサーチ制御装置１００は、Ｐ−ＳＣＨ受信回路１０１、Ｓ−ＳＣＨ受信回路１０２、Ｐ−ＣＰＩＣＨ受信回路１０３を備えている。 - 特許庁
  • In a certain embodiment, the P-SCH comprises a GCL sequence or a Zadoff-Chu sequence, and the scrambling code uses the GCL sequence index of the P-SCH.
    本発明の或る実施形態では、Ｐ−ＳＣＨはＧＣＬ系列またはＺａｄｏｆｆ−Ｃｈｕ系列を含み、そしてスクランブルコードは、Ｐ−ＳＣＨのＧＣＬ系列のインデックスを利用する。 - 特許庁
  • A diffraction grid 35 is provided in the interface between the SCH layer 52 and the clad layer 16 along only one part of length of the active layer.
    ＳＣＨ層５２とクラッド層１６との界面には、活性層の長さの一部分のみに沿って、回折格子３６が設けられている。 - 特許庁
  • An action mode (SCH, HOM) placed in a condition capable of generating at least required torque is considered, so as to give shift information.
    少なくとも、要求されたトルクを生成することができる状態にある作動モード（ＳＣＨ、ＨＯＭ）を考慮してシフト情報を与えるようにする。 - 特許庁
  • At an interface between the SCH layer 52 and the clad layer 16, a uniform diffraction grating 36 is formed over the entire length of the active layer 45.
    ＳＣＨ層５２とクラッド層１６との界面には、活性層４５の全長に沿って均一回折格子３６が設けられている。 - 特許庁
  • The MQW-SCH active layer 46 has a band gap of 1560 nm expressed in terms of wavelength.
    ＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４６の活性層のバンドギャップは、波長に換算して１５６０ｎｍである。 - 特許庁
  • Then, the base station transmits an acknowledgement (ACK) signal when the quality of the received R-SCH frame is shown to be good.
    基地局は次に、受信したＲ−ＳＣＨフレームの品質が良好であると示される場合、肯定応答（ＡＣＫ）信号を送信する。 - 特許庁
  • To provide a method for processing UL-SCH (uplink shared channel) transmission in order to avoid transmission collision and a communication apparatus.
    伝送衝突を回避するために、ＵＬ−ＳＣＨ（アップリンク共用チャネル）伝送を処理する方法及び通信装置を提供する。 - 特許庁
  • A semiconductor laser device 100 is provided with an active layer 45 having a multiple quantum well structure, and SCH layers 42, 44, 50, and 52 that are formed above and under it.
    半導体レーザ素子１００は、多重量子井戸構造の活性層４５と、その上下に設けられたＳＣＨ層４２，４４，５０，５２を備えている。 - 特許庁
  • A metal having the composition of SCH heat resistant cast steel prescribed in JIS is clad on a base material metal such as stainless steel by welding.
    ＪＩＳに規定されるＳＣＨ耐熱鋳鋼の組成を持つ金属を、ステンレス鋼等の母材金属上に溶接肉盛りする。 - 特許庁
  • An SCH power adjusting circuit 202 periodically switches the transmission powers of synchronous channels to low or high levels.
    ＳＣＨパワー調整回路２０２は、同期チャネルの送信パワーを周期的に低レベルか高レベルに切り替える。 - 特許庁
  • The S-SCH receiving circuit 102 detects three SSCs and their disposing intervals, and specifies the scramble code groups on the basis of them.
    Ｓ−ＳＣＨ受信回路１０２は、３つのＳＳＣおよびその配置間隔を検出し、これらをもとにスクランブリングコードグループを特定する。 - 特許庁
  • Then the corresponding code group is identified from information regarding the subcarrier which is output from the SCH subcarrier detection section 205.
    そして、ＳＣＨサブキャリア検出部２０５から出力されるサブキャリアに関する情報から、対応するコードグループを同定する。 - 特許庁
  • A bandwidth of the network is partitioned into a set of channels including a control channel (CCH) and multiple service channels (SCH).
    ネットワークの帯域幅は、制御チャネル（ＣＣＨ）及び複数のサービスチャネル（ＳＣＨ）を含むチャネルのセットに区画される。 - 特許庁
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