After washing a diameter D' of a surface of the hole 12 is measured by using a versatile measuring SEM, and a polished amount ΔT' of the insulation film 11 in a region of the tungsten plug 14 is calculated from the measurement value. 洗浄後、汎用の測長SEMなどを用いて、ホール12表面の直径D’を測定し、その測定値からタングステンプラグ14領域における絶縁膜11の研磨量ΔT’を算出する。 - 特許庁
The size of the width 25 of an image of a side face of the most upper layer of a pattern which should appear on an SEM image (d) when a wafer 3 is tilted can be calculated from an actual thickness of the most upper layer of the pattern and a tilting angle of the wafer 3. ウェーハ3傾斜時のSEM像(d)に現れるべきパターン最上層側面の像の幅25の大きさは、パターン最上層の実際の厚さとウェーハ3の傾斜角度から算出可能である。 - 特許庁
According to the substrate inspection method, electron beams are irradiated by an optical axis E1 to the part on a semiconductor wafer W, where the defect D is present with the use of an SEM apparatus which detects by a single electron beam detector, secondary electron beams emitted, when electron beams are applied onto the semiconductor wafer W. 本発明の基体検査方法は、半導体ウェハW上に電子ビームを照射することにより放出される二次電子線を単一の電子線検出器で検出するSEM装置を用い、半導体ウェハ上の欠陥Dが存在する部位に光軸E1で電子ビームを照射する。 - 特許庁