Provided are methods of preparing the selenium ink and of using the selenium ink to deposit selenium on a substrate for use in the manufacture of a variety of chalcogenide containing semiconductor materials, such as, thin film transistors (TFTs), light emitting diodes (LEDs); and photo responsive devices (e.g., electrophotography (e.g., laser printers and copiers), rectifiers, photographic exposure meters and photo voltaic cells) and chalcogenide containing phase change memory devices. このセレンインクを製造する方法、およびこのセレンインクを使用して、様々なカルコゲナイド含有半導体物質、例えば、薄膜トランジスタ(TFT)、発光ダイオード(LED);および、光応答デバイス(例えば、エレクトロフォトグラフィ(例えば、レーザープリンタおよびコピー機)、整流器、写真用露出計および太陽電池)、並びに、カルコゲナイド含有相変化メモリデバイスの製造に使用するための基体上にセレンを堆積する方法。 - 特許庁
Also provided are methods for producing the selenium ink and for using the selenium ink to deposit selenium on a substrate for use in the manufacture of a variety of chalcogenide-containing semiconductor materials, such as thin film transistors (TFTs), light emitting diodes (LEDs); and photoresponsive devices (e.g. electrophotography (e.g. laser printers and copiers), rectifiers, photographic exposure meters and solar cells) and chalcogenide-containing phase change memory materials. このセレンインクを製造する方法、およびこのセレンインクを使用して、様々なカルコゲナイド含有半導体物質、例えば、薄膜トランジスタ(TFT)、発光ダイオード(LED);および、光応答デバイス(例えば、エレクトロフォトグラフィ(例えば、レーザープリンタおよびコピー機)、整流器、写真用露出計および太陽電池)、並びに、カルコゲナイド含有相変化メモリ物質の製造に使用するための基体上にセレンを堆積する方法。 - 特許庁